JP2020099124A - 電力変換装置、及び、これを備える冷凍サイクル装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電力損失や電磁ノイズの低減を図った電力変換装置等を提供する。【解決手段】電力変換装置１００は、電力変換回路３０の正極側・負極側のそれぞれに接続されて直流給電ラインの一部をなす第１導体パターンｋ１，ｈ１と、電力変換回路３０とスナバコンデンサ２１とを正極側・負極側のそれぞれで接続する第２導体パターンｋ２，ｈ２と、を有する。電力変換回路３０の正極側の入力端子ＩＰ付近において、第１導体パターンｋ１に近接するように、第２導体パターンｋ２が設けられる。また、電力変換回路３０の負極側の入力端子ＩＮ付近において、第１導体パターンｈ１に近接するように、第２導体パターンｈ２が設けられる。【選択図】図２

Description

本発明は、電力変換装置等に関する。

モータを駆動するインバータ等の電力変換装置が知られている。インバータは、半導体スイッチング素子のスイッチング動作を行うことで、負荷であるモータに電力を供給する。また、スイッチング動作によって、半導体スイッチング素子と直流電源とを接続する配線に電流変化が生じ、配線上の寄生インダクタンスによって逆起電力が生ずる。

その結果、半導体スイッチング素子の電流遮断時に、前記した逆起電力と電源電圧とを合成した電圧が半導体スイッチング素子に印加される。なお、逆起電力の発生期間は、半導体スイッチング素子のスイッチングパルス幅と比較して極めて短く、その電圧波形はスパイク状になる。したがって、半導体スイッチング素子の電圧は、電源電圧にスパイク状の電圧（以下、「スパイク電圧」という）が重畳した波形になる。このようなスパイク電圧による半導体スイッチング素子の破壊を防ぐために、通常、電源電圧とスパイク電圧の合成電圧値よりも耐圧の高い半導体スイッチング素子が用いられる。

なお、半導体スイッチング素子の耐圧と、そのオン電圧やオン抵抗との間には、一般的に比例関係がある。したがって、スパイク電圧による破壊を防ぐために耐圧の高いスイッチング素子を用いると、電力損失が増加する。さらにスパイク電圧は、電磁ノイズの発生を助長するため、機器の誤動作を誘発するおそれがある。このようなスパイク電圧を低減する技術として、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。

すなわち、特許文献１には、「第１板状導体と第２板状導体は、絶縁体との積層状態で、樹脂封止の表面から突出して駆動制御回路の側部を横切り、さらに第１板状導体と第２板状導体は、それぞれの先端部がパワーモジュールの電極と接続される」構成の電力変換装置について記載されている。

特開２０１１-２３９６７９号公報

ところで、寄生インダクタンスによる逆起電力を低減する素子として、スナバコンデンサが知られている。このスナバコンデンサを用いて逆起電力を効果的に低減するには、半導体スイッチング素子の近傍にスナバコンデンサを実装することが望ましい。

しかしながら、半導体スイッチング素子の形状や取付方法等の制約から、半導体スイッチング素子の近傍にスナバコンデンサを配置できないことがある。このような場合でも、逆起電力に伴う電力損失や電磁ノイズを低減することが求められているが、特許文献１には、そのような技術について記載されていない。

そこで、本発明は、電力損失や電磁ノイズの低減を図った電力変換装置等を提供することを課題とする。

前記課題を解決するために、本発明は、電力変換回路の正極側・負極側のそれぞれに接続されて直流給電ラインの一部をなす第１導体パターンと、前記電力変換回路とスナバコンデンサとを正極側・負極側のそれぞれで接続する第２導体パターンと、を有し、前記電力変換回路の正極側の入力端子付近において、正極側の前記第１導体パターンに近接するように、正極側の前記第２導体パターンが設けられ、前記電力変換回路の負極側の入力端子付近において、負極側の前記第１導体パターンに近接するように、負極側の前記第２導体パターンが設けられている構成とした。

本発明によれば、電力損失や電磁ノイズの低減を図った電力変換装置等を提供できる。

本発明の第１実施形態に係る電力変換装置を含む構成図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置が備える寄生インダクタンス低減手段の等価回路を含む説明図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置のプリント配線板に実装される主な電子部品の配置を示す平面図・側面図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の部品面の導体パターンを示す説明図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の半田面の導体パターンを、部品面側から透視した場合の説明図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置において、図４Ａ及び図４ＢにおけるII−II線矢視断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電力変換装置が備える電力変換回路のいずれかの半導体スイッチング素子がオンからオフに遷移したときの電流波形の説明図である 本発明の第２実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の部品面の導体パターンを示す説明図である。 本発明の第２実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の部品面の導体パターンにおける電流の流れを示す説明図である。 本発明の第３実施形態に係る電力変換装置が備える寄生インダクタンス低減手段の等価回路を含む説明図である。 本発明の第３実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の部品面の導体パターンを示す説明図である。 本発明の第３実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板の半田面の導体パターンを、部品面側から透視した場合の説明図である。 本発明の第４実施形態に係る空気調和機の構成図である。 比較例に係る電力変換装置が備える半導体スイッチング素子の電圧波形の一例を示す説明図である。 比較例に係る電力変換装置が備える複合スナバコンデンサの配置を示す平面図である。

≪第１実施形態≫
＜電力変換装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る電力変換装置１００を含む構成図である。
図１に示す電力変換装置１００は、直流電源Ｅから入力される直流電力を三相交流電力に変換し、この三相交流電力をモータＭに出力するインバータである。なお、図１に示す直流電源Ｅとして、交流電源（図示せず）、及び、交直変換を行うコンバータ（図示せず）が用いられてもよい。

図１に示すように、電力変換装置１００の入力側は、正極側電源線Ｐ（直流給電ライン）を介して直流電源Ｅの正極に接続されるとともに、負極側電源線Ｎ（直流給電ライン）を介して直流電源Ｅの負極に接続されている。そして、前記した「直流給電ライン」を介して、電力変換回路３０の入力側に直流電圧が印加されるようになっている。なお、正極側電源線Ｐや負極側電源線Ｎは、プリント配線板６０（図３参照）の銅箔パターンや電線等を含む配線である。

図１に示すように、正極側電源線Ｐには寄生インダクタンスＬｐが含まれ、また、負極側電源線Ｎには寄生インダクタンスＬｎが含まれている。寄生インダクタンスＬｐ，Ｌｎは、正極側電源線Ｐや負極側電源線Ｎ（つまり、直流給電ライン）に広く分布するものであって、一箇所に集中して存在するものではないが、図１では便宜上、寄生インダクタンスＬｐ，Ｌｎとして図示している。

