JP2020013981A - 発光デバイス - Google Patents

発光デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2020013981A
JP2020013981A JP2019029655A JP2019029655A JP2020013981A JP 2020013981 A JP2020013981 A JP 2020013981A JP 2019029655 A JP2019029655 A JP 2019029655A JP 2019029655 A JP2019029655 A JP 2019029655A JP 2020013981 A JP2020013981 A JP 2020013981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone
led
fill
led device
white
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019029655A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6906000B2 (ja
Inventor
クロムヴォーツ フローリス
Crompvoets Floris
クロムヴォーツ フローリス
クライネン クリスティアン
Kleijnen Christian
クライネン クリスティアン
ヘニンガー ゲオルク
Henninger Georg
ヘニンガー ゲオルク
ラバ ダニエル
Labas Danijel
ラバ ダニエル
ヘビングハウス ゲルハルト
Hebbinghaus Gerhard
ヘビングハウス ゲルハルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds Holding BV
Original Assignee
Lumileds Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumileds Holding BV filed Critical Lumileds Holding BV
Publication of JP2020013981A publication Critical patent/JP2020013981A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6906000B2 publication Critical patent/JP6906000B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光デバイス(LED)に関し、特に、透明又は半透明なシリコーンフィル内に少なくとも部分的に埋め込まれたLEDであって、埋め込まれたLEDが白色シリコーンハウジングに収容されるLEDに関する。そして他方では透明シリコーンフィル内に部分的に、LEDを埋め込む方法に関する。最後に、透明シリコーンフィルに関する。【解決手段】LEDデバイスの内側部分が少なくとも部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれ、少なくとも部分的に埋め込まれたLEDデバイスが、白色シリコーンを有する白色シリコーンハウジング6に収容される。LEDデバイスの内側部分の一部が、白色シリコーンに埋め込まれる。【選択図】図4

Description

本発明は、発光デバイス(LED)に関し、特に、透明又は半透明なシリコーンフィル内に少なくとも部分的に埋め込まれたLEDであって、埋め込まれたLEDが白色シリコーンハウジングに収容されるLEDに関する。ここでは、及び以下では、透明シリコーンフィルなる言い回しは常に、透明又は半透明なシリコーン材料を意味する。本発明は更に、一方では白色シリコーンハウジング内に部分的に、そして他方では透明なシリコーンフィル内に部分的に、LEDを埋め込む方法に関する。本発明は最後に、透明なシリコーンフィルに関する。
ますます多くの照明用途にフレキシブルLEDバンドが使用されている。数多くのケースで、光放射を変えるために、LEDの前に、例えば所望の特性の放射光ビームを得るためのレンズ、リフレクタ及び/又はコリメータ及び/又はライトガイドなどの光学素子が配置される。LEDバンドの曲げ性又は形状一致性は、例えば、曲線美の車体フレームに一体化される車両ライトアセンブリのような対応する用途にフィットすることを可能にする。特に自動車用途では、フレキシブルLEDバンドの信頼性が重要な特色となる。そのようなLEDは、ハウジングに埋め込まれることで、例えば泥、湿度及び温度などの機械的及び環境的な影響に対してハウジングがLEDを守るようにされなければならない。また、ハウジングは、放射された光を方向付けること及び反射することができるので、光出力を高め得る。さらに、ハウジングはLEDの寿命を延ばす。
US2017/0200867A1(特許文献1)は、例えば、導電性フレームアセンブリと、反射性ハウジングと、上記導電性フレームアセンブリ上に配置されたUV LEDチップと、UV LEDチップを上記導電性フレームアセンブリに接合するためのダイ取付け接着剤とを含んだLEDパッケージ構造を開示している。その反射性ハウジングは、白色のシリコーン成形コンパウンド(Silicone Molding Compound;SMC)と、該SMC内に混合されたフィラーとを含んでいる。この白色ハウジングの形状と、内側部分が透明なシリコーンフィルに完全に埋め込まれるというコンセプトとに起因して、光が、特に、インターポーザの周り及び下方を進行する光が、内側部分での吸収によって失われる。加えて、透明シリコーンフィルは白色シリコーンと比較して1/5の熱伝導率を持つに過ぎないことから見て、熱輸送が最適でない。
US2010/0289055A1(特許文献2)は、第1及び第2の導電端子と、キャビティを有するポリシロキサン及びガラス繊維の構造体と、LED光源と、上記キャビティ内のポリシロキサン封入材とを有するシリコーンリード付きチップキャリア(silicone leaded chip carrier;SLCC)パッケージを開示している。
US2012/0161180A1(特許文献3)は、LEDチップと、第1及び第2のリードフレームと、樹脂体とを含むLEDパッケージを開示している。その樹脂体は、第1部分及び第2部分を含んでいる。第1部分は、LEDチップが出射する光を透過させるとともに、第2部分によって囲まれている。
