JP3268993B2 - 表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に係り、詳
しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表
示装置に関するものである。
しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（EL;Electro
Luminescence）素子には、セレンや亜鉛などの無機化
合物薄膜を発光材料として用いる無機ＥＬ素子と、有機
化合物を発光材料として用いる有機ＥＬ素子とがある。
有機ＥＬ素子には、(1) 発光効率が高い、(2) 駆動電圧
が低い、(3) 発光材料を選択することで様々な色（緑、
赤、青、黄など）を表示することが可能、(4) 自発光型
であるため表示が鮮明でバックライトが不要、(5) 面発
光であり、視野角依存性が無い、(6) 薄型で軽量、(7)
製造プロセスの最高温度が低いため、基板材料にプラス
チックフィルムなどのような柔らかい材質を用いること
が可能、などの優れた特徴がある。そこで、近年、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機ＥＬ素子を用
いた表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置という）が注目
されている。
Luminescence）素子には、セレンや亜鉛などの無機化
合物薄膜を発光材料として用いる無機ＥＬ素子と、有機
化合物を発光材料として用いる有機ＥＬ素子とがある。
有機ＥＬ素子には、(1) 発光効率が高い、(2) 駆動電圧
が低い、(3) 発光材料を選択することで様々な色（緑、
赤、青、黄など）を表示することが可能、(4) 自発光型
であるため表示が鮮明でバックライトが不要、(5) 面発
光であり、視野角依存性が無い、(6) 薄型で軽量、(7)
製造プロセスの最高温度が低いため、基板材料にプラス
チックフィルムなどのような柔らかい材質を用いること
が可能、などの優れた特徴がある。そこで、近年、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機ＥＬ素子を用
いた表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置という）が注目
されている。
【０００３】マトリックスに配置された点（ドット）で
表示を行うドットマトリックスの有機ＥＬ表示装置に
は、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方
式とがある。単純マトリックス方式は、表示パネル上に
マトリックスに配置された各画素の有機ＥＬ素子を走査
信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、有機
ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されてい
る。そのため、走査線数が増大すると１つの画素に割り
当てられる駆動時間（デューティ）が少なくなり、コン
トラストが低下するという問題がある。
表示を行うドットマトリックスの有機ＥＬ表示装置に
は、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方
式とがある。単純マトリックス方式は、表示パネル上に
マトリックスに配置された各画素の有機ＥＬ素子を走査
信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、有機
ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されてい
る。そのため、走査線数が増大すると１つの画素に割り
当てられる駆動時間（デューティ）が少なくなり、コン
トラストが低下するという問題がある。
【０００４】一方、アクティブマトリックス方式は、マ
トリックスに配置された各画素に画素駆動素子（アクテ
ィブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信号
によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして機
能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介し
てデータ信号（表示信号）を有機ＥＬ素子の陽極に伝達
することで、有機ＥＬ素子の駆動が行われる。その後、
画素駆動素子がオフ状態になると、有機ＥＬ素子の陽極
に印加されたデータ信号は電荷の状態で補助容量に蓄え
られ、次に画素駆動素子がオン状態になるまで引き続き
有機ＥＬ素子の駆動が行われる。そのため、走査線数が
増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間が少なく
なっても、有機ＥＬ素子の駆動が影響を受けることはな
く、コントラストが低下することもない。従って、アク
ティブマトリックス方式によれば、単純マトリックス方
式に比べてはるかに高画質な表示が可能となる。
トリックスに配置された各画素に画素駆動素子（アクテ
ィブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信号
によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして機
能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介し
てデータ信号（表示信号）を有機ＥＬ素子の陽極に伝達
することで、有機ＥＬ素子の駆動が行われる。その後、
画素駆動素子がオフ状態になると、有機ＥＬ素子の陽極
に印加されたデータ信号は電荷の状態で補助容量に蓄え
られ、次に画素駆動素子がオン状態になるまで引き続き
有機ＥＬ素子の駆動が行われる。そのため、走査線数が
増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間が少なく
なっても、有機ＥＬ素子の駆動が影響を受けることはな
く、コントラストが低下することもない。従って、アク
ティブマトリックス方式によれば、単純マトリックス方
式に比べてはるかに高画質な表示が可能となる。
【０００５】アクティブマトリックス方式は画素駆動素