図１に示すように、電力変換装置１００は、平滑コンデンサ１０と、寄生インダクタンス低減手段２０と、電力変換回路３０と、電流検出手段４１，４２と、制御手段５０と、を備えている。

平滑コンデンサ１０は、直流電源Ｅから印加される電圧（脈流状の直流電圧）を平滑化するコンデンサである。平滑コンデンサ１０は、その正極が正極側電源線Ｐに接続され、負極が負極側電源線Ｎに接続されている。

寄生インダクタンス低減手段２０は、正極側電源線Ｐや負極側電源線Ｎを含む配線の寄生インダクタンスを低減するものである。詳細については後記するが、寄生インダクタンス低減手段２０は、スナバコンデンサ２１等（図２参照）を備えている。図１に示すように、寄生インダクタンス低減手段２０の入力側は、正極側電源線Ｐに接続されるとともに、負極側電源線Ｎに接続されている。一方、寄生インダクタンス低減手段２０の出力側は、電力変換回路３０に接続されている。

電力変換回路３０は、３相インバータ回路であり、直流電圧（直流電力）をＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相交流電圧（３相交流電力）に変換し、この３相交流電圧をモータＭに印加する。図１に示すように、電力変換回路３０は、６つの半導体スイッチング素子３１〜３６を備えている。このような半導体スイッチング素子３１〜３６として、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が用いられる。半導体スイッチング素子３１〜３６のオン／オフは、制御手段５０によって制御される。

半導体スイッチング素子３１，３２は、レグを構成し、直流電圧をＵ相交流電圧に変換する。また、半導体スイッチング素子３３，３４は、別のレグを構成し、直流電圧をＶ相交流電圧に変換する。また、半導体スイッチング素子３５，３６は、さらに別のレグを構成し、直流電圧をＷ相交流電圧に変換する。これら３つのレグは並列接続され、Ｕ相・Ｖ相・Ｗ相の配線を介して、負荷であるモータＭに接続されている。そして、電力変換回路３０から印加される３相交流電圧によって、モータＭが駆動されるようになっている。

図１に示すように、半導体スイッチング素子３１〜３６には、それぞれ、還流ダイオードＤが接続されている。なお、半導体スイッチング素子に、ＩＧＢＴの代わりにＭＯＳＦＥＴ(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を使用してもよい。その場合は、ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン間に存在するｐｎ接合に形成される寄生ダイオード（図示せず）を前述の還流ダイオードＤの代替えとして使用できる。

電流検出手段４１は、Ｕ相・Ｖ相・Ｗ相の配線のうち、Ｕ相の配線における電流を検出するものである。別の電流検出手段４２は、Ｗ相の配線における電流を検出するものである。電流検出手段４１，４２の検出値は、それぞれ、次に説明する制御手段５０に出力される。

制御手段５０は、例えば、マイコン（Microcomputer）であり、図示はしないが、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、各種インタフェース等の電子回路を含んで構成されている。そして、ＲＯＭに記憶されたプログラムを読み出してＲＡＭに展開し、ＣＰＵが各種処理を実行するようになっている。

制御手段５０は、平滑コンデンサ１０の正極・負極間の電圧や、電流検出手段４１，４２の検出値等に基づいて、所定の回転速度やトルクでモータＭが駆動するように半導体スイッチング素子３１〜３６を制御する。次に、半導体スイッチング素子３１〜３６のスイッチングに伴うスパイク電圧について、簡単に説明する。

＜スパイク電圧について＞
図１１は、比較例に係る電力変換装置が備える半導体スイッチング素子の電圧波形の一例を示す説明図である。
なお、比較例に係る電力変換装置（図示せず）は、寄生インダクタンス低減手段２０（図１参照）を備えていない点を除いて、本実施形態の電力変換装置１００（図１参照）と同様の構成であるものとする。

比較例では、半導体スイッチング素子３１〜３６のスイッチング動作に伴い、半導体スイッチング素子３１〜３６と直流電源Ｅとを接続する配線に逆起電力が生じる。そして、前記した逆起電力と電源電圧とを合成した電圧が、半導体スイッチング素子３１〜３６に印加される。すなわち、図１１に示すように、所定のスパイク電圧Ｖ_Ｓが電源電圧Ｖ_Ｅに重畳した波形の電圧が、半導体スイッチング素子３１〜３６に印加される。

そこで、本実施形態では、スナバコンデンサ２１（図２参照）を備える寄生インダクタンス低減手段２０（図２参照）を設けることで、寄生インダクタンスに伴う逆起電力（スパイク電圧Ｖ_Ｓ）を抑制するようにしている。

＜寄生インダクタンス低減手段＞
図２は、電力変換装置１００が備える寄生インダクタンス低減手段２０の等価回路を含む説明図である。
図２に示すように、寄生インダクタンス低減手段２０は、スナバコンデンサ２１と、第１導体パターンｋ１，ｈ１と、第２導体パターンｋ２，ｈ２と、を備えている。

スナバコンデンサ２１は、寄生インダクタンスに伴う逆起電力を抑制するためのコンデンサであり、後記するプリント配線板６０（図３参照）に実装されている。スナバコンデンサ２１は、電力変換回路３０の入力側に接続されている。より詳しく説明すると、スナバコンデンサ２１の正極は、第２導体パターンｋ２を介して、電力変換回路３０の正極側の入力端子ＩＰに接続されている。一方、スナバコンデンサ２１の負極は、第２導体パターンｈ２を介して、電力変換回路３０の負極側の入力端子ＩＮに接続されている。

第１導体パターンｋ１は、正極側電源線Ｐ（直流給電ライン）の一部としてプリント配線板６０（図３参照）に実装される導体パターンである。図２に示すように、第１導体パターンｋ１は、電力変換回路３０の正極側の入力端子ＩＰに接続されている。
他方の第１導体パターンｈ１は、負極側電源線Ｎ（直流給電ライン）の一部としてプリント配線板６０（図３参照）に実装される導体パターンである。図２に示すように、第１導体パターンｈ１は、電力変換回路３０の負極側の入力端子ＩＮに接続されている。
このように、プリント配線板６０（図３参照）は、電力変換回路３０の正極側・負極側のそれぞれに接続されて「直流給電ライン」の一部をなす第１導体パターンｋ１，ｈ１を有している。

なお、直流電源Ｅ（図１参照）の正極と電力変換回路３０とを接続する正極側電源線Ｐには、第１導体パターンｋ１が含まれるとともに、直流電源Ｅの正極とプリント配線板６０（図示せず）とを接続する電線が含まれている。また、負極側電源線Ｎについても同様である。

