JP2020509604A - 光電変換効率を向上可能なperc太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、上記光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の製造方法を提供することを2つ目の目的とする。
(1)P型シリコンであるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成するステップと、
(2)前記シリコンウェハの表面で拡散させて、N型シリコン、即ちN型エミッタを形成するステップと、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSGを除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理するステップと、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄するステップと、
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜を堆積するステップと、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜、裏面酸化アルミニウム膜を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域を形成するステップと、
(9)前記シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
(10)前記シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極を形成し、アルミニウム裏面電極を印刷すると共にレーザーグルービング領域内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップを形成し、裏面アルミストリップがアルミニウム裏面電極は一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥するステップと、
(11)前記シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
(12)シリコンウェハを高温で焼結して、裏面銀電極、アルミニウム裏面電極及び表面銀電極を形成するステップと、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成するステップと、を備えることを特徴とする。
(51)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%〜6%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%〜5%であるKOHとH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30〜300秒であるステップと、
(53)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.3%〜18%であるKOH溶液内に放置し、KOH溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(54)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%〜6%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%〜5%であるKOHとH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30〜300秒であるステップと、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が0.2%〜6%であるHF溶液、または、HCLの質量分率が0.2%〜5%であるHCL溶液、または、HFの質量分率が0.2%〜6%であり、かつHCLの質量分率が0.2%〜5%であるHF及びHCLの混合溶液内に放置し、HF溶液またはHCL溶液またはHF及びHCLの混合溶液の温度は60〜90度であり、放置時間は5〜300秒であるステップと、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は60〜99度であり、すすぎ時間は30〜300秒であり、すすぎが完了した後、シリコンウェハを水面から引き出すステップと、
(58)シリコンウェハを乾燥するステップと、を備え、
前記ステップ(51)〜(58)はこの順で実行される。
その中でも、上記ステップ(5)では、すべてのKOHをNaOHで全て置き換えることができる。
図1に示されるように、光電変換効率を向上可能なPERC(Passivated Emitter and Rear Cell)太陽電池において、下から上へ順次配置される裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2、裏面窒化シリコン膜3、裏面酸化アルミニウム膜4、P型シリコン5、N型シリコン6、表面窒化シリコン膜7及び表面銀電極8を備え、太陽電池は、裏面に裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してP型シリコン5までわたる複数のレーザーグルービング領域9が開設され、複数のレーザーグルービング領域9が平行に設置され、各レーザーグルービング領域9にはいずれも裏面アルミストリップ10が充填され、裏面アルミストリップ10及びアルミニウム裏面電極2はアルミニウムペーストによって一体的に印刷によって成形され、アルミニウム裏面電極2は裏面アルミストリップ10によってP型シリコン5に接続され、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2、裏面窒化シリコン膜3、裏面酸化アルミニウム膜4、P型シリコン5、N型シリコン6、表面窒化シリコン膜7及び表面銀電極8は、下から上へ順次に接続され、P型シリコン5は電池のシリコンウェハであり、N型シリコン6はシリコンウェハの表面で拡散して形成されたN型エミッタであり、表面窒化シリコン膜7はシリコンウェハの表面に堆積され、裏面酸化アルミニウム膜4はシリコンウェハの裏面に堆積され、シリコンウェハに表面窒化シリコン膜7を堆積した後、裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、なお、裏面酸化アルミニウム膜4を堆積する前にシリコンウェハの裏面を洗浄する。
(1)P型シリコン5であるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成し、
(2)シリコンウェハの表面で拡散させ、N型シリコン6、即ちN型エミッタを形成する、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSG(phospho−silicate Glass)を除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理し、ステップ(3)の後、実際の状況に応じてシリコンウェハの裏面を研磨する必要があるかどうかを決定し、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜7を堆積し、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄し、図2に示されるように、シリコンウェハの裏面を洗浄するステップは、順次的に実行される下記のステップ(51)〜(58)を備え、具体的には、
