JP2020015921A - 導電性インク組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2014年4月17日に出願された米国仮特許出願第61/980,863号、2014年4月17日に出願された米国仮特許出願第61/980,933号、2014年4月17日に出願された米国仮特許出願第61/980,827号、2014年4月17日に出願された米国仮特許出願第61/980,870号に対する優先権を主張し、これらは参考として本明細書に援用される。
本開示は、一般に新規なインク組成物に関する。より詳細には、本開示は、金属組成物をベースにした新規なインク配合物の調製のための方法に関する。
導電性インク構造物を提供するための組成物およびその組成物の作製方法を開示する。銀金属前駆体から誘導されるインク組成物は、2012年12月20日出願の「Ink Composition for Making a Conductive Silver Structure」という名称の国際出願番号PCT/US2012/071034号に記載されており、その全体を参照により本明細書に組み込む。
はそれ未満、約170℃もしくはそれ未満、約160℃もしくはそれ未満、約150℃もしくはそれ未満、約140℃もしくはそれ未満、約130℃もしくはそれ未満、約120℃もしくはそれ未満、約110℃もしくはそれ未満、約90℃もしくはそれ未満、約80℃もしくはそれ未満、約70℃もしくはそれ未満、約60℃もしくはそれ未満または約50℃もしくはそれ未満の温度で還元する。
カルボン酸銀
溶解剤
適合性および湿潤性の問題について、インク組成物が塗布されることになる基板の種類をもとにして選択することができる。例えば、インクジェット印刷またはeジェットなどの固着法のためには、より高い安定性が一般に好ましく、したがって、より高い沸点を有する溶解剤を使用することが好ましい。
,N’,N”,N”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、tert−オクチルアミン、tert−ブチルアミン、2−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤はtert−オクチルアミンである。一実施形態では、溶解剤はtert−ブチルアミンである。一実施形態では、溶解剤は2−エチルヘキシルアミンである。
積比は約3対約1である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約4対約1である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約1対約2である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約1対約3である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約1対約4である。
触媒
合せを含むことができる。
Lまたは約1.0mLの量の2−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。
カルボン酸銀、溶解剤および触媒の導電性インク組成物組合せ
ネオデカン酸銀、キシレンおよび2−エチルヘキシルアミンの組合せ
エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。2−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約100℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。別の実施形態では、2−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約190℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。
ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀、キシレンおよびtert−オクチルアミンの組合せ
たはそれ未満の温度で脱炭酸する。
ネオデカン酸銀、キシレン、テルピネオールおよびTert−オクチルアミンの組合せ
。tert−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約100℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。
導電性インク組成物を作製する方法
ミンを含む触媒の存在下でカルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップを含む。カルボン酸銀を、少なくとも1つの溶解剤中に溶解する。一実施形態では、本方法は、銀錯体を基板に塗布するステップも含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約200℃またはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約100℃またはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約210℃もしくはそれ未満、約220℃もしくはそれ未満、約190℃、約180℃もしくはそれ未満、約170℃もしくはそれ未満、約160℃、約150℃もしくはそれ未満、約140℃もしくはそれ未満、約130℃もしくはそれ未満、約120℃もしくはそれ未満、約110℃もしくはそれ未満、約90℃もしくはそれ未満、約80℃もしくはそれ未満、約70℃もしくはそれ未満、約60℃もしくはそれ未満または約50℃もしくはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。一実施形態では、銀錯体を加熱源で加熱する。加熱源の例には、IRランプ、オーブンまたは加熱基板が含まれる。
。一実施形態では、銀錯体の粘度は、触媒の量を約0.2mLから約0.6mLへ増大させることによって、1000センチポアズをはるかに上回って増大させることができる。一実施形態では、より少ない触媒を使用した場合、銀錯体の粘度は減少する。
導電性インク組成物の用途
インク組成物
定義
ロアルキル基は縮合環を含有することができる。縮合環は、共通する炭素原子を共有する環である。シクロアルキル部分は、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、アダマンチルおよびノルボルニル(ビシクロ(bicycle)[2.2.1]ヘプチル)を含むことができる。
組成物
一実施形態では、その塩は、ネオデカン酸銀である。
持しながら、低いアニーリング温度を有する。
調製物
一実施形態では、塩は銀塩である。
ンはR1COO−である。R1は、非置換または置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、R1は置換C1〜C30アルキルである。いくつかの実施形態では、C1〜C30アルキルは、アルキルおよびケト基の少なくとも1つで置換される。選択される置換基は、好ましくは、立体的にかさ高い対イオンに立体障害特性を提供するのに十分大きいように選択される。
応用
反応性金属錯体およびそれらの合金
金属および金属錯体
または約20wt%の濃度の金属を有する。
溶解剤
選択することができる。一実施形態では、溶解剤は、インク組成物が塗布されることになる基板の種類をもとにして選択することができる。インクジェット印刷またはeジェットなどの固着法のためには、より高い安定性が一般に好ましく、したがって、より高い沸点を有する溶解剤を使用することが好ましい可能性がある。
実施形態では、還元剤を、約1.0mL〜約2.0mLの量の溶解剤に溶解する。いくつかの実施形態では、還元剤を、約0.5mL、約1.0mL、約1.5mLまたは約2.0mLの溶解剤に溶解する。
還元剤
