JP2019169516A - 半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法 - Google Patents

半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法 Download PDF

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Abstract

【課題】製造精度を向上できる半導体装置の突き上げ装置及び製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態の半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法は、粘着シートの表面側に接着される半導体素子を裏面側から突き上げる突き上げ面を形成し、同心に配置する複数の昇降ブロックを備えている。最外周の枠形状の昇降ブロックの突き上げ面の外側端に半導体素子の角部を突き上げる複数の凸部が設けられる。最外周の昇降ブロックを突き上げた際に、半導体素子の角部から凸部の頂部まで接着する粘着シートが剥離される。角部から粘着シートを剥離した後、枠形状の昇降ブロックのうちの外側から順次、昇降ブロックの上昇動作又は下降動作により、半導体素子の外周側から粘着シートを剥離する。【選択図】図１

Description

実施形態は、半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法に関する。
半導体素子の組み立て工程において、搬送装置は、ダイシングされた半導体素子（半導体チップ）を粘着シートから剥離し、リードフレームに実装する。搬送装置には、半導体チップを突き上げる突き上げ装置が備えられている。
米国特許出願公開第2013/0071220号明細書
製造精度を向上できる半導体装置の突き上げ装置及び突き上げ方法を提供する。
本実施形態に係る半導体装置の突き上げ装置は、粘着シートの表面側に接着される半導体素子を粘着シートを介して裏面側から突き上げる突き上げ面を有する昇降テーブルを含む。昇降テーブルの突き上げ面の外側端に配置される複数の凸部を備える。複数の凸部は、昇降テーブルによって半導体素子を突き上げた際に、半導体素子の角部に頂部を押し当て、角部から頂部まで接着する粘着シートを半導体素子から剥離する。
本実施形態に係る半導体装置の突き上げ方法は、粘着シートの表面側に接着される半導体素子を、前記粘着シートの裏面側から突き上げる突き上げ面を有する複数の昇降ブロックで構成される昇降テーブルによる突き上げ方法であって、前記昇降テーブルの突き上げ面の外側端に配置される複数の凸部を前記半導体素子の角部を突き上げて、前記凸部の頂部から前記半導体素子の端部まで接着する前記粘着シートを剥離し、前記粘着シートの剥離に続いて、前記枠昇降ブロック群のうちの外側の昇降ブロックから順次、前記昇降ブロックの上昇動作又は下降動作を行い、前記半導体素子の外周側から内側に向かい前記粘着シートを剥離する。
一実施形態に係る半導体装置の突き上げ装置の概念的な構成を示す図である。 一実施形態に係る突き上げ装置の昇降ブロックの外観構成の一例を示す図である。 第１昇降ブロックに設けられた凸部の外観形状の一例を示す図である。 第１昇降ブロックに設けられた凸部の断面形状の一例を示す図である。 第１昇降ブロックに設けられた凸部の変形例の外観形状を示す図である。 第１昇降ブロックに設けられた凸部の変形例の断面形状を示す図である。 凸部が設けられた最外周の昇降ブロックと半導体チップと位置関係を説明するための図である。 一実施形態に係る突き上げ装置の昇降ブロックの動作を説明するためのフローチャートである。 一実施形態に係る突き上げ装置の昇降ブロックの待機状態を示す図である。 一実施形態に係る待機状態の時の半導体チップにおける粘着シートの剥離状態を示す図である。 