JP2020134782A - エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020134782A JP2020134782A JP2019029934A JP2019029934A JP2020134782A JP 2020134782 A JP2020134782 A JP 2020134782A JP 2019029934 A JP2019029934 A JP 2019029934A JP 2019029934 A JP2019029934 A JP 2019029934A JP 2020134782 A JP2020134782 A JP 2020134782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- signal line
- light emitting
- injection amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 214
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 214
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 45
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 664
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 21
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0259—Details of the generation of driving signals with use of an analog or digital ramp generator in the column driver or in the pixel circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/066—Waveforms comprising a gently increasing or decreasing portion, e.g. ramp
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0247—Flicker reduction other than flicker reduction circuits used for single beam cathode-ray tubes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0252—Improving the response speed
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0261—Improving the quality of display appearance in the context of movement of objects on the screen or movement of the observer relative to the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
【解決手段】EL表示装置は、選択トランジスタと、駆動トランジスタとEL素子とを含む画素と、選択トランジスタのゲートと電気的に接続される走査信号線と、選択トランジスタのソースと電気的に接続されるデータ信号線と、EL素子に電圧を印加するキャリア注入量制御信号線とを含む。EL素子は、第1電極と、第1電極と対向する領域を有する第3電極と、第1電極と第3電極との間の第1絶縁層と、第1絶縁層と第3電極との間の電子輸送層と、電子輸送層と第3電極との間のEL材料を含む発光層と、第1電極、第1絶縁層、電子輸送層及び第3電極が重なる領域の外側に配置され、電子輸送層と接触する第2電極とを有する。第1電極はキャリア注入量制御信号線と電気的に接続され、第2電極は駆動トランジスタのドレインと接続され、第3電極は一定電圧が印加される。
【選択図】図10
Description
EL素子は、基板上に陽極(又は陰極)と、有機層と、陰極(又は陽極)とが積層された構造を有する。有機層には、EL材料を含む発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層といった機能的分類で呼ばれる各層が適宜積層された構造を有する。有機層は、これら機能的分類で呼ばれる各層のうち、一つ又は複数の層が省略されることもある。EL素子が発光するために、陰極は有機層に電子を注入する電極として機能し、陽極は有機層に正孔を注入する電極として機能する。
図1は、EL素子102aの断面構造の一例を示す。図1に示すEL素子102aは、基板110側から、第1電極124、第1絶縁層126、第2電極128、電子輸送層130(第1電子輸送層130a、第2電子輸送層130b)、電子注入層132、発光層134、正孔輸送層136、正孔注入層138、及び第3電極140が積層された構造を有する。第2電極128は陰極に相当する電極であり、電子輸送層130(第1電子輸送層130a)と接するように設けられる。第3電極140は陽極に相当する電極である。
縁層126との間に配置され、第2電極128の上面部が電子輸送層130(第1電子輸送層130a)の下面と接するように設けられる。
が、キャリア(電子、正孔)の流れを阻害しないように直列的に積層される。これらの層が直列的に積層された領域は発光領域148となる。すなわち、第1開口部146aによって、EL素子102aの発光領域148が画定される。
層134に注入されるキャリア(正孔)の量とのバランス(これを「キャリアバランス」ともいう。)をとることができる。すなわち、EL素子102aは、キャリアバランスを調整することが可能な素子構造を有する。
図2は、トップエミッション型のEL素子102bを示す。トップエミッション型のEL素子102bは、第3電極140と第1電極124の構成が異なる他は、図1に示すボトムエミッション型のEL素子102aと同じ構成を有する。EL素子102bがトップエミッション型である場合、第1電極124は、光反射面が形成されるように金属膜で形成され、第3電極140は発光層134から放射される光が透過するように透明導電膜で形成される。第2電極128は発光領域148の外側に配置されるため、ボトムエミッション型のEL素子102aと同じ構成を有する。有機層は、基板110側から、電子輸送層130(第1電子輸送層130a、第2電子輸送層130b)、電子注入層132、発光層134、正孔輸送層136、正孔注入層138が積層された構造を有する。
図3、図4、及び図5を参照して、EL素子102の動作を説明する。図3、図4、及び図5は、EL素子102を構成する、第1電極124、第1絶縁層126、第2電極128、電子輸送層130、電子注入層132、発光層134、正孔輸送層136、正孔注入層138、及び第3電極140の配置を模式的に示す。
