JP2019186265A - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019186265A JP2019186265A JP2018071298A JP2018071298A JP2019186265A JP 2019186265 A JP2019186265 A JP 2019186265A JP 2018071298 A JP2018071298 A JP 2018071298A JP 2018071298 A JP2018071298 A JP 2018071298A JP 2019186265 A JP2019186265 A JP 2019186265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- adhesive member
- support substrate
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 371
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 80
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 80
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
被処理基板Wは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであって、接合面Wjに複数のデバイスが形成されている。
支持基板Sは、被処理基板Wを支持する。支持基板Sとしては、例えばガラス基板などを用いることができる。なお、支持基板Sは、紫外線を透過する材料からなるものであれば特に限定されず、例えば石英板やサファイヤ板などを用いてもよい。
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
22 ウェハ搬送装置
30 接合装置
31 紫外線処理装置
32 加工装置
40 制御装置
101 接合ユニット
151 紫外線照射ユニット
160 チャック
161 紫外線照射部
170 研削ユニット
200 処理装置
201 チャック
202 紫外線照射部
210 接着剤除去部
220 熱処理装置
221 熱板
222 加熱機構
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
Claims (16)
- 接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理システムであって、
前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に当接し、当該被処理基板を成形する基板成形部と、
前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給するエネルギー供給部と、を有することを特徴とする、基板処理システム。 - 前記エネルギー供給部は、前記支持基板を介して前記接着部材に紫外線を照射し、
前記支持基板は紫外線を透過する材料からなることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記エネルギー供給部は、前記接着部材を加熱することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記基板成形部は、中心部を外周部に比べて前記支持基板と反対側に突出させた凸形状、又は中心部を外周部に比べて前記支持基板側に窪ませた凹形状に、前記被処理基板を成形することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記接着部材を介して前記被処理基板と前記支持基板を接合処理する接合部を有し、
前記接合部における接合処理中に、前記基板成形部による前記被処理基板の成形と前記エネルギー供給部による前記接着部材へのエネルギー供給とが、それぞれ行われることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記基板成形部で成形された前記被処理基板の非接合面を研削する研削部を有し、
前記研削部は、前記被処理基板の形状に合わせて当該被処理基板の保持状態を調整して、前記非接合面を研削することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記基板成形部で前記被処理基板を成形した際、前記被処理基板と前記支持基板の外側面から外方にはみ出した前記接着部材を除去する接着部材除去部を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理方法であって、
前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に基板成形部を当接させて、当該被処理基板を成形する基板成形工程と、
前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給し、当該接着部材を硬化させるエネルギー供給工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記エネルギー供給工程において、前記支持基板を介して前記接着部材に紫外線を照射し、
前記支持基板は紫外線を透過する材料からなることを特徴とする、請求項8に記載の基板処理方法。 - 前記エネルギー供給工程において、前記接着部材を加熱することを特徴とする、請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記基板成形工程において、前記基板成形部は、中心部を外周部に比べて前記支持基板と反対側に突出させた凸形状、又は中心部を外周部に比べて前記支持基板側に窪ませた凹形状に、前記被処理基板を成形することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記接着部材を介して前記被処理基板と前記支持基板を接合処理する接合工程を有し、
前記接合工程における接合処理中に、前記基板成形工程と前記エネルギー供給工程とがそれぞれ行われることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板成形工程で成形された前記被処理基板の非接合面を研削する研削工程を有し、
前記研削工程において、前記被処理基板の形状に合わせて当該被処理基板の保持状態を調整して、前記非接合面を研削することを特徴とする、請求項8〜12のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板成形工程において、前記被処理基板と前記支持基板の外側面から外方にはみ出した前記接着部材を除去することを特徴とする、請求項8〜13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 請求項8〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項15に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018071298A JP2019186265A (ja) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR1020190027591A KR20190116056A (ko) | 2018-04-03 | 2019-03-11 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018071298A JP2019186265A (ja) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019186265A true JP2019186265A (ja) | 2019-10-24 |
JP2019186265A5 JP2019186265A5 (ja) | 2021-05-06 |
Family
ID=68171755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018071298A Pending JP2019186265A (ja) | 2018-04-03 | 2018-04-03 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019186265A (ja) |
KR (1) | KR20190116056A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021077712A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2023238809A1 (ja) * | 2022-06-08 | 2023-12-14 | タツモ株式会社 | 接合装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102321016B1 (ko) * | 2020-01-13 | 2021-11-03 | (주)제이쓰리 | 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006509376A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 応力下の構造体の組立により複合構造体を作製する方法 |
JP2013058569A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
JP2014226749A (ja) * | 2013-05-22 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP2016210075A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | 信越エンジニアリング株式会社 | 貼合デバイスの製造方法及び貼合デバイスの製造装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6226774B2 (ja) | 2014-02-25 | 2017-11-08 | 日本碍子株式会社 | 複合基板の製法及び複合基板 |
-
2018
- 2018-04-03 JP JP2018071298A patent/JP2019186265A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-11 KR KR1020190027591A patent/KR20190116056A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006509376A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 応力下の構造体の組立により複合構造体を作製する方法 |
JP2013058569A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
JP2014226749A (ja) * | 2013-05-22 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP2016210075A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | 信越エンジニアリング株式会社 | 貼合デバイスの製造方法及び貼合デバイスの製造装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021077712A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP7400360B2 (ja) | 2019-11-06 | 2023-12-19 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2023238809A1 (ja) * | 2022-06-08 | 2023-12-14 | タツモ株式会社 | 接合装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190116056A (ko) | 2019-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101915441B1 (ko) | 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템 | |
JP5593299B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5547147B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5752639B2 (ja) | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20130111533A (ko) | 접합시스템, 기판 처리 시스템, 접합방법, 프로그램 및 컴퓨터 저장매체 | |
JP2019186265A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5538282B2 (ja) | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6584532B2 (ja) | 研削装置および研削方法 | |
JP2010155297A (ja) | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 | |
WO2013035620A1 (ja) | 接合方法及び接合システム | |
JP5797167B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5528405B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム | |
JP5905509B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6145060B2 (ja) | 接合方法、接合システムおよび接合装置 | |
JP6145061B2 (ja) | 接合システムおよび接合方法 | |
JP5781988B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5427856B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム | |
JP5869960B2 (ja) | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6141212B2 (ja) | 処理液ノズル及び塗布処理装置 | |
JP6955904B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5552466B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム | |
JP6363249B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6247995B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP2014056910A (ja) | 塗布処理装置、接合システム、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210329 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220816 |