突き上げ装置における第１の突き上げ形態を示す図である。 第１の突き上げ形態における半導体チップに対する粘着シートの剥離状態を示す図である。 突き上げ装置における上昇した第２の突き上げ形態を示す図である。 第２の突き上げ形態における半導体チップに対する粘着シートの剥離状態を示す図である。 突き上げ装置における第３の突き上げ形態を示す図である。 第３の突き上げ形態における半導体チップに対する粘着シートの剥離状態を示す図である。 突き上げ装置における第４の突き上げ形態を示す図である。 第４の突き上げ形態における半導体チップに対する粘着シートの剥離状態を示す図である。 昇降ブロックの昇降動作の変形例としての突き上げ装置の昇降ブロックの待機状態を示す図である。 突き上げ装置における変形例としての第１の突き上げ形態を示す図である。 突き上げ装置における変形例としての第２の突き上げ形態を示す図である。 突き上げ装置における変形例としての第３の突き上げ形態を示す図である。 突き上げ装置における変形例としての第４の突き上げ形態を示す図である。 昇降ブロックの昇降動作の変形例としての昇降ブロックの動作を説明するためのフローチャートである。 昇降ブロックに設けられる凸部の第１の変形例の外観形状を示す図である。 昇降ブロックに設けられる凸部の第２の変形例の外観形状を示す図である。
以下、図面を参照して実施形態について詳細に説明する。
［装置構成］
まず、図１を参照して、一実施形形態に係る半導体装置を製造する装置の一例として、半導体チップ［半導体素子］の突き上げ装置を有する搬送装置を挙げて説明する。
半導体装置の組み立て工程において、粘着シート、例えばダイシングテープに貼付された半導体ウエハがダイシング装置により切削処理され、粘着シート上で複数の半導体チップに分離される。このダイシングテープとして、例えば、ダイアタッチフィルムを有する一体型の粘着シートも本実施形態に適用でき、粘着シートから半導体チップとダイアタッチフィルムを一体的に剥離してもよい。この搬送装置１は、個々の半導体チップを粘着シートから剥離し、リードフレームに実装する、所謂、ピックアップ装置である。
搬送装置１は、大別すると、突き上げ装置１００と搬送機構２００とを含む。
突き上げ装置１００は、粘着シート４側から半導体チップ５を突き上げて、粘着シート４より一部を剥離する。搬送機構２００は、突き上げられた半導体チップ５を吸着して、目標位置、例えばリードフレーム上に搬送する。
突き上げ装置１００は、昇降テーブル２、昇降装置３、駆動制御部６、シート押え装置１０、及びテーブル移動装置１１を備える。概念的に説明すると、昇降テーブル２は、粘着シート４から半導体チップ５を上方に突き上げる。昇降装置３は、昇降テーブル２の後述する複数の昇降ブロックを個別に昇降する。駆動制御部６は、昇降装置３を駆動制御する。シート押え装置１０は、昇降テーブル２上で半導体チップ５を接着する粘着シート４に張力を与える。テーブル移動装置１１は、ピックアップする半導体チップ５の真下に昇降テーブル２を移動させる。
搬送機構２００は、移送コレット７と、吸引部８と、搬送アクチュエータ９とを備えている。移送コレット７は、突き上げられた半導体チップ５を吸着し粘着シート４から剥離してピックアップする。吸引部８は、移送コレット７に半導体チップ５を吸着させる吸引力を与える。搬送アクチュエータ９は、吸着した半導体チップ５を、例えばリードフレーム（図示せず）等に移送する。
また、制御部１２は、突き上げ装置１００及び搬送機構２００の各構成部位を制御する。尚、この装置構成では、指定された半導体チップ５の真下に昇降テーブル２を移動してピックアップさせる構成例であるが、反対に、粘着シート４を移動させて、昇降テーブル２の真上に指定された半導体チップ５を移動させる構成例であってもよい。また、以下に説明する例では、半導体チップ５を上方向に突き上げる構成例として説明するが、突き出し方向は上方向に限定されるものではなく、例えば、横方向や下方向に突き出す構成であってもよい。
以下、搬送装置１の上述した各構成部位について詳細に説明する。まず、図１及び図２を参照して、昇降テーブル２及び昇降装置３の構成について説明する。
昇降テーブル２は、それぞれに昇降する複数の昇降ブロックを含む。本実施形態では、４つの昇降ブロック２１，２２，２３，２４を一例として説明する。昇降テーブル２の中央に配置される矩形の昇降ブロック２４［第１の昇降ブロック］を取り囲むように横方向の外側に向かって、枠形状の昇降ブロック２３，２２，２１［枠昇降ブロック群］が配置される。例えば、組み上げた昇降ブロック２１，２２，２３，２４は、それぞれの中心が同じである場合には、これらは同心の方形の形状となる。勿論、昇降ブロックは枠形状が同じで大小関係を有して、枠の径方向に嵌め込まれるのであれば、枠形状が矩形に限定されるものではない。また、昇降ブロックは、４個に限定されるものではない。
昇降ブロック２４［第１昇降ブロック］は、テーブル中央に配置され、矩形形状の突き上げ面を有する。そして昇降ブロック２４は、昇降装置３から延びる支持部２４ａにより支持され昇降される。
昇降ブロック２３［第２昇降ブロック］は、昇降ブロック２４の外側を取り囲む矩形の枠形状を有する。そして昇降ブロック２３は、昇降装置３から延びる支持部２３ａにより支持され昇降される。同様に、同じ枠形状の昇降ブロック２２［第３昇降ブロック］及び最外周の昇降ブロック２１［第４昇降ブロック］が昇降ブロック２３から外側に向かい取り囲むように配置されている。昇降ブロック２１，２２においても、昇降装置３から延びる支持部２１ａ，２２ａにより支持され昇降される。
図１に示すように、枠昇降ブロック群の昇降ブロック２２，２３，２４は、その各上面（突き上げ面）により平坦なテーブル面が形成されるように配置される。最外周の昇降ブロック２１は、後述する凸部の頂部が昇降ブロック２２，２３，２４の各上面と同じ高さ又は、凸部の頂部が昇降ブロック２２，２３，２４の各上面より僅かに高くなるように配置する。昇降テーブル２は、この図１に示す昇降ブロック２１，２２，２３，２４の配置を基準位置とし、且つ突き上げ動作の待機状態とする。
昇降テーブル２の各四隅、すなわち、最外周に配置される昇降ブロック２１の上面の各四隅には、凸部２５が設けられている。これらの凸部２５は、例えば、図３Ａ，図３Ｂに示すように断面が楕円形又は円形となる半球形状を成している。また、他の例としては、図４Ａ，図４Ｂに示すように、円錐台の形状を成して上部に平坦な当接面（突き上げ面）を有する凸部２６であってもよい。この他にも円筒形状であってもよく、上面は円形平面でも又は、丸めた球形状に形成してもよい。尚、断面形状は、半円形状、半楕円形状、台形形状又は、四角形状である。
また、最外周の昇降ブロック２１は、少なくとも上部の外形が四角錐台の形状に形成される。つまり、凸部２５よりも外側の側面を傾斜させた斜面２１ｂとして形成する。斜面２１ｂにより、剥離されて斜め下方に向かう粘着シート４が昇降ブロック２１の上面角に接触しないように構成されている。
昇降装置３は、例えば、油圧アクチュエータや空気圧アクチュエータ等の駆動源や、リニアモータや電動モータ及びリンク機構によるモータを用いる駆動源を利用して、各昇降ブロック２１，２２，２３，２４を個別に昇降させる。昇降装置３は、制御部１２からの制御信号に基づく駆動制御部６の指示により、それぞれの昇降ブロック２１，２２，２３，２４が昇降動作する。
移送コレット７は、先端側に吸着面７ａが設けられ、その面内に開口部７ｂが設けられている。吸着面７ａは、半導体チップ５を粘着シート４から剥離する際に、半導体チップ５に局所的な負荷を加えないように、チップサイズに近い面サイズを有していることが好ましい。開口部７ｂは、吸着面７ａの面中央に１つの開口を設けてもよいし、面内に複数個に分散して開口を設けてもよい。開口部７ｂは、移送コレット７を貫通する吸引通路７ｃを通じて、吸引部８に連結される。吸引部８は、例えば、吸引ポンプが用いられ、移送コレット７の吸引通路７ｃ内の空気を吸引して、開口部７ｂを負圧状態にする。半導体チップ５は、開口部７ｂに接することで吸着面７ａに吸着される。
