JP5848417B1 - 太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような工程を含むことで、アルミニウム膜からp型シリコン基板の第二主表面近傍にp型ドーパントを供給できるので、BSF構造を形成し、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
このようにp型シリコン基板11の第二主表面19にアルミニウム電極16が設けられていれば、アルミニウム電極16からp型シリコン基板11の第二主表面19近傍にp型ドーパントを供給できるので、BSF層を形成することができ、これにより、表面での再結合を低減させ、変換効率の向上につながる。
図1に示す本発明の太陽電池10を、図2に示す製造工程により作製した。
実施例においてシリコン窒化膜13を形成しない構造の太陽電池(すなわち、図4の太陽電池20)を作製した。
図5に示す太陽電池30を作製した。図5の太陽電池30は、図6に示す製造工程により作製した。
(図6(d)を参照)。
12、12’、22…シリコン酸化膜(熱酸化膜)、
13、33…シリコン窒化膜、 14、24、34…表面電極(電極)、
15’…最表層、 15…最表層(反転層)、 25…最表層、
16、26、36…裏面電極(アルミニウム電極、アルミニウム膜)、
37…n型拡散層(エミッタ層)、 18、28、38…第一主表面、
19、29、39…第二主表面。
Claims (4)
- ガリウムがドーピングされたp型シリコン単結晶基板と、
該p型シリコン単結晶基板の第一主表面に設けられた熱酸化膜であるシリコン酸化膜と、
該シリコン酸化膜上に設けられた、膜中に正電荷を有するシリコン窒化膜と、
前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面上に設けられた電極と
を有し、
前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面側の最表層のガリウム濃度は、前記p型シリコン単結晶基板の内部のガリウム濃度より小さく、
前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面側の前記最表層は前記シリコン窒化膜中の正電荷により反転した反転層であり、
前記反転層はエミッタ層として機能することを特徴とする太陽電池。 - 前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面と対向する第二主表面に設けられたアルミニウム電極をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- ガリウムがドーピングされたp型シリコン単結晶基板を有する太陽電池の製造方法であって、
前記p型シリコン単結晶基板を熱酸化して、少なくとも前記p型シリコン単結晶基板の第一主表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面に形成された前記シリコン酸化膜上に、膜中に正電荷を有するシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面上に電極を形成する工程と
を含み、
前記シリコン窒化膜を形成する工程において、前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面側の最表層にエミッタ層として機能する前記シリコン窒化膜中の正電荷により反転した反転層が形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記p型シリコン単結晶基板の前記第一主表面と対向する第二主表面に、アルミニウム膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。
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