第２導体パターンｋ２は、前記したように、電力変換回路３０とスナバコンデンサ２１とを正極側で接続する導体パターンであり、プリント配線板６０（図３参照）に実装されている。他方の第２導体パターンｈ２は、前記したように、電力変換回路３０とスナバコンデンサ２１とを負極側で接続する導体パターンであり、プリント配線板６０（図３参照）に実装されている。
このように、プリント配線板６０（図３参照）は、電力変換回路３０とスナバコンデンサ２１とを正極側・負極側のそれぞれで接続する第２導体パターンｋ２，ｈ２を有している。なお、図２に示す寄生インダクタンスＬａ１，Ｌｂ１，Ｌａ２，Ｌｂ２等については、後記する。

図３は、電力変換装置１００のプリント配線板６０に実装される主な電子部品の配置を示す平面図・側面図である。
なお、図３の上図は、プリント配線板６０等の平面図である。一方、図３の下図は、プリント配線板６０等の側面図である。
図３に示す例では、プリント配線板６０と放熱器７０とが組み合わされてなる基板組として、電力変換装置１００が構成されている。前記した基板組（つまり、電力変換装置１００）は、所定のケース（図示せず）に収納された状態で使用されることが多い。

また、半導体スイッチング素子３１〜３６（図１参照）が一つのパッケージに収容されてなる半導体モジュールとして、電力変換回路３０が構成されている。そして、この電力変換回路３０が、放熱器７０に固定された状態で、プリント配線板６０と放熱器７０との間に配置されている。

図３に示すように、電力変換回路３０は、自身とプリント配線板６０とを電気的に接続するための端子ＩＰ，ＩＮ，ＩＵ，ＩＶ，ＩＷを備えている。これらの端子ＩＰ，ＩＮ，ＩＵ，ＩＶ，ＩＷは、それぞれ、プリント配線板６０に向かって上側に延びており、プリント配線板６０の部品面・半田面に実装された所定の導体パターンと電気的に接続されている。このような構成も、電力変換回路３０がプリント配線板６０に「実装されている」という事項に含まれるものとする。なお、「部品面」とは、プリント配線板６０において、平滑コンデンサ１０（図３参照）等の電子部品が実装される面である。本実施形態では、「部品面」と、その裏面の「半田面」と、が「パターン層」（導体パターン等が設けられる層）になっている。

入力端子ＩＰは、プリント配線板６０に実装された正極側の第１導体パターンｋ１（図３では図示を省略、図２参照）に接続されている。
入力端子ＩＮは、プリント配線板６０に実装された負極側の第１導体パターンｈ１（図３では図示を省略、図２参照）に接続されている。

端子ＩＵは、モータＭ（図１参照）のＵ相の配線（図１参照）に接続されている。同様に、端子ＩＶ，ＩＷは、それぞれ、モータＭのＶ相，Ｗ相の配線に接続されている。

その他、平滑コンデンサ１０や、寄生インダクタンス低減手段２０（図２参照）に含まれるスナバコンデンサ２１が、プリント配線板６０に実装されている。平滑コンデンサ１０やスナバコンデンサ２１は、プリント配線板６０に設けられた所定の銅箔パターンを介して、電力変換回路３０と電気的に接続されている。図３に示す例では、平面視において、平滑コンデンサ１０と電力変換回路３０との間にスナバコンデンサ２１が配置されている。

放熱器７０は、電力変換回路３０を放熱させるためのヒートシンクである。放熱器７０は、板状部７１と、この板状部７１から下方に延びる複数のフィン７２と、を備えている。放熱器７０は、ネジＧａ，Ｇｂを介して電力変換回路３０に固定されている。
なお、工具（図示せず）を用いてネジＧａ，Ｇｂを締めたり緩めたりする際、この工具が挿入されるネジ孔Ｈａ，Ｈｂが、プリント配線板６０に設けられている。すなわち、プリント配線板６０においてネジＧａ，Ｇｂに対応する位置には、ネジ孔Ｈａ，Ｈｂが設けられている。さらに、プリント配線板６０の四隅にも、それぞれ、ネジ孔（図示せず）が設けられている。これらのネジ孔を介して挿入された４つのネジＧｃが、スペーサＳｃを介して、放熱器７０に螺合している。

なお、メンテナンスの際に電力変換回路３０が放熱器７０から取り外されることを考慮すると、図３に示すように、ネジ孔Ｈａ，Ｈｂから外れた位置にスナバコンデンサ２１が実装されることが望ましい。このような制約から、電力変換回路３０の近傍にスナバコンデンサ２１を配置することが困難な場合がある。具体的には、電力変換回路３０の直流側の入力端子ＩＰ，ＩＮの近傍にスナバコンデンサ２１を配置できない場合がある。

なお、プリント配線板６０の部品面の左右方向において、ネジ孔Ｈａ，Ｈｂの間の領域には、スイッチング素子３１〜３６を駆動するためのドライバ回路等（図示せず）が実装される。したがって、この領域にスナバコンデンサ２１を実装することが困難であることが多い。

仮に、スナバコンデンサ２１と入力端子ＩＰ，ＩＮとを接続する導体パターンの寄生インダクタンスが低減されなければ、所定のスパイク電圧が生じる（図１１参照）。その結果、電力損失が増加したり、電磁ノイズが発生したりする可能性がある。このようなスパイク電圧や電磁ノイズを低減するために、本実施形態では、寄生インダクタンス低減手段２０（図４Ａ、図４Ｂ参照）が設けられている。

図４Ａは、電力変換装置が備えるプリント配線板６０の部品面の導体パターンを示す説明図である（図２、図３も適宜に参照）。
なお、図４Ａでは、第１導体パターンｋ１，ｈ１において、実際にはスナバコンデンサ２１で隠れて見えない部分も透視して図示している。

図４Ａに示す第１導体パターンｋ１，ｈ１は、前記したように、直流電源Ｅ（図１参照）と電力変換回路３０とを接続する配線である。なお、第１導体パターンｋ１の孔ｆｋには、スナバコンデンサ２１の端子２１ａが挿通されている。この孔ｆｋの周縁と、端子２１ａとの間には、所定の間隔が設けられている。また、他方の第１導体パターンｈ１についても同様である。したがって、第１導体パターンｋ１，ｈ１と、スナバコンデンサ２１と、はプリント配線板６０の部品面上では電気的に接続されていない。なお、スルーホールｊｋ，ｊｈについては後記する。