子の違いにより、トランジスタ型（３端子型）とダイオ
ード型（２端子型）とに大別される。トランジスタ型
は、ダイオード型に比べて製造が困難である反面、コン
トラストや解像度を高くするのが容易でＣＲＴに匹敵す
る高品位な有機ＥＬ表示装置を実現することができると
いう特徴がある。前記したアクティブマトリックス方式
の動作原理の説明は、主にトランジスタ型に対応したも
のである。
子の違いにより、トランジスタ型（３端子型）とダイオ
ード型（２端子型）とに大別される。トランジスタ型
は、ダイオード型に比べて製造が困難である反面、コン
トラストや解像度を高くするのが容易でＣＲＴに匹敵す
る高品位な有機ＥＬ表示装置を実現することができると
いう特徴がある。前記したアクティブマトリックス方式
の動作原理の説明は、主にトランジスタ型に対応したも
のである。
【０００６】そこで、特開平４−１２５６８３号公報
（G09F 9/30,GO9K 11/06,H05B 33/14）に開示されるよ
うに、能動層として多結晶シリコン膜または非晶質シリ
コン膜を用いたＴＦＴ（Thin Film Transistor）を画素
駆動素子として用いるアクティブマトリックス方式の有
機ＥＬ表示装置が提案されている。同公報に記載の有機
ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子とＴＦＴとをガラス基
板上に並べて配置している。また、ＴＦＴはＭＯＳ構造
をとっている。
（G09F 9/30,GO9K 11/06,H05B 33/14）に開示されるよ
うに、能動層として多結晶シリコン膜または非晶質シリ
コン膜を用いたＴＦＴ（Thin Film Transistor）を画素
駆動素子として用いるアクティブマトリックス方式の有
機ＥＬ表示装置が提案されている。同公報に記載の有機
ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子とＴＦＴとをガラス基
板上に並べて配置している。また、ＴＦＴはＭＯＳ構造
をとっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子は、駆動
電圧が低い反面、駆動電流が大きいという特徴がある。
そのため、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示
装置において、画素駆動素子としてトランジスタを用い
る場合、そのトランジスタは大電流駆動が可能でなけれ
ばならない。
電圧が低い反面、駆動電流が大きいという特徴がある。
そのため、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示
装置において、画素駆動素子としてトランジスタを用い
る場合、そのトランジスタは大電流駆動が可能でなけれ
ばならない。
【０００８】ところで、ＭＯＳトランジスタはバイポー
ラトランジスタに比べてオン抵抗が高い。オン抵抗が高
いと大電流駆動には不利になる。ＭＯＳトランジスタが
通常のバルク型でプレーナ構造をとる場合、ソース・ド
レイン間のオン抵抗を下げるにはゲート幅を非常に長く
する必要があり、素子面積を大きくしなければならな
い。能動層として多結晶シリコン膜または非晶質シリコ
ン膜を用いたＭＯＳ構造のＴＦＴでは、バルク型でプレ
ーナ構造をとるＭＯＳトランジスタよりもソース・ドレ
イン間のオン抵抗が高くなるため、大電流駆動を可能に
するとなると、素子面積は非常に大きくなる。
ラトランジスタに比べてオン抵抗が高い。オン抵抗が高
いと大電流駆動には不利になる。ＭＯＳトランジスタが
通常のバルク型でプレーナ構造をとる場合、ソース・ド
レイン間のオン抵抗を下げるにはゲート幅を非常に長く
する必要があり、素子面積を大きくしなければならな
い。能動層として多結晶シリコン膜または非晶質シリコ
ン膜を用いたＭＯＳ構造のＴＦＴでは、バルク型でプレ
ーナ構造をとるＭＯＳトランジスタよりもソース・ドレ
イン間のオン抵抗が高くなるため、大電流駆動を可能に
するとなると、素子面積は非常に大きくなる。
【０００９】しかし、前記公報に記載の有機ＥＬ表示装
置では、有機ＥＬ素子とＴＦＴとをガラス基板上に並べ
て配置しているため、ＴＦＴの素子面積を大きくするに
は限界があり、有機ＥＬ素子を十分に大電流駆動するの
が難しいという問題がある。有機ＥＬ素子の駆動電流が
不足すると、高画質な有機ＥＬ表示装置を得ることはで
きなくなる。
置では、有機ＥＬ素子とＴＦＴとをガラス基板上に並べ
て配置しているため、ＴＦＴの素子面積を大きくするに
は限界があり、有機ＥＬ素子を十分に大電流駆動するの
が難しいという問題がある。有機ＥＬ素子の駆動電流が
不足すると、高画質な有機ＥＬ表示装置を得ることはで
きなくなる。
【００１０】また、能動層として多結晶シリコン膜また
は非晶質シリコン膜を用いるＭＯＳ構造のＴＦＴは製造
に手間がかかる上に、多結晶シリコン膜や非晶質シリコ
ン膜は有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層と同一プロ
セスでは製造できない。そのため、前記公報に記載の有
機ＥＬ表示装置には、製造コストが大きいという問題も
ある。
は非晶質シリコン膜を用いるＭＯＳ構造のＴＦＴは製造
に手間がかかる上に、多結晶シリコン膜や非晶質シリコ
ン膜は有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層と同一プロ
セスでは製造できない。そのため、前記公報に記載の有
機ＥＬ表示装置には、製造コストが大きいという問題も
ある。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、高画質で製造コストが
低いアクティブマトリックス方式の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を用いた表示装置を提供することにあ
る。
れたものであって、その目的は、高画質で製造コストが
低いアクティブマトリックス方式の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を用いた表示装置を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、画素駆動素子としてのバイポーラトランジスタの有