(51)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は99度であり、放置時間は300秒であり、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30秒であり、
(53)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.3%であるKOH溶液内に放置し、KOH溶液の温度は99度であり、放置時間は300秒であり、
(54)シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は99度であり、放置時間は300秒であり、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30秒であり、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が0.2%であるHF溶液内に放置し、HF溶液の温度は90度であり、放置時間は300秒であり、このステップにおいて、HF溶液をHCL溶液で置き換えることもでき、この時、HCLの質量分率が0.2%であり、または、HF溶液をHFの質量分率が0.2%であり、かつHCLの質量分率が0.2%であるHF及びHCLの混合溶液で置き換えることもでき、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は60度であり、すすぎ時間は300秒であり、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用い、シリコンウェハを水面から引き出し、
(58)シリコンウェハを乾燥する。
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜3を堆積し、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域9を形成し、
(9)シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(10)シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極2を形成し、アルミニウム裏面電極2を印刷すると共にレーザーグルービング領域9内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップ10を形成し、裏面アルミストリップ10とアルミニウム裏面電極2とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥し、
(11)シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(12)シリコンウェハを高温で焼結し、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2及び表面銀電極8を形成し、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成する。
本発明に係る光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の実施例2と実施例1との相違点は以下のようである。実施例2において、表面窒化シリコン膜7の厚さは180μmであり、裏面窒化シリコン膜3の厚さは200μmであり、裏面酸化アルミニウム膜4の厚さは9nmである。
(1)P型シリコン5であるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成し、
(2)シリコンウェハの表面で拡散させ、N型シリコン6、即ちN型エミッタを形成する、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSG(phospho−silicate Glass)を除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理し、ステップ(3)の後、実際の状況に応じてシリコンウェハの裏面を研磨する必要があるかどうかを決定し、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜7を堆積し、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄し、図2に示されるように、シリコンウェハの裏面を洗浄するステップは、順次的に実行される下記のステップ(51)〜(58)を備え、具体的には、
(51)シリコンウェハをNaOHの質量分率が1.5%であり、かつH2O2の質量分率が1.3%であるNaOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は90度であり、放置時間は240秒であり、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は240秒であり、
(53)シリコンウェハをNaOHの質量分率が4.5%であるNaOH溶液内に放置し、温度は90度であり、放置時間は240秒であり、
(54)シリコンウェハをNaOHの質量分率が1.5%であり、かつH2O2の質量分率が1.3%であるNaOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は90度であり、放置時間は250秒であり、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は250秒であり、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が1.5%であるHF溶液内に放置し、HF溶液の温度は80度であり、放置時間は240秒であり、このステップにおいて、HF溶液をHCL溶液で置き換えることもでき、この時、HCLの質量分率が1.2%であり、または、HF溶液をHFの質量分率1.5%であり、かつHCLの質量分率が1.2%であるHF及びHCLの混合溶液で置き換えることもでき、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は90度であり、すすぎ時間は250秒であり、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用い、シリコンウェハを水面から引き出し、
(58)シリコンウェハを乾燥する。
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜3を堆積し、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域9を形成し、
(9)シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(10)シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極2を形成し、アルミニウム裏面電極2を印刷すると共にレーザーグルービング領域9内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップ10を形成し、裏面アルミストリップ10とアルミニウム裏面電極2とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥し、
