KR20170056990A - 기판 처리 장치 및 배기 방법 - Google Patents
기판 처리 장치 및 배기 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170056990A KR20170056990A KR1020150160528A KR20150160528A KR20170056990A KR 20170056990 A KR20170056990 A KR 20170056990A KR 1020150160528 A KR1020150160528 A KR 1020150160528A KR 20150160528 A KR20150160528 A KR 20150160528A KR 20170056990 A KR20170056990 A KR 20170056990A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exhaust duct
- substrate
- main exhaust
- amount
- chamber
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 35
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 23
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 128
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 83
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 44
- 238000011161 development Methods 0.000 description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 25
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000003570 air Substances 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 분위기를 배기하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 처리 공간을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재, 상기 감압 부재 및 상기 하우징을 서로 연결하는 메인 배기 덕트, 상기 메인 배기 덕트에 기류가 공급되도록 상기 메인 배기 덕트에 연결되는 보조 배기 덕트, 그리고 상기 보조 배기 덕트에 유입되는 기류의 유입량을 조절하는 기류 조절 부재를 포함하되, 상기 보조 배기 덕트와 상기 메인 배기 덕트의 연결 영역은 상기 하우징과 상기 감압 부재 사이에 위치된다. 이로 인해 메인 배기 덕트에 부착된 공정 부산물을 제거할 수 있다.
Description
본 발명은 분위기를 배기하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 내부에 공정 공간을 가지는 챔버에서 진행된다.
일반적으로, 챔버의 공정 공간은 일정한 공정 분위기를 유지해야 한다. 이로 인해 공정 분위기는 기설정된 압력이 유지되도록 배기 어셈블리에 의해 배기된다. 배기 어셈블리는 공정 분위기를 일정 압력으로 유지시킬 뿐만 아니라, 기판 처리 시 발생된 공정 부산물을 배기한다. 예컨대, 기판을 케미칼로 처리하는 과정에서는 퓸(Fume)과 같은 공정 부산물이 발생되며, 이는 배기 어셈블리에 의해 배기된다.
도 1은 일반적인 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 배기 어셈블리는 배기 덕트, 감압 부재, 그리고 셔터를 포함한다. 배기 덕트는 챔버에 연결되며, 감압 부재는 배기 덕트를 통해 공정 분위기를 배기한다. 셔터는 배기 덕트에 제공된다. 셔터는 배기 덕트의 길이 방향과 수직한 방향을 중심축으로 회전된다. 셔터가 회전됨에 따라 셔터와 배기 덕트 간에 틈이 발생되며, 배기량은 조절된다.
그러나 공정 부산물은 셔터와 배기 덕트 간에 틈을 통해 배기되는 과정 중에 그 일부가 셔터 및 배기 덕트에 증착된다. 이는 시간이 지날수록 공정 부산물의 증착량이 증가되며, 셔터와 배기 덕트 간에 틈이 막힐 수 있다.
또한 셔터와 배기 덕트 간에 틈이 형성될지라도, 공정 부산물의 증착에 의해 작업자가 원하고자 하는 배기량을 조절하는 것이 어렵다.
본 발명은 공정 처리 공간에서 발생된 공정 부산물을 원활하게 배기할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 공정 분위기을 일정한 배기량으로 배기할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 분위기를 배기하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 처리 공간을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재, 상기 감압 부재 및 상기 하우징을 서로 연결하는 메인 배기 덕트, 상기 메인 배기 덕트에 기류가 공급되도록 상기 메인 배기 덕트에 연결되는 보조 배기 덕트, 그리고 상기 보조 배기 덕트에 유입되는 기류의 유입량을 조절하는 기류 조절 부재를 포함하되, 상기 보조 배기 덕트와 상기 메인 배기 덕트의 연결 영역은 상기 하우징과 상기 감압 부재 사이에 위치된다.
상기 배기 어셈블리는 상기 메인 배기 덕트의 배기량을 측정하는 측정 부재 및 상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 기류 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다. 상기 측정 부재는 상기 메인 배기 덕트에서 상기 메인 배기 덕트 및 상기 연결 영역과 상기 하우징 사이에 위치되고, 상기 감압 부재에 의한 감압량은 상기 유입량 및 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량을 합한 값으로 제공될 수 있다. 상기 보조 배기 덕트는 외부와 통할 수 있다. 상기 메인 배기 덕트에는 상기 메인 배기 덕트의 개방율을 조절하는 셔터가 제공되지 않을 수 있다. 상기 기류 조절 부재는 팬을 포함할 수 있다. 상기 기류 조절 부재는 유량 조절 부재를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 기판을 지지하는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 가열하는 히터를 포함할 수 있다.