搬送アクチュエータ９は、移送コレット７を上下移動及び水平移動させるアーム部を備えている。搬送アクチュエータ９は、制御部１２の制御により、搬送対象となる半導体チップ５に移送コレット７の吸着面７ａを吸着させる。その後、搬送アクチュエータ９は、吸着している半導体チップ５を粘着シート４から剥離して取り出し、アーム部で移動させて、指定された箇所、例えば、リードフレームに搬送する。
昇降テーブル２が突き上げられると、後述するように、半導体チップの端部から粘着シート４の剥離が開始される。シート押え装置１０は、半導体チップ５が剥離しやすいように、粘着シート４の浮き上がりを抑制する。
また、シート押え装置１０は、粘着シート４から半導体チップ５が剥がれやすいようにテンションを掛けてもよい。このテンションは、粘着シート４の両端を引っ張ってもよいし、粘着シート４の裏面側（半導体チップの非載置面側）を吸引してもよい。また、粘着シート４は、半導体チップ５が突き上げられた際に、粘着シート４が有する復元力、すなわち、弾性力又は伸縮性により剥離が促進するであれば、必ずしもテンションを掛けることは必須ではない。
［突き上げ動作及び搬送動作］
次に、図５、図６及び図７Ａ，図７Ｂ乃至図１１Ａ，図１１Ｂを参照して、半導体チップ５に対する昇降ブロック２１の凸部２５による突き上げ動作と粘着シート４の剥離について説明する。図６は、実施形態に係る突き上げ装置の昇降ブロックの動作を説明するためのフローチャートである。以下にて、図６のフローチャートを参照しながら説明を行う。
まず、図７Ａに示すように、昇降テーブル２が基準位置に待機した待機状態で、搬送対象となる半導体チップ５の下方に移動する（ステップＳ１）。ここでいう待機状態は、昇降ブロック２１の凸部２５の頂部が粘着シート４の裏面に近接する位置まで下降し、昇降ブロック２２，２３，２４の上面（突き上げ面）は、昇降テーブル２の移動の障害とならないように、凸部２５の頂部と同じ位置又は僅かに下降した位置で待機する。この時、図６Ｂに示すように、半導体チップ５の裏面は、全面が粘着シート４に接着している状態となっている。
次に、図７Ａに示すように、第１の突き上げ形態として、昇降テーブル２（昇降ブロック全体）が予め設定されたブロック突上量を上昇し、半導体チップ５が突き上げられる（ステップＳ２）。
この最初の昇降テーブル２の昇降によって、昇降ブロック２１の凸部２５を含み半導体チップ５の突き上げが行われる。通常、粘着シート４から矩形の半導体チップ５を剥離させる場合の応力は、チップ四隅の部分に集中する。そこで、本実施形態では、最外周の昇降ブロック２１の四隅に凸部２５を設けて、半導体チップ５の側端、特に矩形の四隅において、僅かな粘着シート４の剥離を生じさせる。これは、最初の突き上げにおいて、半導体チップ５の四隅から僅かに粘着シート４を剥離しておくことで、次の突き上げの際に、チップ四隅に掛かる応力を低減させることができる。引き続き、順次、昇降ブロック２２〜２４が半導体チップ５の剥離箇所が内側へ移動するように面で突き上げを行い、チップ内側へ向かって環状に粘着シート４を剥離させることで、部分的に生じる応力を半導体チップ５の内側に移動させている。
よって、半導体チップ５を粘着シート４から剥離させる際に、応力の発生が段階的及び時系列的に分散し、応力の発生領域がチップ中央へ向かって移動する。このため、本実施形態の昇降テーブル２は、従来の突き上げピンのように、一度の突き上げにより半導体チップ５を粘着シート４より剥離するよりも、半導体チップ５の端部及び内部への損傷をより低減させることができる。
また、昇降ブロック２１の凸部２５による半導体チップ５からの粘着シート４の剥離は、端部から僅かな剥がれが生じていれば、後続する突き上げ時には、半導体チップ５の角部より内側で剥離が始まるため、半導体チップ５の端部に掛かる応力が低減できる。本実施形態における剥離される粘着シート４の距離Ｌは、実測によれば、半導体チップ５の角部（又は、外周端：チップの辺）から凸部２５の頂部までの０＜Ｌ＜０．５mm程度である。好ましくは、半導体チップ５の角部から凸部２５の頂部までの０．２５mmを剥離する。この距離Ｌは、半導体チップ５の厚さやシリコン基板の強度によって変更される。
例えば、図５に示すように、半導体チップ５と昇降ブロック２１のサイズが同じであった場合には、昇降ブロック２１の外端から０＜Ｌ＜０．５mmの範囲内に凸部２５の頂部が配置されればよい。
また、半導体チップ５が粘着シート４から剥離するための最初の昇降テーブル２の上昇距離（高さ）、すなわち昇降ブロック２１が突き上げるブロック突上量ｈについて説明する。図５に示すように、半導体チップ５の側端面と凸部２５の頂部との距離Ｌとし、昇降ブロック２１のブロック突上量ｈとする。距離Ｌとブロック突上量ｈの関係は、シミュレーションから、比率＝ブロック突上量ｈ／距離Ｌとして、０．５以上〜１．２以下がよい。この比率に基づいて、例えば、距離Ｌが０．２５mmの場合、最初のブロック突上量ｈは、０．１２mm〜０．３mmの範囲内となる。勿論、これらの数値は、粘着シート４からの剥離のしやすさ、例えば、粘着強度等によって変更される数値であり、少なくとも最初の突き上げ時に昇降ブロック２１の凸部２５により、半導体チップ５の端部から粘着シート４が剥離されていればよい。
次に、図８Ａに示すように、第２の突き上げ形態として、昇降ブロック２２，２３，２４を上昇させて、半導体チップ５を、さらに突き上げる（ステップＳ３）。この時、図８Ｂに示すように、粘着シート４は、半導体チップ５から昇降ブロック２１の突き上げ面に相当する外周剥離領域Ｒ２が剥離する。
引き続き、図９Ａに示すように、第３の突き上げ形態として、昇降ブロック２３，２４をさらに上昇させて、半導体チップ５を突き上げる（ステップＳ４）。この時、図９Ｂに示すように、粘着シート４は、半導体チップ５から昇降ブロック２１，２２の突き上げ面に相当する外周剥離領域Ｒ３が剥離する。
さらに、図１０Ａに示すように、第４の突き上げ形態として、昇降ブロック２４をさらに上昇させて、半導体チップ５を突き上げる（ステップＳ５）。この時、図１０Ｂに示すように、粘着シート４は、半導体チップ５から昇降ブロック２１，２２，２３の突き上げ面に相当する外周剥離領域Ｒ４が剥離する。このように、昇降ブロック２１，２２，２３を順次、内周側の昇降ブロックを上昇させて、半導体チップ５を段階的に突き上げる。本実施形態においては、突き上げ前の接着面積を移送コレット７で吸着する時には、半分程度の接着領域に減少させている。尚、剥離させる領域は、昇降ブロックの上面の大きさを変更することで適宜、変更することができる。
昇降ブロック２４に突き上げられた半導体チップ５は、移送コレット７に吸着されて持ち上げられて、粘着シート４と剥離され、所定の位置まで搬送される（ステップＳ６）。その後、昇降ブロック２４が下降し、昇降ブロック２１，２２，２３と共に、図６Ａに示した待機状態に復帰する。
［本実施形態に係る作用及び効果］
以上説明した本実施形態の搬送装置１は、最初に半導体チップ５を面で突き上げ、最外周の昇降ブロック２１に設けた凸部２５によって、半導体チップ５の四隅から僅かに粘着シート４を剥離させる。その後、順次、チップ内側に向かって縮小していく昇降ブロック２１〜２４の突き上げ面で突き上げて、段階的に剥離を進行させる。このため、従来の押し上げピンの点による一度の突き上げに対して、複数回にわたり、徐々に縮小する昇降ブロック２１〜２４の面で突き上げるため、粘着シート４の剥離の際に作用する応力を分散させることができる。従って、搬送装置１は、突き上げピンで支障が無かった従来の半導体チップよりも厚さが薄い半導体チップ５に対して、外周端の欠けやひび割れを回避することができる。