ム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、還元剤は、水素化アルミニウムリチウムである。
約0.3mL、約0.4、約0.5mL、約0.6mL、約0.7mL、約0.8mL、約0.9mLまたは約1.0mLの量で添加することによって形成される。
分解
せることによって分解させる。
金属および/または金属錯体、溶解剤および還元剤のインク組成物組合せ
実施形態では、その金属が+3の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が3:1のモル比で、少なくとも1つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が+4の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が4:1のモル比で、少なくとも1つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が+5の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が5:1のモル比で、少なくとも1つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が+6の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が6:1のモル比で、少なくとも1つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が+7の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が7:1のモル比で、少なくとも1つの金属塩または金属錯体に加える。
マグネシウム導電性構造物
亜鉛導電性構造物
アルミニウム導電性構造物
ニッケル導電性構造物
銅導電性構造物
チタン合金導電性構造物
アルミニウム合金導電性構造物
ニウム合金は、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、ケイ素アルキル錯体はテトラエチルシランである。
銅合金導電性構造物
マグネシウム合金導電性構造物
ニッケル合金導電性構造物
インク組成物を作製するための方法
一実施形態では、本方法は、基板上の還元性金属錯体を分解させて導電性構造物を形成させるステップも含む。一実施形態では、還元性金属錯体を、アルゴンガスまたは窒素ガスの存在下で形成させる。
インク組成物の用途
めに、フォトリソグラフィーを使用してパターンを作り出し、それによって、高忠実度のフィーチャーを作り出すことができる。
(実施例1)
(実施例2)
(実施例3)
(実施例4)
(実施例5)
得られた溶液を140℃で加熱してアルミニウムフィルムを得る。
(実施例6)
(実施例7)
(実施例8)
(実施例9)
(実施例10)
(項1)
導電性インク組成物であって、該インク組成物は、
カルボン酸銀;
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも1つの溶解剤;および
触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を脱炭酸して前記導電性インク組成物を作製するアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を100℃またはそれ未満の温度で脱炭酸するインク組成物。
(項2)
導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
銀を含むカルボン酸銀;
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも1つの溶解剤;および
前記カルボン酸銀の銀を還元して前記導電性インク組成物を作製する触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、前記触媒がアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀の銀を100℃またはそれ未満の温度で還元するインク組成物。
(項3)
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、上記項1〜2のいずれか一項に記載の組成物。
(項4)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、上記項3に記載の組成物。
(項5)
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、上記項3に記載の組成物。
(項6)
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。
(項7)
前記溶解剤が少なくとも1つの有機溶媒である、上記項6に記載の組成物。
(項8)
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項6〜7のいずれか一項に記載の組成物。
(項9)
前記溶解剤が、長さC 5〜20 の少なくとも1つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、上記項6〜8のいずれか一項に記載の組成物。
(項10)
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項9に記載の組成物。
(項11)
前記溶解剤が、長さC 6〜20 の少なくとも1つの環状炭化水素を含む、上記項6〜8のいずれか一項に記載の組成物。
(項12)
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項11に記載の組成物。
(項13)
前記溶解剤が、少なくとも1つの芳香族炭化水素を含む、上記項6〜8のいずれか一項に記載の組成物。
(項14)
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項13に記載の組成物。
(項15)
前記溶解剤がキシレンである、上記項13〜14のいずれか一項に記載の組成物。
(項16)
前記溶解剤が、少なくとも1つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、上記項6〜8のいずれか一項に記載の組成物。
(項17)
前記溶解剤が、少なくとも1つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、上記項16に記載の組成物。
(項18)
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項16〜17のいずれか一項に記載の組成物。
(項19)
前記溶解剤が、少なくとも1つの環状エーテルを含む、上記項16に記載の組成物。
(項20)
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、1,4−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項19に記載の組成物。
(項21)
前記溶解剤がテルピネオールである、上記項6〜7のいずれか一項に記載の組成物。
(項22)
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、上記項6〜7のいずれか一項に記載の組成物。
(項23)
前記溶解剤が、約1対約1の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、上記項22に記載の組成物。
(項24)
前記溶解剤が、少なくとも1つのキレート剤を含む、上記項6に記載の組成物。
(項25)