EL素子102は、第3電極(陽極)140と、第2電極(陰極)128との間に順方向電流が流れることで発光する。図3は、第1電極(キャリア注入量制御電極)124がキャリア注入量制御信号線Gnと接続され、第2電極128が駆動トランジスタ106のドレインと接続され、第3電極140が電源線PLと接続された態様を示す。
。EL素子102の発光強度は順方向電流の大きさで制御される。EL素子102に流れる電流は、駆動トランジスタ106のドレイン電流によって制御される。駆動トランジスタ106のドレイン電流は、容量素子108で保持されるゲート電圧(Vdata)で制御される。
ることが可能となる。
図6は、EL素子102のエネルギーバンド構造の一例を示す。図6に示すエネルギーバンド図は左側から、第1電極124、第1絶縁層126、第1電子輸送層130a、第2電子輸送層130b、電子注入層132、正孔ブロック層133、発光層134、電子ブロック層135、正孔輸送層136、正孔注入層138、第3電極140が積層された構造に対応する。なお、図6に示すエネルギーバンド図において、第2電極128は省略されている。
図7は、発光層902と、発光層902の陰極側に設けられる正孔ブロック層904と、陽極側に設けられる電子ブロック層906のエネルギーバンド構造の一例を示す。EL素子は、発光層902で電子と正孔が再結合することで発光する。具体的には、電子と正孔が発光層902で再結合すると励起子が生成され、生成された励起子が放射失活することで発光する。電流効率(発光効率)を高めるには、発光層902では、全域に電子と正孔が均一に分布して発光することが理想的である。発光層902の全域で発光することに
より、電流効率(発光効率)の向上が期待されるためである。実際には、発光層902において実際に発光する領域の厚みは10nm程度であると解析されている。しかし、発光層902の厚みを10nmにすると電流効率(発光効率)が低下するため、実用的には発光層は30nm〜50nm程度の厚みで形成されている。
EL素子の電流効率(発光効率)を高め、また輝度劣化を抑制するには、発光層に注入される電子と正孔の量を制御してバランスをとることが好ましい。本実施形態に係るEL素子102は、第1電極124によって発光層134に注入される電子の量を直接的に制御することができる。EL素子102は、第3電極140から発光層134に輸送される正孔の量に対して、第2電極128から発光層134に輸送される電子の量が不足しないように、第1電極124によって電子の輸送量を制御することで、発光層134において正孔が過剰とならないように、又は発光層134において電子が不足しないように制御することができる。別言すれば、EL素子102は、第3電極140から発光層134に流れる正孔電流に対し、第2電極128から発光層134に流れる電子電流の大きさが同じになるように、第1電極124によって電子電流を制御することで、発光層におけるキャ
リアバランスの制御を行っている。
EL素子が用いられた表示装置は、テレビジョン、携帯型情報端末(例えば、スマートフォンと呼ばれるインターネット接続可能なOS(オペレーティングシステム)を備えた携帯電話機)等の用途を有する。以下に、図1に示すボトムエミッション型のEL素子102a及び図2に示すトップエミッション型のEL素子102bが用いられる表示装置の一例を示す。
図9は、本発明の一実施形態に係るEL表示装置100の構成を示す。EL表示装置100は、基板110上に、複数の画素114が配列された表示部112、走査信号線Snに走査信号を出力する走査信号線駆動回路ブロック116、データ信号線Dmにデータ信号を出力するデータドライバIC118、キャリア注入量制御信号線Gnに制御信号を出力するキャリア注入量制御信号線駆動回路ブロック120を含む。
図10は、画素114の等価回路の一例を示す。画素114は、EL素子102、選択トランジスタ104、駆動トランジスタ106、及び容量素子108を含む。図10は、EL素子102の接続構造を示すため、回路記号に代えて電極の配置を示す模式的な構造
図で示す。図10は、EL素子102を、第1電極124、第2電極128、及び第3電極140、並びに第1電極124と第3電極140との間の第1絶縁層126、電子輸送層130(第1電子輸送層130a、第2電子輸送層130b)、及び発光層134が積層された模式的な構造図で示す。
図12は、走査信号線Sn、キャリア注入量制御信号線Gn、及びデータ信号線Dmに印加される信号波形と容量素子108の電圧Vstの波形の一例を示す。図12は、1フレーム期間Fにおいて、走査信号線Snに走査信号が印加される水平期間1Hと、EL素子102が発光する発光期間Tが含まれることを示す。水平期間1Hにおいて、走査信号線Snに走査信号(Vscn)が印加されると、選択トランジスタ104がオンになり、データ信号線Dmからデータ信号(データ電圧Vdata)が駆動トランジスタ106のゲートに印加され、同時に容量素子108がデータ電圧Vdataで充電される。容量素子108に充電される電圧Vstはデータ電圧Vdataに応じて変化する。選択トランジスタ104がオフになった後も容量素子108にデータ電圧Vdataが充電されているので、駆動トランジスタ106のゲート電圧は保持される。
光期間Tの時間の経過と共に電圧がV3からV1に増加する波形であってもよい。図14(A)及び図14(B)は、キャリア注入量制御信号Vgの電圧波形が正弦波状に変化する一例を示す。図14(A)は、発光期間Tにおいてキャリア注入量制御信号の電圧VgがV3からV2を経て、そしてV1へと連続的に増加し、その後電圧VgがV2を経て、V3へと連続的に減少する波形を示す。図14(B)は、発光期間Tにおいてキャリア注入量制御信号の電圧VgがV1からV2を経て、そしてV3へと連続的に減少し、その後電圧VgがV2を経て、V1へと連続的に増加する波形を示す。このように、キャリア注入量制御信号の波形を変化させることによっても、発光層内の発光位置を制御して、発光層の劣化の状態を層内で均一化することができる。
EL表示装置100における表示部112の回路構成について示す。なお、表示部112の各画素114における回路構成は、図11に示す等価回路と同等なものである。
図17は、EL表示装置100における表示部112aの回路構成を示す。図17は、マトリクス状に画素が配列された表示部112aにおいて、ある列のn行目に配置された第1画素114(n)と、n+1行目に配置された第2画素114(n+1)を示す。第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)は、図11を参照して説明される画素114と同様の回路構成を有する。
図18は、図17に示す第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)の動作を示す。あるフレーム期間F1において、第1画素114(n)は、走査信号線Snに走査信号Vscnが印加される水平期間H11において、データ信号線D1mからデータ信号が書き込まれる。第1画素114(n)は、水平期間H11が終了した後、発光期間T1