US2012/280262A1(特許文献4)は、回路と、リフレクタと、LEDチップと、封入層と、ルミネセント変換層とを有する半導体発光デバイスを開示している。回路及びLEDチップは封入層によって覆われている。封入層はリフレクタによって包囲されている。
EP1914809A1(特許文献5)は、光電子コンポーネント用のカバーを開示している。
US2015/0274938A1(特許文献6)は、硬化性シリコーン組成物、並びにその硬化性シリコーン組成物を用いた半導体封止材及び光半導体デバイスを開示している。
現行技術においては、LEDパッケージと、取り得るインターポーザと、内側部分ワイヤと、を有するLEDデバイスの内側部分が、予め製造された白色シリコーンハウジングの中に入れられる。次の工程で、ハウジング内に透明シリコーンが充填され、それにより、透明シリコーンが、LEDパッケージと、取り得るインターポーザと、リードフレーム又は内側部分ワイヤを有するコンタクトデバイスと、を有するLEDデバイスを包囲する。この白色ハウジングの形状と、LEDの内側部分が透明なシリコーンフィルに完全に埋め込まれるというコンセプトとに起因して、光が、特に、取り得るインターポーザの周り及び下方を進行する光が、内側部分での吸収によって失われる。加えて、透明シリコーンフィルは白色シリコーンと比較して1/5の熱伝導率を持つに過ぎないことから見て、熱輸送が最適でない。
米国特許出願公開第2017/200867号明細書 米国特許出願公開第2010/0289055号明細書 米国特許出願公開第2012/0161180号明細書 米国特許出願公開第2012/280262号明細書 欧州特許出願公開第1914809号明細書 米国特許出願公開第2015/0274938号明細書
本発明の1つの目的は、LEDデバイスの内側部分が少なくとも部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ、少なくとも部分的に埋め込まれたLEDデバイスが白色シリコーンハウジングに収容され、光の損失が低減されるとともにLEDデバイスからの熱輸送が増大されるLEDデバイスを提供することである。
本発明は、独立請求項によって規定される。従属請求項は有利な実施形態を規定する。
第1の態様によれば、LEDデバイスは内側部分を有する。LEDデバイスの内側部分は、少なくともコンタクトデバイス及びLEDパッケージを含む。LEDデバイスの内側部分が部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ、LEDデバイスが、白色シリコーンを有する白色シリコーンハウジングに収容される。白色シリコーンからなるという言い回しは、ここでは、及び以下では、白色又は不透明なシリコーン材料を規定する。LEDデバイスの内側部分の少なくともコンタクトデバイスが、少なくとも部分的に白色シリコーンに埋め込まれる。
コンタクトデバイスは、内側部分ワイヤ又はリードフレームを有し得る。
本発明の好適な一実施形態によれば、さらにLEDパッケージが部分的に白色シリコーンに埋め込まれる。
LEDデバイスの内側部分の、白色シリコーンに埋め込まれる部分は、コンタクトデバイス、及び追加的にLEDパッケージの一部とし得る。それにより、白色シリコーンに埋め込まれるLEDパッケージの部分は、少なくとも部分的にLEDパッケージの側面とすることができ、活性層を備えた頂面は白色シリコーンに埋め込まれない。
本発明の好適な一実施形態によれば、LEDデバイスの内側部分は更にインターポーザを有し、さらに該インターポーザが少なくとも部分的に白色シリコーンに埋め込まれる。
本発明の好適な一実施形態によれば、LEDパッケージは部分的にのみ透明シリコーンフィルに埋め込まれる。
本発明の好適な他の一実施形態によれば、LEDパッケージは完全に透明シリコーンフィルに埋め込まれる。
本発明の好適な一実施形態によれば、LEDパッケージは完全に透明シリコーンフィルに埋め込まれ、インターポーザは部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれる。
本発明の好適な一実施形態によれば、LEDデバイスの内側部分は、少なくともコンタクトデバイスと、LEDパッケージと、インターポーザとを有し得る。コンタクトデバイスは、ワイヤ又はリードフレームを有し得る。LEDデバイスの内側部分の、白色シリコーンに埋め込まれる部分は、コンタクトデバイス、及び追加的にインターポーザの少なくとも一部若しくはインターポーザ、及び追加的にLEDパッケージの一部とし得る。
LEDデバイスは更に、コンタクトデバイスとは反対側のLEDデバイスの面に、拡散するように構成されたシリコーンからなるディフューザを有していてもよい。拡散するように構成されたシリコーンという言い回しは、ここでは、及び以下では、光を拡散するように構成されたシリコーンを意味する。ディフューザは、予め加工された部分とすることができ、あるいは、透明シリコーンを設けた後の別個の工程にて、拡散するように構成されたシリコーンを付与することによって製造される。
本発明の更なる一態様によれば、LEDデバイスを製造する方法が提供される。当該方法は、LEDデバイスの内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程であり、それにより、少なくともコンタクトデバイスが、透明シリコーンフィルで包囲されずに開放されたままにされる、工程と、透明シリコーンフィルを部分的に囲んで白色シリコーンを形作る工程であり、それにより、コンタクトデバイスとは反対側のLEDデバイスの面が開放されたままにされる、工程と、を有する。
LEDデバイスの内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程と、透明シリコーンフィルを部分的に囲んで白色シリコーンを成形する工程との間に、コンタクトデバイスとは反対側のLEDデバイスの面に、拡散するように構成されたシリコーンからなるディフューザが付与され得る。しかしながら、拡散するように構成されたシリコーンからなるディフューザは、透明シリコーンフィルを部分的に囲んで白色シリコーンを成形する工程の後に、コンタクトデバイスとは反対側のLEDデバイスの面に付与されてもよい。
さらに、LEDパッケージが少なくとも部分的に、LEDデバイスの内側部分を部分的に透明シリコーンフィルで包囲することから開放されたままにされてもよい。これに関し、LEDパッケージの開放されたままにされる部分は少なくとも、コンタクトデバイスとは反対側のLEDパッケージの面である。
LEDデバイスが更にインターポーザを有する場合、LEDデバイスの内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程において、さらにインターポーザが少なくとも部分的に、LEDデバイスの内側部分を部分的に透明シリコーンフィルで包囲することから開放されたままにされ得る。
透明シリコーンフィルを囲んで白色シリコーンを形作る工程は、透明シリコーンフィルの上に白色シリコーンをオーバーモールドすることによって行われ得る。
換言すれば、本発明は、予め加工された、すなわち、例えば押し出し成形された、ホワイトボックスを使用しないで、先ず、LEDデバイスの内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲し、その後、透明シリコーンフィルを部分的に囲んで白色シリコーンを形作ることを提案する。これは、内側部分ワイヤ、インターポーザ側面、そして更にはLEDパッケージ側面を部分的又は完全に白色シリコーンの中に埋め込むことを可能にする。その流体状態にある白色シリコーンが、LEDパッケージ、すなわち、発光領域、シリコーンフィル及びディフューザのシリコーンとしての透明な拡散シリコーン部分を覆うことが防止される。
更なる一態様によれば、LEDデバイスを製造する代替方法が提供される。当該方法は、白色シリコーンからハウジングを製造する工程を有し、該ハウジングはキャビティを有する。ハウジングは、例えば、押し出し成形によって製造され得る。
その後、キャビティ内に更なる白色シリコーンが充填される。これは、白色シリコーンをディスペンスすることによって行われ得る。この更に充填される白色シリコーンは、ハウジングが製造される白色シリコーンとは異なるものとし得る。それに代わる一実施形態において、この更に充填される白色シリコーンは、ハウジングが製造される白色シリコーンと同じ材料であってもよい。ハウジングのキャビティ内に更なる白色シリコーンを充填することにより、キャビティが部分的にのみ充填される。その後、キャビティ内にLEDデバイスの内側部分が配置され、LEDデバイスの内側部分の一部が、更なる充填白色シリコーンによって包囲される。これに関し、キャビティ内に充填される更なる白色シリコーンの量は、LEDデバイスの内側部分のコンタクトデバイスに加えて、インターポーザが少なくとも部分的に更なる充填白色シリコーンに包囲される多さである。
その後、透明シリコーンフィルが充填される。
キャビティ内にLEDデバイスの内側部分を配置する工程と、透明シリコーンフィルを充填する工程との間に、更なる充填白色シリコーンの硬化工程が行われ得る。本発明の他の一実施形態において、更なる充填白色シリコーンを硬化させる工程は、プロセスの最後に透明シリコーンフィルの硬化と並行して為されてもよい。
透明シリコーンフィルの頂面上にディフューザが配置され得る。
透明シリコーンフィルはこの段階で硬化され得る。
当該方法において、キャビティ内に充填される更なる白色シリコーンの量は、LEDデバイスの内側部分のコンタクトデバイスが少なくとも部分的に更なる充填白色シリコーンに包囲される多さである。
この工程において、キャビティ内に充填される更なる白色シリコーンの量は、LEDデバイスの内側部分のコンタクトデバイスに加えて、インターポーザが少なくとも部分的に更なる充填白色シリコーンに包囲される多さであってもよい。
しかしながら、この工程において、キャビティ内に充填される更なる白色シリコーンの量は、LEDデバイスの内側部分のコンタクトデバイス及びインターポーザに加えて、LEDパッケージが部分的に、更なる充填白色シリコーンに包囲される多さであってもよい。
本発明に従った方法の結果は、LEDデバイスの内側部分が少なくとも部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ、少なくとも部分的に埋め込まれたLEDデバイスが、白色シリコーンを有する白色シリコーンハウジングに収容され、LEDデバイスの内側部分の一部が、白色シリコーンからなるボックス内に埋め込まれるLEDデバイスであり、当該方法は、容易に実現可能であるとともに、コストのかかる製造設備を必要としない。当該方法は、白色シリコーン内に部分的又は完全に埋め込まれた内側部分ワイヤ、インターポーザ側面、そして更にはLEDパッケージ側面を有するLEDデバイスの製造を可能にする。その流体状態にある白色シリコーンが、LEDパッケージ、すなわち、発光領域、シリコーンフィル及びディフューザのシリコーンとしての透明な拡散シリコーン部分を覆うことが防止される。LEDデバイスの内側部分の一部を白色シリコーン内に置くことは、LEDパッケージによって放射された光の、LEDデバイスの内側部分での吸収による損失を防止する。LEDデバイスのこれらの部分が反射性の白色シリコーンに包み込まれるので、これらの部分に光は到達しない。また、白色シリコーンは、透明シリコーンの熱伝導率の5倍の高さの熱伝導率を持つので、LEDパッケージから環境への熱輸送が最適化される。さらに、LEDデバイスの内側部分の下方にトラップされる空気の量が最小化される。
透明シリコーンフィルは、試験法nD25に従って好ましくは1.38から1.65の範囲内の屈折率を持つ光学グレードのシリコーンとし得る。
理解されるべきことには、それぞれの独立請求項との従属請求項の如何なる組み合わせも本発明の一好適実施形態とすることができる。
更なる有利な実施形態が以下に規定される。
本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。
ここに、添付の図面を参照して、実施形態に基づいて、例として、本発明を説明する。図面は以下を示す。
現行技術において知られているような、白色シリコーンのハウジング内でLEDパッケージ、インターポーザ及びコンタクトデバイスが透明シリコーンフィルに埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。 本発明に従った方法の第1の工程後の、LEDパッケージ、インターポーザ及びコンタクトデバイスが部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。 本発明の一実施形態に従った方法の第2の工程後の、LEDパッケージ、インターポーザ、コンタクトデバイス及びディフューザが部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。 本発明の一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ、インターポーザ、コンタクトデバイス及びディフューザが部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。 本発明の更なる一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ、インターポーザ、コンタクトデバイス及びディフューザが部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。 本発明の更なる一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ、インターポーザ、コンタクトデバイス及びディフューザが部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。 代替方法に従った白色シリコーンのハウジングの主要略図を示している。 代替方法に従った、更に充填された白色シリコーンを有する白色シリコーンのハウジングの主要略図を示している。 代替方法に従った、更に充填された白色シリコーンにLEDパッケージ、インターポーザ及びコンタクトデバイスが部分的に埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。 代替方法に従った、更に充填された白色シリコーンにLEDパッケージ、インターポーザ及びコンタクトデバイスが部分的に埋め込まれ、キャビティ内に透明シリコーンフィルが充填された、LEDデバイスの主要略図を示している。 代替方法に従った、更に充填された白色シリコーンにLEDパッケージ、インターポーザ及びコンタクトデバイスが部分的に埋め込まれ、キャビティ内に透明シリコーンフィルが充填され、透明シリコーンフィルにディフューザが取り付けられた、LEDデバイスの主要略図を示している。
図面においては、全体を通して、似通った参照符号が同様のオブジェクトを表す。図中のオブジェクトは必ずしも縮尺通りに描かれていない。
以下、本発明の様々な実施形態を図面により説明する。
図1は、現行技術において知られているような、白色シリコーンのハウジング6内でLEDパッケージ1、インターポーザ2及びコンタクトデバイス3が透明シリコーンフィル4に埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。このLEDデバイスは、例えば押し出し成形によって作製されるものであるハウジングから始めることによって製造される。このハウジング6の中に、LEDパッケージ1と、インターポーザ2と、内側部分ワイヤを有するコンタクトデバイス3と、を有するLEDデバイスの内側部分が入れられる。次の工程にて、ハウジング6内に透明シリコーンが充填され、それにより、LEDパッケージ1と、取り得るインターポーザ2と、内側部分ワイヤを有するコンタクトデバイス3と、を有するLEDデバイスの内側部分を、透明シリコーンが包囲する。稼働中、放射された光の一部が、特に、インターポーザ2の周り及び下方を進行する光が、内側部分での吸収によって失われる。加えて、透明シリコーンフィル4は白色シリコーンと比較して1/5の熱伝導率を持つに過ぎないことから見て、LEDパッケージからの熱輸送が最適でない。
図2は、本発明に従った方法の第1の工程後の、LEDパッケージ1、インターポーザ2及びコンタクトデバイス3が部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。この第1の工程にて、LEDデバイスの内側部分が少なくとも部分的に透明シリコーンフィル4で包囲される。図示した実施形態では、LEDパッケージ1及びインターポーザ2が透明シリコーンフィル4に包囲されている。コンタクトデバイス3は、透明シリコーンフィル4から開放されたままである。これに関し、透明シリコーンフィルの外縁は、更なる工程で付与されるハウジングによって画成されることになる。故に、この図では、外縁が断ち切られている。透明シリコーンフィル4は、例えばトランスファー成形又は射出成形などの何らかの既知の方法によって付与され得る。
図3は、本発明の一実施形態に従った方法の第2の工程後の、LEDパッケージ1、インターポーザ2、コンタクトデバイス3及びディフューザ5が部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。この第2の工程にて、透明シリコーンフィル4にディフューザ5が付与される。これに関し、透明シリコーンフィルの外縁は、更なる工程で付与されるハウジングによって画成されることになる。故に、この図では、外縁が断ち切られている。ディフューザ5は、予め加工されて透明シリコーンフィル4に貼り付けられ得る。他の実施形態において、ディフューザ5は、例えばトランスファー成形又は射出成形などの既知のシリコーン加工法によって、シリコーンフィルに付与されてもよい。この工程はまた、LEDデバイスとともにディフューザ5が使用されない場合には省略され得る。また、ディフューザ5を付与する工程は、図4にて説明する工程の後に行われることもできる。
図4は、本発明の一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ1、インターポーザ2、コンタクトデバイス3及びディフューザ5が部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。コンタクトデバイス3は透明シリコーンフィル4から開放されたままであるので、第3の工程にて、このコンタクトデバイスがハウジング6の白色シリコーンに包囲される。ハウジング6を形成する白色シリコーンは、射出成形によって、すなわち、透明シリコーンフィルをオーバーモールド(外側被覆)することによって付与されることができ、例えば、LEDデバイスの頂面は、すなわち、コンタクトデバイス3とは反対側のLEDデバイスの面は、白色シリコーンでのオーバーモールドから開放されたままにされる。すなわち、LEDパッケージ1から放射された光は、ディフューザ5を走り抜けてLEDデバイスを立ち去り得る。図3に従って既に説明したように、他の一実施形態において、LEDデバイスはディフューザ5を有しない。その場合、LEDパッケージ1によって放射された光は、LEDデバイスの頂面すなわち透明シリコーンフィル4を介してLEDデバイスを立ち去り得る。また、ディフューザ5を付与する工程は、白色シリコーンを付与した後に行われることもできる。その場合、白色シリコーンは、透明シリコーンフィル4の頂面までしか付与されず、あるいは、後にディフューザ5が付与され得るギャップが残されるときには透明シリコーンフィルの頂面を超えて付与され得る。
図5は、本発明の更なる一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ1、インターポーザ2、コンタクトデバイス3及びディフューザ5が部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。この実施形態では、透明シリコーンフィル4が付与される時の工程において、コンタクトデバイス3に加えて、インターポーザ2も同様に、透明シリコーンフィル4から開放されたままにされる。白色シリコーンボックスが付与される時の工程において、コンタクトデバイス3とインターポーザ2とが白色シリコーンで抱え込まれる。従って、LEDパッケージ1のみが、白色シリコーンからなるボックスから開放されたままとなる。
図6は、本発明の更なる一実施形態に従った方法の第3の工程後の、LEDパッケージ1、インターポーザ2、コンタクトデバイス3及びディフューザ5が部分的に透明シリコーンフィル4に埋め込まれ且つ白色シリコーンで包囲されたLEDデバイスの主要略図を示している。この実施形態では、透明シリコーンフィル4が付与される時の工程において、コンタクトデバイス3及びインターポーザ2に加えて、LEDパッケージ1が部分的に透明シリコーンフィル4から開放されたままにされる。白色シリコーンボックスが付与される時の工程において、コンタクトデバイス3と、インターポーザ2と、LEDパッケージ1の一部とが、白色シリコーンで抱え込まれる。従って、LEDパッケージ1の一部のみが、特に、コンタクトデバイス3とは反対側であるLEDパッケージ1の頂部のみが、白色シリコーンから開放されたままとなる。そこから、LEDパッケージ1によって放射された光がLEDデバイスを立ち去り得る。
図7は、代替方法にて使用される白色シリコーンからなるハウジング6の主要略図を示している。このハウジング6は、その中にLEDデバイスを配置することができるキャビティ7を有している。ハウジング6は、光を反射するものである白色シリコーンからなる。このようなハウジング6内に配置されたLEDデバイスは、ハウジング6の頂部側の開口を通じてのみ、光を放出することができる。ハウジング6は、例えば、押し出し成形又は射出成形によって製造され得る。このようなハウジング6を製造する方法は、当業者に知られている。
図8は、代替方法に従った、更に充填された白色シリコーン8を有する白色シリコーンのハウジング6の主要略図を示している。更に充填される白色シリコーン8は、キャビティを部分的にのみ充填する。更に充填される白色シリコーン8は、ハウジング6の白色シリコーンとは異なる材料とし得る。他の一実施形態において、更に充填される白色シリコーン8は、ハウジング6の白色シリコーンと同じ材料であってもよい。更なる充填白色シリコーン8を充填することは、例えば、その材料をその流体状態にてディスペンスすることによって行われることができる。
図9は、代替方法に従った、更に充填された白色シリコーン8のボックス内にLEDパッケージ1、インターポーザ2及びコンタクトデバイス3が部分的に埋め込まれたLEDデバイスの主要略図を示している。更に充填されたシリコーン8は流体状態にあるので、LEDデバイスの内側部分はこの材料内に容易に潜る。LEDデバイスの内側部分は、硬化された白色シリコーンであるハウジング6の底に接触するまで、更に充填された白色シリコーン8の中に潜る。これに関し、更に充填される白色シリコーン8の量は、LEDデバイスの内側部分が部分的にのみ、すなわち、少なくとも部分的にコンタクトデバイス3のみが、あるいは、コンタクトデバイス3及び少なくとも部分的にインターポーザ2が、あるいは、コンタクトデバイス3、インターポーザ2及び部分的にLEDパッケージ1が、潜ることになるように計算される。それにより、LEDパッケージ1の頂面は、すなわち、コンタクトデバイス3とは反対側の面は、更に充填された白色シリコーン8から出たままとなる。それをもって、LEDパッケージ1から放射された光は、この頂面にてLEDデバイスを立ち去り得る。
図10は、代替方法に従った、更に充填された白色シリコーン8にLEDパッケージ1、インターポーザ2及びコンタクトデバイス3が部分的に埋め込まれ、キャビティ7内に透明シリコーンフィル4が充填された、LEDデバイスの主要略図を示している。キャビティ7内の更に充填された白色シリコーン8の中にLEDデバイスの内側部分を配置した後、更に充填された白色シリコーン8が硬化され得る。他の一実施形態において、更に充填された白色シリコーン8は、この段階では硬化されない。それは、後の工程にて充填される透明シリコーンフィル4と並行して硬化されてもよい。いずれにしても、キャビティ7内の更に充填された白色シリコーン8の中にLEDデバイスの内側部分を配置した後、キャビティ7が透明シリコーンフィル4で充填される。これに関し、キャビティ7は、完全に充填されることができ、あるいは、透明シリコーンフィル4の上にディフューザ5を配置し得る割合でのみ充填されることができる。それにより、ディフューザ5が少なくとも部分的にハウジング6に包囲されるようにして、透明シリコーンフィル4の頂面上にディフューザ5を配置することができる。
図11は、代替方法に従った、更に充填された白色シリコーン8にLEDパッケージ1、インターポーザ2及びコンタクトデバイス3が部分的に埋め込まれ、キャビティ7内に透明シリコーンフィル4が充填され、透明シリコーンフィル4にディフューザ5が取り付けられた、LEDデバイスの主要略図を示している。ディフューザ5は、その小さい側面がハウジング6に包囲され且つ頂面が環境に対して開放されるようにして、透明シリコーンフィル4の頂面側に取り付けられる。従って、LEDパッケージ1の一部のみが白色シリコーンから開放されたままにされ、特に、LEDパッケージ1の頂部、すなわち、コンタクトデバイス3とは反対側の面が白色シリコーンから開放されたままにされる。LEDパッケージ1によって放射された光は、この領域を通ってLEDデバイスを立ち去り得る。LEDデバイスの内側部分の一部を白色シリコーン内に置くことは、LEDパッケージ1によって放射された光の、LEDデバイスの内側部分での吸収による損失を防止する。LEDデバイスのこれらの部分が反射性の白色シリコーンに包み込まれるので、これらの部分に光は到達しない。また、白色シリコーンは、透明シリコーン4の熱伝導率の5倍の高さの熱伝導率を持つので、LEDパッケージ1から環境への熱輸送が最適化される。
図面及び以上の記載にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきである。
本開示を読むことにより、その他の変更が当業者に明らかになる。それらの変更は、技術的に既知であり且つここで既に述べた特徴に代えて又は加えて使用され得るような、その他の特徴を含んでいてもよい。
開示の実施形態への変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、当業者によって理解されて実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“a”又は“an”は複数の要素又はステップを排除するものではない。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。
請求項中の如何なる参照符号も、その範囲を限定するものとして解されるべきでない。
1 LEDパッケージ
2 インターポーザ
3 コンタクトデバイス
4 シリコーンフィル
5 ディフューザ
6 ハウジング
7 キャビティ
8 更なる充填白色シリコーン

Claims (17)

  1. 発光ダイオード(LED)デバイスであって、少なくともコンタクトデバイス及びLEDチップを含む当該LEDデバイスの内側部分が、少なくとも部分的に透明シリコーンフィルに埋め込まれ、当該LEDデバイスの前記内側部分が、白色シリコーンを有する白色シリコーンハウジングに収容され、当該LEDデバイスの前記内側部分のうち少なくとも前記コンタクトデバイスが、少なくとも部分的に前記白色シリコーンに埋め込まれ、さらに前記LEDチップが部分的に前記白色シリコーンに埋め込まれていることを特徴とする、LEDデバイス。
  2. 当該LEDデバイスの前記内側部分は更にインターポーザを有し、さらに該インターポーザが少なくとも部分的に前記白色シリコーンに埋め込まれている、請求項1に記載のLEDデバイス。
  3. 前記LEDチップは部分的にのみ前記透明シリコーンフィルに埋め込まれている、請求項1又は2に記載のLEDデバイス。
  4. 前記インターポーザは部分的に前記透明シリコーンフィルに埋め込まれている、請求項2に記載のLEDデバイス。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載のLEDデバイスを製造する方法であって、
    前記LEDデバイスの前記内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程であり、それにより、少なくとも前記コンタクトデバイスが、透明シリコーンフィルで包囲されずに開放されたままにされる、工程と、
    前記透明シリコーンフィルを部分的に囲んで前記白色シリコーンを形作る工程であり、それにより、前記コンタクトデバイスとは反対側の前記LEDデバイスの面が開放されたままにされる、工程と、
    を有する方法。
  6. 前記LEDデバイスの前記内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程と、前記透明シリコーンフィルを部分的に囲んで前記白色シリコーンを形作る工程との間に、前記コンタクトデバイスとは反対側の前記LEDデバイスの面に、拡散するように構成されたシリコーンからなるディフューザが付与される、請求項5に記載の方法。
  7. 前記透明シリコーンフィルを部分的に囲んで前記白色シリコーンを形作る工程の後に、前記コンタクトデバイスとは反対側の前記LEDデバイスの面に、拡散するように構成されたシリコーンからなるディフューザが付与される、請求項5に記載の方法。
  8. 前記LEDデバイスの前記内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程において、さらに前記LEDチップが少なくとも部分的に、前記LEDデバイスの前記内側部分を部分的に透明シリコーンフィルで包囲することから開放されたままにされる、請求項5乃至7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記LEDデバイスは更にインターポーザを有し、前記LEDデバイスの前記内側部分を少なくとも部分的に透明シリコーンフィルで包囲する工程において、さらに前記インターポーザが少なくとも部分的に、前記LEDデバイスの前記内側部分を部分的に透明シリコーンフィルで包囲することから開放されたままにされる、請求項5乃至8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記透明シリコーンフィルを囲んで前記白色シリコーンを形作る工程は、オーバーモールドによって行われる、請求項5乃至9のいずれかに記載の方法。
  11. 請求項1乃至4のいずれかに記載のLEDデバイスを製造する方法であって、
    白色シリコーンからハウジングを製造する工程であり、該ハウジングはキャビティを有する、工程と、
    前記キャビティ内に更なる白色シリコーンを充填する工程であり、前記キャビティが部分的にのみ充填される、工程と、
    前記キャビティ内に前記LEDデバイスの前記内側部分を配置する工程であり、前記LEDデバイスの前記内側部分のうち少なくとも前記コンタクトデバイスが、前記充填された更なる白色シリコーンによって包囲される、工程と、
    前記透明シリコーンフィルを充填する工程と、
    を有する方法。
  12. 前記キャビティ内に前記LEDデバイスの前記内側部分を配置する工程と、前記透明シリコーンフィルを充填する工程との間に、前記充填された更なる白色シリコーンの硬化工程が行われる、請求項11に記載の方法。
  13. 前記透明シリコーンフィルの頂面上にディフューザが配置される、請求項11又は12に記載の方法。
  14. 前記透明シリコーンフィルが硬化される、請求項13に記載の方法。
  15. 前記透明シリコーンフィル及び前記充填された更なる白色シリコーンが並行して硬化される、請求項11又は14に記載の方法。
  16. 前記キャビティ内に更なる白色シリコーンを充填する工程において、前記キャビティ内に充填される前記更なる白色シリコーンの量は、前記LEDデバイスの前記内側部分のうち、前記コンタクトデバイスに加えて、インターポーザが少なくとも部分的に、充填される前記更なる白色シリコーンに包囲される多さである、請求項11乃至15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記キャビティ内に更なる白色シリコーンを充填する工程において、前記キャビティ内に充填される前記更なる白色シリコーンの量は、前記LEDデバイスの前記内側部分のうち、前記コンタクトデバイス及びインターポーザに加えて、前記LEDチップが部分的に、充填される前記更なる白色シリコーンに包囲される多さである、請求項11に記載の方法。