(11)シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(12)シリコンウェハを高温で焼結し、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2及び表面銀電極8を形成し、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成する。
本発明に係る光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の実施例3と実施例1との相違点は以下のようである。実施例3において、表面窒化シリコン膜7の厚さは260μmであり、裏面窒化シリコン膜3の厚さは250μmであり、裏面酸化アルミニウム膜4の厚さは16nmである。
(1)P型シリコン5であるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成し、
(2)シリコンウェハの表面で拡散させ、N型シリコン6、即ちN型エミッタを形成する、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSG(phospho−silicate Glass)を除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理し、ステップ(3)の後、実際の状況に応じてシリコンウェハの裏面を研磨する必要があるかどうかを決定し、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜7を堆積し、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄し、図2に示されるように、シリコンウェハの裏面を洗浄するステップは、順次的に実行される下記のステップ(51)〜(58)を備え、具体的には、
(51)シリコンウェハをKOHの質量分率が3%であり、かつH2O2の質量分率が2.5%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は80度であり、放置時間は150秒であり、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は150秒であり、
(53)シリコンウェハをKOHの質量分率が9%であるKOH溶液内に放置し、KOH溶液の温度は80度であり、放置時間は160秒であり、
(54)シリコンウェハをKOHの質量分率が3%であり、かつH2O2の質量分率が2.5%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は82度であり、放置時間は160秒であり、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は150秒であり、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が3%であるHF溶液内に放置し、HF溶液の温度は75度であり、放置時間は150秒であり、このステップにおいて、HF溶液をHCL溶液で置き換えることもでき、この時、HCLの質量分率が2.5%であり、または、HF溶液をHFの質量分率3%であり、かつHCLの質量分率が2.5%であるHF及びHCLの混合溶液で置き換えることもでき、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は80度であり、すすぎ時間は160秒であり、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用い、シリコンウェハを水面から引き出し、
(58)シリコンウェハを乾燥する。
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜3を堆積し、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域9を形成し、
(9)シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(10)シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極2を形成し、アルミニウム裏面電極2を印刷すると共にレーザーグルービング領域9内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップ10を形成し、裏面アルミストリップ10とアルミニウム裏面電極2とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥し、
(11)シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(12)シリコンウェハを高温で焼結し、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2及び表面銀電極8を形成し、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成する。
本発明に係る光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の実施例4と実施例1との相違点は以下のようである。実施例4において、表面窒化シリコン膜7の厚さは300μmであり、裏面窒化シリコン膜3の厚さは300μmであり、裏面酸化アルミニウム膜4の厚さは23nmである。
(1)P型シリコン5であるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成し、
(2)シリコンウェハの表面で拡散させ、N型シリコン6、即ちN型エミッタを形成する、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSG(phospho−silicate Glass)を除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理し、ステップ(3)の後、実際の状況に応じてシリコンウェハの裏面を研磨する必要があるかどうかを決定し、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜7を堆積し、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄し、図2に示されるように、シリコンウェハの裏面を洗浄するステップは、順次的に実行される下記のステップ(51)〜(58)を備え、具体的には、
(51)シリコンウェハをNaOHの質量分率が4.5%であり、かつH2O2の質量分率が3.8%であるNaOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は70度であり、放置時間は60秒であり、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は100秒であり、
(53)シリコンウェハをNaOHの質量分率が14%であるNaOH溶液内に放置し、NaOH溶液の温度は70度であり、放置時間は60秒であり、