1に遷移する。第1画素114(n)は、発光期間T11において、キャリア注入量制御信号線Gnからキャリア注入量制御信号Vgが印加されて発光する。
図19は、EL表示装置100における表示部112bの回路構成を示す。図19に示す表示部112bにおいて、第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)の構成は、図17に示す構成と同様である。図19に示す表示部112bは、図17に示す表示部112aに対し、走査信号線Sn、コモン配線Cn、キャリア注入量制御信号線Gnの構成が異なっている。以下、相違する部分について説明する。
いる。第1画素114(n)の駆動トランジスタ106(n)及び容量素子108(n)はコモン配線Cnと接続され、第2画素114(n+1)の駆動トランジスタ106(n+1)及び容量素子108(n+1)はコモン配線Cn+1と接続される。
図20は、図19に示す第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)の動作を示す。あるフレーム期間F1において、第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)は、走査信号線Snに走査信号Vscnが印加される2水平期間H11において、データ信号線D1m、D2mからそれぞれデータ信号が書き込まれる。そして、第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)は、2水平期間H11が終了した後、発光期間T11に遷移する。第1画素114(n)及び第2画素114(n+1)は、発光期間T11において、キャリア注入量制御信号線Gnからキャリア注入量制御信号Vgが印加されて発光する。
ところで、国際標準化された映像の規格によれば、4Kとは約800万画素(3,840×2,160画素)、8Kとは約3,300万画素(7,680×4,320画素)とされている。映像の高精細化に対応するために、表示パネルの画素数もそれに応じて高密度化する必要に迫られている。しかし、表示パネルにおいて水平線(走査信号線)の数が増加すると、フレーム周波数が一定の場合、1水平線当たりの信号書込時間が短くなることが問題となる。一方、フレーム周波数を下げると動画の画質が低下することが問題となる。
動と同程度の動画特性を得ることができる。すなわち、フレーム周波数が120Hz駆動のときと同じ動画特性を60Hz駆動で得ようとすれば、1フレーム期間を16.6nsecとし、発光期間を8.3msecとすればよいこととなる。また、フレーム周波数が240Hz駆動のときと同じ動画特性を60Hz駆動で得ようとすれば、1フレーム期間を16.6msecとし、発光期間を4.16msecとすればよいこととなる。
図23は、EL表示装置100における表示部112cの回路構成を示す。図23は、行方向に同一色に対応する画素が配置された構成を示す。図23は、具体的に、第n行に赤色に対応する第1R画素114r(m)、第2R画素114r(m+1)が配置され、第n+1行に緑色に対応する第1G画素114g(m)、第2G画素114g(m+1)が配置され、第n+2行に青色に対応する第1B画素114b(m)、第2B画素114b(m+1)が配置された態様を示す。
リア注入量制御信号線Gn+1_gと接続される。また、第1B画素114b(m)のEL素子102b(m)は、第1電極(キャリア注入量制御電極)がキャリア注入量制御信号線Gn+2_bと接続され、第2B画素114b(m+1)のEL素子102b(m+1)は、第1電極(キャリア注入量制御電極)がキャリア注入量制御信号線Gn+2_bと接続される。
本発明の一実施形態に係るEL素子で画素が構成される表示装置の構造について説明する。以下に示す実施形態は、画素に設けられるEL素子、選択トランジスタ、駆動トランジスタ、容量素子の構造について示す。
図11に示す等価回路に対応する画素のレイアウトの一例を図25に示す。図25は、画素114aの平面図を示す。また、図25中に示すA1−A2線に対応する断面構造を図26(A)に示し、B1−B2線に対応する断面構造を図26(B)に示す。図26(A)は、EL素子102及び駆動トランジスタ106の断面構造を示し、図26(B)は
選択トランジスタ104及び容量素子108の断面構造を示す。以下の説明では、図25、図26(A)及び図26(B)を適宜参照して説明する。なお、図25において、EL素子102の積層構造は省略されている。
駆動トランジスタ106は、第1ゲート電極152a、第1絶縁層126、第1酸化物半導体層131a、第2絶縁層142、第2ゲート電極154aが積層された構造を有する。第1ゲート電極152aは、基板110と第1絶縁層126との間に設けられる。第2ゲート電極154aは、第2絶縁層142の上層側(基板110と反対側の面)に設けられる。
が設けられた構造を有していてもよい。
選択トランジスタ104は、駆動トランジスタ106と同様の構成を有する。すなわち、選択トランジスタ104は、第1ゲート電極152b、第1絶縁層126、第2酸化物半導体層131b、第2絶縁層142、第2ゲート電極154bが積層された構造を有する。選択トランジスタ104は、第2酸化物半導体層131bが第1ゲート電極152b及び第2ゲート電極154bと重畳する領域にチャネルが形成される。第1絶縁層126と第2酸化物半導体層131bとの間に、第3金属酸化物導電層125c及び第4金属酸化物導電層125dが設けられる。第2酸化物半導体層131bは、第3金属酸化物導電層125cと接触する領域がソース領域となり、第4金属酸化物導電層125dと接触する領域がドレイン領域となる。このことから、実質的に第3金属酸化物導電層125c及び第3金属層127cはソース電極156bとなり、第4金属酸化物導電層125d及び第4金属層127dはドレイン電極158bとなる。第3金属酸化物導電層125cと第4金属酸化物導電層125dとは、平面視において第1ゲート電極152b及び第2ゲート電極154bを両側から挟むように設けられる。
容量素子108は、コモン配線Cn、第1絶縁層126、第4金属酸化物導電層125d及び第4金属層127dが積層された領域に形成される。すなわち、容量素子108が形成される領域において、コモン配線Cnと、第4金属酸化物導電層125d及び第4金属層127dの積層体は容量電極として機能する。
EL素子102は、基板110側から、第1電極124、第1絶縁層126、電子輸送層130(第1電子輸送層130a、第2電子輸送層130b)、電子注入層132、発光層134、正孔輸送層136、正孔注入層138、第3電極140が積層され、電子輸送層130と第2電極128とが電気的に接続された構造を有する。EL素子102の詳細は、図1及び図2を参照して説明した内容と同様である。