図４Ｂは、電力変換装置が備えるプリント配線板６０の半田面の導体パターンを、部品面側から透視した場合の説明図である。
なお、「半田面」とは、プリント配線板６０において半田付けがなされる面（部品面の裏側の面）であり、放熱器７０（図３参照）に臨んでいる。また、図４Ｂでは、プリント配線板６０を部品面側から見た場合において、実際には見えない半田面側の第１導体パターンｋ１ａ，ｈ１ａや第２導体パターンｋ２，ｈ２を透視して破線で図示している。

図４Ｂに示す半田面側の第１導体パターンｋ１ａは、スルーホールｊｋを介して、部品面側の第１導体パターンｋ１（図４Ａ参照）と電気的に接続されている。同様に、半田面側の第１導体パターンｈ１ａは、スルーホールｊｈを介して、部品面側の第１導体パターンｈ１（図４Ａ参照）と電気的に接続されている。

そして、部品面側の第１導体パターンｋ１、及び、半田面側の第１導体パターンｋ１ａが、いずれも平滑コンデンサ１０（図３参照）の正極と電気的に接続されている。また同様に、他方の第１導体パターンｈ１，ｈ１ａが、平滑コンデンサ１０の負極と電気的に接続されている。このように、プリント配線板６０の部品面・半田面の両面を使って、直流電源Ｅ（図１参照）と電力変換回路３０とが電気的に接続されている。これによって、「直流給電ライン」である第１導体パターンｋ１，ｈ１等の電気抵抗を低減し、ひいては電力損失を低減できる。

第２導体パターンｋ２，ｈ２は、前記したように、スナバコンデンサ２１と電力変換回路３０とを接続する配線である。そして、電力変換回路３０の正極側の入力端子ＩＰ付近において、正極側の第１導体パターンｋ１（図４Ａ参照）に近接するように、正極側の第２導体パターンｋ２（図４Ｂ参照）が設けられている。すなわち、第１導体パターンｋ１と、第２導体パターンｋ２と、がプリント配線板６０の絶縁層６０ｓ（図５参照）を挟んで互いに近接している。

同様に、電力変換回路３０の負極側の入力端子ＩＮ付近において、負極側の第１導体パターンｈ１（図４Ａ参照）に近接するように、負極側の第２導体パターンｈ２（図４Ｂ参照）が設けられている。すなわち、第１導体パターンｈ１と、第２導体パターンｈ２と、がプリント配線板６０の絶縁層６０ｓ（図５参照）を挟んで互いに近接している。

ここで、再び図２に戻って、寄生インダクタンス低減手段２０について詳細に説明する。なお、図２では、プリント配線板６０の第１導体パターンｋ１ａ，ｈ１ａ（図４Ｂ参照）が、第１導体パターンｋ１，ｈ１に含まれるものとして図示している。
図２に示す寄生インダクタンスＬｐは、第１導体パターンｋ１（図４Ａ参照）において、直流電源Ｅ（図１参照）からスルーホールｊｋ（図４Ａ参照）までの部分の寄生インダクタンスである。

また、寄生インダクタンスＬａ１は、第１導体パターンｋ１において（図４Ａ参照）、平面視で第２導体パターンｋ２（図４Ｂ参照）と重なっている部分の寄生インダクタンスである。また、寄生インダクタンスＬａ２は、第２導体パターンｋ２の寄生インダクタンスである。なお、負極側の第１導体パターンｈ１の寄生インダクタンスＬｎ，Ｌｂ１や、第２導体パターンｈ２の寄生インダクタンスＬｂ２についても同様である。

図５は、図４Ａ及び図４ＢにおけるII−II線矢視断面図である。
なお、半導体スイッチング素子３１〜３６（図１参照）のいずれかがオンからオフに遷移し、直流側の入力端子ＩＰへの電流が減少しているときの電流の向きを、図５では矢印で示している。また、第１導体パターンｋ１や第２導体パターンｋ２における磁束の向きを別の矢印で示している。

前記したように、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２とは、プリント配線板６０の絶縁層６０ｓを挟んで互いに近接し、磁気的に結合した状態になっている。例えば、絶縁層６０ｓの厚みが１．５ｍｍのプリント配線板６０を用いて磁界のシミュレーションを行ったところ、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２との間の結合係数は約０．８であり、比較的高い値であった。なお、負極側の第１導体パターンｈ１と第２導体パターンｈ２についても同様である。次に、前記した磁気結合による寄生インダクタンス低減手段２０の作用について説明する。

図６は、電力変換装置が備える電力変換回路のいずれかの半導体スイッチング素子がオンからオフに遷移したときの電流波形の説明図である（適宜、図２、図５を参照）。
なお、図６の横軸は時間であり、縦軸は電流値である。
図６（及び図２）に示す電流Ｉ_ＤＣは、第１導体パターンｋ１に流れる電流である。また、電流Ｉ_{ＩＮＶ＿ＩＮ}は、電力変換回路３０の直流側の入力端子ＩＰに流れる電流である。電流Ｉ_ＳＣは、第２導体パターンｋ２やスナバコンデンサ２１の正極に流れる電流である。

図６に示す時刻ｔ０から時刻ｔ１の直前までは、電力変換回路３０の半導体スイッチング素子３１〜３６（図１参照）がオン又はオフの状態であり、電流Ｉ_ＤＣ及び電流Ｉ_{ＩＮＶ＿ＩＮ}は略一定の電流値Ｉａになっている。一方、時刻ｔ０から時刻ｔ１の直前までは、スナバコンデンサ２１には電流Ｉ_ＳＣが流れないため、電流Ｉ_ＳＣの値はゼロである。

時刻ｔ１において半導体スイッチング素子３１〜３６のうちいずれかがオンからオフに遷移すると、電流Ｉ_{ＩＮＶ＿ＩＮ}が減少する。これに伴って電流Ｉ_ＤＣも減少に転じるが、第１導体パターンｋ１の寄生インダクタンスＬｐ，Ｌａ１（図２参照）によって、電流Ｉ_{ＩＮＶ＿ＩＮ}よりも電流Ｉ_ＤＣの減少速度が小さくなっている。そして、電流Ｉ_{ＩＮＶ＿ＩＮ}と電流Ｉ_ＤＣとの差分に相当する電流Ｉ_ＳＣが、第２導体パターンｋ２を介してスナバコンデンサ２１の正極に流れる。

以上の動作から、図５に示す第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２において、互いに逆向きの電流が流れる。これによって、第１導体パターンｋ１に発生する磁束と、第２導体パターンｋ２に発生する磁束と、が互いに打ち消し合い、第１導体パターンｋ１及び第２導体パターンｋ２の全体的なインダクタンス値が低減される。その結果、スナバコンデンサ２１が効果的に機能し、寄生インダクタンスに伴う逆起電力（スパイク電圧）が低減される。
なお、負極側の第１導体パターンｈ１（図２参照）及び第２導体パターンｈ２（図２参照）に関しても、同様の作用が奏される。

＜効果＞
第１実施形態によれば、プリント配線板６０の絶縁層６０ｓを挟んで近接している第１導体パターンｋ１及び第２導体パターンｋ２において、互いに逆向きの電流が流れる（図５参照）。これによって、第１導体パターンｋ１に発生する磁束と、第２導体パターンｋ２に発生する磁束と、が打ち消されるため、寄生インダクタンスに伴う逆起電力（スパイク電圧）が低減される。なお、負極側の第１導体パターンｈ１や第２導体パターンｈ２についても同様である。

これによって、半導体スイッチング素子３１〜３６として、耐圧が低いものを使用できる。なお、半導体スイッチング素子３１〜３６の耐圧と、そのオン抵抗との間には、一般的に比例関係がある。したがって、耐圧の低い半導体スイッチング素子３１〜３６を用いることで、電力変換回路３０における電力損失を低減できる。このように、第１実施形態によれば、電力損失や電磁ノイズの低減を図った電力変換装置１００を提供できる。

また、電力変換回路３０における電力損失が低減されるため、放熱器７０として、大きさが比較的小さいものを用いることができる。したがって、第１実施形態によれば、放熱器７０を含む電力変換装置１００の小型化を図ることができる。

≪第２実施形態≫
第２実施形態は、プリント配線板６０Ａ（図７Ａ参照）の片面に所定の導体パターンｋ，ｈ（図７Ａ参照）が実装されている点が、第１実施形態とは異なっている。なお、その他については第１実施形態と同様である。したがって、第１実施形態とは異なる部分について説明し、重複する部分については説明を省略する。

図７Ａは、電力変換装置が備えるプリント配線板６０Ａの部品面の導体パターンｋ，ｈを示す説明図である。
図７Ａに示すように、寄生インダクタンス低減手段２０Ａは、正極側の導体パターンｋと、負極側の導体パターンｈと、スナバコンデンサ２１と、を備えている。正極側の導体パターンｋには、第１導体パターンｋ１（図７Ｂ参照）と、第２導体パターンｋ２（図７Ｂ参照）と、が含まれている。なお、負極側の導体パターンｈについても同様である。これらの導体パターンｋ，ｈは、平面視において所定に折れ曲がった形状を呈し、プリント配線板６０Ａの片面（部品面）に設けられている。

図７Ｂは、電力変換装置が備えるプリント配線板６０Ａの部品面の導体パターンｋ，ｈにおける電流の流れを示す説明図である。
なお、図７Ｂには、電流の流れる向きを矢印として図示した他、第１導体パターンｋ１，ｈ１や第２導体パターンｋ２，ｈ２を示す符号を記載している。また、図７Ｂの符号等を見やすくするために、スナバコンデンサ２１（図７Ａ参照）や電力変換回路３０（図７Ａ参照）の図示を省略している。なお、その他については、図７Ｂは、図７Ａと同一である。

図７Ｂに示す例では、入力端子ＩＰの付近において、正極側の第１導体パターンｋ１が一直線状に延びている。一方、正極側の第２導体パターンｋ２は、第１導体パターンｋ１と平行に並んで設けられ、この第１導体パターンｋ１に近接している。なお、第１導体パターンｋ１と、第２導体パターンｋ２と、の間には、所定の隙間が設けられている。これよって、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２とが磁気的に結合している。

このようにプリント配線板６０Ａは、１層のパターン層（部品面側の導体パターン）を有し、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２とは、前記したパターン層に並んで設けられている。なお、負極側の第１導体パターンｈ１及び第２導体パターンｈ２についても同様である。

また、第１導体パターンｋ１における入力端子ＩＰ側の端部と、第２導体パターンｋ２における入力端子ＩＰ側の端部と、が電気的に接続されている。そして、半導体スイッチング素子３１〜３６のうちいずれかがオンからオフに遷移すると、第１導体パターンｋ１及び第２導体パターンｋ２を順次に介して、折り返すように電流が流れる（図７Ｂの矢印を参照）。したがって、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２には、互いに逆向きの電流が流れる。

その結果、第１導体パターンｋ１における磁束と、第２導体パターンｋ２における磁束と、が互いに打ち消し合う。すなわち、第１導体パターンｋ１及び第２導体パターンｋ２を全体として見た場合の寄生インダクタンスが低減される。なお、負極側の第１導体パターンｈ１及び第２導体パターンｈ２についても同様のことがいえる。

＜効果＞
第２実施形態によれば、プリント配線板６０Ａの部品面に設けられた第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２とにおいて、互いに逆向きの電流が流れる。これによって、寄生インダクタンスに伴う逆起電力（スパイク電圧）が低減される。

また、第２実施形態では、第１導体パターンｋ１，ｈ１及び第２導体パターンｋ２，ｈ２が、プリント配線板６０Ａの部品面（片面）に設けられている。一般に、片面のみに導体パターンが設けられたプリント配線板６０Ａは、両面に導体パターンが設けられたものよりも安価である。したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態よりも電力変換装置の低コスト化を図ることができる。

≪第３実施形態≫
第３実施形態は、電力変換装置１００Ｂ（図８参照）が２つのスナバコンデンサ２２，２３（図８参照）を備えている点が、第１実施形態とは異なっている。なお、その他については、第１実施形態と同様である。したがって、第１実施形態とは異なる部分について説明し、重複する部分については説明を省略する。

図８は、電力変換装置が備える寄生インダクタンス低減手段２０Ｂの等価回路を含む説明図である。
図８に示すように、寄生インダクタンス低減手段２０Ｂは、並列接続された２つのスナバコンデンサ２２，２３を備えている。スナバコンデンサ２２，２３の正極は、第２導体パターンｋ２を介して、入力端子ＩＰに接続されている。一方、スナバコンデンサ２２，２３の負極は、第２導体パターンｈ２を介して、入力端子ＩＮに接続されている。すなわち、電力変換回路３０と、スナバコンデンサ２２，２３と、は第２導体パターンｋ２，ｈ２を介して、正極側・負極側のそれぞれで接続されている。

また、スナバコンデンサ２２，２３の内部には、図示はしないが、誘電体と外部電極とを結ぶ内部配線があり、その内部配線上には寄生インダクタンスが存在している。この内部配線の寄生インダダクタンスの低減は、導体パターンの寄生インダクタンスの低減と同様に、スパイク電圧の低減に有効である。そこで、第２実施形態では、２つのスナバコンデンサ２２，２３を並列接続することで、それらの寄生インダクタンスも等価的に並列接続された状態にしている。これによって、スナバコンデンサ２２，２３の全体的な寄生インダクタンスが低減されるため、スパイク電圧の低減効果がさらに高められる。