さらに、応力を面で与えることで、応力の集中を無くし、半導体チップ５内部に生じるクラックの発生を抑制することができる。これにより、半導体チップ５を半導体素子として製品化した後に、内部クラックによる耐久性の劣化を回避し、製品寿命まで高品質に性能を維持することができる。また、本実施形態は、突き上げ装置としての形態であるため、種々の装置に適用でき、既設の搬送装置に対しても、従来の突き上げピンによるピックアップ機構を置き換えることができる。
［実施形態の昇降テーブルにおける昇降動作の変形例］
次に図１２Ａ乃至図１２Ｅを参照して、昇降テーブル２の昇降ブロック２１〜２４の昇降動作の変形例について説明する。図１３は、昇降ブロックの昇降動作の変形例としての昇降ブロックの動作を説明するためのフローチャートである。以下にて、図１３を参照しながら説明を行う。
まず、図１２Ａに示すように、昇降テーブル２が基準位置に待機した待機状態で、搬送対象となる半導体チップ５の下方に移動する（ステップＳ１１）。この待機状態は、前述した実施形態と同様であり、昇降ブロック２１のみが、凸部２５の頂部が粘着シート４の裏面に接しない近接位置まで下降し、昇降ブロック２２，２３，２４は、凸部２５の頂部と同じ面位置に待機する状態となる。この時、図７Ｂに示したと同様に、半導体チップ５の裏面は、全面が粘着シート４に接着している状態となっている。
次に、図１２Ｂに示すように、第１の突き上げ形態として、昇降テーブル２が予め設定されたブロック突上量を上昇し、半導体チップ５が突き上げられる（ステップＳ１２）。前述した図８Ｂに示したと同様に、粘着シート４は、半導体チップ５の外側端から凸部２５の頂部まで剥離して、剥離領域Ｒ１が生じる。この時、例えば、粘着シート４は、半導体チップ５の外周端から凸部２５の頂部までの０＜Ｌ＜０．５mm程度が剥離する。好ましくは、半導体チップ５の外周端から凸部２５の頂部までの０．２５mmを剥離する。
次に、図１２Ｃに示すように、第２の突き上げ形態として、最外周の昇降ブロック２１のみが下降する。半導体チップ５は、昇降ブロック２２，２３，２４に突き上げられた状態を維持する（ステップＳ１３）。この昇降ブロック２１の下降により、粘着シート４は、前述したテンションや弾性力によって、半導体チップ５の内側に向かって昇降ブロック２２まで、さらに剥がれて、図９Ｂに示した外周剥離領域Ｒ２が剥離する。
次に、図１２Ｄに示すように、第３の突き上げ形態として、昇降ブロック２２が下降する。半導体チップ５は、昇降ブロック２３，２４に突き上げられた状態を維持する（ステップＳ１４）。この時、昇降ブロック２２に接着していた粘着シート４が前述したテンションや弾性力によって、半導体チップ５の内側に向かって昇降ブロック２３まで剥がれ、図１０Ｂに示した外周剥離領域Ｒ３が剥離する。
引き続き、図１２Ｅに示すように、第４の突き上げ形態として、昇降ブロック２３が下降する。半導体チップ５は、昇降ブロック２４のみにより突き上げられた状態を維持する（ステップＳ１５）。この時、昇降ブロック２３に接着していた粘着シート４が半導体チップ５の内側に向かって昇降ブロック２４まで剥がれ、図１１Ｂに示した外周剥離領域Ｒ４が剥離する。
この例では、昇降ブロック２１，２２，２３を順次、外周側の昇降ブロックから下降させて、突き上げ前の接着面積を移送コレット７で吸着する時には、半分以下の接着領域に減少させている。
昇降ブロック２４に突き上げられた半導体チップ５は、移送コレット７に吸着されて取り出され、粘着シート４と剥離されて所定の位置まで搬送される（ステップＳ１６）。その後、昇降ブロック２４が下降し、図１２Ａに示した待機状態に復帰する。
以上説明した本変形例によれば、一旦、半導体チップ５を面で突き上げて、最初に半導体チップ５の四隅から僅かに剥離した後、順次、外側の昇降ブロック２１，２２，２３を下降させる。これらの下降動作により、粘着シート４が半導体チップ５の外側から内側に向かって、段階的に剥離を進行させる。これにより、前述した実施形態の作用効果に加えて、順次、内側に向かい昇降ブロックで粘着シート４を突き上げて剥離するよりも、小さい突き上げ量（上昇距離）を一定に維持しながら、粘着シート４を外側から環状的に剥離することができる。
［第１の変形例］
次に、図１４を参照して、昇降ブロックに設けられる凸部の第１の変形例について説明する。本変形例において、前述した実施形態の昇降テーブル２における凸部の形状のみが異なり、同じ構成部材には同じ参照符号を付して、その詳細な説明は省略する。
第１の変形例は、昇降テーブル２の最外の昇降ブロック３１に畝形状又はリブ形状の切れ目のないライン状に突起する凸部３２を形成した構成である。凸部３２の断面は、前述した図３Ｂに示す半楕円形状や半円形状又は、図４Ｂに示す台形形状が適用できる。
第１の変形例によれば、粘着シート４は、半導体チップ５の四隅から剥離され、半導体チップ５の辺方向に剥離する位置が移動していく。
また、粘着シート４は、最初の突き上げ時に、半導体チップ５の四隅だけではなく、辺側に至るまで剥離することができる。つまり、次の突き上げの際に、半導体チップ５の辺側においても、辺側端よりも内側から粘着シート４の剥離が開始される。よって、昇降ブロック３１の凸部３２が、粘着シート４を介して、線又は細い帯状に当接して半導体チップ５を突き上げるため、最初の粘着シート４の剥離の際に作用する応力を分散させることができる。さらに、引き続き行われる次の突き上げ時にも、半導体チップ５の辺側端よりも内側から粘着シート４の剥離が開始されて、より確実に半導体チップ５の辺側端における欠けやひび割れを回避することができる。
［第２の変形例］
次に、図１５を参照して、昇降ブロック３１に設けられる凸部の第２の変形例について説明する。本変形例において、前述した実施形態の昇降テーブル２における凸部の形状のみが異なり、同じ構成部材には同じ参照符号を付して、その詳細な説明は省略する。
第２の変形例は、昇降テーブル２の最外の昇降ブロック３１が複数の凸部３３が線状に配置する構成である。凸部３３の断面は、前述した図３Ｂに示す半楕円形状や半円形状又は、図４Ｂに示す台形形状が適用できる。
第２の変形例によれば、昇降ブロック３１の凸部３２が粘着シート４を介して、点線状に当接して半導体チップ５を突き上げるため、従来の突き上げピンによる突き上げよりも粘着シート４の剥離の際に作用する応力を分散させることができる。また、前述した第１の変形例における効果と同等の効果を奏することができる。
以上、実施形態及び変形例について説明したが、これらの実施形態及び変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態及び変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１…搬送装置、２…昇降テーブル、３…昇降装置、４…粘着シート、５…半導体チップ、６…駆動制御部、７…移送コレット、７ａ…吸着面、７ｂ…開口部、７ｃ…吸引通路、８…吸引部、９…搬送アクチュエータ、１０…シート押え装置、１１…テーブル移動装置、１２…制御部、２１，２２，２３，２４，３１…昇降ブロック、２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ…支持部、２１ｂ…斜面、２５，２６，３２，３３…凸部、１００…突き上げ装置、２００…搬送機構、Ｒ１…剥離領域、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…外周剥離領域。

Claims (9)

  1. 粘着シートの表面側に接着される半導体素子を、前記粘着シートの裏面側から突き上げる突き上げ面を有する昇降テーブルと、
    前記昇降テーブルの突き上げ面の外側端に配置され、前記昇降テーブルによって前記半導体素子を突き上げた際に、前記粘着シートの裏面を介して前記半導体素子の角部に頂部を押し当てることにより、前記角部から前記頂部まで接着する前記粘着シートを前記半導体素子から剥離する複数の凸部と、
    を備える、半導体装置の突き上げ装置。
  2. 前記昇降テーブルは、前記突き上げ面を形成する上面を有する複数の昇降ブロックを含み、
    前記複数の昇降ブロックは、前記突き上げ面の中央に配置される第１昇降ブロックと、
    前記昇降ブロックを取り囲む枠形状を成す複数の昇降ブロックを含む枠昇降ブロック群と、を具備し、
    前記凸部は、前記最外周の前記昇降ブロックの各角部に形成される、請求項１に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  3. 前記凸部は、断面が半楕円形又は半円形となる半球形状、断面が台形となる円錐台形状又は、断面が四角となる円筒形状のいずれかの形状を有する、請求項１に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  4. 突き上げ時の前記半導体素子の角部と前記凸部の頂部との距離Ｌは、０＜Ｌ＜０．５ｍｍである、請求項１に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  5. 前記昇降テーブルは、少なくとも上部側面が斜面を成す錐台形状に形成される、請求項１に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  6. 前記突き上げ装置は、前記第１昇降ブロック及び前記枠昇降ブロック群を昇降させる昇降装置を備え、
    前記昇降装置は、
    前記半導体素子への初回の突き上げ時に、前記第１昇降ブロックと前記枠昇降ブロック群とで前記半導体素子を突き上げて、少なくとも前記凸部で前記半導体素子の角部において前記粘着シートを剥離し、
    前粘着シートの剥離に続て、前記枠昇降ブロック群の外側から順次、昇降ブロックを突き上げる上昇動作を行い、前記半導体素子の外周側から内側に向かい、枠状に前記粘着シートを剥離する、請求項２に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  7. 前記突き上げ装置は、前記第１昇降ブロック及び前記枠昇降ブロック群を昇降させる昇降装置を備え、
    前記昇降装置は、
    前記半導体素子への初回の突き上げ時に、前記第１昇降ブロックと前記枠昇降ブロック群とで前記半導体素子を突き上げて、少なくとも前記凸部で前記半導体素子の角部において前記粘着シートを剥離し、
    前粘着シートの剥離に続て、前記枠昇降ブロック群の外側から順次、昇降ブロックを下降する下降動作を行い、前記半導体素子の外周側から内側に向かい、枠状に前記粘着シートを剥離する、請求項２に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  8. 前記粘着シートは、ダイアタッチフィルムを有する粘着シートであり、前記粘着シートから前記半導体素子及び前記ダイアタッチフィルムを剥離する、請求項１に記載の半導体装置の突き上げ装置。
  9. 粘着シートの表面側に接着される半導体素子を、前記粘着シートの裏面側から突き上げる突き上げ面を有する複数の昇降ブロックで構成される昇降テーブルによる半導体装置の突き上げ方法であって、
    前記昇降テーブルの突き上げ面の外側端に配置される複数の凸部を前記半導体素子の角部を突き上げて、前記凸部の頂部から前記半導体素子の端部まで接着する前記粘着シートを剥離し、
    前記粘着シートの剥離に続いて、前記枠昇降ブロック群のうちの外側の昇降ブロックから順次、前記昇降ブロックの上昇動作又は下降動作を行い、
    前記半導体素子の外周側から内側に向かい前記粘着シートを剥離する、半導体装置の突き上げ方法。
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