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ(o−ヒドロキシフェニル酢酸)、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−N,N,N’,N”,N”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、tert−オクチルアミン、2−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、上記項24に記載の組成物。
(項26)
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、上記項1〜25のいずれか一項に記載の組成物。
(項27)
前記触媒が、少なくとも1つの第一級アミンを含む、上記項26に記載の組成物。
(項28)
前記触媒が、少なくとも1つの、C 1〜18 を有するアルキルアミンを含む、上記項26または27のいずれか一項に記載の組成物。
(項29)
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項26〜28のいずれか一項に記載の組成物。
(項30)
前記触媒が、アリルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、n−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、tert−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、tert−オクチルアミン、tert−デシルアミン、tert−ドデシルアミン、tert−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項27に記載の組成物。
(項31)
前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項30に記載の組成物。
(項32)
前記触媒が2−エチルヘキシルアミンである、上記項30に記載の組成物。
(項33)
前記触媒が、少なくとも1つの第二級アミンを含む、上記項26に記載の組成物。
(項34)
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項33に記載の組成物。
(項35)
前記触媒が、少なくとも1つの第三級アミンを含む、上記項26に記載の組成物。
(項36)
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項35に記載の組成物。
(項37)
前記触媒が、少なくとも1つのポリアミンを含む、上記項26に記載の組成物。
(項38)
前記触媒が、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項37に記載の組成物。
(項39)
前記カルボン酸銀が、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解されている、上記項1〜38のいずれか一項に記載の組成物。
(項40)
前記カルボン酸銀が、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合されている、上記項1〜39のいずれか一項に記載の組成物。
(項41)
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約1〜40wt%の濃度の銀を有する、上記項1〜40のいずれか一項に記載の組成物。
(項42)
前記銀錯体が、約5センチポアズ〜約50センチポアズの粘度を有する、上記項1〜41のいずれか一項に記載の組成物。
(項43)
前記銀錯体が、約50センチポアズ〜約1000センチポアズの粘度を有する、上記項1〜41のいずれか一項に記載の組成物。
(項44)
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、上記項42〜43のいずれか一項に記載の組成物。
(項45)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が2−エチルヘキシルアミンである、上記項1〜2のいずれか一項に記載の組成物。
(項46)
前記カルボン酸銀が約0.5グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約1mLのキシレンであり、前記触媒が約0.2mLの2−エチルヘキシルアミンである、上記項45に記載の組成物。
(項47)
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項1〜2のいずれか一項に記載の組成物。
(項48)
前記カルボン酸銀が約0.4グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約1mLのキシレンであり、前記触媒が約0.2mLのtert−オクチルアミンである、上記項47に記載の組成物。
(項49)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項1〜2のいずれか一項に記載の組成物。
(項50)
前記カルボン酸銀が約0.5グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約0.5mLのキシレンおよび約0.5mLのテルピネオールを含み、前記触媒が約0.2mLのtert−オクチルアミンである、上記項49に記載の組成物。
(項51)
導電性構造物が、約2×10 −6 Ω・cm〜約1×10 −5 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項1〜50のいずれか一項に記載の組成物。
(項52)
導電性構造物が、約10ナノメートルまたはそれ未満のRMS値を有する、上記項1〜51のいずれか一項に記載の組成物。
(項53)
導電性構造物を作製する方法であって、
アミンを含む触媒の存在下で、カルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップであって、前記カルボン酸銀は少なくとも1つの溶解剤中に溶解しているステップと;
前記銀錯体を基板に塗布するステップと;
前記基板上の前記銀錯体を、約200℃またはそれ未満の分解温度で加熱して前記導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
(項54)
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、上記項53に記載の方法。
(項55)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、上記項54に記載の方法。
(項56)
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、上記項54に記載の方法。
(項57)
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項53〜56のいずれか一項に記載の方法。
(項58)
前記溶解剤が少なくとも1つの有機溶媒である、上記項57に記載の方法。
(項59)
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項57〜58のいずれか一項に記載の方法。
(項60)
前記溶解剤が、長さC 5〜20 の少なくとも1つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、上記項57〜59のいずれか一項に記載の方法。
(項61)
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項60に記載の方法。
(項62)
前記溶解剤が、長さC 6〜20 の少なくとも1つの環状炭化水素を含む、上記項57〜59のいずれか一項に記載の方法。
(項63)
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項62に記載の方法。
(項64)
前記溶解剤が、少なくとも1つの芳香族炭化水素を含む、上記項57〜59のいずれか一項に記載の方法。
(項65)
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項64に記載の方法。
(項66)
前記溶解剤がキシレンである、上記項64〜65のいずれか一項に記載の方法。
(項67)
前記溶解剤が、少なくとも1つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、上記項57〜59のいずれか一項に記載の方法。
(項68)
前記溶解剤が、少なくとも1つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、上記項67に記載の方法。
(項69)
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項67〜68のいずれか一項に記載の方法。
(項70)
前記溶解剤が、少なくとも1つの環状エーテルを含む、上記項67に記載の方法。
(項71)
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、1,4−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項70に記載の方法。
(項72)
前記溶解剤がテルピネオールである、上記項57〜58のいずれか一項に記載の方法。
(項73)
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、上記項57〜58のいずれか一項に記載の方法。
(項74)
前記溶解剤が、約1対約1の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、上記項73に記載の方法。
(項75)
前記溶解剤が、少なくとも1つのキレート剤を含む、上記項57に記載の方法。
(項76)
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ(o−ヒドロキシフェニル酢酸)、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−N,N,N’,N”,N”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、tert−オクチルアミン、2−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、上記項75に記載の方法。
(項77)
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、上記項53〜76のいずれか一項に記載の方法。
(項78)
前記触媒が、少なくとも1つの第一級アミンを含む、上記項77に記載の方法。
(項79)
前記触媒が、少なくとも1つの、C 1〜18 を有するアルキルアミンを含む、上記項77〜78のいずれか一項に記載の方法。
(項80)
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項77〜79のいずれか一項に記載の方法。
(項81)
前記触媒が、アリルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、n−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、tert−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、tert−オクチルアミン、tert−デシルアミン、tert−ドデシルアミン、tert−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項78に記載の方法。
(項82)
前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項81に記載の方法。
(項83)
前記触媒が2−エチルヘキシルアミンである、上記項81に記載の方法。
(項84)
前記触媒が、少なくとも1つの第二級アミンを含む、上記項77に記載の方法。
(項85)
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項84に記載の方法。
(項86)
前記触媒が、少なくとも1つの第三級アミンを含む、上記項77に記載の方法。
(項87)
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項86に記載の方法。
(項88)
前記触媒が、少なくとも1つのポリアミンを含む、上記項77に記載の方法。
(項89)
前記触媒が、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項88に記載の方法。
(項90)
前記カルボン酸銀を、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解する、上記項53〜89のいずれか一項に記載の方法。
(項91)
前記カルボン酸銀を、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合する、上記項53〜89のいずれか一項に記載の方法。
(項92)
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約1〜40wt%の濃度の銀を有する、上記項83〜91のいずれか一項に記載の方法。
(項93)
前記銀錯体が、約5センチポアズ〜約50センチポアズの粘度を有する、上記項1〜92のいずれか一項に記載の方法。
(項94)
前記銀錯体が、約50センチポアズ〜約1000センチポアズの粘度を有する、上記項1〜92のいずれか一項に記載の方法。
(項95)
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、上記項93〜94のいずれか一項に記載の方法。
(項96)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が2−エチルヘキシルアミンである、上記項53に記載の方法。
(項97)
前記カルボン酸銀が約0.5グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約1mLのキシレンであり、前記触媒が約0.2mLの2−エチルヘキシルアミンである、上記項96に記載の方法。
(項98)
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項53に記載の方法。
(項99)
前記カルボン酸銀が約0.4グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約1mLのキシレンであり、前記触媒が約0.2mLのtert−オクチルアミンである、上記項98に記載の方法。
(項100)
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がtert−オクチルアミンである、上記項53に記載の方法。
(項101)
前記カルボン酸銀が約0.5グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約0.5mLのキシレンおよび約0.5mLのテルピネオールを含み、前記触媒が約0.2mLのtert−オクチルアミンである、上記項101に記載の方法。
(項102)
前記導電性構造物が、約2×10 −6 Ω・cm〜約1×10 −5 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項53〜101のいずれか一項に記載の方法。
(項103)
前記導電性構造物が、約10ナノメートルまたはそれ未満のRMS値を有する、上記項53〜102のいずれか一項に記載の方法。
(項104)
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩;および
配位子
を含むインク組成物。
(項105)
前記金属が、銀、銅、ニッケル、金、白金、パラジウム、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛およびスズからなる群から選択される、上記項104に記載の組成物。
(項106)
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、上記項104〜105のいずれか一項に記載の組成物。
(項107)
前記立体的にかさ高い対イオンが、テトラフルオロホウ酸イオン([BF 4 ] − )、ヘキサフルオロリン酸イオン([PF 6 ] − )、シアン化物イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、上記項104〜106のいずれか一項に記載の組成物。
(項108)
前記立体的にかさ高い対イオンがR 1 COO − であり;ここで、R 1 は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、上記項104〜106のいずれか一項に記載の組成物。
(項109)
R 1 が置換C 1 〜C 30 アルキルである、上記項108に記載の組成物。
(項110)
R 1 が、アルキル基およびケト基の少なくとも1つで置換されたC 1 〜C 30 アルキルである、上記項108に記載の組成物。
(項111)
前記立体的にかさ高い対イオンが、ネオデカン酸イオン、2−エチルオクタン酸イオン、2−エチルヘキサン酸イオン、2−エチルペンタン酸イオン、2−エチルブタン酸イオン、2−エチル−2−メチルブタン酸イオン、2,2−ジエチルブタン酸イオン、3−オキソブタン酸イオン、3−オキソペンタン酸イオンおよび3−オキソヘキサン酸イオンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、上記項104〜105のいずれか一項に記載の組成物。
(項112)
前記立体的にかさ高い対イオンがネオデカン酸イオンである、上記項111に記載の組成物。
(項113)
立体的にかさ高い対イオンを有する前記金属塩が、ネオデカン酸銀、2−エチルヘキサン酸銀およびβケトカルボン酸銀からなる群から選択される、上記項104〜112のいずれか一項に記載の組成物。
(項114)
前記金属塩がネオデカン酸銀である、上記項104〜113のいずれか一項に記載の組成物。
(項115)
前記配位子がかさ高い配位子である、上記項104〜114のいずれか一項に記載の組成物。
(項116)
前記配位子が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、環状アミン、チオエーテル、環状チオエーテル、エーテル、分枝状エーテル、クラウンエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項104〜115のいずれか一項に記載の組成物。
(項117)
前記配位子が、tert−ブチルアミン、2−メチルブタン−2−アミン、2−メチルペンタン−2−アミン、2−エチルヘキシルアミン、2−エチルヘプチルアミン、N−エチルヘキサン−1−アミン、N−エチルヘプタン−1−アミンおよびtert−オクチルアミン、非置換または置換ピロリジン、非置換または置換ピペリジンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、上記項104〜116のいずれか一項に記載の組成物。
(項118)
前記配位子がtert−オクチルアミンである、上記項117に記載の組成物。
(項119)
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が50:1より大きい、上記項104〜118のいずれか一項に記載の組成物。
(項120)
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が30:1より大きい、上記項104〜119のいずれか一項に記載の組成物。
(項121)
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が15:1より大きい、上記項104〜120のいずれか一項に記載の組成物。
(項122)
前記金属塩の前記配位子に対するモル比が約1である、上記項104〜121のいずれか一項に記載の組成物。
(項123)
さらに溶媒を含む、上記項104〜122のいずれか一項に記載の組成物。
(項124)
前記溶媒が極性溶媒である、上記項123に記載の組成物。
(項125)
前記溶媒が、水、ジメチルホルムアミドおよびキシレンからなる群から選択される、上記項123または124のいずれか一項に記載の組成物。
(項126)
前記溶媒がキシレンである、上記項123〜125のいずれか一項に記載の組成物。
(項127)
インク組成物を調製する方法であって、
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第1の混合物を形成させるステップと;
配位子を前記第1の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップと
を含む方法。
(項128)
前記金属塩が、銀塩、銅塩、ニッケル塩、金塩、白金塩、パラジウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩およびスズ塩からなる群から選択される、上記項127に記載の方法。
(項129)
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、上記項127〜128のいずれか一項に記載の方法。
(項130)
前記立体的にかさ高い対イオンがR 1 COO − であり;ここで、R 1 は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、上記項127〜128のいずれか一項に記載の方法。
(項131)
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と、
金属を含む少なくとも1つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属塩または金属錯体の前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
(項132)
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と;
4、5、6、7、8、9、10、11または12族の金属を含む少なくとも1つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
(項133)
前記還元性金属錯体が、基板上で分解されて前記導電性構造物を形成する、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項134)
前記還元性金属錯体が、前記還元性金属錯体を約270℃またはそれ未満の温度で加熱することによって分解される、上記項133に記載の組成物。
(項135)
前記還元性金属錯体が、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることによって分解され、ここで前記触媒還元性金属錯体は約220℃またはそれ未満で加熱される、上記項133に記載の組成物。
(項136)
前記還元性金属錯体が、約100nm〜約1500nmの波長の光源に前記還元性金属錯体を曝露させることによって分解される、上記項133に記載の組成物。
(項137)
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項131〜136のいずれか一項に記載の組成物。
(項138)
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項137に記載の組成物。
(項139)
前記還元剤が水素化リチウムである、上記項138に記載の組成物。
(項140)
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項137に記載の組成物。
(項141)
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項137に記載の組成物。
(項142)
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、上記項141に記載の組成物。
(項143)
前記溶解剤が有機溶媒である、上記項131〜142のいずれか一項に記載の組成物。
(項144)
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項143に記載の組成物。
(項145)
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、上記項144に記載の組成物。
(項146)
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項145に記載の組成物。
(項147)
前記溶解剤がジエチルエーテルである、上記項146に記載の組成物。
(項148)
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、1,4−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項145に記載の組成物。
(項149)
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項144に記載の組成物。
(項150)
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、上記項144に記載の組成物。
(項151)
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項150に記載の組成物。
(項152)
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項150に記載の組成物。
(項153)
前記金属塩または金属錯体が式MX n またはM(L) p X n を有し、式中、Mは4、5、6、7、8、9、10、11または12族の金属であり、
Xは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Lは、NH 3 、CO、NO、N 2 、H 2 S、C 2 H 4 、C 6 H 6 、CN、NC、PH 3 からなる群から選択され、
nは、Mの形式電荷をXの形式電荷で除したものに等しく、pは、M上の配位部位の数からX n によって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、上記項131〜152のいずれか一項に記載の組成物。
(項154)
Mが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項153に記載の組成物。
(項155)
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、上記項131〜154のいずれか一項に記載の組成物。
(項156)
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項157)
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項158)
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項159)
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項160)
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、上記項159に記載の組成物。
(項161)
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項162)
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルおよびカルボニルエクストラクターを混合してニッケル(0)錯体を形成することによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項163)
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンを混合してニッケル(0)錯体を作り出すことによって形成される、上記項131〜132のいずれか一項に記載の組成物。
(項164)
前記触媒が水素化物引抜剤である、上記項135に記載の組成物。
(項165)
前記触媒が、チタン(IV)化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、1−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項164に記載の組成物。
(項166)
前記還元剤がチタン(IV)化合物である、上記項164〜165のいずれか一項に記載の組成物。
(項167)
前記還元剤が、酸化チタン(IV)、硫化チタン(IV)、硝酸チタン(IV)、チタン(IV)アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項164〜166のいずれか一項に記載の組成物。
(項168)
前記インク組成物が、前記インク組成物の約0.1〜40wt%の濃度の金属塩を有する、上記項131〜167のいずれか一項に記載の組成物。
(項169)
前記インク組成物が、前記インク組成物の約0.1〜40wt%の濃度の金属錯体を有する、上記項131〜167のいずれか一項に記載の組成物。
(項170)
導電性構造物を作製する方法であって、
還元剤を、少なくとも1つの金属塩または金属錯体と混合して還元性金属錯体を形成させるステップであって、前記還元剤は少なくとも1つの溶解剤中に溶解しているステップと;
前記還元性金属錯体を基板に塗布するステップと;
前記基板上の前記還元性金属錯体を分解させて導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
(項171)
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を約270℃またはそれ未満の温度で加熱することを含む、上記項170に記載の方法。
(項172)
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることを含み、前記触媒還元性金属錯体を約220℃またはそれ未満の温度に加熱する、上記項170に記載の方法。
(項173)
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を、約100nm〜約1500nmの波長の光源に曝露することを含む、上記項170に記載の方法。
(項174)
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項170〜173のいずれか一項に記載の方法。
(項175)
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項174に記載の方法。
(項176)
前記還元剤が水素化リチウムである、上記項175に記載の方法。
(項177)
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項174に記載の方法。
(項178)
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項174に記載の方法。
(項179)
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、上記項178に記載の方法。
(項180)
前記溶解剤が有機溶媒である、上記項170〜179のいずれか一項に記載の方法。
(項181)
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項180に記載の方法。
(項182)
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、上記項181に記載の方法。
(項183)
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項182に記載の方法。
(項184)
前記溶解剤がジエチルエーテルである、上記項183に記載の方法。
(項185)
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、1,4−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項182に記載の方法。
(項186)
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項181に記載の方法。
(項187)
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、上記項181に記載の方法。
(項188)
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項187に記載の方法。
(項189)
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項187に記載の方法。
(項190)
前記金属塩または金属錯体が式MX n またはM(L) p X n を有し、式中、Mは4、5、6、7、8、9、10、11または12族の金属であり、
Xは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Lは、NH 3 、CO、NO、N 2 、H 2 S、C 2 H 4 、C 6 H 6 、CN、NC、PH 3 からなる群から選択され、
nは、Mの形式電荷をXの形式電荷で除したものに等しく、pは、M上の配位部位の数からX n によって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、上記項170〜189のいずれか一項に記載の方法。
(項191)
Mが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項190に記載の組成物。
(項192)
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、上記項170〜191のいずれか一項に記載の方法。
(項193)
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項194)
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項195)
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項196)
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項197)
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、上記項196に記載の方法。
(項198)
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項199)
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルとカルボニルエクストラクターとを混合してニッケル(0)錯体を形成することによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項200)
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンとを混合してニッケル(0)錯体を作り出すことによって形成される、上記項170に記載の方法。
(項201)
前記触媒が水素化物引抜剤である、上記項172に記載の方法。
(項202)
前記触媒が、チタン(IV)化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、1−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項201に記載の方法。
(項203)
前記還元剤がチタン(IV)化合物である、上記項201〜202のいずれか一項に記載の方法。
(項204)
前記還元剤が、酸化チタン(IV)、硫化チタン(IV)、硝酸チタン(IV)、チタン(IV)アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記項201〜203のいずれか一項に記載の方法。
(項205)
化学添加剤をさらに含む、上記項153に記載の組成物。
(項206)
前記化学添加剤が、酸性亜硫酸塩、チオ硫酸ナトリウム、チオグリコール酸アンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム亜硝酸塩、ベンゾトリアゾール、四硝酸ペンタエリスリトールおよびジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩からなる群から選択される、上記項205に記載の組成物。
(項207)
前記化学添加剤がベンゾトリアゾールである、上記項205〜206のいずれか一項に記載の組成物。
(項208)
前記Mが銅であり、前記Xがホルメートである、上記項205〜207のいずれか一項に記載の組成物。
(項209)
前記導電性構造物が、約2×10 −6 Ω・cm〜約1×10 −5 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項131〜169のいずれか一項に記載の組成物。
(項210)
前記導電性構造物が、約3×10 −6 Ω・cm〜約6×10 −6 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項131〜169のいずれか一項に記載の組成物。
(項211)
上記項209〜210のいずれか一項に記載の組成物を、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、3D印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷によって基板に塗布するステップを含む方法。
(項212)
前記導電性構造物が、約2×10 −6 Ω・cm〜約1×10 −5 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項170〜204のいずれか一項に記載の方法。
(項213)
前記導電性構造物が、約3×10 −6 Ω・cm〜約6×10 −6 Ω・cmの電気伝導度を有する、上記項170〜204のいずれか一項に記載の方法。
(項214)
前記還元性金属錯体を塗布するステップが、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、3D印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷を含む、上記項212〜213のいずれか一項に記載の方法。
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