JP6226774B2 - 複合基板の製法及び複合基板 - Google Patents
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Description
(a)支持基板の所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で前記支持基板の一方の面を研磨することにより、前記一方の面を他方の面に対して傾斜した傾斜面とする工程と、
(b)前記支持基板の傾斜面に圧電基板を接合して貼り合わせ基板とする工程と、
(c)前記貼り合わせ基板の前記圧電基板のうち前記支持基板の傾斜面と接合している面とは反対側の露出面が前記支持基板の他方の面と平行になるように前記圧電基板を加工する工程と、
(d)前記貼り合わせ基板のうち前記支持基板の前記所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で前記圧電基板の厚みが均一になるように前記圧電基板を研磨する工程と、
を含むものである。
図1の製造工程図にしたがって複合基板10を作製した。具体的な手順を以下に説明する。
図4に示すように、実施例1のシリコン基板の代わりに両面が鏡面のシリコン基板を用い、そのシリコン基板と両面が鏡面のLT基板とを直接接合して貼り合わせ基板を作製し、その貼り合わせ基板のLT基板側をグラインダーで研削し、ラップ研磨したあと、錘を用いることなく最終的にLT基板の厚みが25μmとなるようにCMP研磨した。得られた複合基板のLT基板の形状を測定したところ、LT基板の厚さのバラツキは8.2%であった。
Claims (6)
- (a)支持基板の所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で前記支持基板の一方の面を研磨することにより、前記一方の面を他方の面に対して傾斜した傾斜面とする工程と、
(b)前記支持基板の傾斜面に圧電基板を接合して貼り合わせ基板とする工程と、
(c)前記貼り合わせ基板の前記圧電基板のうち前記支持基板の傾斜面と接合している面とは反対側の露出面が前記支持基板の他方の面と平行になるように前記圧電基板を加工する工程と、
(d)前記貼り合わせ基板のうち前記支持基板の前記所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で前記圧電基板の厚みが均一になるように前記圧電基板を研磨する工程と、
を含む複合基板の製法。 - 前記工程(a)では、研磨定盤と基板キャリアとの間に前記支持基板を挟み込み、該支持基板と前記研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給し、前記基板キャリアに載せた錘により前記支持基板の前記所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で、前記基板キャリアにより前記支持基板を前記研磨定盤に押し付けながら前記基板キャリアを自転運動させて研磨を行う、
請求項1に記載の複合基板の製法。 - 前記工程(b)では、前記支持基板の傾斜面に圧電基板を有機接着剤を介して接合するか直接接合により接合して貼り合わせ基板とする、
請求項1又は2に記載の複合基板の製法。 - 前記工程(c)では、前記圧電基板をグラインダーで研削するか又はグラインダーで研削したあとラップ研磨する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の複合基板の製法。 - 前記工程(d)では、研磨定盤と基板キャリアとの間に前記圧電基板が前記研磨定盤に接触するように前記貼り合わせ基板を挟み込み、該貼り合わせ基板と前記研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給し、前記基板キャリアに載せた錘により前記所定の外周箇所に偏荷重をかけた状態で、前記基板キャリアにより前記貼り合わせ基板の前記圧電基板を前記研磨定盤に押し付けながら前記基板キャリアを自転運動させて研磨を行う、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合基板の製法。 - 一方の面が他方の面に対して傾斜した傾斜面である支持基板と、
前記傾斜面に接合された厚さが均一な圧電基板と、
を備えた複合基板。
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