機半導体から成るコレクタ領域と、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を構成する有機化合物層の少なくとも一
部とを共通にし、当該バイポーラトランジスタと有機エ
レクトロルミネッセンス素子とを積層形成し、前記有機
エレクトロルミネッセンス素子は発光層と、少なくとも
ホール輸送層または電子輸送層のうちいずれか一方とを
備え、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極と、
電子輸送層またはホール輸送層との間に補助容量を設け
ることをその要旨とする。
は、画素駆動素子としてのバイポーラトランジスタの有
機半導体から成るコレクタ領域と、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を構成する有機化合物層の少なくとも一
部とを共通にし、当該バイポーラトランジスタと有機エ
レクトロルミネッセンス素子とを積層形成し、前記有機
エレクトロルミネッセンス素子は発光層と、少なくとも
ホール輸送層または電子輸送層のうちいずれか一方とを
備え、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極と、
電子輸送層またはホール輸送層との間に補助容量を設け
ることをその要旨とする。
【００１３】請求項２に記載の発明は、画素駆動素子と
してのバイポーラトランジスタの有機半導体から成るｎ
型のコレクタ領域と、有機エレクトロルミネッセンス素
子を構成するｎ型の電子輸送層とが同一層によって形成
され、当該バイポーラトランジスタと有機エレクトロル
ミネッセンス素子とを積層形成し、前記バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ電極と、前記電子輸送層との間に補
助容量を設けることをその要旨とする。
してのバイポーラトランジスタの有機半導体から成るｎ
型のコレクタ領域と、有機エレクトロルミネッセンス素
子を構成するｎ型の電子輸送層とが同一層によって形成
され、当該バイポーラトランジスタと有機エレクトロル
ミネッセンス素子とを積層形成し、前記バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ電極と、前記電子輸送層との間に補
助容量を設けることをその要旨とする。
【００１４】請求項３に記載の発明は、画素駆動素子と
してのバイポーラトランジスタの有機半導体から成るｐ
型のコレクタ領域と、有機エレクトロルミネッセンス素
子を構成するｐ型のホール輸送層とが同一層によって形
成され、当該バイポーラトランジスタと有機エレクトロ
ルミネッセンス素子とを積層形成し、前記バイポーラト
ランジスタのコレクタ電極と、前記ホール輸送層との間
に補助容量を設けることをその要旨とする。
してのバイポーラトランジスタの有機半導体から成るｐ
型のコレクタ領域と、有機エレクトロルミネッセンス素
子を構成するｐ型のホール輸送層とが同一層によって形
成され、当該バイポーラトランジスタと有機エレクトロ
ルミネッセンス素子とを積層形成し、前記バイポーラト
ランジスタのコレクタ電極と、前記ホール輸送層との間
に補助容量を設けることをその要旨とする。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の
うちいずれか１項に記載の表示装置において、前記バイ
ポーラトランジスタは、データ信号を電流増幅して前記
有機エレクトロルミネッセンス素子へ供給することをそ
の要旨とする。
うちいずれか１項に記載の表示装置において、前記バイ
ポーラトランジスタは、データ信号を電流増幅して前記
有機エレクトロルミネッセンス素子へ供給することをそ
の要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態を図面に従って説明する。図１は、本実施形態の有
機ＥＬ表示装置を示す一部断面斜視図である。有機ＥＬ
表示装置の１つの画素１は、透明絶縁基板２、陽極３、
ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、ｐ型有機半
導体層７、ｎ型有機半導体層８、ベース電極９、陰極１
０から構成されている。その各部材２〜７はこの順番で
積層形成されており、ｐ型有機半導体層７上にｎ型有機
半導体層８とベース電極９とが形成され、ｎ型有機半導
体層８上に陰極１０が形成されている。
形態を図面に従って説明する。図１は、本実施形態の有
機ＥＬ表示装置を示す一部断面斜視図である。有機ＥＬ
表示装置の１つの画素１は、透明絶縁基板２、陽極３、
ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、ｐ型有機半
導体層７、ｎ型有機半導体層８、ベース電極９、陰極１
０から構成されている。その各部材２〜７はこの順番で
積層形成されており、ｐ型有機半導体層７上にｎ型有機
半導体層８とベース電極９とが形成され、ｎ型有機半導
体層８上に陰極１０が形成されている。
【００１７】透明絶縁基板２はガラスや合成樹脂などか
ら形成されている。陽極３はＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）などの透明電極から形成されている。ホール輸送層
４はｐ型有機半導体から形成されている。電子輸送層６
はｎ型有機半導体から形成されている。発光層５は有機
化合物から成り、各層４〜６と陽極３および陰極１０と
によって有機ＥＬ素子１４が構成されている。
ら形成されている。陽極３はＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）などの透明電極から形成されている。ホール輸送層
４はｐ型有機半導体から形成されている。電子輸送層６
はｎ型有機半導体から形成されている。発光層５は有機
化合物から成り、各層４〜６と陽極３および陰極１０と
によって有機ＥＬ素子１４が構成されている。
【００１８】また、電子輸送層６とｐ型有機半導体層
７、ｐ型有機半導体層７とｎ型有機半導体層８とは、そ
れぞれｐｎ接合を形成している。つまり、各層６〜８に
よってｎｐｎトランジスタ１１が構成されており、電子
輸送層６はコレクタ領域、ｐ型有機半導体層７はベース
領域、ｎ型有機半導体層８はエミッタ領域、陰極１０は
エミッタ電極、陽極３はコレクタ電極として機能する。
７、ｐ型有機半導体層７とｎ型有機半導体層８とは、そ