図11に示す等価回路に対応する画素のレイアウトの他の一例を図27に示す。図27は、画素114bの平面図を示す。また、図27中に示すA3−A4線に対応する断面構造を図28(A)に示し、B3−B4線に対応する断面構造を図28(B)に示す。図28(A)は、EL素子102及び駆動トランジスタ106の断面構造を示し、図28(B
)は選択トランジスタ104及び容量素子108の断面構造を示す。以下の説明では、図27、図28(A)及び図28(B)を適宜参照して説明する。なお、図27において、EL素子102の積層構造は省略されている。
図24は、一つの列に第1データ信号線D1mと第2データ信号線D2mとが配線される画素回路を示す。図29は、図24に示す画素回路に対応するレイアウトの一例を示す。また、図29に示すC1−C2線及びC3−C4線に沿った断面構造を、それぞれ図30(A)及び図30(B)に示す。
、コンタクトホール165で断線しない。第2データ信号線D2mは金属材料で形成される。例えば、第2データ信号線D2mは、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)等の高融点金属で形成される第1金属層166a及び第3金属層166cの間に、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等の導電性の高い第2金属層166bが設けられた構造を有する。第2データ信号線D2mは、アルミニウム(Al)、銅(Cu)のような導電率の高い金属材料を用いて形成されることで、配線抵抗を低減することができる。
Claims (14)
- 選択トランジスタと、駆動トランジスタと、EL素子と、を含む画素と、
前記選択トランジスタのゲートと電気的に接続される走査信号線と、
前記選択トランジスタのソースと電気的に接続されるデータ信号線と、
前記EL素子に電圧を印加するキャリア注入量制御信号線と、
を含み、
前記EL素子は、
第1電極と、
前記第1電極と対向する領域を有する第3電極と、
前記第1電極と前記第3電極との間の第1絶縁層と、
前記第1絶縁層と前記第3電極との間の電子輸送層と、
前記電子輸送層と前記第3電極との間のエレクトロルミネセンス材料を含む発光層と、
前記第1電極、前記第1絶縁層、前記電子輸送層、及び前記第3電極が重なる領域の外側に配置され、前記電子輸送層と接触する第2電極と、を有し、
前記第1電極は、前記キャリア注入量制御信号線と電気的に接続され、
前記第2電極は、前記駆動トランジスタのドレインと接続され、
前記第3電極は、一定電圧が印加される
ことを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。 - 前記EL素子は、前記キャリア注入量制御信号線の電圧により、前記発光層における発光位置が制御される、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記EL素子は、発光期間と非発光期間とを有し、
前記キャリア注入量制御信号線は、発光期間において、前記第1電極に一定電圧を印加する、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。 - 前記EL素子は、発光期間と非発光期間とを有し、
前記キャリア注入量制御信号線は、発光期間において、前記第1電極に階段状波形又は正弦波状波形の電圧を印加する、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。 - 前記電子輸送層は、金属酸化物半導体材料を含む、請求項1に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記駆動トランジスタは、チャネル領域を形成する金属酸化物半導体層を含み、前記金属酸化物半導体層は、前記電子輸送層と連続する、請求項5に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 選択トランジスタと、駆動トランジスタと、EL素子と、を含み、第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の画素と、
前記選択トランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第1方向に配線され前記第2方向に配列された複数の走査信号線と、
前記選択トランジスタのソースと電気的に接続され、前記第2方向に配線され前記第1方向に配列された複数のデータ信号線と、
前記EL素子と接続され、前記第1方向又は前記第2方向に配線され、前記第2方向又は前記第1方向に配列された複数のキャリア注入量制御信号線と、
を含み、
前記EL素子は、
第1電極と、
前記第1電極と対向する領域を有する第3電極と、
前記第1電極と前記第3電極との間の第1絶縁層と、
前記第1絶縁層と前記第3電極との間の電子輸送層と、
前記電子輸送層と前記第3電極との間のエレクトロルミネセンス材料を含む発光層と、
前記第1電極、前記第1絶縁層、前記電子輸送層、及び前記第3電極が重なる領域の外側に配置され、前記電子輸送層と接触する第2電極と、を有し、
前記第1電極は、前記複数のキャリア注入量制御信号線の1つと電気的に接続され、
前記第2電極は、前記駆動トランジスタのドレインと接続され、
前記第3電極は、一定電圧が印加される
ことを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。 - 前記複数のデータ信号線のうち、少なくとも第1のデータ信号線と第2のデータ信号線とは、同じ列に属するように配線され、
前記複数の画素のうち、前記第2方向に配列する第n番目の画素の前記選択トランジスタは前記第1のデータ信号線と電気的に接続され、
前記複数の画素のうち、前記第2方向に配列する第n+1番目の画素の前記選択トランジスタは前記第2のデータ信号線と電気的に接続されている、請求項7に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。 - 前記第1のデータ信号線と前記第2のデータ信号線とは、絶縁層を挟んで重ねて配置されている、請求項8に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記複数の画素のうち、前記第1方向に配列する第n行目の複数の画素と、前記第1方向に配列する第n+1行目の複数の画素のそれぞれは、前記複数の走査信号線のうち1つの走査信号線を共有する、請求項7に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記第1方向に配列する第n行目の複数の画素と、前記第1方向に配列する第n+1行目の複数の画素のそれぞれは、前記複数のキャリア注入量制御信号線のうち、1つのキャリア注入量制御信号線をさらに共有する、請求項10に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記複数の画素は、前記第1方向に配列する第n行目の赤色に対応する複数の画素と、前記第1方向に配列する第n+1行目の緑色に対応する複数の画素と、前記第1方向に配列する第n+2行目の青色に対応する複数の画素とを含み、前記複数のキャリア注入量制御信号線は、前記第n行目の赤色に対応する複数の画素に対応する第nのキャリア注入量制御信号線、第n+1行目の緑色に対応する複数の画素に対応する第n+1のキャリア注入量制御信号線、及び第n+2行目の青色に対応する複数の画素に対応する第n+2のキャリア注入量制御信号線、を含む、請求項11に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記第nのキャリア注入量制御信号線、第n+1のキャリア注入量制御信号線、及び前記第n+2のキャリア注入量制御信号線は、それぞれ電圧レベルが異なるキャリア注入量制御信号を印加する、請求項12に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