(54)シリコンウェハをNaOHの質量分率が4.5%であり、かつH2O2の質量分率が3.8%であるNaOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は70度であり、放置時間は60秒であり、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は90秒であり、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が4.5%であるHF溶液内に放置し、HF溶液の温度は70度であり、放置時間は40秒であり、このステップにおいて、HF溶液をHCL溶液で置き換えることもでき、この時、HCLの質量分率が3.8%であり、または、HF溶液をHFの質量分率4.5%であり、かつHCLの質量分率が3.8%であるHF及びHCLの混合溶液で置き換えることもでき、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は65度であり、すすぎ時間は250秒であり、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用い、シリコンウェハを水面から引き出し、
(58)シリコンウェハを乾燥する。
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜3を堆積し、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域9を形成し、
(9)シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(10)シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極2を形成し、アルミニウム裏面電極2を印刷すると共にレーザーグルービング領域9内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップ10を形成し、裏面アルミストリップ10とアルミニウム裏面電極2とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥し、
(11)シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(12)シリコンウェハを高温で焼結し、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2及び表面銀電極8を形成し、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成する。
本発明に係る光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の実施例5と実施例1との相違点は以下のようである。実施例5において、表面窒化シリコン膜7の厚さは80μmであり、裏面窒化シリコン膜3の厚さは80μmであり、裏面酸化アルミニウム膜4の厚さは30nmである。
(1)P型シリコン5であるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成し、
(2)シリコンウェハの表面で拡散させ、N型シリコン6、即ちN型エミッタを形成する、
(3)シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSG(phospho−silicate Glass)を除去し、シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理し、ステップ(3)の後、実際の状況に応じてシリコンウェハの裏面を研磨する必要があるかどうかを決定し、
(4)シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜7を堆積し、
(5)シリコンウェハの裏面を洗浄し、図2に示されるように、シリコンウェハの裏面を洗浄するステップは、順次的に実行される下記のステップ(51)〜(58)を備え、具体的には、
(51)シリコンウェハをKOHの質量分率が6%であり、かつH2O2の質量分率が5%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は60度であり、放置時間は30秒であり、
(52)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は300秒であり、
(53)シリコンウェハをKOHの質量分率が18%であるKOH溶液内に放置し、KOH溶液の温度は60度であり、放置時間は30秒であり、
(54)シリコンウェハをKOHの質量分率が6%であり、かつH2O2の質量分率が5%であるKOH及びH2O2の混合溶液内に放置し、混合溶液の温度は60度であり、放置時間は30秒であり、
(55)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は300秒であり、
(56)シリコンウェハをHFの質量分率が6%であるHF溶液内に放置し、HF溶液の温度は90度であり、放置時間は5秒であり、このステップにおいて、HF溶液をHCL溶液で置き換えることもでき、この時、HCLの質量分率が5%であり、または、HF溶液をHFの質量分率6%であり、かつHCLの質量分率が5%であるHF及びHCLの混合溶液で置き換えることもでき、
(57)シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、脱イオン水の温度は99度であり、すすぎ時間は30秒であり、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用い、シリコンウェハを水面から引き出し、
(58)シリコンウェハを乾燥する。
(6)シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜4を堆積し、
(7)シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜3を堆積し、
(8)シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、裏面窒化シリコン膜3及び裏面酸化アルミニウム膜4を開口してシリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域9を形成し、
(9)シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(10)シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極2を形成し、アルミニウム裏面電極2を印刷すると共にレーザーグルービング領域9内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップ10を形成し、裏面アルミストリップ10とアルミニウム裏面電極2とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥し、
(11)シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥し、
(12)シリコンウェハを高温で焼結し、裏面銀電極1、アルミニウム裏面電極2及び表面銀電極8を形成し、
(13)シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成する。
2 アルミニウム裏面電極
3 裏面窒化シリコン膜
4 裏面酸化アルミニウム膜
5 P型シリコン
6 N型シリコン
7 表面窒化シリコン膜
8 表面銀電極
9 レーザーグルービング領域
10 裏面アルミストリップ
Claims (8)