れぞれｐｎ接合を形成している。つまり、各層６〜８に
よってｎｐｎトランジスタ１１が構成されており、電子
輸送層６はコレクタ領域、ｐ型有機半導体層７はベース
領域、ｎ型有機半導体層８はエミッタ領域、陰極１０は
エミッタ電極、陽極３はコレクタ電極として機能する。
【００１９】そして、ｎｐｎトランジスタ１１にはエミ
ッタ接地回路によって直流バイアスがかけられている。
つまり、ｎ型有機半導体層８は、陰極１０を介して接地
されている。電子輸送層６は、陽極３からホール輸送層
４および発光層５を介して第１の直流電源１２のプラス
側に接続されている。ｐ型有機半導体層７は、ベース電
極９を介して第２の直流電源１３のプラス側に接続さ
れ、その直流電源１３の電源電圧にデータ信号（表示信
号）Ｓが重畳されている。
ッタ接地回路によって直流バイアスがかけられている。
つまり、ｎ型有機半導体層８は、陰極１０を介して接地
されている。電子輸送層６は、陽極３からホール輸送層
４および発光層５を介して第１の直流電源１２のプラス
側に接続されている。ｐ型有機半導体層７は、ベース電
極９を介して第２の直流電源１３のプラス側に接続さ
れ、その直流電源１３の電源電圧にデータ信号（表示信
号）Ｓが重畳されている。
【００２０】図２に、有機ＥＬ表示装置の画素１による
エミッタ接地回路の構成を模式的に示す。このように構
成された画素１がマトリックス状に配置されることによ
り、有機ＥＬ表示装置の表示パネルが形成されている。
本実施形態においては、以下の作用及び効果を得ること
ができる。
エミッタ接地回路の構成を模式的に示す。このように構
成された画素１がマトリックス状に配置されることによ
り、有機ＥＬ表示装置の表示パネルが形成されている。
本実施形態においては、以下の作用及び効果を得ること
ができる。
【００２１】（１）有機ＥＬ素子１４においては、陽極
３から注入されたホールと、陰極１０から注入された電
子とが発光層５の内部で再結合し、発光層５を形成する
有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射
失活する過程で発光層５から光が放たれ、この光が透明
な陽極３から透明絶縁基板２を介して外部へ放出され
る。ここで、ホール輸送層４は、陽極３からホールを注
入させ易くする機能と、陰極１０から注入された電子を
ブロックする機能とを有する。また、電子輸送層６は、
陰極１０から電子を注入させ易くする機能を有する。
３から注入されたホールと、陰極１０から注入された電
子とが発光層５の内部で再結合し、発光層５を形成する
有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射
失活する過程で発光層５から光が放たれ、この光が透明
な陽極３から透明絶縁基板２を介して外部へ放出され
る。ここで、ホール輸送層４は、陽極３からホールを注
入させ易くする機能と、陰極１０から注入された電子を
ブロックする機能とを有する。また、電子輸送層６は、
陰極１０から電子を注入させ易くする機能を有する。
【００２２】（２）ｎｐｎトランジスタ１１は、有機Ｅ
Ｌ素子１４を駆動するための画素駆動素子（アクティブ
エレメント）として機能する。即ち、ベース電極９に入
力されたデータ信号Ｓの小さな電流は、ｎｐｎトランジ
スタ１１によるエミッタ接地回路によって増幅され、大
きな電流に変えられて有機ＥＬ素子１４へ供給される。
そのため、データ信号Ｓの小さな電流によって、有機Ｅ
Ｌ素子１４を容易に大電流駆動することが可能になる。
Ｌ素子１４を駆動するための画素駆動素子（アクティブ
エレメント）として機能する。即ち、ベース電極９に入
力されたデータ信号Ｓの小さな電流は、ｎｐｎトランジ
スタ１１によるエミッタ接地回路によって増幅され、大
きな電流に変えられて有機ＥＬ素子１４へ供給される。
そのため、データ信号Ｓの小さな電流によって、有機Ｅ
Ｌ素子１４を容易に大電流駆動することが可能になる。
【００２３】そして、ｎｐｎトランジスタ１１がオフ状
態になると、有機ＥＬ素子１４に入力されたデータ信号
Ｓは電荷の状態で補助容量に蓄えられ、次にｎｐｎトラ
ンジスタ１１がオン状態になるまで引き続き有機ＥＬ素
子１４の駆動が行われる。そのため、走査線数が増大し
て１つの画素に割り当てられる駆動時間が少なくなって
も、有機ＥＬ素子１４の駆動が影響を受けることはな
く、コントラストが低下することもない。
態になると、有機ＥＬ素子１４に入力されたデータ信号
Ｓは電荷の状態で補助容量に蓄えられ、次にｎｐｎトラ
ンジスタ１１がオン状態になるまで引き続き有機ＥＬ素
子１４の駆動が行われる。そのため、走査線数が増大し
て１つの画素に割り当てられる駆動時間が少なくなって
も、有機ＥＬ素子１４の駆動が影響を受けることはな
く、コントラストが低下することもない。
【００２４】従って、高画質なアクティブマトリックス
方式の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。 （３）有機ＥＬ素子１４とｎｐｎトランジスタ１１は積
層形成され、有機ＥＬ素子１４の電子輸送層６はｎｐｎ
トランジスタ１１のコレクタ領域として機能する。つま
り、有機ＥＬ素子１４の電子輸送層６とｎｐｎトランジ
スタ１１のコレクタ領域とが同一層によって形成されて
いる。
方式の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。 （３）有機ＥＬ素子１４とｎｐｎトランジスタ１１は積
層形成され、有機ＥＬ素子１４の電子輸送層６はｎｐｎ
トランジスタ１１のコレクタ領域として機能する。つま
り、有機ＥＬ素子１４の電子輸送層６とｎｐｎトランジ
スタ１１のコレクタ領域とが同一層によって形成されて
いる。
【００２５】そのため、ｎｐｎトランジスタ１１のコレ
クタ領域の平面寸法を画素１の平面寸法と同じにしてコ
レクタ電流を増大させることが可能になり、有機ＥＬ素
子１４を容易に大電流駆動することができる。また、ｎ
ｐｎトランジスタ１１のコレクタ領域と有機ＥＬ素子１
４とを接続する配線が不要であるため、構成が単純にな
る上に、配線抵抗に伴う有機ＥＬ素子１４の駆動電流に
ロスが生じることがなく低消費電力化を図ることができ
る。
クタ領域の平面寸法を画素１の平面寸法と同じにしてコ
レクタ電流を増大させることが可能になり、有機ＥＬ素
子１４を容易に大電流駆動することができる。また、ｎ
ｐｎトランジスタ１１のコレクタ領域と有機ＥＬ素子１
４とを接続する配線が不要であるため、構成が単純にな
る上に、配線抵抗に伴う有機ＥＬ素子１４の駆動電流に
ロスが生じることがなく低消費電力化を図ることができ
る。
【００２６】（４）ｎｐｎトランジスタ１１は有機半導
体層６〜８から構成されている。そのため、ｎｐｎトラ
ンジスタ１１を有機ＥＬ素子１４と同一プロセスで連続
的に製造することが可能になり、製造コストを低減する
ことができる。ちなみに、有機半導体については、社団
法人日本電子工業振興協会編「有機機能デバイスに関す
る調査研究報告書II」（平成２年３月，９０−基−
８），「（同）III 」（平成３年３月，９１−基−８）
に詳述されている。
体層６〜８から構成されている。そのため、ｎｐｎトラ
ンジスタ１１を有機ＥＬ素子１４と同一プロセスで連続
的に製造することが可能になり、製造コストを低減する
ことができる。ちなみに、有機半導体については、社団
法人日本電子工業振興協会編「有機機能デバイスに関す
る調査研究報告書II」（平成２年３月，９０−基−
８），「（同）III 」（平成３年３月，９１−基−８）
に詳述されている。
【００２７】図３に、補助容量を設けた表示装置の他の
実施形態を示す。同図に示す如く、ガラスや合成樹脂か
らなる透明絶縁基板２上全面にＩＴＯ膜などの透明な材
料によって陽極３を形成する。その陽極３上のホール輸
送層４はｐ型の有機半導体から形成されている。そのホ
ール輸送層４の上に有機化合物からなる発光層５を表示
装置の画素に応じて島状に形成する。その島状の発光層
と発光層との間はＳｉＮからなる層間絶縁膜１５が形成
されている。更に発光層５及び層間絶縁膜１５上にｎ型
有機半導体からなる電子輸送層６を形成する。その上
に、ｐ型有機半導体層７を形成する。
実施形態を示す。同図に示す如く、ガラスや合成樹脂か
らなる透明絶縁基板２上全面にＩＴＯ膜などの透明な材
料によって陽極３を形成する。その陽極３上のホール輸
送層４はｐ型の有機半導体から形成されている。そのホ
ール輸送層４の上に有機化合物からなる発光層５を表示
装置の画素に応じて島状に形成する。その島状の発光層
と発光層との間はＳｉＮからなる層間絶縁膜１５が形成
されている。更に発光層５及び層間絶縁膜１５上にｎ型
有機半導体からなる電子輸送層６を形成する。その上
に、ｐ型有機半導体層７を形成する。
【００２８】そして、ｐ型有機半導体層７上の一部にｎ
型有機半導体層８からなるエミッタ領域とそのエミッタ
領域の上に陰極１０を形成すると共に、前記ｐ型有機半
導体層７上の他の一部にはバイポーラトランジスタのベ
ース電極９を形成する。こうして、陽極３と、層間絶縁
膜１５と、電子輸送層６とでＭＩＭコンデンサとなり、
補助容量が形成される。
型有機半導体層８からなるエミッタ領域とそのエミッタ
領域の上に陰極１０を形成すると共に、前記ｐ型有機半
導体層７上の他の一部にはバイポーラトランジスタのベ
ース電極９を形成する。こうして、陽極３と、層間絶縁
膜１５と、電子輸送層６とでＭＩＭコンデンサとなり、
補助容量が形成される。
【００２９】また、電子輸送層６とｐ型有機半導体層
７、ｐ型有機半導体層７とｎ型有機半導体層８とは、そ
れぞれｐｎ接合を形成している。つまり、各層６〜８に
よってｎｐｎトランジスタ１１が構成されており、電子
輸送層６はコレクタ領域、ｐ型有機半導体層７はベース
領域、ｎ型有機半導体層８はエミッタ領域、陰極１０は
エミッタ電極、陽極３はコレクタ電極として機能する。
７、ｐ型有機半導体層７とｎ型有機半導体層８とは、そ
れぞれｐｎ接合を形成している。つまり、各層６〜８に
よってｎｐｎトランジスタ１１が構成されており、電子
輸送層６はコレクタ領域、ｐ型有機半導体層７はベース
領域、ｎ型有機半導体層８はエミッタ領域、陰極１０は
エミッタ電極、陽極３はコレクタ電極として機能する。
【００３０】ここで、図４に本実施形態におけるアクテ
ィブトリクス方式の有機ＥＬ表示装置のブロック構成図
を示し、図５にベース配線Ｂnとエミッタ配線Ｅｎとの
直交部分に設けられている画素の等価回路を示す。図４
に示す如く、表示パネル５０には、各ベース配線Ｂ１…
Ｂn,Ｂn+1…Ｂｍと各エミッタ線Ｅ１…Ｅn,Ｅn+1…Ｅｍ
とが配置されている。各ベース配線Ｂ１〜Ｂｍと各エミ
ッタ配線Ｅ１〜Ｅｍとはそれぞれ互いに直交し、その直
交部分に画素１が設けられている。つまり、マトリック
ス状に配置された各画素１によって表示パネル５０が形
成されている。
ィブトリクス方式の有機ＥＬ表示装置のブロック構成図
を示し、図５にベース配線Ｂnとエミッタ配線Ｅｎとの
直交部分に設けられている画素の等価回路を示す。図４
に示す如く、表示パネル５０には、各ベース配線Ｂ１…
Ｂn,Ｂn+1…Ｂｍと各エミッタ線Ｅ１…Ｅn,Ｅn+1…Ｅｍ
とが配置されている。各ベース配線Ｂ１〜Ｂｍと各エミ
ッタ配線Ｅ１〜Ｅｍとはそれぞれ互いに直交し、その直
交部分に画素１が設けられている。つまり、マトリック
ス状に配置された各画素１によって表示パネル５０が形
成されている。
【００３１】そして、各ベース配線Ｂ１〜Ｂｍは、ベー
ス側ドライバ５１に接続され、ベース信号が印加される
ようになっている。また、各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍ
は、エミッタ側ドライバ（データドライバ）５２に接続
され、データ信号（ビデオ信号）が印加されるようにな
っている。これらのドライバ５１、５２によって周辺駆
動回路部５３が構成される。
ス側ドライバ５１に接続され、ベース信号が印加される
ようになっている。また、各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍ
は、エミッタ側ドライバ（データドライバ）５２に接続
され、データ信号（ビデオ信号）が印加されるようにな
っている。これらのドライバ５１、５２によって周辺駆
動回路部５３が構成される。
【００３２】図５に示す如く、各ベース配線Ｂ１〜Ｂｍ
は、バイポーラトランジスタ５４のベース電極Ｂによっ
て形成されている。また、各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍ
は、バイポーラトランジスタ５４のエミッタ電極Ｅによ
って形成されている。有機ＥＬ素子５５の陰極、及びそ
の有機ＥＬ素子５５と並列に設けられた補助容量５６の
一方の電極には、定電圧Ｖcomが印加されている。そし