- 前記複数の画素のそれぞれは、発光期間と非発光期間とを有し、
前記複数のキャリア注入量制御信号線のそれぞれは、発光期間において、前記複数の画素のそれぞれの前記第1電極に階段状波形の電圧を印加する、請求項7に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019029934A JP7190740B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
CN201911056626.3A CN111613639A (zh) | 2019-02-22 | 2019-10-31 | 包括电致发光元件的显示装置 |
US16/678,229 US10937997B2 (en) | 2019-02-22 | 2019-11-08 | Display device including electroluminescence element |
EP19213814.7A EP3699900B1 (en) | 2019-02-22 | 2019-12-05 | Display device including electroluminescence element |
EP22161095.9A EP4030415A1 (en) | 2019-02-22 | 2019-12-05 | Method for driving display device |
US17/130,655 US11476450B2 (en) | 2019-02-22 | 2020-12-22 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019029934A JP7190740B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020134782A true JP2020134782A (ja) | 2020-08-31 |
JP7190740B2 JP7190740B2 (ja) | 2022-12-16 |
Family
ID=68806662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019029934A Active JP7190740B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10937997B2 (ja) |
EP (2) | EP3699900B1 (ja) |
JP (1) | JP7190740B2 (ja) |
CN (1) | CN111613639A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021261572A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | クミアイ化学工業株式会社 | シトクロムp450をコードする遺伝子及びその利用 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7190740B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2022-12-16 | 三国電子有限会社 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
JP2021136384A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体基板及び表示装置 |
CN115336024A (zh) * | 2020-03-25 | 2022-11-11 | 夏普株式会社 | 发光元件以及发光元件的控制方法 |
CN116965174A (zh) * | 2022-02-25 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11212493A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Sharp Corp | 発光表示装置 |
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
JP2004145300A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP2005338653A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動制御方法 |
WO2007043704A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Pioneer Corporation | 発光素子及び表示装置 |
JP2009175563A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011128442A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
JP2018206822A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5245450A (en) | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
JP2909266B2 (ja) | 1990-07-23 | 1999-06-23 | ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 | 液晶表示素子 |
JP3712774B2 (ja) | 1996-03-29 | 2005-11-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 液晶表示素子 |
JP3268993B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-03-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3394483B2 (ja) | 1999-11-16 | 2003-04-07 | 鹿児島日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2002311424A (ja) | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