前述の並列接続されたスナバコンデンサ２２，２３を「複合スナバコンデンサ」と定義する。次に、このような「複合スナバコンデンサ」が設けられる場合の問題点について簡単に説明する。

図１２は、比較例に係る電力変換装置が備える複合スナバコンデンサＴの配置を示す平面図である。
図１２に示す白抜き矢印は、電力変換装置の回路部品を冷却するための冷却風の向きである。なお、プリント配線板６０に冷却風を送り込むファンＦが設置されていてもよい。
また、図１２に示す破線矢印は、複合スナバコンデンサＴに含まれるスナバコンデンサ２２，２３の配置方向である。この比較例では、冷却風の方向、直流給電ライン（図１２では図示を省略）の方向、及び、スナバコンデンサ２２，２３の配置方向の全てが略平行になっている。

また、冷却風の風上側から見ると、一方のスナバコンデンサ２３が、他方のスナバコンデンサ２２に隠れている。このような配置では、風上側のスナバコンデンサ２２の方が冷却されやすくなり、その一方で、風下側のスナバコンデンサ２３が発熱しやすくなる。その結果、風上側のスナバコンデンサ２２よりも、風下側のスナバコンデンサ２３の寿命が短くなる。このような問題点を考慮して、第３実施形態では、２つのスナバコンデンサ２２，２３が次のように配置されている。

図９Ａは、第３実施形態に係る電力変換装置が備えるプリント配線板６０の部品面の導体パターンを示す説明図である。
図９Ａに示す寄生インダクタンス低減手段２０Ｂは、第１導体パターンｋ１，ｈ１と、第２導体パターンｋ２，ｈ２（図９Ｂ参照）と、スナバコンデンサ２２，２３と、を備えている。

スナバコンデンサ２２，２３は、それぞれ、平面視で細長い矩形状（つまり、扁平状）を呈し、プリント配線板６０に実装されている。
第１導体パターンｋ１，ｈ１は、直流電源Ｅ（図１参照）と電力変換回路３０とを接続する配線である。第１導体パターンｋ１，ｈ１において、スナバコンデンサ２２，２３の各端子に対応する箇所には、それぞれ、切欠きｆが設けられている。したがって、第１導体パターンｋ１，ｈ１と、スナバコンデンサ２２，２３と、はプリント配線板６０の部品面上では電気的に接続されていない。

図９Ａに示すように、スナバコンデンサ２２，２３の配置方向（破線矢印）と、第１導体パターンｋ１，ｈ１が延びている方向と、は互いに垂直になっている。また、スナバコンデンサ２２，２３の配置方向と、冷却風の方向と、は互いに垂直になっている。
別の観点から説明すると、スナバコンデンサ２２，２３は、それぞれ、扁平状を呈し、その扁平面２２ｚ，２３ｚが平行となるようにプリント配線板６０に実装されている。そして、第１導体パターンｋ１，ｈ１及び第２導体パターンｋ２，ｈ２が延びている方向と、前記した扁平面２２ｚ，２３ｚと、が平行になっている。

そして、隣り合うスナバコンデンサ２２，２３の間の隙間を介して、ファンＦからの冷却風が通流するように、複数のスナバコンデンサ２２，２３が配置されている。このような構成によれば、スナバコンデンサ２２，２３の間にファンＦからの冷却風が通流する隙間が設けられる。その結果、スナバコンデンサ２２，２３の両方が適度に冷却され、これらの寿命が略等しくなる。

なお、スナバコンデンサ２２，２３のぞれぞれの扁平面２２ｚ，２３ｚと、第１導体パターンｋ１，ｈ１及び第２導体パターンｋ２，ｈ２が延びている方向と、が「平行」であるという事項は、厳密な意味での「平行」に限定されるものではない。すなわち、ファンＦからの冷却風がスナバコンデンサ２２，２３の間の隙間を通流する構成であればよく、スナバコンデンサの扁平面２２ｚ，２３ｚと、第１導体パターンｋ１，ｈ１及び第２導体パターンｋ２，ｈ２が延びている方向と、の間の角度が、例えば、１５°以下であれば、前記した「平行」という事項に含まれる。

図９Ｂは、プリント配線板６０の半田面の導体パターンを、部品面側から透視した場合の説明図である。
第２導体パターンｋ２，ｈ２は、スナバコンデンサ２１と電力変換回路３０とを接続する配線である。第２導体パターンｋ２には、スナバコンデンサ２２，２３の正極側の端子２２ａ，２３ａが電気的に接続されている。他方の第２導体パターンｈ２には、スナバコンデンサ２２，２３の負極側の端子２２ｂ，２３ｂが電気的に接続されている。

そして、電力変換回路３０の正極側の入力端子ＩＰ付近における第１導体パターンｋ１（図９Ａ参照）と、正極側の第２導体パターンｋ２（図９Ｂ参照）と、がプリント配線板６０の絶縁層（図示せず）を挟んで互いに近接している。同様に、電力変換回路３０の負極側の入力端子ＩＮ付近における第１導体パターンｈ１（図９Ａ参照）と、負極側の第２導体パターンｈ２（図９Ｂ参照）と、がプリント配線板６０の絶縁層（図示せず）を挟んで互いに近接している。

そして、第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２とにおいて互いに逆向きの電流が流れることで（実線矢印を参照）、第１導体パターンｋ１の磁束と、第２導体パターンｋ２の磁束と、が互いに打ち消し合う。その結果、寄生インダクタンスに伴う逆起電力が低減される。なお、逆起電力が低減される原理については第１実施形態と同様であるから、その説明を省略する。

＜効果＞
第３実施形態によれば、プリント配線板６０の絶縁層（図示せず）を挟んで近接している第１導体パターンｋ１と第２導体パターンｋ２において、互いに逆向きの電流が流れる。これによって、寄生インダクタンスに伴う逆起電力が抑制され、スパイク電圧が低減される。

また、互いに並列接続されたスナバコンデンサ２２，２３を設けることで、スナバコンデンサ２２，２３の全体的な寄生インダクタンスが低減される。したがって、スパイク電圧の低減効果が、第１実施形態よりもさらに高められる。

また、スナバコンデンサ２２，２３の配置方向と、第２導体パターンｋ２，ｈ２が延びている方向と、が互いに垂直になっている。したがって、第１実施形態に比べると、特に正極側の第２導体パターンｋ２（図９Ｂ参照）の長さが、第１実施形態（図４Ｂ参照）よりも長くなっている。このように第２導体パターンｋ２の長さが比較的長くても、前記したように、全体として寄生インダクタンスが低減されるため、スパイク電圧も低減される。このように第３実施形態によれば、スパイク電圧を低減しつつ、複数のスナバコンデンサ２２，２３を配置する際の自由度を高めることができる。

さらに、第３実施形態によれば、スナバコンデンサ２２，２３に当たる冷却風の風量が略等しくなるため、両者の発熱量が略均等になる。これによって、スナバコンデンサ２２，２３の寿命が略等しくなるため、これらの部品交換に要する手間やコストを削減できる。

≪第４実施形態≫
第４実施形態は、第１実施形態で説明した電力変換装置１００（図１０参照）を備える空気調和機Ｗ（冷凍サイクル装置：図１０参照）について説明する。なお、電力変換装置１００の構成については第１実施形態と同様であるから、その説明を省略する。

図１０は、第４実施形態に係る空気調和機Ｗの構成図である。
図１０に示す空気調和機Ｗは、例えば、ビル用マルチエアコンであり、所定の空調を行う機能を有している。第４実施形態では、一例として、空気調和機Ｗが主に冷房運転を行う場合について説明する。
図１０に示すように、空気調和機Ｗは、圧縮機１と、室外熱交換器２と、室外ファン３と、膨張弁４と、室内熱交換器５と、室内ファン６と、電力変換装置１００と、を備えている。また、図１０に示す冷媒回路Ｑは、圧縮機１、室外熱交換器２、膨張弁４、及び室内熱交換器５が、配管ｑを介して環状に順次接続された構成になっている。

圧縮機１は、ガス状の冷媒を圧縮する機器であり、駆動源であるモータＭを備えている。なお、図１０では省略しているが、圧縮機１の吸入側には、冷媒を気液分離するためのアキュムレータが設けられている。

電力変換装置１００は、所定の電力変換を行い、電力変換後の電力を圧縮機１のモータＭに出力する装置であり、第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、電力変換装置１００は、直流電源Ｅから印加される直流電圧を交流電圧に変換し、この交流電圧を圧縮機１のモータＭに印加する。

室外熱交換器２は、その伝熱管（図示せず）を通流する冷媒と、室外ファン３から送り込まれる外気と、の間で熱交換が行われる熱交換器である。
室外ファン３は、室外熱交換器２に外気を送り込むファンであり、室外熱交換器２の付近に設置されている。

膨張弁４は、室外熱交換器２（凝縮器）で凝縮した冷媒を減圧する弁である。そして、膨張弁４で減圧された冷媒が、室内熱交換器５（蒸発器）に導かれるようになっている。

室内熱交換器５は、その伝熱管（図示せず）を通流する冷媒と、室内ファン６から送り込まれる室内空気（空調対象空間の空気）と、の間で熱交換が行われる熱交換器である。
室内ファン６は、室内熱交換器５に室内空気を送り込むファンであり、室内熱交換器５の付近に設置されている。

図１０に示す例では、圧縮機１、室外熱交換器２、室外ファン３、膨張弁４、及び電力変換装置１００が、室外機Ｗｏに設けられている。一方、室内熱交換器５や室内ファン６は、室内機Ｗｉに設けられている。

そして、例えば、冷房運転中には、冷媒回路Ｑにおいて圧縮機１、室外熱交換器２（凝縮器）、膨張弁４、及び室内熱交換器５（蒸発器）を順次に介して、冷凍サイクルで冷媒が循環する。

なお、空気調和機Ｗの構成は、図１０の例に限定されるものではない。例えば、冷媒の流路を切り替える四方弁（図示せず）が、冷媒回路Ｑに設けられていてもよい。このような構成において、暖房運転時には、圧縮機１、室内熱交換器５（凝縮器）、膨張弁４、及び室外熱交換器２（蒸発器）を順次に介して、冷凍サイクルで冷媒が循環する。

すなわち、圧縮機１、「凝縮器」、膨張弁４、及び「蒸発器」を順次に介して冷媒が通流する冷媒回路Ｑにおいて、「凝縮器」及び「蒸発器」の一方は室外熱交換器２であり、他方は室内熱交換器５である。

＜効果＞
第４実施形態によれば、空気調和機Ｗが、第１実施形態と同様の構成の電力変換装置１００を備えている。これによって、エネルギ効率（ＡＰＦ：Annual Performance Factor）が高く、また、信頼性の高い空気調和機Ｗを提供できる。

≪変形例≫
以上、本発明に係る電力変換装置１００や空気調和機Ｗ等について各実施形態で説明したが、本発明はこれらの記載に限定されるものではなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、第１実施形態や第３実施形態では、プリント配線板６０の部品面・半田面の２層にパターン層が形成される構成について説明したが、パターン層は３層以上であってもよい。すなわち、プリント配線板６０が、複数のパターン層を有し、複数のパターン層の間に絶縁層が介在していてもよい。そして、第１導体パターンｋ１，ｈ１と第２導体パターンｋ２，ｈ２とが、互いに異なるパターン層に設けられる構成であってもよい。

また、第３実施形態（図８参照）では、２つのスナバコンデンサ２２，２３が並列接続される構成について説明したが、これに限らない。すなわち、３つ以上のスナバコンデンサが並列接続される構成であってもよい。

＜半導体スイッチング素子＞
第１実施形態に係る電力変換回路３０（図１参照）では、半導体スイッチング素子３１〜３６がＩＧＢＴである構成について説明したが、これに限定されない。例えば、半導体スイッチング素子３１〜３６として、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳ（Bipolar：ＣＭＯＳ）、サイリスタ（Silicon Controlled Rectifier）、ＧＴＯ（Gate Turn-Off Thyrisor）等が用いられてもよい。

＜電力変換回路＞
各実施形態では、電力変換回路３０（図１参照）が、直流電圧を３相交流電圧に変換する３相インバータ回路である構成について説明したが、これに限らない。例えば、直流電圧を単相交流電圧に変換する単相インバータ回路（電力変換回路）が用いられる場合にも、各実施形態を適用できる。また、直流電圧を異なる大きさの直流電圧に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ回路（電力変換回路）が用いられる場合にも、各実施形態を適用できる。その他、所定のインバータ回路を備えるアクティブフィルタ（インバータ装置等から交流電源側に漏洩する高調波電流を抑制する装置）にも、各実施形態が適用可能である。

＜直流電源＞
第１実施形態では、直流電源Ｅ（図１参照）の具体的な構成については説明しなかったが、太陽電池やバッテリの他、交流電圧を整流して平滑して得られる直流電源等が用いられてもよい。

第３実施形態（図９Ａ参照）では、その扁平面２２ｚ，２３ｚが平行になるようにスナバコンデンサ２２，２３が配置される構成について説明したが、扁平面２２ｚ，２３ｚが平行でなくてもよい。このような構成でも、電力損失や電磁ノイズの低減の効果が奏される。また、スナバコンデンサ２２，２３が、平面視で扁平な矩形状（図９Ａ参照）とは異なる形状であってもよい。

＜冷凍サイクル装置＞
第４実施形態では、室外機Ｗｏ及び室内機Ｗｉが１台ずつ設けられる空気調和機Ｗ（図１０参照）について説明したが、これに限らない。例えば、一系統の空気調和機において、複数台の室内機が設けられるマルチ型の空気調和機にも各実施形態を適用できる。

また、第４実施形態では、電力変換装置１００を備える空気調和機Ｗ（冷凍サイクル装置：図１０参照）について説明したが、これに限らない。例えば、冷蔵庫、給湯機、空調給湯装置といった他の「冷凍サイクル装置」にも、第４実施形態を適用可能である。

また、各実施形態は、適宜に組み合わせることが可能である。例えば、第２実施形態（図７Ａ、図７Ｂ参照）と第３実施形態（図８参照）とを組み合わせ、スナバコンデンサ２２，２３が並列接続された構成（第３実施形態）において、プリント配線板６０の片面に導体パターンが実装される構成（第２実施形態）であってもよい。その他、例えば、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせてもよいし、また、第３実施形態と第４実施形態とを組み合わせてもよい。

また、各実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に記載したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されない。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
また、前記した機構や構成は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての機構や構成を示しているとは限らない。

１ 圧縮機
２ 室外熱交換器（凝縮器／蒸発器）
３ 室外ファン
４ 膨張弁
５ 室内熱交換器（蒸発器／凝縮器）
６ 室内ファン
１０ 平滑コンデンサ
２０，２０Ａ，２０Ｂ 寄生インダクタンス低減手段
２１，２２，２３ スナバコンデンサ
２２ｚ，２３ｚ 扁平面
３０ 電力変換回路
３１，３２，３３，３４，３５，３６ 半導体スイッチング素子
５０ 制御手段
６０，６０Ａ プリント配線板
６０ｓ 絶縁層
７０ 放熱器
１００，１００Ｂ 電力変換装置
Ｅ 直流電源
Ｆ ファン
Ｇａ，Ｇｂ ネジ
Ｈａ，Ｈｂ ネジ孔
ＩＰ 入力端子（正極側の入力端子）
ＩＮ 入力端子（負極側の入力端子）
Ｌｐ 寄生インダクタンス
Ｍ モータ
Ｎ 負極側電源線（直流給電ライン）
Ｐ 正極側電源線（直流給電ライン）
Ｑ 冷媒回路
Ｗ 空気調和機（冷凍サイクル装置）
ｋ１ 第１導体パターン（正極側の第１導体パターン）
ｈ１ 第１導体パターン（負極側の第１導体パターン）
ｋ２ 第２導体パターン（正極側の第２導体パターン）
ｈ２ 第２導体パターン（負極側の第２導体パターン）

Claims (8)

1. プリント配線板と、
   前記プリント配線板に実装され、直流給電ラインを介して直流電源から直流電圧が印加される電力変換回路と、
   前記プリント配線板に実装され、前記電力変換回路の入力側に接続されるスナバコンデンサと、を備え、
   前記プリント配線板は、
   前記電力変換回路の正極側・負極側のそれぞれに接続されて前記直流給電ラインの一部をなす第１導体パターンと、
   前記電力変換回路と前記スナバコンデンサとを正極側・負極側のそれぞれで接続する第２導体パターンと、を有し、
   前記電力変換回路の正極側の入力端子付近において、正極側の前記第１導体パターンに近接するように、正極側の前記第２導体パターンが設けられ、
   前記電力変換回路の負極側の入力端子付近において、負極側の前記第１導体パターンに近接するように、負極側の前記第２導体パターンが設けられている電力変換装置。
2. ネジを用いて前記電力変換回路に固定される放熱器をさらに備え、
   前記プリント配線板と前記放熱器との間に前記電力変換回路が配置され、
   前記プリント配線板において、前記ネジに対応する位置にネジ孔が設けられ、前記ネジ孔から外れた位置に前記スナバコンデンサが実装されていること
   を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記プリント配線板は、複数のパターン層を有し、
   複数の前記パターン層の間には、絶縁層が介在し、
   前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは、互いに異なる前記パターン層に設けられること
   を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
4. 前記プリント配線板は、１層のパターン層を有し、
   前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは、１層の前記パターン層に並んで設けられること
   を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
5. 並列接続された複数の前記スナバコンデンサが、前記プリント配線板に実装され、
   前記電力変換回路と、複数の前記スナバコンデンサと、が前記第２導体パターンを介して、正極側・負極側のそれぞれで接続されていること
   を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
6. 前記プリント配線板に冷却風を送り込むファンをさらに備え、
   隣り合う前記スナバコンデンサの間の隙間を介して、前記ファンからの冷却風が通流するように、複数の前記スナバコンデンサが配置されていること
   を特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
7. 複数の前記スナバコンデンサは、それぞれ、扁平状を呈し、その扁平面が平行となるように前記プリント配線板に実装され、
   前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンが延びている方向と、前記扁平面と、が平行であること
   を特徴とする請求項６に記載の電力変換装置。
8. 圧縮機、凝縮器、膨張弁、及び蒸発器を順次に介して冷媒が循環する冷媒回路と、
   所定の電力変換を行い、電力変換後の電力を前記圧縮機のモータに出力する電力変換装置と、を含み、
   前記電力変換装置は、
   プリント配線板と、
   前記プリント配線板に実装され、直流給電ラインを介して直流電源から直流電圧が印加される電力変換回路と、
   前記プリント配線板に実装され、前記電力変換回路の入力側に接続されるスナバコンデンサと、を備え、
   前記プリント配線板は、
   前記電力変換回路の正極側・負極側のそれぞれに接続されて前記直流給電ラインの一部をなす第１導体パターンと、
   前記電力変換回路と前記スナバコンデンサとを正極側・負極側のそれぞれで接続する第２導体パターンと、を有し、
   前記電力変換回路の正極側の入力端子付近において、正極側の前記第１導体パターンに近接するように、正極側の前記第２導体パターンが設けられ、
   前記電力変換回路の負極側の入力端子付近において、負極側の前記第１導体パターンに近接するように、負極側の前記第２導体パターンが設けられている冷凍サイクル装置。

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