て有機ＥＬ素子の陽極と補助容量の他端とはバイポーラ
トランジスタ５４のコレクタ電極Ｃに接続されている。
そして前述の通り、バイポーラトランジスタ５４のエミ
ッタ電極Ｅはエミッタ側ドライバ５２に、またベース電
極Ｂはベース側ドライバ５１に接続されている。こうし
て、表示装置の画素１が構成される。
は、バイポーラトランジスタ５４のベース電極Ｂによっ
て形成されている。また、各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍ
は、バイポーラトランジスタ５４のエミッタ電極Ｅによ
って形成されている。有機ＥＬ素子５５の陰極、及びそ
の有機ＥＬ素子５５と並列に設けられた補助容量５６の
一方の電極には、定電圧Ｖcomが印加されている。そし
て有機ＥＬ素子の陽極と補助容量の他端とはバイポーラ
トランジスタ５４のコレクタ電極Ｃに接続されている。
そして前述の通り、バイポーラトランジスタ５４のエミ
ッタ電極Ｅはエミッタ側ドライバ５２に、またベース電
極Ｂはベース側ドライバ５１に接続されている。こうし
て、表示装置の画素１が構成される。
【００３３】図６に、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の
平面図を示す。同図に示す如く、エミッタ側ドライバ５
０に接続されたエミッタ配線Ｅｎには、前述の図１の電
子輸送層６上の一部に形成された陰極（エミッタ電極）
１０が接続されている。また、ベース側ドライバ５１に
接続されたベース配線Ｂｎには、電子輸送層６上の他の
一部に形成されたベース電極１４が接続されている。
平面図を示す。同図に示す如く、エミッタ側ドライバ５
０に接続されたエミッタ配線Ｅｎには、前述の図１の電
子輸送層６上の一部に形成された陰極（エミッタ電極）
１０が接続されている。また、ベース側ドライバ５１に
接続されたベース配線Ｂｎには、電子輸送層６上の他の
一部に形成されたベース電極１４が接続されている。
【００３４】本実施形態においては、第１実施形態の作
用および効果に加えて、以下の作用および効果を得るこ
とができる。 ［１］画素１において、ベース配線Ｂｎを正電圧にして
バイポーラトランジスタ５４のベース電極Ｂに正電圧を
印加すると、バイポーラトランジスタ５４がオン状態に
なる。すると、エミッタ配線Ｅｎに印加されたデータ信
号で、有機ＥＬ素子５５の静電容量が充電され、画素１
にデータ信号が書き込まれる。そのデータ信号によって
有機ＥＬ素子５５の駆動が行われる。
用および効果に加えて、以下の作用および効果を得るこ
とができる。 ［１］画素１において、ベース配線Ｂｎを正電圧にして
バイポーラトランジスタ５４のベース電極Ｂに正電圧を
印加すると、バイポーラトランジスタ５４がオン状態に
なる。すると、エミッタ配線Ｅｎに印加されたデータ信
号で、有機ＥＬ素子５５の静電容量が充電され、画素１
にデータ信号が書き込まれる。そのデータ信号によって
有機ＥＬ素子５５の駆動が行われる。
【００３５】反対に、ベース配線を負電圧にしてバイポ
ーラトランジスタ５４のベース電極Ｂに負電圧を印加す
ると、バイポーラトランジスタ５４がオフ状態になり、
その時点でエミッタ配線Ｅｎに印加されていたデータ信
号は電荷の状態で補助容量５６の静電容量によって保持
される。このように、画素１へ書き込みたいデータ信号
を各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍに与えて、各ベース配線Ｂ
１〜Ｂｍの電圧を制御することができる。そして、次
に、バイポーラトランジスタ５４がオン状態になるま
で、引き続き有機ＥＬ素子５５の駆動が行われる。
ーラトランジスタ５４のベース電極Ｂに負電圧を印加す
ると、バイポーラトランジスタ５４がオフ状態になり、
その時点でエミッタ配線Ｅｎに印加されていたデータ信
号は電荷の状態で補助容量５６の静電容量によって保持
される。このように、画素１へ書き込みたいデータ信号
を各エミッタ配線Ｅ１〜Ｅｍに与えて、各ベース配線Ｂ
１〜Ｂｍの電圧を制御することができる。そして、次
に、バイポーラトランジスタ５４がオン状態になるま
で、引き続き有機ＥＬ素子５５の駆動が行われる。
【００３６】［２］上記［１］より、ベース配線数（走
査線数）が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時
間が小さくなっても、有機ＥＬ素子の駆動が、陽極３及
び陰極１０間に蓄えられる電荷にて発光が途切れるなど
の影響を受けることはなく、表示パネル５０に表示され
る画像のコントラストが低下することもない。従って、
アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置によれ
ば、単純マトリクス方式の有機ＥＬ表示装置に比べてよ
り高画質の表示が可能になる。
査線数）が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時
間が小さくなっても、有機ＥＬ素子の駆動が、陽極３及
び陰極１０間に蓄えられる電荷にて発光が途切れるなど
の影響を受けることはなく、表示パネル５０に表示され
る画像のコントラストが低下することもない。従って、
アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置によれ
ば、単純マトリクス方式の有機ＥＬ表示装置に比べてよ
り高画質の表示が可能になる。
【００３７】尚、上記各実施形態は以下のように変更し
てもよく、その場合でも同様の作用および効果を得るこ
とができる。 （１）ｎｐｎトランジスタ１１をｐｎｐトランジスタに
置き代える。この場合には、有機ＥＬ素子１４とｐｎｐ
トランジスタを積層形成し、有機ＥＬ素子１４のホール
輸送層４をｐｎｐトランジスタのコレクタ領域として機
能させる。つまり、有機ＥＬ素子１４のホール輸送層４
とｐｎｐトランジスタのコレクタ領域とを同一層によっ
て形成する。
てもよく、その場合でも同様の作用および効果を得るこ
とができる。 （１）ｎｐｎトランジスタ１１をｐｎｐトランジスタに
置き代える。この場合には、有機ＥＬ素子１４とｐｎｐ
トランジスタを積層形成し、有機ＥＬ素子１４のホール
輸送層４をｐｎｐトランジスタのコレクタ領域として機
能させる。つまり、有機ＥＬ素子１４のホール輸送層４
とｐｎｐトランジスタのコレクタ領域とを同一層によっ
て形成する。
【００３８】（２）有機ＥＬ素子１４の発光色を変える
には、発光層５を形成する有機化合物の材質を変えれば
よく、緑色発光の場合はＢｅｂｑ2 （１０−ベンゾ
〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）、青色発光の場
合はＯＸＤ（オキサジアゾール）またはＡＺＭ（アゾメ
チン−亜鉛錯体）、青緑色発光の場合はＰＹＲ（ピラゾ
リン）、黄色発光の場合はＺｎｑ2 （８−キノリノール
−亜鉛錯体）、赤色発光の場合はＺｎＰｒ（ポリフィリ
ン−亜鉛錯体）を用いればよい。このようにすれば、有
機ＥＬ表示装置にカラー表示を行わせることができる。
には、発光層５を形成する有機化合物の材質を変えれば
よく、緑色発光の場合はＢｅｂｑ2 （１０−ベンゾ
〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）、青色発光の場
合はＯＸＤ（オキサジアゾール）またはＡＺＭ（アゾメ
チン−亜鉛錯体）、青緑色発光の場合はＰＹＲ（ピラゾ
リン）、黄色発光の場合はＺｎｑ2 （８−キノリノール
−亜鉛錯体）、赤色発光の場合はＺｎＰｒ（ポリフィリ
ン−亜鉛錯体）を用いればよい。このようにすれば、有
機ＥＬ表示装置にカラー表示を行わせることができる。
【００３９】（３）有機ＥＬ素子１４からホール輸送層
４を省き、陽極３及び陰極１０を除く有機化合物層を発
光層５と電位輸送層６の２層構造にする。 （４）有機ＥＬ素子１４から電子輸送層６を省き、陽極
３及び陰極１０を除く有機化合物層をホール輸送層４と
発光層５の２層構造にする。 （５）有機ＥＬ素子１４において、ホール輸送層４を第
１のホール輸送層と第２のホール輸送層との２層構造に
する。このようにすれば、発光効率の極めて高い有機エ
レクトロルミネッセンス素子１４を得ることが可能にな
り、有機ＥＬ表示装置の輝度をさらに向上させることが
できる。
４を省き、陽極３及び陰極１０を除く有機化合物層を発
光層５と電位輸送層６の２層構造にする。 （４）有機ＥＬ素子１４から電子輸送層６を省き、陽極
３及び陰極１０を除く有機化合物層をホール輸送層４と
発光層５の２層構造にする。 （５）有機ＥＬ素子１４において、ホール輸送層４を第
１のホール輸送層と第２のホール輸送層との２層構造に
する。このようにすれば、発光効率の極めて高い有機エ
レクトロルミネッセンス素子１４を得ることが可能にな
り、有機ＥＬ表示装置の輝度をさらに向上させることが
できる。
【００４０】（６）前述の実施形態においては、補助容
量を設けた有機ＥＬ表示装置を示したが、図７に示す如
く、補助容量を設けなくても良い。設けなければ、有機
ＥＬ素子の形成の工数の低減が図れるのでコストの削減
ができるとともに形成が容易に行える。しかし、充分な
電荷の保持を行うためには、補助容量を設ける方が好ま
しい。
量を設けた有機ＥＬ表示装置を示したが、図７に示す如
く、補助容量を設けなくても良い。設けなければ、有機
ＥＬ素子の形成の工数の低減が図れるのでコストの削減
ができるとともに形成が容易に行える。しかし、充分な
電荷の保持を行うためには、補助容量を設ける方が好ま
しい。
【００４１】以上、各実施形態について説明したが、各
実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想につい
て、以下にそれらの効果と共に記載する。（イ）請求項
１〜４のいずれか１項に記載の表示装置において、前記
有機エレクトロルミネッセンス素子は第１ホール輸送層
と第２ホール輸送層との２層構造から成るホール輸送層
を備える有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表
示装置。
実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想につい
て、以下にそれらの効果と共に記載する。（イ）請求項
１〜４のいずれか１項に記載の表示装置において、前記
有機エレクトロルミネッセンス素子は第１ホール輸送層
と第２ホール輸送層との２層構造から成るホール輸送層
を備える有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表
示装置。
【００４２】このようにすれば、発光効率の極めて高い
有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能に
なり、表示装置の輝度をさらに向上させることができ
る。
有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能に
なり、表示装置の輝度をさらに向上させることができ
る。
【００４３】（ロ）請求項４において、前記バイポーラ
トランジスタはエミッタ接地回路を構成する表示装置。
このようにすれば、バイポーラトランジスタによる電流
増幅作用を大きくすることが可能になり、有機エレクト
ロルミネッセンス素子を大電流駆動することができる。
トランジスタはエミッタ接地回路を構成する表示装置。
このようにすれば、バイポーラトランジスタによる電流
増幅作用を大きくすることが可能になり、有機エレクト
ロルミネッセンス素子を大電流駆動することができる。
【００４４】
【発明の効果】請求項１〜４のいずれか１項に記載の発
明によれば、高画質で製造コストが低いアクティブマト
リックス方式の有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置を提供することができる。請求項１〜３の
いずれか１項に記載の発明によれば、有機エレクトロル
ミネッセンス素子と有機半導体から成るバイポーラトラ
ンジスタとが積層形成されているため、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子とバイポーラトランジスタとを同一
プロセスで連続的に製造することが可能になる。そのた
め、製造コストを低減することができる。また、バイポ
ーラトランジスタは大電流駆動が可能であるため、有機
エレクトロルミネッセンス素子を大電流駆動して高画質
な表示装置を得ることができる。
明によれば、高画質で製造コストが低いアクティブマト
リックス方式の有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置を提供することができる。請求項１〜３の
いずれか１項に記載の発明によれば、有機エレクトロル
ミネッセンス素子と有機半導体から成るバイポーラトラ
ンジスタとが積層形成されているため、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子とバイポーラトランジスタとを同一
プロセスで連続的に製造することが可能になる。そのた
め、製造コストを低減することができる。また、バイポ
ーラトランジスタは大電流駆動が可能であるため、有機
エレクトロルミネッセンス素子を大電流駆動して高画質
な表示装置を得ることができる。
【００４５】請求項１に記載の発明によれば、発光効率
の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが
可能になり、表示装置の輝度を向上させることができ
る。請求項２または請求項３に記載の発明によれば、バ
イポーラトランジスタのコレクタ領域の平面寸法を有機
エレクトロルミネッセンス素子の平面寸法と同じにして
コレクタ電流を増大させることが可能になる。そのた
め、有機エレクトロルミネッセンス素子を容易に大電流
駆動することができる。また、バイポーラトランジスタ
のコレクタ領域と有機エレクトロルミネッセンス素子と
を接続する配線が不要であるため、構成が単純になる上
に、配線抵抗に伴う有機エレクトロルミネッセンス素子
の駆動電流にロスが生じることがなく低消費電力化を図
ることができる。
の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが
可能になり、表示装置の輝度を向上させることができ
る。請求項２または請求項３に記載の発明によれば、バ
イポーラトランジスタのコレクタ領域の平面寸法を有機
エレクトロルミネッセンス素子の平面寸法と同じにして
コレクタ電流を増大させることが可能になる。そのた
め、有機エレクトロルミネッセンス素子を容易に大電流
駆動することができる。また、バイポーラトランジスタ
のコレクタ領域と有機エレクトロルミネッセンス素子と
を接続する配線が不要であるため、構成が単純になる上
に、配線抵抗に伴う有機エレクトロルミネッセンス素子
の駆動電流にロスが生じることがなく低消費電力化を図
ることができる。
【００４６】請求項２に記載の発明によれば、バイポー
ラトランジスタとしてｎｐｎトランジスタを得ることが
できる。請求項３に記載の発明によれば、バイポーラト
ランジスタとしてｐｎｐトランジスタを得ることができ
る。請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明によれ
ば、データ信号の保持が充分にできる表示装置が得られ
る。
ラトランジスタとしてｎｐｎトランジスタを得ることが
できる。請求項３に記載の発明によれば、バイポーラト
ランジスタとしてｐｎｐトランジスタを得ることができ
る。請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明によれ
ば、データ信号の保持が充分にできる表示装置が得られ
る。
【００４７】請求項４に記載の発明によれば、データ信
号の小さな電流によって、有機エレクトロルミネッセン
ス素子を大電流駆動することが可能になる。
号の小さな電流によって、有機エレクトロルミネッセン
ス素子を大電流駆動することが可能になる。
【図１】一実施形態の一部断面斜視図である。
【図２】一実施形態の回路構成を示す模式図である。
【図３】他の実施形態の一部断面を示す模式図である。
【図４】他の実施形態の回路構成を示す模式図である。
【図５】他の実施形態の回路構成を示す模式図である。
【図６】他の実施形態の平面を示す模式図である。
【図７】他の実施形態の一部断面を示す模式図である。
２…透明絶縁基板 ３…陽極 ４…ホール輸送層 ５…発光層 ６…電子輸送層 ７…ｐ型有機半導体層 ８…ｎ型有機半導体層 １０…陰極 １１…ｎｐｎトランジスタ １４…有機ＥＬ素子 ５５…有機ＥＬ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 33/08
Claims (4)
- 【請求項１】 画素駆動素子としてのバイポーラトラン
ジスタの有機半導体から成るコレクタ領域と、有機エレ
クトロルミネッセンス素子を構成する有機化合物層の少
なくとも一部とを共通にし、当該バイポーラトランジス
タと有機エレクトロルミネッセンス素子とを積層形成
し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は発光層
と、少なくともホール輸送層または電子輸送層のうちい
ずれか一方とを備え、前記バイポーラトランジスタのコ
レクタ電極と、電子輸送層またはホール輸送層との間に
補助容量を設けることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 画素駆動素子としてのバイポーラトラン
ジスタの有機半導体から成るｎ型のコレクタ領域と、有
機エレクトロルミネッセンス素子を構成するｎ型の電子
輸送層とが同一層によって形成され、当該バイポーラト
ランジスタと有機エレクトロルミネッセンス素子とを積
層形成し、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極
と、前記電子輸送層との間に補助容量を設けることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項３】 画素駆動素子としてのバイポーラトラン
ジスタの有機半導体から成るｐ型のコレクタ領域と、有
機エレクトロルミネッセンス素子を構成するｐ型のホー
ル輸送層とが同一層によって形成され、当該バイポーラ
トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス素子とを
積層形成し、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電
極と、前記ホール輸送層との間に補助容量を設けること
を特徴とするアクティブマトリックス方式の表示装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１項に記載
の表示装置において、前記バイポーラトランジスタは、
データ信号を電流増幅して前記有機エレクトロルミネッ
センス素子へ供給する表示装置。
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