JP2019029655A 2018-07-18 2019-02-21 Ledデバイス及びその製造方法 Active JP6906000B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18184173.5A EP3598510B1 (en) 2018-07-18 2018-07-18 Light emitting diode device and producing methods thereof
EP18184173.5 2018-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020013981A true JP2020013981A (ja) 2020-01-23
JP6906000B2 JP6906000B2 (ja) 2021-07-21

Family

ID=62985949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019029655A Active JP6906000B2 (ja) 2018-07-18 2019-02-21 Ledデバイス及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11107959B2 (ja)
EP (1) EP3598510B1 (ja)
JP (1) JP6906000B2 (ja)
KR (1) KR102239105B1 (ja)
CN (1) CN110739384B (ja)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US20140226345A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device packages
JP2016225515A (ja) * 2015-06-01 2016-12-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017501578A (ja) * 2013-12-18 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Led蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層
JP2017108092A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017520118A (ja) * 2014-06-19 2017-07-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 小型光源を有する波長変換発光デバイス
JP2017152475A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2018014480A (ja) * 2016-07-07 2018-01-25 日東電工株式会社 反射層および蛍光体層付光半導体素子
WO2018108734A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Lumileds Holding B.V. Led module with high near field contrast ratio
JP2018107170A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE911007A1 (en) 1990-05-15 1991-11-20 Himont Inc Radiation-resistant propylene polymer composition and¹radiation sterilized articles therefrom
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Led装置
EP1914809A1 (en) * 2006-10-20 2008-04-23 Tridonic Optoelectronics GmbH Cover for optoelectronic components
WO2008067441A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR101468696B1 (ko) 2007-12-31 2014-12-08 서울반도체 주식회사 발광 소자
DE102009008845A1 (de) * 2009-02-13 2010-08-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul und Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls
JP5278023B2 (ja) * 2009-02-18 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20100289055A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US20110242818A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Panasonic Corporation Highly reflective white material and led package
DE102010045403A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2012142426A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
CN102769089B (zh) * 2011-05-06 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
JP5730680B2 (ja) * 2011-06-17 2015-06-10 シチズン電子株式会社 Led発光装置とその製造方法
US8841689B2 (en) * 2012-02-03 2014-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
JP2014077116A (ja) * 2012-09-21 2014-05-01 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、それを用いてなる半導体封止材および光半導体装置
CN114188460A (zh) 2015-11-30 2022-03-15 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN106972093B (zh) 2016-01-13 2019-01-08 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US20140226345A1 (en) * 2013-02-14 2014-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device packages
JP2017501578A (ja) * 2013-12-18 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Led蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層
JP2017520118A (ja) * 2014-06-19 2017-07-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 小型光源を有する波長変換発光デバイス
JP2016225515A (ja) * 2015-06-01 2016-12-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017108092A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017152475A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2018014480A (ja) * 2016-07-07 2018-01-25 日東電工株式会社 反射層および蛍光体層付光半導体素子
WO2018108734A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Lumileds Holding B.V. Led module with high near field contrast ratio
JP2018107170A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200028039A1 (en) 2020-01-23
CN110739384A (zh) 2020-01-31
US20210391512A1 (en) 2021-12-16
EP3598510B1 (en) 2022-02-23
EP3598510A1 (en) 2020-01-22
US11107959B2 (en) 2021-08-31
JP6906000B2 (ja) 2021-07-21
KR20200010007A (ko) 2020-01-30
KR102239105B1 (ko) 2021-04-13
CN110739384B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7594840B2 (en) Method of encapsulating LED light source with embedded lens component
US20070205425A1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR101190414B1 (ko) 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법
TWI382561B (zh) 附有反射透鏡之功率發光二極體封裝及其製造方法
US8304799B2 (en) Optoelectronic component and package for an optoelectronic component
US20110062470A1 (en) Reduced angular emission cone illumination leds
KR102282199B1 (ko) Led들과 반사 요소를 포함하는 조명 디바이스
KR20090075806A (ko) 광전자 장치용 하우징, 광전자 장치 및 광전자 장치용 하우징 제조 방법
JP4939946B2 (ja) ビーム発光型及び/又はビーム受光型半導体構成素子
US7736070B2 (en) Double mold optocoupler
KR101161397B1 (ko) 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자 및 그것을 제조하는 방법
KR100809816B1 (ko) 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
KR101367381B1 (ko) Led 패키지
JP6906000B2 (ja) Ledデバイス及びその製造方法
US20160322531A1 (en) Semiconductor device and optical coupling device
US11444225B2 (en) Light emitting diode package having a protective coating
KR100848873B1 (ko) Led 램프 및 그 제조 방법
JP2011096974A (ja) 発光装置および発光装置の作製方法
KR20170024734A (ko) 광원 엔진
JP2004088006A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
KR20100005925U (ko) 발광 다이오드의 개량된 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200310

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210601

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6906000

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250