- 下から上へ順次配置される裏面銀電極、アルミニウム裏面電極、裏面窒化シリコン膜、裏面酸化アルミニウム膜、P型シリコン、N型シリコン、表面窒化シリコン膜及び表面銀電極を備え、裏面には、さらに、前記裏面窒化シリコン膜及び前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記P型シリコンまでわたる複数のレーザーグルービング領域が開設され、複数の前記レーザーグルービング領域が平行に設置され、各レーザーグルービング領域内のそれぞれには裏面アルミストリップが充填され、前記裏面アルミストリップ及び前記アルミニウム裏面電極はアルミニウムペーストによって一体的に印刷によって成形され、前記アルミニウム裏面電極は前記裏面アルミストリップを介して前記P型シリコンに接続され、前記裏面銀電極、前記アルミニウム裏面電極、前記裏面窒化シリコン膜、前記裏面酸化アルミニウム膜、前記P型シリコン、前記N型シリコン、前記表面窒化シリコン膜及び前記表面銀電極は、下から上へ順次に接続され、前記P型シリコンは電池のシリコンウェハであり、前記N型シリコンは前記シリコンウェハの表面で拡散して形成されたN型エミッタであり、前記表面窒化シリコン膜は前記シリコンウェハの表面に堆積され、前記裏面酸化アルミニウム膜は前記シリコンウェハの裏面に堆積され、前記シリコンウェハに前記表面窒化シリコン膜が堆積された後に前記裏面酸化アルミニウム膜が堆積され、前記裏面酸化アルミニウム膜が堆積される前に前記シリコンウェハの裏面を洗浄することを特徴とする、光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池。
- 前記表面窒化シリコン膜の厚さは50〜300μmであることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池。
- 前記裏面窒化シリコン膜の厚さは80〜300μmであることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池。
- 前記裏面酸化アルミニウム膜の厚さは2〜50nmであることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の製造方法において、
(1)P型シリコンであるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成するステップと、
(2)前記シリコンウェハの表面で拡散させて、N型シリコン、即ちN型エミッタを形成するステップと、
(3)前記シリコンウェハの周辺のPN接合及び拡散中に形成された表面PSGを除去し、前記シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理するステップと、
(4)前記シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
(5)前記シリコンウェハの裏面を洗浄するステップと、
(6)前記シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜を堆積するステップと、
(7)前記シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
(8)前記シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、前記裏面窒化シリコン膜、前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記シリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域を形成するステップと、
(9)前記シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
(10)前記シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極を形成し、前記アルミニウム裏面電極を印刷すると共に前記レーザーグルービング領域内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップを形成し、前記裏面アルミストリップと前記アルミニウム裏面電極とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥するステップと、
(11)前記シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
(12)前記シリコンウェハを高温で焼結して、裏面銀電極、前記アルミニウム裏面電極及び表面銀電極を形成するステップと、
(13)前記シリコンウェハをアンチLID(anti−LID)アニーリング処理し、太陽電池を形成するステップと、を備えることを特徴とする光電変換効率を向上可能なPERC太陽電池の製造方法。 - 前記シリコンウェハの裏面を洗浄する前記ステップ(5)は、具体的には、
(51)前記シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%〜6%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%〜5%であるKOHとH2O2の混合溶液内に放置し、前記混合溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(52)前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30〜300秒であるステップと、
(53)前記シリコンウェハをKOHの質量分率が0.3%〜18%であるKOH溶液内に放置し、前記KOH溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(54)前記シリコンウェハをKOHの質量分率が0.1%〜6%であり、かつH2O2の質量分率が0.1%〜5%であるKOHとH2O2の混合溶液内に放置し、前記混合溶液の温度は60〜99度であり、放置時間は30〜300秒であるステップと、
(55)前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は30〜300秒であるステップと、
(56)前記シリコンウェハをHFの質量分率が0.2%〜6%であるHF溶液、または、HCLの質量分率が0.2%〜5%であるHCL溶液、または、HFの質量分率が0.2%〜6%であり、かつHCLの質量分率が0.2%〜5%であるHF及びHCLの混合溶液内に放置し、HF溶液またはHCL溶液またはHF及びHCLの混合溶液の温度は60〜90度であり、放置時間は5〜300秒であるステップと、
(57)前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、前記脱イオン水の温度は60〜99度であり、すすぎ時間は30〜300秒であり、すすぎが完了した後、前記シリコンウェハを水面から引き出すステップと、
(58)前記シリコンウェハを乾燥するステップと、を備え、
前記ステップ(51)〜(58)はこの順で実行されることを特徴とする、請求項5に記載の製造方法。 - 前記ステップ(5)において、すべてのKOHをNaOHで置き換えることができることを特徴とする、請求項6に記載の製造方法。
- 前記ステップ(57)において、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用いて前記シリコンウェハを水面から引き出すことを特徴とする、請求項6に記載の製造方法。
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