하우징 내에 처리 공간을 배기하는 방법으로는, 상기 하우징에는 메인 배기 덕트가 연결되고, 상기 메인 배기 덕트에 설치된 감압 부재에 의한 감압에 의해 상기 처리 공간이 배기되되, 상기 처리 공간의 배기량은 상기 메인 배기 덕트에 연결된 보조 배기 덕트에 공급되는 기류의 유입량에 의해 조절된다.
상기 처리 공간에서 공정 진행 중에는 상기 유입량 및 상기 배기량의 합이 일정하게 제공될 수 있다. 상기 처리 공간은 베이크 공정을 수행하는 공간으로 제공될 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 처리 공간을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재, 상기 감압 부재 및 상기 하우징을 서로 연결하는 메인 배기 덕트, 상기 메인 배기 덕트의 개방율을 조절하는 셔터, 그리고 상기 메인 배기 덕트에 연결되며, 외부와 통하는 보조 배기 덕트를 포함하되, 상기 연결 영역은 상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 하우징 사이에 위치되며, 상기 보조 배기 덕트와 상기 메인 배기 덕트의 연결 영역은 상기 셔터와 인접한 영역으로 제공된다.
상기 배기 어셈블리는 상기 메인 배기 덕트의 배기량을 측정하는 측정 부재, 상기 보조 배기 덕트의 외부 기류를 제1유입량 또는 상기 제1유입량보다 큰 제2유입량으로 조절하는 기류 조절 부재, 그리고 상기 측정 부재 및 상기 기류 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 기류 조절 부재를 제어할 수 있다. 상기 측정 부재는 상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 감압부재 사이에 위치되고, 상기 제어기는 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량이 설정량과 일치하면 상기 외부 기류를 상기 제1유입량으로 조절하고, 상기 측정량이 상기 설정량보다 작으면 상기 외부 기류가 상기 제2유입량으로 조절하도록 상기 측정 부재 및 상기 기류 조절 부재를 제어할 수 있다. 상기 베기 어셈블리는 상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 감압 부재 사이에 위치되며, 상기 메인 배기 덕트를 제1개방율 또는 상기 제1개방율보다 큰 제2개방율로 조절하는 흡기 조절 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 흡기 조절 부재를 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량이 설정량과 일치하면 상기 메인 배기 덕트를 상기 제1개방율로 조절하고, 상기 측정량이 상기 설정량보다 작으면 상기 메인 배기 덕트를 상기 제2개방율로 조절하도록 상기 측정 부재 및 상기 흡기 조절 부재를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 메인 배기 덕트에는 보조 배기 덕트가 연결되며, 보조 배기 덕트는 메인 배기 덕트에 외부 기류를 유입한다. 이로 인해 메인 배기 덕트에 부착된 공정 부산물을 제거할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 셔터없이 메인 배기 덕트의 배기량을 조절 가능하다. 이로 인해 셔터 및 메인 배기 덕트의 틈에 공정 부산물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 메인 배기 덕트에는 셔터가 제공되고, 흡기 조절 부재는 셔터와 감압 부재 사이에서 메인 배기 덕트의 개방율을 조절한다. 이로 인해 셔터는 그 동작이 정지된 상태에서 메인 배기 덕트의 압력을 조절하고, 그 조절된 압력을 이용해 셔터에 부착된 공정 부산물을 제거할 수 있다.
도 1은 일반적인 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 배기 어셈블리의 제1실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 배기 어셈블리를 확대해 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 배기 어셈블리의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 배기 어셈블리의 제1실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 배기 어셈블리를 확대해 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 배기 어셈블리의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(420)에서는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)의 표면 성질을 변화시키도록 기판을 소정의 온도로 가열하고, 점착제와 같은 처리액막을 형성한다. 또한 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 감압 분위기에서 포토 레지스트막을 열처리한다.
베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(422) 및 가열 유닛(421)을 포함한다. 냉각 플레이트(422)는 가열 유닛(421)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판(W)을 상온으로 냉각시킬 수 있다.
가열 유닛(421)은 공정 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 공정 분위기는 상압보다 낮은 감압 분위기일 수 있다. 가열 유닛(421)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 지지 플레이트(820), 히터(830), 그리고 배기 어셈블리(900)를 포함한다.