JP2003295207A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP2003308042A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
JP2004341465A (ja) | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Obayashi Seiko Kk | 高品質液晶表示装置とその製造方法 |
KR100494455B1 (ko) | 2003-06-11 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
JP4781821B2 (ja) | 2004-01-23 | 2011-09-28 | Hoya株式会社 | 量子ドット分散発光素子およびその製造方法 |
US7242039B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-07-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2007053286A (ja) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 発光素子、表示装置および電子機器 |
KR20070035341A (ko) | 2005-09-27 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 간극을 채운 반도체 나노결정층을 함유하는 발광소자 및 그제조방법 |
TW200721478A (en) | 2005-10-14 | 2007-06-01 | Pioneer Corp | Light-emitting element and display apparatus using the same |
JP4808479B2 (ja) | 2005-11-28 | 2011-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
JP4809670B2 (ja) | 2005-12-02 | 2011-11-09 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
KR100732824B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
JP4809682B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-11-09 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
JP2007310334A (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
JP4934774B2 (ja) | 2006-09-05 | 2012-05-16 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光トランジスタ及び表示装置 |
EP2085958B1 (en) | 2008-01-29 | 2012-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2010040552A (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010050165A (ja) | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置 |
CN102509736B (zh) | 2008-10-24 | 2015-08-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
JP5019299B2 (ja) | 2008-10-31 | 2012-09-05 | 栄 田中 | 低コスト表示装置を製造するためのホトマスク構造 |
TWI506795B (zh) | 2008-11-28 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101517034B1 (ko) | 2008-12-04 | 2015-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 |
US8367486B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8450144B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102422426B (zh) | 2009-05-01 | 2016-06-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011027656A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
KR20110041139A (ko) | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101772639B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101652790B1 (ko) | 2009-11-09 | 2016-08-31 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR102068463B1 (ko) | 2009-11-28 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20120103676A (ko) | 2009-12-04 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011074407A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101393265B1 (ko) | 2009-12-25 | 2014-05-08 | 가부시키가이샤 리코 | 전계효과 트랜지스터, 반도체 메모리, 표시 소자, 화상 표시 장치, 및 시스템 |
KR20180001562A (ko) | 2010-02-26 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
KR101706081B1 (ko) | 2010-04-06 | 2017-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101213493B1 (ko) | 2010-04-13 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101763052B1 (ko) | 2010-12-03 | 2017-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5447356B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
KR101680768B1 (ko) | 2010-12-10 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자장치 |
JP2012146764A (ja) | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Canon Inc | 表示装置 |
JP5615744B2 (ja) | 2011-03-14 | 2014-10-29 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
KR101875127B1 (ko) * | 2011-06-10 | 2018-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR20130007310A (ko) | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101963226B1 (ko) | 2012-02-29 | 2019-04-01 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR102330543B1 (ko) | 2012-04-13 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102013125B1 (ko) | 2012-06-20 | 2019-08-22 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 |
TWI473061B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-02-11 | Au Optronics Corp | 電致發光顯示面板及其驅動方法 |
KR102084395B1 (ko) | 2012-12-21 | 2020-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
JP2014154382A (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜デバイスの製造方法 |
JP2014218706A (ja) | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法 |
TWI627751B (zh) | 2013-05-16 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102386362B1 (ko) | 2013-12-02 | 2022-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
EP3089229B1 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-17 | Tokyo Institute of Technology | Organic electroluminescence element and organic solar cell provided with metal oxide thin film |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
JP2015188062A (ja) | 2014-02-07 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102305143B1 (ko) | 2014-08-20 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2016043234A1 (ja) | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 国立大学法人東京工業大学 | 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法 |
KR102294724B1 (ko) | 2014-12-02 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
CN114695562A (zh) | 2015-05-22 | 2022-07-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US10276593B2 (en) | 2015-06-05 | 2019-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method for manufacturing same, display device using active matrix substrate |
JP6566316B2 (ja) | 2015-10-23 | 2019-08-28 | Tianma Japan株式会社 | 保護回路および電子機器 |
JP6832624B2 (ja) | 2015-12-22 | 2021-02-24 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CN105762196B (zh) | 2016-05-16 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置 |
US20180122833A1 (en) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | LG Display Co. , Ltd. | Thin film transistor substrate having bi-layer oxide semiconductor |
JP6822114B2 (ja) | 2016-12-13 | 2021-01-27 | 天馬微電子有限公司 | 表示装置、トランジスタ回路及び薄膜トランジスタの駆動方法 |
JP6903503B2 (ja) | 2017-07-05 | 2021-07-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
KR102512106B1 (ko) | 2017-09-01 | 2023-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
JP7190729B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-12-16 | 三国電子有限会社 | キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP7190740B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2022-12-16 | 三国電子有限会社 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
-
2019
- 2019-02-22 JP JP2019029934A patent/JP7190740B2/ja active Active
- 2019-10-31 CN CN201911056626.3A patent/CN111613639A/zh active Pending
- 2019-11-08 US US16/678,229 patent/US10937997B2/en active Active
- 2019-12-05 EP EP19213814.7A patent/EP3699900B1/en active Active
- 2019-12-05 EP EP22161095.9A patent/EP4030415A1/en active Pending
-
2020
- 2020-12-22 US US17/130,655 patent/US11476450B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11212493A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Sharp Corp | 発光表示装置 |
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
JP2004145300A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP2005338653A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動制御方法 |
WO2007043704A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Pioneer Corporation | 発光素子及び表示装置 |
JP2009175563A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011128442A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
JP2018206822A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021261572A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | クミアイ化学工業株式会社 | シトクロムp450をコードする遺伝子及びその利用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4030415A1 (en) | 2022-07-20 |
US11476450B2 (en) | 2022-10-18 |
US20210111380A1 (en) | 2021-04-15 |
EP3699900B1 (en) | 2022-04-13 |
US10937997B2 (en) | 2021-03-02 |
US20200274108A1 (en) | 2020-08-27 |
EP3699900A1 (en) | 2020-08-26 |
JP7190740B2 (ja) | 2022-12-16 |
CN111613639A (zh) | 2020-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11568810B2 (en) | Display apparatus | |
JP7190740B2 (ja) | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 | |
US7760165B2 (en) | Control circuit for stacked OLED device | |
JP4411288B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2000252550A (ja) | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 | |
KR101941453B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JPH10268798A (ja) | 表示装置 | |
US10205113B2 (en) | Organic electroluminescence device including an emissive layer including an assistant dopant layer and light-emitting dopant layer | |
JP2019047056A (ja) | 表示装置 | |
KR102551866B1 (ko) | 백색 유기전계 발광 소자 및 그를 이용한 표시 장치 | |
US9882171B2 (en) | Pixel matrix circuit | |
US10243032B2 (en) | Display device | |
KR102567321B1 (ko) | 유기전계 발광 소자 및 그를 이용한 표시 장치 | |
JP4379285B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP4802498B2 (ja) | 表示装置 | |
KR100669316B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
KR20220155794A (ko) | 표시 장치 | |
KR20220089995A (ko) | 표시 장치 | |
CN113571623A (zh) | 发光芯片、像素驱动电路、显示基板及发光芯片制备方法 | |
CN118262660A (en) | Display device and method of driving the same | |
JP2009111247A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7190740 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |