KR101322516B1 - 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 - Google Patents

다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101322516B1
KR101322516B1 KR1020120009360A KR20120009360A KR101322516B1 KR 101322516 B1 KR101322516 B1 KR 101322516B1 KR 1020120009360 A KR1020120009360 A KR 1020120009360A KR 20120009360 A KR20120009360 A KR 20120009360A KR 101322516 B1 KR101322516 B1 KR 101322516B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
ejecting
dicing tape
region
unit
Prior art date
Application number
KR1020120009360A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130088245A (ko
Inventor
허광철
허준영
이희철
박성수
장재민
Original Assignee
한국기술교육대학교 산학협력단
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기술교육대학교 산학협력단, 세메스 주식회사 filed Critical 한국기술교육대학교 산학협력단
Priority to KR1020120009360A priority Critical patent/KR101322516B1/ko
Publication of KR20130088245A publication Critical patent/KR20130088245A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101322516B1 publication Critical patent/KR101322516B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

다이 본딩 장치에 있어서, 적어도 하나의 다이로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프를 하방으로 전체적으로 에어 흡착한 후, 상기 다이의 에지에 해당하는 제1 영역의 아래에 배치된 제1 이젝팅 핀을 상승시켜, 상기 제1영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제1 높이로 상승시킨다. 이어서, 상기 제1영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역의 아래에 배치된 이젝팅 블록을 상승시켜, 상기 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시킨다. 따라서, 다이싱 테이프로부터 다이를 선택적으로 분리할 경우 상기 다이에 발생할 수 있는 크랙이 억제될 수 있다.

Description

다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치{METHOD OF EJECTING A DIE FROM A WAFER, DIE EJECTING UNIT AND DIE BONDING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 다이 본딩 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼로부터 다이를 이젝팅하는 다이 이젝팅 방법, 상기 방법을 구현하기 위한 다이 이젝팅 유닛 및 상기 다이 이젝팅 유닛을 포함하며 상기 다이를 웨이퍼로부터 픽업하여 기판 상에 부착시키는 다이 본딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정을 통해 분할될 수 있으며 다이 본딩 공정을 통해 기판 상에 본딩될 수 있다.
상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 장치는 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼로부터 다이를 픽업하여 기판 상에 부착시키기 위한 다이 본딩 장치를 포함할 수 있다. 상기 다이 본딩 장치는 상기 웨이퍼가 부착된 웨이퍼 링을 지지하는 스테이지 유닛과 상기 스테이지 유닛에 지지된 웨이퍼로부터 선택적으로 다이를 분리시키기 위하여 수직 방향으로 이동 가능하게 설치된 다이 이젝팅 유닛과 상기 웨이퍼로부터 상기 다이를 픽업하여 기판 상에 부착시키기 위한 픽업 유닛을 포함할 수 있다.
상기와 같은 다이 이젝팅 유닛은 상기 다이의 두께가 작아질수록 상기 다이 이젝팅 유닛에 포함된 이젝팅 핀이 상기 다이를 물리적으로 접촉함으로써 상기 다이에 물리적인 충격이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 다이에 크랙 등과 같은 파괴가 발생함으로써 상기 다이의 불량이 발생하는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 다이에 충격의 발생을 억제할 수 있는 다이 이젝팅 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 다이에 충격의 발생을 억제할 수 있는 다이 이젝팅 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 다이에 충격의 발생을 억제할 수 있는 다이 본딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 다이 이젝팅 방법에 있어서, 적어도 하나의 다이로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프를 하방으로 전체적으로 에어 흡착한 후, 상기 다이의 에지에 해당하는 제1 영역의 아래에 배치된 제1 이젝팅 핀을 상승시켜, 상기 제1영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제1 높이로 상승시킨다. 이어서, 상기 제1영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역의 아래에 배치된 이젝팅 블록을 상승시켜, 상기 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시킨다. 여기서, 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시키는 것은 상기 제2 영역을 국부적으로 에어 흡착하는 것과 동시에 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 방법은 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제3 높이로 상승시키는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛은 적어도 하나의 다이로 분할되며 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼의 하부에 배치되며, 내부에 수직방향으로 형성된 제1 진공홀, 중공 및 상기 중공을 둘러싸는 제1 핀 홀들이 형성된 몸체, 상기 제1 핀 홀들을 관통하여 승강하며, 상기 다이의 에지부인 제1 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대해 제1 높이로 상승시키는 제1 이젝팅 핀들 및 상기 중공을 관통하여 승강하며, 상기 제1 영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시키는 이젝팅 블록을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛은 상기 제1 이젝팅 핀들 및 상기 이젝팅 블록을 각각 상기 몸체의 상면으로부터 승강시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이젝팅 블록의 내부에는 상기 제1 진공홀과 연통되어 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하도록 구비된 적어도 하나의 제2 진공홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이젝팅 블록의 중심부에는 제2 핀 홀이 형성되고, 상기 다이 이젝팅 유닛은 상기 제2 핀 홀을 통하여 승강하며 상기 다이의 중심부를 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시키는 제2 이젝팅 핀을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치는, 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프와 상기 다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼 링을 지지하는 스테이지 유닛, 상기 스테이지 유닛에 지지된 상기 웨이퍼 아래에 배치되며, 상기 다이들을 선택적으로 상기 다이싱 테이프로부터 분리시키기 위하여 수직 방향으로 이동 가능하게 구성된 다이 이젝팅 유닛 및 상기 다이 이젝팅에 의해 선택된 적어도 하나의 다이를 픽업하여 기판에 부착시키기 위한 픽업 유닛을 포함하고,
상기 다이 이젝팅 유닛은, 적어도 하나의 다이로 분할되며 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼의 하부에 배치되며, 내부에 수직방향으로 형성된 제1 진공홀, 중공 및 상기 중공을 둘러싸는 제1 핀 홀들이 형성된 몸체, 상기 제1 핀 홀들을 관통하여 승강하며, 상기 다이의 에지부인 제1 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대해 제1 높이로 상승시키는 제1 이젝팅 핀들 및 상기 중공을 관통하여 승강하며, 상기 제1 영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시키는 이젝팅 블록을 포함한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 다이 본딩 장치에 있어서, 다이의 에지에 해당하는 제1 영역을 먼저 상승시킨 후, 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시킴에 따라 상기 제1 영역에 집중된 응력이 분산될 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역에 대하여 발생할 수 있는 크랙이 억제될 수 있다. 결과적으로 상기 제2 영역이 상승함에 따라 상기 다이의 제1 영역에 집중된 응력이 상기 제2 영역으로 분산됨에 따라 상기 다이에 발생할 수 있는 크랙 등과 같이 파손이 억제될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 A 부분을 확대한 사시도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도2의 다이 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들에 따른 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 다이 본딩 장치를 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 방법에 있어서, 먼저, 복수의 다이로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프를 하방으로 공기 흡착한다(S110). 따라서, 상기 다이싱 테이프가 전체적으로 평평하게 흡착된다. 예를 들면, 상기 공기 흡착을 수행하기 위하여, 상기 다이싱 테이프 아래에 복수의 진공홀들을 통하여 인접하는 공기가 유입됨에 따라 상기 진공홀이 형성된 몸체가 전체적으로 다이싱 테이프를 지지할 수 있다.
이어서, 상기 다이의 에지에 해당하는 제1 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 제1 높이로 상대적으로 상승시킨다. 상기 제1 영역은 상기 다이의 에지부에 해당한다. 예를 들면 상기 제1 영역은 폐쇄된 띠 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 영역을 상승시키기 위하여, 상기 제1 영역의 아래에 배치된 제1 이젝팅 핀들이 상승할 수 있다. 상기 제1 이젝팅 핀들은 상호 동일한 간격으로 이격된다. 또한 상기 제1 이젝팅 핀들은 상기 제1 영역에 대응되는 위치에 배치된다. 이때 상기 제1 이젝팅 핀들이 상기 제1 높이로 상승함에 따라 상기 제1 영역에는 국부적으로 응력이 집중될 수 있다.
이어서, 상기 제1 영역에 둘러싸인 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 상대적으로 상승시킨다(S120). 예를 들면, 상기 제2 영역의 하방에 배치된 이젝팅 블록이 상승하여 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상대적으로 상승시킨다.
따라서, 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시킴에 따라 상기 제1 영역에 집중된 응력이 분산될 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역에 대하여 발생할 수 있는 크랙이 억제될 수 있다. 결과적으로 상기 제2 영역이 상승함에 따라 이전 단계인 S110에서 상기 다이의 제1 영역에 집중된 응력이 상기 제2 영역으로 분산됨에 따라 상기 다이에 발생할 수 있는 크랙 등과 같이 파손이 억제될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 낮을 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 높이가 약 300㎛ 내지 400㎛일 경우, 상기 제2 높이는 약 250㎛ 내지 350㎛ 일 수 있다. 상기 제2 높이가 상기 제1 높이보다 높을 경우, 상기 응력의 분산이 효율적이지 않음에 따라 상기 다이에 크랙과 같은 불량이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시키는 동안 상기 제2 영역의 일부를 국부적으로 에어 흡착할 수 있다. 예를 들면, 상기 이젝팅 블록이 상승하는 동안 상기 이젝팅 블록 내에 형성된 진공홀을 통하여 상기 다이싱 테이프를 흡착할 수 있다. 따라서, 상기 이젝팅 블록이 상승하면서 동시에 상기 진공홀이 상기 다이싱 테이프를 흡착함에 따라 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 영역에 해당하는 다이를 추가적으로 분리할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 제3 높이로 상승시킨다. 예를 들면, 상기 중심부의 아래에 배치된 제2 이젝팅 핀이 상승하여 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 상승시킨다. 따라서, 상기 제2 이젝팅 핀에 인접하는 진공홀을 통하여 다이싱 테이프를 흡착하면서 동시에 제2 이젝팅 핀이 상승함에 따라 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 상기 다이싱 테이프로부터 분리할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 다이 이젝팅 방법에 있어서, 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시킴에 따라 상기 제1 영역에 집중된 응력이 분산될 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역에 대하여 발생할 수 있는 크랙이 억제될 수 있다. 결과적으로 상기 제2 영역이 상승함에 따라 상기 다이의 제1 영역에 집중된 응력이 상기 제2 영역으로 분산됨에 따라 상기 다이에 발생할 수 있는 크랙 등과 같이 파손이 억제될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 A 부분을 확대한 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛(100)은 몸체(110), 제1 이젝팅 핀들(130) 및 이젝팅 블록(150)을 포함한다. 상기 다이 이젝팅 유닛(100)은 상기 다이로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 필름의 아래에 배치된다. 상기 다이 이젝팅 유닛(100)은 상기 다이(12)를 선택적으로 상기 다이싱 필름으로부터 분리시킨다.
상기 몸체(110)는 상기 다이싱 필름의 아래에 배치된다. 특히, 상기 몸체(110)는 선택된 다이(12)의 아래에 배치된다. 상기 몸체(110)에는 수직 방향으로 형성된 제1 진공홀들(111), 중공(115) 및 상기 중공(115)을 둘러싸도록 형성된 제1 핀 홀들(113)이 각각 형성된다. 상기 제1 진공홀들(111)은 진공 펌프(미도시)와 연결되어 상기 제1 진공홀들(111)을 통하여 상기 다이싱 필름을 진공 흡착할 수 있다. 상기 중공(115)에는 상기 이젝팅 블록(150)이 장착된다. 또한 상기 제1 핀 홀들(113)에는 상기 제1 이젝팅 핀들(130)이 장착된다.
상기 제1 이젝팅 핀들(130)은 상기 제1 핀 홀들(113)을 각각 관통하여 승강하도록 구비된다. 상기 제1 이젝팅 핀들(130)은 상기 다이(12)의 에지부인 제1 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대해 제1 높이로 상승시킨다.
상기 이젝팅 블록(150)은 상기 중공(115)을 관통하여 승강하도록 구비된다. 상기 이젝팅 블록(150)은 상기 제1 영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시킨다. 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 상대적으로 낮다.
상기 제1 이젝팅 핀들(130)이 상기 제1 영역을 상승시킬 경우, 상기 다이의 에지부에 해당하는 제1 영역에 국부적으로 응력이 집중된다. 이 후, 상기 이젝팅 블록(150)이 상기 제2 높이로 상기 제2 영역을 상승시킴에 따라 상기 집중된 응력이 분산된다. 따라서, 상기 다이(12)에 발생할 수 있는 크랙과 같은 불량 발생이 억제될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이젝팅 블록(150)의 내부에는 상기 제1 진공홀(111)과 연통되어 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하도록 구비된 적어도 하나의 제2 진공홀들(151)이 형성된다. 따라서, 상기 제2 진공홀들(151)을 통하여 상기 다이싱 테이프를 흡착함과 동시에 상기 이젝팅 블록(150)이 상기 제2 영역을 승강시킴에 따라 상기 다이(12)를 상기 다이싱 테이프로부터 추가적으로 분리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이젝팅 블록(150)의 중심부에는 제2 핀 홀들(157)이 형성된다. 또한, 상기 다이 이젝팅 유닛(100)은 상기 제2 핀 홀들(157) 내에 장착되는 제2 이젝팅 핀들(170)을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 이젝팅 핀들(170)은 상기 제2 핀 홀들(157) 내에서 각각 승강하며 상기 다이(12)의 중심부를 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시킬 수 있다. 한편, 제2 이젝팅 핀들(170) 사이에는 제2 진공 홀(151)이 형성된다. 상기 제2 진공홀(151)을 통하여 상기 다이싱 필름을 흡착하고 동시에 상기 제2 이젝팅 핀들(170)이 상기 다이(12)의 중심부를 상승시킴에 따라 상기 다이(12)를 상기 다이싱 테이프로부터 추가적으로 분리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 유닛(100)은 구동부(180)를 더 포함할 수 있다. 상기 구동부(180)는 상기 제1 이젝팅 핀들(130) 및 상기 이젝팅 블록(150)을 각각 상기 몸체(110)의 상면으로부터 승강시킨다. 상기 구동부(180)는 예를 들면 캠 구동 방식으로 상기 제1 이젝팅 핀들(130) 및 상기 이젝팅 블록(150)을 각각 승강시킬 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도2의 다이 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 복수의 다이(12)로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프(22) 아래에 상기 다이 이젝팅 유닛(100)이 위치한다. 이후, 상기 다이싱 테이프(22)를 상기 몸체(110)에 형성된 제1 진공홀(111)을 통하여 공기 흡착한다. 따라서, 상기 다이싱 테이프(22)가 전체적으로 상기 몸체(110)의 상면에서 평탄하게 흡착된다. 결과적으로 상기 몸체(110)가 전체적으로 다이싱 테이프(22)를 지지할 수 있다.
상기 다이의 에지부에 해당하는 제1 영역의 아래에 배치된 제1 이젝팅 핀들(130)이 상기 제1 핀 홀들(113)을 통하여 상승한다. 따라서, 상기 제1 영역이 상기 다이싱 테이프(22)로부터 부분적으로 분리될 수 있다. 이때 상기 제1 이젝팅 핀들(130)이 상기 제1 높이로 상승함에 따라 상기 제1 영역에는 국부적으로 응력이 집중될 수 있다. 여기서, 상기 제1 이젝팅 핀들(130)은 상기 제1 영역을 상기 다이싱 테이프(22)에 대하여 제1 높이로 상대적으로 상승시킨다. 예를 들면 상기 제1 영역은 폐쇄된 띠 형상을 가질 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 이젝팅 블록(150)이 상기 몸체(110)의 상면으로부터 제2 높이로 상승함으로써, 상기 제1 영역에 둘러싸인 제2 영역을 상기 다이싱 테이프(22)에 대하여 상대적으로 상승시킨다.
따라서, 상기 이젝팅 블록(150)이 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프(22)에 대하여 상승시킴에 따라 상기 제1 영역에 집중된 응력이 분산될 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역에 대하여 발생할 수 있는 크랙이 억제될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 영역을 상기 다이싱 테이프(22)에 대하여 상승시키는 동안 상기 이젝팅 블록(150) 내에 형성된 제2 진공홀(151)을 통하여 상기 제2 영역의 일부를 국부적으로 에어 흡착할 수 있다. 따라서, 상기 이젝팅 블록(150)이 상승하면서 동시에 상기 제2 진공홀(151)이 상기 다이싱 테이프를 흡착함에 따라 상기 다이싱 테이프(22)로부터 상기 제2 영역에 해당하는 다이(22)를 추가적으로 분리할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 상기 다이(12)의 중심부에 해당하는 상기 이젝팅 블록(150) 내의 중심부에 형성된 제2 핀 홀들(157; 도 3 참조) 내에 장착된 제2 이젝팅 핀들(170)이 상기 몸체(110)의 상면으로부터 제3 높이로 상승함에 따라 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 상승시킨다. 따라서, 상기 제2 이젝팅 핀들(170)에 인접하는 제2 진공홀(151)을 통하여 다이싱 테이프(22)를 흡착하면서 동시에 제2 이젝팅 핀들(170)이 상승함에 따라 상기 제2 영역의 중심부를 추가적으로 상기 다이싱 테이프(22)로부터 분리할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 다이 본딩 장치(200)는 상기 복수의 다이들(12로 분할된 웨이퍼(10)가 부착된 다이싱 테이프(22)와 상기 다이싱 테이프(22)가 부착된 웨이퍼 링(20)을 지지하는 스테이지 유닛(210)과, 상기 스테이지 유닛(210)에 지지된 상기 웨이퍼(10) 아래에 배치되며 상기 다이들(12,14)을 선택적으로 상기 다이싱 테이프(22)로부터 분리시키기 위하여 수직 방향으로 이동 가능하게 구성된 다이 이젝팅 유닛(220)과, 상기 다이 이젝팅 유닛(220)에 의해 선택된 적어도 하나의 다이를 픽업하여 상기 제1 기판(30) 또는 제2 기판(40)에 부착시키기 위한 픽업 유닛(230)을 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼(10)는 다이들(12)을 포함할 수 있으며, 상기 픽업 유닛(230)은 상기 다이들(12) 중 적어도 하나를 기판(미도시) 상에 부착시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(10)의 하면에는 다이 어태치 필름(Die Attach Film; DAF, 미도시)이 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 다이들(12)을 상기 기판에 본딩을 위하여 상기 기판에 별도의 접착제 도포가 불필요하다. 즉, 상기 다이들은 열압착 방식으로 상기 다이들을 상기 기판에 본딩될 수 있다.
상기 스테이지 유닛(210)은 상기 웨이퍼 링(20)을 파지하기 위한 클램프(212)와 상기 다이싱 테이프(22)를 지지하기 위한 서포트 링(214)과 상기 클램프(212) 및 상기 서포트 링(214)이 장착되는 베이스 부재(216)를 포함할 수 있으며, 상기 다이 이젝터(220)는 상기 다이들(12,14)을 선택적으로 상기 다이싱 테이프(22)로부터 분리시키기 위하여 상기 베이스 부재(216)의 중앙 홀 내에 배치될 수 있다.
상기 클램프(212)는 상기 다이싱 테이프(22)를 신장시키기 위하여 상기 다이싱 테이프(22)가 상기 서포트 링(214)에 의해 지지된 상태에서 상기 웨이퍼 링(20)을 하방으로 이동시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 다이들(12) 사이의 간격이 확장될 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나, 상기 스테이지 유닛(210)은 직교 좌표 로봇과 같은 스테이지 구동 기구(미도시)에 의해 이동될 수 있다. 특히, 상기 스테이지 유닛(210)은 상기 웨이퍼(10)의 로드 및 언로드 동작 그리고 상기 다이들(12)의 선택을 위하여 상기 스테이지 구동 기구에 의해 위치가 조절될 수 있다. 즉, 상기 스테이지 유닛은 상기 픽업 유닛의 아래로 이동할 수 있다.
상기 다이 이젝팅 유닛(220)은 상기 스테이지 유닛(210)에 의하여 지지되는 웨이퍼에 분할된 다이(22)를 선택적으로 상기 다이싱 필름으로 분리시킨다. 상기 다이 이젝팅 유닛(220)은 도 2 내지도 도 4c를 참조로 설명하였으므로 이에 대한 추가적인 설명은 생략하기로 한다.
상기 픽업 유닛(230)은 진공을 이용하여 상기 다이들(12) 중 하나를 픽업하고 상기 기판 상에 상기 픽업된 다이를 부착시키는 피커(232)와 상기 피커(232)를 이송시키는 피커 구동 기구(234)를 포함할 수 있다. 상기 피커 구동 기구(234)는 상기 피커(232)를 수평 및 수직 방향으로 이동시킬 수 있다. 도시된 바에 의하면, 상기 픽업 유닛(230)이 하나의 피커(232)를 구비하고 있으나 이와 다르게 다수의 피커들이 구비될 수도 있다.
상기 픽업 유닛은 상기 다이 이젝팅 유닛이 상기 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 분리하기 전에 상기 다이를 가압할 수 있다. 따라서 상기 픽업 유닛은 상기 다이의 강성을 보완할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 웨이퍼 12 : 다이
100, 220 : 다이 이젝팅 유닛 110 : 몸체
130 : 제1 이젝팅 핀들 150 : 이젝팅 블록
170 : 제2 이젝팅 핀들 200 : 다이 본딩 유닛
210 : 스테이지 유닛 230 : 픽업 유닛

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 적어도 하나의 다이로 분할되며 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼의 하부에 배치되며, 내부에 수직방향으로 형성된 제1 진공홀, 중공 및 상기 중공을 둘러싸는 제1 핀 홀들이 형성된 몸체;
    상기 제1 핀 홀들을 관통하여 승강하며, 상기 다이의 에지부인 제1 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대해 제1 높이로 상승시키는 제1 이젝팅 핀들;
    상기 중공을 관통하여 승강하며, 상기 제1 영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시키는 이젝팅 블록; 및
    상기 이젝팅 블록의 중심부에는 제2 핀 홀이 형성되고, 상기 제2 핀 홀을 통하여 승강하며 상기 다이의 중심부를 상기 다이싱 테이프에 대하여 상승시키는 제2 이젝팅 핀을 포함하는 다이 이젝팅 유닛.
  6. 제5항에 이어서, 상기 제1 이젝팅 핀들 및 상기 이젝팅 블록을 각각 상기 몸체의 상면으로부터 승강시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 유닛.
  7. 제5항에 있어서, 상기 이젝팅 블록의 내부에는 상기 제1 진공홀과 연통되어 상기 다이싱 테이프를 진공 흡착하도록 구비된 적어도 하나의 제2 진공홀이 형성된 것을 특징으로 하는 다이 이젝팅 유닛.
  8. 삭제
  9. 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프와 상기 다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼 링을 지지하는 스테이지 유닛;
    상기 스테이지 유닛에 지지된 상기 웨이퍼 아래에 배치되며, 상기 다이들을 선택적으로 상기 다이싱 테이프로부터 분리시키기 위하여 수직 방향으로 이동 가능하게 구성된 다이 이젝팅 유닛; 및
    상기 다이 이젝팅에 의해 선택된 적어도 하나의 다이를 픽업하여 기판에 부착시키기 위한 픽업 유닛을 포함하고,
    상기 다이 이젝팅 유닛은, 적어도 하나의 다이로 분할되며 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼의 하부에 배치되며, 내부에 수직방향으로 형성된 제1 진공홀, 중공 및 상기 중공을 둘러싸는 제1 핀 홀들이 형성된 몸체;
    상기 제1 핀 홀들을 관통하여 승강하며, 상기 다이의 에지부인 제1 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대해 제1 높이로 상승시키는 제1 이젝팅 핀들; 및
    상기 중공을 관통하여 승강하며, 상기 제1 영역에 의하여 둘러싸인 상기 다이의 제2 영역을 국부적으로 상기 다이싱 테이프에 대하여 제2 높이로 상승시키는 이젝팅 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
KR1020120009360A 2012-01-31 2012-01-31 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 KR101322516B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120009360A KR101322516B1 (ko) 2012-01-31 2012-01-31 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120009360A KR101322516B1 (ko) 2012-01-31 2012-01-31 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130088245A KR20130088245A (ko) 2013-08-08
KR101322516B1 true KR101322516B1 (ko) 2013-10-28

Family

ID=49214607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120009360A KR101322516B1 (ko) 2012-01-31 2012-01-31 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101322516B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239104B2 (en) 2019-03-12 2022-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip ejecting apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102559271B1 (ko) * 2016-06-03 2023-07-25 세메스 주식회사 다이 본딩 장치
KR102037967B1 (ko) * 2018-05-30 2019-10-29 세메스 주식회사 다이 본딩 방법
KR102382558B1 (ko) * 2019-12-16 2022-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법
KR20210141243A (ko) * 2020-05-15 2021-11-23 양진석 전자 소자의 디본딩 장치 및 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184836A (ja) * 2000-12-11 2002-06-28 Toshiba Corp 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR20070069752A (ko) * 2005-12-28 2007-07-03 주식회사 하이닉스반도체 이 단계 픽업 방법 및 그 방법에 사용되는 돌출부
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
KR20080000452A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 삼성테크윈 주식회사 반도체 칩 픽업장치 및 방법
KR20090120208A (ko) * 2008-05-19 2009-11-24 삼성테크윈 주식회사 다이 공급 장치 및 이를 사용한 다이 공급 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184836A (ja) * 2000-12-11 2002-06-28 Toshiba Corp 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR20070069752A (ko) * 2005-12-28 2007-07-03 주식회사 하이닉스반도체 이 단계 픽업 방법 및 그 방법에 사용되는 돌출부
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
KR20080000452A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 삼성테크윈 주식회사 반도체 칩 픽업장치 및 방법
KR20090120208A (ko) * 2008-05-19 2009-11-24 삼성테크윈 주식회사 다이 공급 장치 및 이를 사용한 다이 공급 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239104B2 (en) 2019-03-12 2022-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip ejecting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130088245A (ko) 2013-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101190442B1 (ko) 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛, 다이 픽업 방법 및 다이 픽업 장치
KR101330479B1 (ko) 다이본더 및 픽업 장치
KR101322531B1 (ko) 반도체 소자들을 픽업하기 위한 장치
KR101322516B1 (ko) 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
US20120244647A1 (en) Pick-Up Method of Die Bonder and Die Bonder
KR102284149B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR101897825B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP2015076410A (ja) ボンディング方法及びダイボンダ
KR101322571B1 (ko) 반도체 소자들을 픽업하기 위한 장치
KR100643714B1 (ko) 칩 분리장치
TW202220088A (zh) 用於在焊接設備中傳送晶粒的裝置以及方法、焊接設備
KR102371543B1 (ko) 다이 픽업을 위한 정렬 좌표 설정 방법 및 이를 이용하는 다이 픽업 방법
TWI731450B (zh) 晶片退出裝置
KR102245805B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 픽업 장치
KR20180112489A (ko) 기판 지지 부재 및 이의 기판 디척킹 방법
KR20170030336A (ko) 다이 이젝팅 장치
KR102386339B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 이송 장치
KR102650876B1 (ko) 다이 이젝터의 높이 설정 방법
CN108666257B (zh) 元件剥离装置及元件剥离方法
KR20220006828A (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR102267953B1 (ko) 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR101435253B1 (ko) 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛 및 다이 픽업 장치
KR20140001476U (ko) 다이 이젝팅 유닛 및 다이 픽업 장치
KR102284150B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
KR102336914B1 (ko) 다이 이젝터 및 이를 포함하는 다이 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160928

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190925

Year of fee payment: 7