하우징(810)은 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치된다. 하우징(810)은 내부에 기판(W)의 가열 처리하는 처리 공간(812)을 제공한다. 처리 공간(812)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(810)의 바닥면에는 배기홀(814)이 형성된다. 배기홀(814)에는 배기 어셈블리(900)가 연결된다.
지지 플레이트(820)는 처리 공간에 위치된다. 지지 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(820)의 상면은 기판(W)이 안착되는 영역으로 제공된다. 지지 플레이트(820)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들(미도시)이 형성된다. 각각의 핀 홀은 지지 플레이트(820)의 원주 방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀에는 리프트핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀(미도시)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 예컨대, 핀 홀들은 3 개로 제공될 수 있다.
히터(830)는 지지 플레이트(820)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 히터(830)는 복수 개로 제공되며, 지지 플레이트(820)에서 서로 상이한 영역에 위치된다. 각각의 히터(830)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(830)는 지지 플레이트(820)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(830)에 대응되는 지지 플레이트(820)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15개 일 수 있다. 예컨대, 히터(830)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.
배기 어셈블리(900)는 하우징(810) 내의 처리 공간(812)에 발생된 공정 부산물을 배기한다. 배기 어셈블리(900)는 하우징(810) 내의 공정 분위기를 일정 압력으로 유지시킨다. 도 7은 도 6의 배기 어셈블리의 제1실시예를 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 배기 어셈블리를 확대해 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 배기 어셈블리(900)는 배기 유닛(910) 및 감압 부재(920)를 포함한다. 배기 유닛(910)은 복수 개로 제공되며, 각각은 복수 개의 하우징들(810)에 일대일 연결된다. 감압 부재(920)는 복수 개의 배기 유닛들(910)에 연결되며, 일정한 음압을 제공한다.
배기 유닛(910)은 메인 배기 덕트(930), 감압 부재(920), 보조 배기 덕트(940), 기류 조절 부재(950), 측정 부재(960), 그리고 제어기(990)를 포함한다. 메인 배기 덕트(930)는 하우징(810)의 처리 공간(812) 및 감압 부재(920)를 서로 연결한다. 메인 배기 덕트(930)는 배기홀(814)에 각각 연결된다. 감압 부재(920)로부터 발생된 음압은 메인 배기 덕트(930)를 통해 하우징(810)의 처리 공간(812)을 배기한다. 메인 배기 덕트(930)에는 메인 배기 덕트(930)의 개방율을 조절하는 셔터(980)가 제공되지 않는다. 일 예에 의하면, 감압 부재(920)로부터 발생된 음압은 상압보다 낮은 압력일 수 있다.
보조 배기 덕트(940)는 메인 배기 덕트(930)의 일측에 연결된다. 보조 배기 덕트(940)는 메인 배기 덕트(930)에서 하우징(810)과 감압 부재(920) 사이에 연결된다. 보조 배기 덕트(940)는 외부와 통하도록 제공된다. 이로 인해 상압에 제공되는 외부 기류(이하, 외기)는 보조 배기 덕트(940)를 통해 메인 배기 덕트(930)로 유입 가능하다.
기류 조절 부재(950)는 보조 배기 덕트(940)의 외기 유입량을 조절한다. 기류 조절 부재(950)는 보조 배기 덕트(940)에 제공된다. 일 예에 의하면, 기류 조절 부재(950)는 유량 조절 부재(950) 또는 팬(950)일 수 있다. 유량 조절 부재는 밸브 또는 댐퍼를 포함할 수 있다.
측정 부재(960)는 처리 공간(812)에서 배기되는 배기량을 측정한다. 측정 부재(960)는 메인 배기 덕트(930)에서 보조 배기 덕트(940)의 연결 영역과 하우징(810) 사이에 위치된다. 예컨대, 측정 부재(960)는 압력 센서일 수 있다.
제어기(990)는 배기 정보를 근거로 기류 조절 부재(950)를 제어한다. 제어기(990)는 기류 조절 부재(950)를 제어하여 처리 공간(812)에서 배기되는 배기량을 일정하게 유지시킨다. 일 예에 의하면, 제어기(990)는 감압 부재(920)에 의해 감압되는 감압량은 외기의 유입량과 처리 공간(812)에서 배기되는 배기량을 합한 값일 수 있다. 따라서 기판 처리 공정 중에 감압 부재(920)에 의한 감압량이 일정하게 유지되면, 제어기(990)는 외기의 유입량을 조절하여 처리 공간(812)에서 배기되는 배기량을 조절할 수 있다.
상술한 제1실시예에는 메인 배기 덕트(930)의 개방율을 조절하는 셔터(980)없이 처리 공간(812)에서 배기되는 배기량을 제어할 수 있다. 이에 따라 처리 공간(812)에서 발생된 공정 부산물이 배기되는 과정에서 공정 부산물에 의해 메인 배기 덕트(930)가 막히는 사고를 방지할 수 있다.
다음은 상술한 배기 어셈블리(900)의 제2실시예에 대해 설명한다. 도 9를 참조하면, 배기 어셈블리(900)는 셔터(980) 및 흡기 조절 부재(970)를 더 포함한다.
셔터(980)는 메인 배기 덕트(930)에 제공된다. 셔터(980)는 메인 배기 덕트(930)의 개방율을 조절하여 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 조절한다. 셔터(980)는 메인 배기 덕트(930)의 길이 방향과 수직한 방향을 중심축으로 회전 가능하다. 셔터(980)의 회전에 따라 메인 배기 덕트(930)의 개방율이 조절된다.
보조 배기 덕트(940)와 메인 배기 덕트(930)가 서로 연결되는 연결 영역은 셔터(980)와 인접하게 위치된다. 연결 영역은 셔터(980)와 하우징(810) 사이에 위치된다. 예컨대, 연결 영역은 메인 배기 덕트(930)에서 하우징(810)보다 셔터(980)에 가깝게 위치될 수 있다.
기류 조절 부재(950)는 보조 배기 덕트(940)의 외기 유입량을 조절한다. 기류 조절 부재(950)는 보조 배기 덕트(940)에 제공된다. 기류 조절 부재(950)는 보조 배기 덕트(940)의 외기를 제1유입량 또는 이보다 큰 제2유입량으로 조절한다. 일 예에 의하면, 기류 조절 부재(950)는 밸브 또는 팬일 수 있다.
흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)의 개방율을 조절한다. 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)에서 셔터(980)와 감압 부재(920) 사이에 위치된다. 이에 따라 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)에서 셔터(980)와 감압 부재(920) 간 사이 공간의 압력을 조절 가능하다. 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)를 제1개방율 또는 이보다 큰 제2개방율로 조절한다.
측정 부재(960)는 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 측정한다. 측정 부재(960)는 셔터(980)와 감압 부재(920) 사이에 위치된다. 측정 부재(960)는 셔터(980)와 흡기 조절 부재(970) 사이에 위치된다. 예컨대, 측정 부재(960)는 압력 센서일 수 있다.
제어기(990)는 측정 부재(960)로부터 측정된 배기 정보를 근거로 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 일정하게 유지시킨다. 제어기(990)는 배기 정보를 근거로 기류 조절 부재(950) 또는 기류 조절 부재(950)와 함께 흡기 조절 부재(970)를 제어하여 그 배기량을 일정하게 유지시킨다.
다음은 기류 조절 부재(950)를 이용하여 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 일정하게 유지시키는 방법에 대해 설명한다. 메인 배기 덕트(930)는 셔터(980)에 의해 배기량이 설정량을 가지도록 개방되고, 기류 조절 부재(950)는 외기가 제1유입량으로 유입되도록 보조 배기 덕트(940)를 개방한다. 공정 공간에 발생된 공정 부산물은 메인 배기 덕트(930)를 통해 배기된다. 시간이 지남에 따라 셔터(980) 및 메인 배기 덕트(930)에는 공정 부산물이 부착되고, 메인 배기 덕트(930)의 개방율은 작아진다. 이에 따라 측정 부재(960)에 의해 측정된 측정량은 설정량에 비해 줄어든다. 기류 조절 부재(950)는 외기가 제1유입량보다 큰 제2유입량으로 유입되도록 보조 배기 덕트(940)를 개방한다. 제2유입량의 외기에 의해 셔터(980) 및 메인 배기 덕트(930)에 부착된 공정 부산물은 제거된다. 공정 부산물이 모두 제거되면, 측정량은 제2유입량에 의해 설정량보다 크다. 기류 조절 부재(950)는 외기를 다시 제1유입량만큼 유입되도록 보조 배기 덕트(940)를 개방하여 그 측정량과 설정량을 일치시킨다.
다음은 흡기 조절 부재(970)를 이용하여 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 일정하게 유지시키는 방법에 대해 설명한다. 메인 배기 덕트(930)는 셔터(980)에 의해 배기량이 설정량을 가지도록 개방되고, 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)를 제1개방율로 개방한다. 기판 처리 공정은 수행된다. 공정 공간에 발생된 공정 부산물은 메인 배기 덕트(930)를 통해 배기된다. 시간이 지남에 따라 공정 부산물은 셔터(980) 및 메인 배기 덕트(930)에 부착되고, 메인 배기 덕트(930)의 개방율은 작아진다. 이에 따라 측정 부재(960)에 의해 측정된 측정량은 설정량에 비해 줄어든다. 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)를 제2개방율로 개방하고, 셔터(980)에는 흡기 조절 부재(970)의 제1개방율에 비해 강한 음압이 제공된다. 이로 인해 셔터(980) 및 메인 배기 덕트(930)에 부착된 공정 부산물은 제거된다. 공정 부산물이 모두 제거되면 측정량은 제2개방율에 의해 설정량보다 크다. 흡기 조절 부재(970)는 메인 배기 덕트(930)를 다시 제1개방율로 개방하여 그 측정량과 설정량을 일치시킨다.
상술한 제2실시예에는 기류 조절 부재(950) 또는 기류 조절 부재(950)와 함께 흡기 조절 부재(970)를 제어하여 셔터(980) 및 메인 배기 덕트(930)에 부착된 공정 부산물을 제거하는 것으로 설명하였다. 그러나 기류 조절 부재(950)없이 흡기 조절 부재(970)만을 이용하여 부착된 공정 부산물을 제거할 수 있다.
또한 제2실시예에는 셔터(980)의 동작없이 기류 조절 부재(950) 및 흡기 조절 부재(970)를 이용하여 메인 배기 덕트(930)의 배기량을 조절하고, 그 조절된 양을 통해 셔터(980)에 부착된 공정 부산물을 제거할 수 있다.
또한 본 실시예의 배기 어셈블리(900)는 베이크 챔버(420)에 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며. 기판(W)을 처리하는 공간 및 압력을 조절해야하는 공간이라면 다양하게 적용 가능하다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)와 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.
웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 기판(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.
스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.
이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다.
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 기판(W)을 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.
810: 하우징
812: 처리 공간
900: 배기 어셈블리 920: 감압 부재와;
930: 메인 배기 덕트 940: 보조 배기 덕트
950: 기류 조절 부재 960: 측정 부재
990: 제어기
900: 배기 어셈블리 920: 감압 부재와;
930: 메인 배기 덕트 940: 보조 배기 덕트
950: 기류 조절 부재 960: 측정 부재
990: 제어기
Claims (16)
- 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되,
상기 배기 어셈블리는,
상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재와;
상기 감압 부재 및 상기 하우징을 서로 연결하는 메인 배기 덕트와;
상기 메인 배기 덕트에 기류가 공급되도록 상기 메인 배기 덕트에 연결되는 보조 배기 덕트와;
상기 보조 배기 덕트에 유입되는 기류의 유입량을 조절하는 기류 조절 부재를 포함하되,
상기 보조 배기 덕트와 상기 메인 배기 덕트의 연결 영역은 상기 하우징과 상기 감압 부재 사이에 위치되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서.
상기 배기 어셈블리는,
상기 메인 배기 덕트의 배기량을 측정하는 측정 부재와;
상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 기류 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 측정 부재는 상기 메인 배기 덕트에서 상기 메인 배기 덕트 및 상기 연결 영역과 상기 하우징 사이에 위치되고,
상기 감압 부재에 의한 감압량은 상기 유입량 및 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량을 합한 값으로 제공되는 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
상기 보조 배기 덕트는 외부와 통하는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메인 배기 덕트에는 상기 메인 배기 덕트의 개방율을 조절하는 셔터가 제공되지 않는 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 기류 조절 부재는 팬을 포함하는 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 기류 조절 부재는 유량 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 가열하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치. - 하우징 내에 처리 공간을 배기하는 방법에 있어서,
상기 하우징에는 메인 배기 덕트가 연결되고, 상기 메인 배기 덕트에 설치된 감압 부재에 의한 감압에 의해 상기 처리 공간이 배기되되,
상기 처리 공간의 배기량은 상기 메인 배기 덕트에 연결된 보조 배기 덕트에 공급되는 기류의 유입량에 의해 조절되는 배기 방법. - 제9항에 있어서,
상기 처리 공간에서 공정 진행 중에는 상기 유입량 및 상기 배기량의 합이 일정하게 제공되는 배기 방법. - 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 처리 공간은 베이크 공정을 수행하는 공간으로 제공되는 배기 방법. - 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되,
상기 배기 어셈블리는,
상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재와;
상기 감압 부재 및 상기 하우징을 서로 연결하는 메인 배기 덕트와;
상기 메인 배기 덕트의 개방율을 조절하는 셔터와;
상기 메인 배기 덕트에 연결되며, 외부와 통하는 보조 배기 덕트를 포함하되,
상기 연결 영역은 상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 하우징 사이에 위치되며,
상기 보조 배기 덕트와 상기 메인 배기 덕트의 연결 영역은 상기 셔터와 인접한 영역으로 제공되는 기판 처리 장치. - 제12항에 있어서,
상기 배기 어셈블리는,
상기 메인 배기 덕트의 배기량을 측정하는 측정 부재와;
상기 보조 배기 덕트의 외부 기류를 제1유입량 또는 상기 제1유입량보다 큰 제2유입량으로 조절하는 기류 조절 부재와;
상기 측정 부재 및 상기 기류 조절 부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 기류 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치. - 제13항에 있어서,
상기 측정 부재는 상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 감압부재 사이에 위치되고,
상기 제어기는 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량이 설정량과 일치하면 상기 외부 기류를 상기 제1유입량으로 조절하고, 상기 측정량이 상기 설정량보다 작으면 상기 외부 기류가 상기 제2유입량으로 조절하도록 상기 측정 부재 및 상기 기류 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치. - 제14항에 있어서,
상기 베기 어셈블리는,
상기 메인 배기 덕트에서 상기 셔터와 상기 감압 부재 사이에 위치되며, 상기 메인 배기 덕트를 제1개방율 또는 상기 제1개방율보다 큰 제2개방율로 조절하는 흡기 조절 부재를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 측정 부재로부터 전달된 배기 정보를 근거로 상기 흡기 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치. - 제15항에 있어서,
상기 제어기는 상기 측정 부재에 의해 측정된 측정량이 설정량과 일치하면 상기 메인 배기 덕트를 상기 제1개방율로 조절하고, 상기 측정량이 상기 설정량보다 작으면 상기 메인 배기 덕트를 상기 제2개방율로 조절하도록 상기 측정 부재 및 상기 흡기 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150160528A KR102534608B1 (ko) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150160528A KR102534608B1 (ko) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170056990A true KR20170056990A (ko) | 2017-05-24 |
| KR102534608B1 KR102534608B1 (ko) | 2023-05-22 |
Family
ID=59051584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150160528A KR102534608B1 (ko) | 2015-11-16 | 2015-11-16 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102534608B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180133067A (ko) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040012066A (ko) * | 2002-07-31 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 개선된 배기구조를 갖는 반도체 제조설비용 진공설비 |
| KR20090058774A (ko) | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 세메스 주식회사 | 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판처리 장치 |
| KR20100020421A (ko) * | 2008-08-12 | 2010-02-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억매체 |
| KR20150080212A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
-
2015
- 2015-11-16 KR KR1020150160528A patent/KR102534608B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040012066A (ko) * | 2002-07-31 | 2004-02-11 | 삼성전자주식회사 | 개선된 배기구조를 갖는 반도체 제조설비용 진공설비 |
| KR20090058774A (ko) | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 세메스 주식회사 | 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판처리 장치 |
| KR20100020421A (ko) * | 2008-08-12 | 2010-02-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억매체 |
| KR20150080212A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180133067A (ko) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102534608B1 (ko) | 2023-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180000928A (ko) | 가열 처리 유닛, 이를 갖는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR102397846B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101935945B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102315662B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101895404B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR102516725B1 (ko) | 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR20190004494A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101935940B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR20170024211A (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 | |
| KR102534608B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 배기 방법 | |
| KR101909481B1 (ko) | 베이크 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR101870655B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102037915B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20170056224A (ko) | 베이크 장치 및 베이크 방법 | |
| KR101885567B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101768518B1 (ko) | 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법 | |
| KR101885101B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20220043418A (ko) | 배기 어셈블리 및 기판 처리 장치 | |
| KR20180124199A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR20190034725A (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 | |
| KR102156897B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
| KR101870651B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101895405B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102444878B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101853373B1 (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |