JP2019114748A - マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

【目的】マルチビーム描画のスループットの低下を抑制しながら、各ビーム間ピッチ領域をより多くの異なるビームによって描画することが可能な方法を提供する。【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、所定のショット数の荷電粒子ビームによるマルチビームショットを行う間、マルチビームの主偏向位置がステージの移動に追従するようにステージの移動方向にマルチビームの主偏向位置のトラッキング動作を行う工程と、トラッキング動作中に、マルチビームの各ビームが、試料の描画領域が前記マルチビームのビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数の矩形領域のそれぞれ異なる位置に、矩形領域間を跨ぐように、前記マルチビームの副偏向位置をシフトさせ、各矩形領域に所定のショット数でマルチビームのうちの複数のビームによりビームショットを行う工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図９

Description

本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、マルチビーム描画における個別ビームによる誤差の影響を小さくする手法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、マスクブランクスへ電子線を使ってマスクパターンを描画することが行われている。

例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、マスク像が縮小されて、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。

マルチビーム描画では、例えば、形成されるマルチビームの各ビーム間ピッチサイズで囲まれる領域は、それぞれ対応する１つのビームによる複数回のショットによって描画される。ビーム間ピッチがマルチビームを構成する各ビームのショットサイズのＮ倍のサイズであれば、ビーム間ピッチ領域内をすべてビームで埋めるためには、Ｎ×Ｎ回のショットが必要となる。一方、マスクを通過する穴の位置によって、形成される各ビームが持つビーム精度に差が生じてしまう場合がある。そのため、かかる各個別ビームの精度差によって、それぞれのビームで照射されるビーム間ピッチ領域の描画精度が異なってしまう。よって、各ビーム間ピッチ領域を１つのビームで描画するのではなく、できるだけ多くの異なるビームによって照射されるようにすることで、個別ビームの精度差に起因する描画誤差を平均化することが望ましい。

なお、マルチビーム描画では、１本１本のビーム毎に個別にビーム偏向を行うことは困難であるため、マルチビーム全体を一括して偏向器により偏向する。例えば、偏向振り幅が大きい主偏向器で各ビームが担当するビーム間ピッチ領域を固定し、偏向振り幅が小さい副偏向器でビーム間ピッチ領域内を偏向しながら複数のショットを行う。例えば、ステージの移動に追従するように主偏向器によるトラッキング制御によりビーム間ピッチ領域を固定し、副偏向器でビーム間ピッチ領域内の例えば１／４の領域を同じビームでショットすることが行われる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６−００１７２５号公報

ここで、各ビーム間ピッチ領域をさらに多くの異なるビームによって照射させるためには、主偏向器によって、担当ビーム間ピッチ領域を他のビーム間ピッチ領域に移動させる必要がある。主偏向器でマルチビームを偏向させるためには、その都度、整定時間（セトリング時間）と制御用のアイドリング時間とが必要となる。よって、トラッキングサイクルを短くして、他のビーム間ピッチ領域への移動回数を多くすると、トラッキングサイクルの都度発生するセトリング時間と制御用のアイドリング時間との影響がスループットに対して大きくなり、スループットが低下してしまうといった問題があった。

そこで、本発明の一態様は、マルチビーム描画のスループットの低下を抑制しながら、各ビーム間ピッチ領域をより多くの異なるビームによって描画することが可能な方法及び装置を提供する。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、
所定のショット数の荷電粒子ビームによるマルチビームショットを行う間、マルチビームの主偏向位置がステージの移動に追従するようにステージの移動方向にマルチビームの主偏向位置のトラッキング動作を行う工程と、
トラッキング動作中に、マルチビームの各ビームが、試料の描画領域が前記マルチビームのビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数の矩形領域のそれぞれ異なる位置に、矩形領域間を跨ぐように、前記マルチビームの副偏向位置をシフトさせ、各矩形領域に所定のショット数でマルチビームのうちの複数のビームによりビームショットを行う工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、第１の偏向器を用いて前記トラッキング動作を行い、
第２の偏向器を用いて、副偏向位置をシフトすると好適である。

或いは、第１の偏向器を用いてトラッキング動作を行うと共に、第１の偏向器を用いてステージの移動方向と直交する方向に副偏向位置のシフトを行い、
第２の偏向器を用いて、当該矩形領域内においてマルチビームの副偏向位置をシフトするように構成しても好適である。

また、各ビームがそれぞれ対応する矩形領域内で複数のビームショットを行う場合に、ショット毎に副偏向位置を矩形領域内の異なる位置にシフトさせる。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
試料を載置する、移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出源と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する成形アパーチャアレイ基板と、
マルチビームの主偏向位置がステージの移動に追従するようにステージの移動方向にマルチビームの主偏向位置のトラッキング動作を行う第１の偏向器と、
トラッキング動作中に、マルチビームの副偏向位置をシフトさせる第２の偏向器と、
前記トラッキング動作中に、マルチビームの各ビームが、試料の描画領域がマルチビームのビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数の矩形領域のそれぞれ異なる位置に、矩形領域間を跨ぐように、マルチビームの副偏向位置をシフトさせ、各矩形領域に所定のショット数でマルチビームのうちの複数のビームによりビームショットを行うように第１と第２の偏向器を制御する偏向制御回路と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、マルチビーム描画のスループットの低下を抑制しながら、各ビーム間ピッチ領域を描画する異なるビームのビーム数を増やすことができる。よって、個別ビームがもつ精度差に起因する描画誤差を平均化できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。 実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。 実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。 実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。 実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。 実施の形態１の比較例におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。 実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。 実施の形態１及び比較例における描画位置の一例を説明するための図である。 実施の形態１の変形例における描画位置の一例を説明するための図である。 実施の形態１の変形例における描画位置の他の一例を説明するための図である。 実施の形態２における描画位置の一例を説明するための図である。 実施の形態２におけるビーム偏向位置の補正方法を説明するための図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画機構１５０と制御系回路１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画機構１５０は、電子鏡筒１０２（マルチ電子ビームカラム）と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８（第１の偏向器）、及び副偏向器２０９（第２の偏向器）が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるレジストが塗布されたマスクブランクス等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。

制御系回路１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット１３２，１３４、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４及びブランキングアパーチャアレイ機構２０４が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２の出力は、副偏向器２０９に接続される。ＤＡＣアンプユニット１３４の出力は、主偏向器２０８に接続される。ステージ位置検出器１３９は、レーザ光をＸＹステージ１０５上のミラー２１０に照射し、ミラー２１０からの反射光を受光する。そして、かかる反射光の情報を使ったレーザ干渉の原理を利用してＸＹステージ１０５の位置を測定する。

制御計算機１１０内には、ラスタライズ部５０、照射量演算部５２、照射時間データ加工部５４、及び描画制御部５６が配置されている。ラスタライズ部５０、照射量演算部５２、照射時間データ加工部５４、及び描画制御部５６といった各「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「〜部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。ラスタライズ部５０、照射量演算部５２、照射時間データ加工部５４、及び描画制御部５６に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。

また、描画装置１００の外部から描画データが入力され、記憶装置１４０に格納される。描画データには、通常、描画するための複数の図形パターンの情報が定義される。具体的には、図形パターン毎に、図形コード、座標、及びサイズ等が定義される。或いは、図形パターン毎に、図形コード、及び各頂点座標等が定義される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、縦（ｙ方向）ｐ列×横（ｘ方向）ｑ列（ｐ，ｑ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２では、例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）に５１２×５１２列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ直径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。また、穴２２の配列の仕方は、図２のように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。例えば、縦方向（ｙ方向）ｋ段目の列と、ｋ＋１段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）ｋ＋１段目の列と、ｋ＋２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。

図３は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。
図４は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図３と図４において、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とパッド４３の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４は、図３に示すように、支持台３３上にシリコン等からなる半導体基板３１が配置される。基板３１の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈのメンブレン領域３３０（第１の領域）に加工されている。メンブレン領域３３０を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈの外周領域３３２（第２の領域）となる。メンブレン領域３３０の上面と外周領域３３２の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板３１は、外周領域３３２の裏面で支持台３３上に保持される。支持台３３の中央部は開口しており、メンブレン領域３３０の位置は、支持台３３の開口した領域に位置している。

メンブレン領域３３０には、図２に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれのビームの通過用の通過孔２５（開口部）が開口される。言い換えれば、基板３１のメンブレン領域３３０には、電子線を用いたマルチビームのそれぞれ対応するビームが通過する複数の通過孔２５がアレイ状に形成される。そして、基板３１のメンブレン領域３３０上であって、複数の通過孔２５のうち対応する通過孔２５を挟んで対向する位置に２つの電極を有する複数の電極対がそれぞれ配置される。具体的には、メンブレン領域３３０上に、図３及び図４に示すように、各通過孔２５の近傍位置に、該当する通過孔２５を挟んでブランキング偏向用の制御電極２４と対向電極２６の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、基板３１内部であってメンブレン領域３３０上の各通過孔２５の近傍には、各通過孔２５用の制御電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各ビーム用の対向電極２６は、グランド接続される。

また、図４に示すように、各制御回路４１は、制御信号用のｎビット（例えば１０ビット）のパラレル配線が接続される。各制御回路４１は、制御信号用のｎビットのパラレル配線の他、クロック信号線、読み込み（ｒｅａｄ）信号、ショット（ｓｈｏｔ）信号および電源用の配線等が接続される。クロック信号線、読み込み（ｒｅａｄ）信号、ショット（ｓｈｏｔ）信号および電源用の配線等はパラレル配線の一部の配線を流用しても構わない。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とによる個別ブランキング機構４７が構成される。また、図３の例では、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とが基板３１の膜厚が薄いメンブレン領域３３０に配置される。但し、これに限るものではない。また、メンブレン領域３３０にアレイ状に形成された複数の制御回路４１は、例えば、同じ行或いは同じ列によってグループ化され、グループ内の制御回路４１群は、図４に示すように、直列に接続される。そして、グループ毎に配置されたパッド４３からの信号がグループ内の制御回路４１に伝達される。具体的には、各制御回路４１内に、図示しないシフトレジスタが配置され、例えば、ｐ×ｑ本のマルチビームのうち例えば同じ行のビームの制御回路４１内のシフトレジスタが直列に接続される。そして、例えば、ｐ×ｑ本のマルチビームの同じ行のビームの制御信号がシリーズで送信され、例えば、ｐ回のクロック信号によって各ビームの制御信号が対応する制御回路４１に格納される。

図５は、実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。図５において、制御回路４１内には、アンプ４６（スイッチング回路の一例）が配置される。図５の例では、アンプ４６の一例として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ）インバータ回路が配置される。そして、ＣＭＯＳインバータ回路は正の電位（Ｖｄｄ：ブランキング電位：第１の電位）（例えば、５Ｖ）とグランド電位（ＧＮＤ：第２の電位）に接続される。ＣＭＯＳインバータ回路の出力線（ＯＵＴ）は制御電極２４に接続される。一方、対向電極２６は、グランド電位が印加される。そして、ブランキング電位とグランド電位とが切り替え可能に印加される複数の制御電極２４が、基板３１上であって、複数の通過孔２５のそれぞれ対応する通過孔２５を挟んで複数の対向電極２６のそれぞれ対応する対向電極２６と対向する位置に配置される。

ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）には、閾値電圧よりも低くなるＬ（ｌｏｗ）電位（例えばグランド電位）と、閾値電圧以上となるＨ（ｈｉｇｈ）電位（例えば、１．５Ｖ）とのいずれかが制御信号として印加される。実施の形態１では、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＬ電位が印加される状態では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）は正電位（Ｖｄｄ）となり、対向電極２６のグランド電位との電位差による電界により対応する電子ビーム２０を偏向し、制限アパーチャ基板２０６で遮蔽することでビームＯＦＦになるように制御する。一方、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＨ電位が印加される状態（アクティブ状態）では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）はグランド電位となり、対向電極２６のグランド電位との電位差が無くなり対応する電子ビーム２０を偏向しないので制限アパーチャ基板２０６を通過することでビームＯＮになるように制御する。

各通過孔を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立に対となる２つの制御電極２４と対向電極２６に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。具体的には、制御電極２４と対向電極２６の組は、それぞれ対応するスイッチング回路となるＣＭＯＳインバータ回路によって切り替えられる電位によってマルチビームの対応する電子ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向する。このように、複数のブランカーが、成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

次に描画装置１００における描画機構１５０の動作について説明する。電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、矩形の複数の穴（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴が含まれる領域を照明する。複数の穴の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。かかるマルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のそれぞれ対応するブランカー（第１の偏向器：個別ブランキング機構）内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム２０を偏向する（ブランキング偏向を行う）。

ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向された電子ビーム２０ａは、制限アパーチャ基板２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム２０ｂ〜２０ｅは、図１に示すように制限アパーチャ基板２０６の中心の穴を通過する。かかる個別ブランキング機構のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ基板２０６は、個別ブランキング機構４７によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビーム毎に、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって、制限アパーチャ基板２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向に一括して偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。

図６は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。図６に示すように、試料１０１の描画領域３０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０のショットで照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は例えば等速で連続移動させる。第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向に向かって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域３２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で成形アパーチャアレイ基板２０３に形成された複数の穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。

図７は、実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。図７において、ストライプ領域３２には、例えば、試料１０１面上におけるマルチビーム２０のビームサイズピッチで格子状に配列される複数の制御グリッド２７（設計グリッド）が設定される。例えば、１０ｎｍ程度の配列ピッチにすると好適である。かかる複数の制御グリッド２７が、マルチビーム２０の設計上の照射位置となる。制御グリッド２７の配列ピッチはビームサイズに限定されるものではなく、ビームサイズとは関係なく副偏向器２０９の偏向位置として制御可能な任意の大きさで構成されるものでも構わない。そして、各制御グリッド２７を中心とした、制御グリッド２７の配列ピッチと同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の画素３６が設定される。各画素３６は、マルチビームの１つのビームあたりの照射単位領域となる。図７の例では、試料１０１の描画領域が、例えばｙ方向に、１回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４（描画フィールド）のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域３２に分割された場合を示している。照射領域３４のｘ方向サイズは、マルチビーム２０のｘ方向のビーム間ピッチにｘ方向のビーム数を乗じた値で定義できる。照射領域３４のｙ方向サイズは、マルチビーム２０のｙ方向のビーム間ピッチにｙ方向のビーム数を乗じた値で定義できる。なお、ストライプ領域３２の幅は、これに限るものではない。照射領域３４のｎ倍（ｎは１以上の整数）のサイズであると好適である。図７の例では、例えば５１２×５１２列のマルチビームの図示を８×８列のマルチビームに省略して示している。そして、照射領域３４内に、１回のマルチビーム２０のショットで照射可能な複数の画素２８（ビームの描画位置）が示されている。言い換えれば、隣り合う画素２８間のピッチが設計上のマルチビームの各ビーム間のピッチとなる。図７の例では、隣り合う４つの画素２８で囲まれると共に、４つの画素２８のうちの１つの画素２８を含む正方形の領域で１つのサブ照射領域２９（ビーム間ピッチ領域）を構成する。図７の例では、各サブ照射領域２９は、４×４（＝１６）画素で構成される場合を示している。

図８は、実施の形態１の比較例におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。図８では、図７で示したストライプ領域３２を描画するマルチビームのうち、ｙ方向３段目の座標（１，３），（２，３），（３，３），・・・，（５１２，３）の各ビームで描画するサブ照射領域２９の一部を示している。図８の例では、例えば、ＸＹステージ１０５が８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示している。かかる４つの画素を描画（露光）する間、照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動によって試料１０１との相対位置がずれないように、主偏向器２０８によってマルチビーム２０全体を一括偏向することによって、照射領域３４をＸＹステージ１０５の移動に追従させる。言い換えれば、トラッキング制御が行われる。図８の例では、８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）することで１回のトラッキングサイクルを実施する場合を示している。

図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に１ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。時刻ｔ＝０からｔ＝Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

当該ショットのビーム照射開始から当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒが経過後、主偏向器２０８によってトラッキング制御のためのビーム偏向を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、副偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（前回の描画位置）を次の各ビームの描画位置（今回の描画位置）にシフトする。図８の例では、時刻ｔ＝Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７へと描画対象制御グリッド２７をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置に当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれ対応する描画時間、マルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

図８の例では、時刻ｔ＝２Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象制御グリッド２７をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７に３ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。

時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。時刻ｔ＝３Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７から下から３段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７に４ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。

時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。以上により、注目サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、及び下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。

図８の例では初回位置から３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプユニット１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。言い換えれば、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す。図８の例では、時刻ｔ＝４Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のトランキングを解除して、ｘ方向に８ビームピッチ分ずれた注目サブ照射領域２９にビームを振り戻す。なお、図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）について説明したが、その他の座標のビームについてもそれぞれの対応するサブ照射領域２９に対して同様に描画が行われる。すなわち、座標（ｍ，ｍ’）のビームは、ｔ＝４Ｔｔｒの時点で対応するサブ照射領域２９に対して下から１段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、及び下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。例えば、座標（２，３）のビーム（２）は、図７のビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣り合うサブ照射領域２９に対して下から１段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、及び下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。

なお、各サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、下から３段目かつ右から１番目の画素、及び下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了しているので、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、まだ、描画されていない画素の制御グリッド２７にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。例えば、各サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から２番目の画素の制御グリッド２７にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。

以上のように同じトラッキングサイクル中は主偏向器２０８によって照射領域３４を試料１０１に対して相対位置が同じ位置になるように制御された状態で、副偏向器２０９によってサブ照射領域２９内をシフトさせながら各ショットを行う。そして、トラッキングサイクルが１サイクル終了後、照射領域３４のトラッキング位置を戻してから、図８の下段に示すように、例えば１制御グリッド（１画素）ずれた位置に１回目のショット位置を合わせ、次のトラッキング制御を行いながら副偏向器２０９によってサブ照射領域２９内をシフトさせながら各ショットを行う。マルチビームの照射領域内の他のｎ×ｎ画素の領域についても同時期に同様の動作が実施され、同様に描画される。ストライプ領域３２の描画中、かかる動作を繰り返すことで、照射領域３４ａ〜３４ｏといった具合に順次照射領域３４の位置が移動していき、当該ストライプ領域の描画を行っていく。

かかる実施の形態１の比較例では、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９全体を描画するためにｎ’回のトラッキングサイクルが行われるので、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９が、ｎ’個の異なるビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の異なる穴２２を通過したビーム）によって描画される。かかるｎ’個の異なるビームのうち、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によってｎ”画素（ｎ”＝（ｎ×ｎ）／ｎ’）ずつ描画される。よって、当該１つのビームが精度不良或いは故障ビームであった場合、かかるサブ照射領域２９の１／ｎ’の領域が描画誤差を含むことになってしまう。図８の例では、１６画素で構成されるサブ照射領域２９のうち４画素が描画誤差を含むことになってしまう。そこで、実施の形態１では、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９が、ｎ’個よりも多くの異なるビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の異なる穴２２を通過したビーム）によって描画されるように描画方法を変える。ここで、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９全体を描画するために、ｎ”回のマルチビーム２０のショットを１回のトラッキングサイクルとするｎ’回のトラッキングサイクルが行われる。かかる関係は維持する。これにより、トラッキングサイクルごとに必要な主偏向器２０８用のＤＡＣアンプのセトリング時間と制御アイドリング時間の発生回数を増加させないようにできる。かかる条件を満たすために、実施の形態１では、サブ照射領域２９内の範囲で偏向していた副偏向器２０９の偏向振り幅を大きくする。

実施の形態１では、主偏向器２０８によって、ｎ”回のショット数（所定のショット数）の電子ビームによるマルチビームショットを行う間、マルチビーム２０の主偏向位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するようにＸＹステージ１０５の移動方向にマルチビーム２０の主偏向位置のトラッキング動作を行う。マルチビーム２０の主偏向位置として、例えば、照射領域３４の中心位置を用いると好適である。或いは、例えば、照射領域３４の４隅のうちの１つ（例えば左下角）を用いても好適である。以下、図８の例と同様、８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する（４ショット行う）ことで１回のトラッキングサイクルを実施する場合を説明する。

実施の形態１では、偏向制御回路１３０が、トラッキング動作中に、マルチビーム２０の各ビームが、試料１０１の描画領域がマルチビーム２０のビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数のサブ照射領域２９のそれぞれ異なる位置に、サブ照射領域２９間を跨ぐように、マルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせ、各サブ照射領域２９に所定のショット数でマルチビーム２０のうちの複数のビームによりビームショットを行うように主偏向器２０８及び副偏向器２０９を制御する。言い換えれば、偏向制御回路１３０が、トラッキング動作中に、サブ照射領域２９間を各ビームの照射位置が跨ぐように、跨がれたサブ照射領域２９間でサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置が異なるように、かつ跨がれたサブ照射領域２９間の各サブ照射領域２９における当該ビームによるショット数が同じ数になるように、マルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせるように主偏向器２０８及び副偏向器２０９を制御する。そして同時に、偏向制御回路１３０は、マルチビーム２０のうちの複数のビームにより、各サブ照射領域２９に１回のトラッキングサイクル中のショット数（所定のショット数）のビームショットを行うように主偏向器２０８及び副偏向器２０９を制御する。マルチビーム２０の副偏向位置として、主偏向位置と同様、例えば、照射領域３４の中心位置を用いると好適である。或いは、例えば、照射領域３４の４隅のうちの１つ（例えば左下角）を用いても好適である。ここでは、偏向可能な偏向振り幅が、例えば、ｘ，ｙ方向にそれぞれ２ビーム間ピッチ分有している副偏向器２０９を用いる場合について説明する。

図９は、実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。図９では、図８と同様、ストライプ領域３２を描画するマルチビームのうち、ｙ方向３段目の座標（１，３），（２，３），（３，３），・・・，（５１２，３）の各ビームで描画するサブ照射領域２９と、ｙ方向４段目の各ビームで描画するサブ照射領域２９との一部を示している。図９の例では、例えば、ＸＹステージ１０５が８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示している。かかる４つの画素を描画（露光）する間、照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動によって試料１０１との相対位置がずれないように、主偏向器２０８によってマルチビーム２０全体を一括偏向することによって、照射領域３４をＸＹステージ１０５の移動に追従させる。言い換えれば、トラッキング制御が行われる。図９の例では、８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）することで１回のトラッキングサイクルを実施する場合を示している。

具体的には、ステージ位置検出器１３９が、ミラー２１０にレーザを照射して、ミラー２１０から反射光を受光することでＸＹステージ１０５の位置を測長する。測長されたＸＹステージ１０５の位置は、制御計算機１１０に出力される。制御計算機１１０内では、描画制御部５６がかかるＸＹステージ１０５の位置情報を偏向制御回路１３０に出力する。偏向制御回路１３０内では、ＸＹステージ１０５の移動に合わせて、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向するための偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプユニット１３４に出力され、ＤＡＣアンプユニット１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として主偏向器２０８に印加する。

そして、描画機構１５０は、当該ショットにおけるマルチビームの各ビームのそれぞれの照射時間のうちの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれの制御グリッド２７に対応する描画時間（照射時間、或いは露光時間）、各制御グリッド２７にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。

図９（ａ）の例では、図８の例と同様、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に１ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。時刻ｔ＝０からｔ＝Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

当該ショットのビーム照射開始から当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒが経過後、主偏向器２０８によってトラッキング制御のためのビーム偏向を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、副偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（前回の描画位置）を次の各ビームの描画位置（今回の描画位置）にシフトする。ここでは、図９（ａ）に示すように、時刻ｔ＝Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のｙ方向に隣接する別のサブ照射領域２９へとシフトする。言い換えれば、１回のトラッキング動作中に、試料１０１の描画領域３０（或いはストライプ領域３２）がマルチビーム２０のビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数のサブ照射領域２９（矩形領域）のサブ照射領域２９間を各ビームの照射位置が跨ぐようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせる。ここでは、図９（ａ）に示す注目サブ照射領域２９の最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から、図９（ｂ）に示すｙ方向に隣接する別のサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７へと描画対象制御グリッド２７をシフトする。言い換えれば、跨がれたサブ照射領域２９間でサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置が異なるようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせる。
かかるシフト動作は、副偏向器２０９の偏向振り幅の範囲内で行えば、副偏向器２０９用のＤＡＣアンプのセトリング時間が増えることは無い。図８の例のように、８ビーム間ピッチ分を偏向可能な偏向振り幅をもつ主偏向器２０８に比べて、十分小さい２ビーム間ピッチ分を偏向可能な偏向振り幅をもつ副偏向器２０９でサブ照射領域２９間をシフトさせることで、セトリング時間の増加を抑制できる。よって、同じサブ照射領域２９内で画素位置をシフトさせる場合と同様の時間で別のサブ照射領域２９へとシフトさせることができる。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているので主偏向器２０８によるトラッキング動作は継続している。

そして、トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置に当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれ対応する描画時間、マルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。図９（ｂ）の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９のｙ方向に隣接する別のサブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、主偏向器２０８によるトラッキング動作は継続している。

図９（ｂ）の例では、時刻ｔ＝２Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のｙ方向に隣接する別のサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から、注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣接するさらに別のサブ照射領域２９の下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象制御グリッド２７をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、図９（ｃ）に示すように、時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣接するサブ照射領域２９の例えば下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７に３ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。

時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、主偏向器２０８によるトラッキング動作は継続している。時刻ｔ＝３Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣接する別のサブ照射領域２９の下から１段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７から、注目サブ照射領域２９の−ｘ方向及びｙ方向の斜め方向に隣接するさらに別のサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているので主偏向器２０８によるトラッキング動作は継続している。

そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、図９（ｄ）に示すように、時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の−ｘ方向及びｙ方向の斜め方向に隣接するサブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から３番目の画素３６の制御グリッド２７に４ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。

時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、主偏向器２０８によるトラッキング動作は継続している。以上により、注目サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から１番目の画素、注目サブ照射領域２９のｙ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、及び注目サブ照射領域２９の−ｘ，＋ｙ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。

このように、実施の形態１では、跨がれたサブ照射領域２９間の各サブ照射領域２９における当該ビームによるショット数が同じ数になるようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせる。図９（ａ）〜図９（ｄ）の例では、ビーム（１）によって跨がれた互いに隣接する４つのサブ照射領域２９におけるビーム（１）によるショット数が共に１回ずつになるようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせている。

そして、図９（ｅ）に示すように、初回位置から３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプユニット１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。言い換えれば、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す。図９（ｅ）の例では、時刻ｔ＝４Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のトランキングを解除して、ｘ方向に８ビームピッチ分ずれた注目サブ照射領域２９にビームを振り戻す。なお、図９（ａ）〜図９（ｅ）の例では、座標（１，３）のビーム（１）について説明したが、その他の座標のビームについてもそれぞれの対応するサブ照射領域２９に対して同様に描画が行われる。すなわち、座標（ｎ，ｍ）のビームは、ｔ＝４Ｔｔｒの時点で対応するサブ照射領域２９の下から１段目かつ右から１番目の画素、対応するサブ照射領域２９のｙ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、対応するサブ照射領域２９の−ｘ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、及び対応するサブ照射領域２９の−ｘ，＋ｙ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。例えば、座標（２，３）のビーム（２）は、図９（ａ）に示すビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣り合うサブ照射領域２９に対して下から１段目かつ右から１番目の画素、図９（ｂ）に示すビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ，＋ｙ方向に隣接するサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、図９（ｃ）に示すビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に２つずれたサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素、及び図９（ｄ）に示すビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に２つ離れて、かつｙ方向に１つずれたサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から３番目の画素の計４画素の描画が終了する。

そして、実施の形態１では、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、まだ、描画されていない画素の制御グリッド２７にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。例えば、各サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から２番目の画素の制御グリッド２７にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。

以上のように同じトラッキングサイクル中は主偏向器２０８によって照射領域３４を試料１０１に対して相対位置が同じ位置になるように制御された状態で、副偏向器２０９によってサブ照射領域２９間を跨ぐようにシフトさせながら各ショットを行う。そして、トラッキングサイクルが１サイクル終了後、照射領域３４のトラッキング位置を戻してから、図９（ｅ）に示すように、例えば１制御グリッド（１画素）ずれた位置に１回目のショット位置を合わせ、次のトラッキング制御を行いながら副偏向器２０９によってサブ照射領域２９間を跨ぐようにシフトさせながら各ショットを行う。ストライプ領域３２の描画中、かかる動作を繰り返すことで、照射領域３４ａ〜３４ｏといった具合に順次照射領域３４の位置が移動していき、当該ストライプ領域の描画を行っていく。

かかる描画方法を実施することで、１回のトラッキング動作で、ｎ×ｎ画素の各サブ照射領域２９が、それぞれｎ”制御グリッド（ｎ”画素）ずつ描画される。かかる点は、図８の比較例の場合と同様である。そして、ｎ’回のトラッキング動作でｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９内のすべての画素が描画される。マルチビームの照射領域内の他のｎ×ｎ画素の領域についても同時期に同様の動作が実施され、同様に描画される。

図１０は、実施の形態１及び比較例における描画位置の一例を説明するための図である。図８において説明した比較例における描画方法を実施する場合、図１０（ａ）に示すように、比較例では、４×４（＝１６）画素のサブ照射領域２９が、４個の異なるビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の異なる穴２２を通過したビーム）によって描画される。そして、各サブ照射領域２９が、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって４画素ずつ描画される。よって、当該１つのビームが精度不良或いは故障ビームであった場合、かかるサブ照射領域２９の１／４の領域が描画誤差を含むことになってしまう。これに対して、図９（ａ）〜図９（ｅ）において説明した実施の形態１における描画方法を実施する場合、図１０（ｂ）に示すように、４×４（＝１６）画素のサブ照射領域２９が、１６個の異なるビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の異なる穴２２を通過したビーム）によって描画される。そして、各サブ照射領域２９が、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって１画素ずつ描画される。よって、当該１つのビームが精度不良或いは故障ビームであった場合、かかるサブ照射領域２９の描画誤差を含む領域を１／１６の領域に低減できる。

以上のように、実施の形態１では、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９全体を描画するためにｎ’回のトラッキングサイクルが行われるので、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９が、ｎ’×ｎ”個（ｎ’×ｎ”＝ｎ×ｎ）の異なるビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の異なる穴２２を通過したビーム）によって描画される。かかるｎ’×ｎ”個の異なるビームのうち、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって１画素ずつ描画される。よって、当該１つのビームが精度不良或いは故障ビームであった場合、かかるサブ照射領域２９の描画誤差を含む領域を１／（ｎ×ｎ）の領域に低減できる。なお、ｎ×ｎ画素のサブ照射領域２９全体を描画するために、ｎ”回のマルチビーム２０のショットを１回のトラッキングサイクルとするｎ’回のトラッキングサイクルが行われる点に変更はないので、トラッキングサイクルごとに必要な主偏向器２０８用のＤＡＣアンプのセトリング時間と制御用のアイドリング時間の発生回数を増加させないようにできる。よって、スループットの劣化を回避できる。

図１１は、実施の形態１の変形例における描画位置の一例を説明するための図である。上述した例では、サブ照射領域２９が４×４（＝１６）画素で構成される場合について説明したが、これに限るものではない。図１１の例では、ビーム間ピッチを１辺とする矩形のサブ照射領域２９が例えば１６×１６（＝２５６）画素で構成される場合について説明する。例えば、１６ショットで１回のトラッキングサイクルを１６回繰り返すことでサブ照射領域２９全体（２５６画素）を描画する場合について説明する。トラッキングサイクル毎にサブ照射領域２９間をビームが移動する場合、１つのビームが１つのサブ照射領域２９内を１６ショットずつ、１６回のトラッキングサイクルで１６個の異なるビームにより１６×１６画素で構成されるサブ照射領域２９全体（２５６画素）の描画を行うことになる。そして、当該１つのビームが精度不良或いは故障ビームであった場合、かかるサブ照射領域２９の１／１６の領域が描画誤差を含むことになってしまう。よって、実施の形態１の変形例では、サブ照射領域２９内を描画する異なるビームの数を増やす。ここで、例えば、ｘ，ｙ方向にそれぞれ４ビーム間ピッチ分が偏向可能な偏向振り幅をもつ副偏向器２０９を用いて、１６ショットで１回のトラッキングサイクル中に、１６（＝４×４）個のサブ照射領域２９に１つのビームで１ショットずつ描画を行うことも想定できる。しかし、かかる場合、シフト毎に生じる副偏向器２０９用のＤＡＣアンプのセトリング時間が偏向振り幅の増加に応じて長くなってしまう。よって、スループットの低下につながってしまう。

そこで、実施の形態１の変形例では、１ショット毎に各ビームがサブ照射領域２９間を跨ぐようにシフトするのではなく、１つのサブ照射領域２９内で各ビームが複数のショットを行った後に、他のサブ照射領域２９にシフトさせる。その際、各ビームがそれぞれ対応するサブ照射領域２９内で複数のビームショットを行う場合に、ショット毎にマルチビームの副偏向位置をサブ照射領域２９内の異なる位置にシフトさせる。図１１の例では、例えば４×４（＝１６）個の画素群３７を１単位として、マルチビーム２０のショットを１画素置きにシフトしながらショットする回数（４回）行って、サブ照射領域２９内の異なる４画素の描画を行う毎に、注目サブ照射領域２９からｙ方向に隣接するサブ照射領域２９、−ｘ方向に隣接するサブ照射領域２９、及び−ｘ，＋ｙ方向に隣接するサブ照射領域２９にそれぞれシフトする。また、かかる場合、跨がれたサブ照射領域２９間でサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置が異なるように、かつ跨がれたサブ照射領域２９間の各サブ照射領域２９における当該ビームによるショット数が同じ数（例えば４回）になるようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせる。かかる手法により、ｘ，ｙ方向にそれぞれ２ビーム間ピッチ分が偏向可能な偏向振り幅を副偏向器２０９に持たせるだけで、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって描画されるサブ照射領域２９内の画素数を１／６４に低減できる。このように、実施の形態１の変形例では、１つのビームが例えば、４ショットずつ、１６回のトラッキングサイクルで６４個の異なるビームにより１６×１６画素で構成されるサブ照射領域２９全体の描画を行うことになるので、セトリング時間の増加を抑制しながら、かかるサブ照射領域２９の描画誤差を含む領域を１／６４の領域に低減できる。

マルチビーム２０で試料１０１を描画する際、上述したように、主偏向器２０８によるトラッキング動作中にＸＹステージ１０５の移動に追従しながらショットビームとなるマルチビーム２０を副偏向器２０９によるビーム偏向位置の移動によってサブ照射領域２９間を跨ぎながら、サブ照射領域２９内に必要なショット数のビームを照射していく。そして、試料１０１上のどの制御グリッド２７（画素３６）をマルチビームのどのビームが照射するのかは描画シーケンスによって決まる。

ここで、上述した例では、１回のトラッキング動作中に、１つのビームによる照射位置が、サブ照射領域２９間を跨ぎながら、各サブ照射領域２９内の対応画素（或いは１単位の画素群３７）を１画素置きにシフトしながらｎ制御グリッド（ｎ画素）が描画される。但し、これに限るものではない。

図１２は、実施の形態１の変形例における描画位置の他の一例を説明するための図である。図１２の例では、１つのビームによる照射位置が、サブ照射領域２９間を跨ぐ毎に、各サブ照射領域２９内の対応画素（或いは１単位の画素群３７）をｙ方向に１画素ずつシフトしながらｎ制御グリッド（ｎ画素）が描画されてもよい。マルチビームの照射領域内の他のｎ×ｎ画素の領域についても同時期に同様の動作が実施され、同様に描画される。或いは、サブ照射領域２９間を跨ぐ毎に、各サブ照射領域２９内の対応画素（或いは１単位の画素群３７）を−ｘ方向或いは斜め方向に１画素ずつシフトしながらｎ制御グリッド（ｎ画素）が描画されてもよい。

次に、描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４０に格納された描画データを使った実際の描画処理の動作について順を追って説明する。

面積率マップ作成工程（ラスタライズ処理工程）として、ラスタライズ部５０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、画素３６毎に、当該画素３６内のパターン面積密度ρ’を演算する。かかる処理は、例えば、ストライプ領域３２毎に実行する。

照射量演算工程として、照射量演算部５２は、まず、描画領域（ここでは、例えばストライプ領域３２）を所定のサイズでメッシュ状に複数の近接メッシュ領域（近接効果補正計算用メッシュ領域）に仮想分割する。近接メッシュ領域のサイズは、近接効果の影響範囲の１／１０程度、例えば、１μｍ程度に設定すると好適である。照射量演算部５２は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、近接メッシュ領域毎に、当該近接メッシュ領域内に配置されるパターンのパターン面積密度ρを演算する。

次に、照射量演算部５２は、近接メッシュ領域毎に、近接効果を補正するための近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）（補正照射量）を演算する。未知の近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）は、後方散乱係数η、しきい値モデルの照射量閾値Ｄｔｈ、パターン面積密度ρ、及び分布関数ｇ（ｘ）を用いた、従来手法と同様の近接効果補正用のしきい値モデルによって定義できる。

次に、照射量演算部５２は、画素３６毎に、当該画素３６に照射するための入射照射量Ｄ（ｘ）（ドーズ量）を演算する。入射照射量Ｄ（ｘ）は、例えば、予め設定された基準照射量Ｄｂａｓｅに近接効果補正照射係数Ｄｐとパターン面積密度ρ’とを乗じた値として演算すればよい。基準照射量Ｄｂａｓｅは、例えば、Ｄｔｈ／（１／２＋η）で定義できる。以上により、描画データに定義される複数の図形パターンのレイアウトに基づいた、近接効果が補正された本来の所望する入射照射量Ｄ（ｘ）を得ることができる。

そして、照射量演算部５２は、画素３６毎の入射照射量Ｄ（ｘ）を所定の量子化単位Δで階調化された照射時間ｔに変換した、画素３６毎の照射時間を定義した照射時間データマップ（１）を作成する。作成された照射時間データマップ（１）は、例えば、記憶装置１４２に格納される。

照射時間データ加工工程として、照射時間データ加工部５４は、照射時間データマップ（１）を読み出し、実施の形態１における描画シーケンスに沿ってショット順に並び替える。そして、ショット順に照射時間ｔデータを偏向制御回路１３０に転送する。

描画工程として、偏向制御回路１３０は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４にショット順にブランキング制御信号を出力すると共に、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４にショット順に偏向制御信号を出力する。そして、描画機構１５０は、上述したトラッキング制御と、各トラッキング制御中のサブ照射領域２９間を跨ぐマルチビームシフトを行いながら、マルチビーム２０を用いて、試料１０１を描画する。

なお、上述した例では、副偏向器２０９の偏向振り幅が２ビーム間ピッチサイズの場合を説明したが、これに限るものではない。主偏向器２０８に比べて偏向振り幅が十分小さい副偏向器２０９のセトリング時間を増加させない、或いは大きく増加させない範囲でサブ照射領域２９間を跨ぐマルチビームシフトを行えばよい。なお、サブ照射領域２９間を跨ぐマルチビームシフトのシフト量を大きくしないことで、成形アパーチャアレイ基板２０３により形成されるマルチビームが持つ位置依存の歪の影響を回避できる。

以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム描画のスループットの低下を抑制しながら、各サブ照射領域２９（ビーム間ピッチ領域）を描画する異なるビームのビーム数を増やすことができる。よって、個別ビームがもつ精度差に起因する描画誤差を平均化できる。

実施の形態２．
実施の形態１では、副偏向器２０９によってサブ照射領域２９間を跨ぐようにマルチビームのシフトを行う場合を説明したが、これに限るものではない。実施の形態２では、主偏向器２０８によってサブ照射領域２９間を跨ぐようにマルチビームのシフトを行う場合を説明する。描画装置１００の構成は図１と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。

図１３は、実施の形態２における描画位置の一例を説明するための図である。上述したように、例えば、ｘ，ｙ方向にそれぞれ２ビーム間ピッチ分の偏向可能な振り幅を持った副偏向器２０９をマルチビームシフト用に用いる場合、隣接するサブ照射領域２９にはシフトできるが、それを超えるシフトが困難になる。よって、各サブ照射領域２９（ビーム間ピッチ領域）を描画する異なるビームのビーム数を増やすにも、副偏向器２０９が持つ偏向振り幅によって制限を受けることになる。さらに大きな距離をシフトさせるためには副偏向器２０９及びＤＡＣアンプユニット１３２を偏向振り幅が大きなものに取り換える必要が生じる。一方、偏向振り幅が大きな主偏向器２０８については、トラッキング方向（例えばｘ方向）にビーム偏向を行うものの、直交するｙ方向については使用していない。主偏向器２０８は、ｙ方向についてもトラッキング偏向量と同等な距離のビーム偏向が可能である。そこで、実施の形態２では、トラッキング制御用の偏向器（主偏向器２０８）を使って、トラッキング制御中に、トラッキング方向と直交する方向にマルチビームをシフトさせる。

図１３の例では、例えば４×４（＝１６）個の画素群３７を１単位として、マルチビーム２０のショットを１画素置きに副偏向器２０９を使ってシフトしながら４回ショットしてサブ照射領域２９内の異なる４画素の描画を行う毎に、主偏向器２０８を使って、注目サブ照射領域２９からｙ方向に隣接するサブ照射領域２９、ｙ方向に２つ隣りのサブ照射領域２９、及びｙ方向に３つ隣りのサブ照射領域２９にそれぞれシフトする。また、かかる場合、跨がれたサブ照射領域２９間でサブ照射領域２９内での各ビームの照射位置が異なるように、かつ跨がれたサブ照射領域２９間の各サブ照射領域２９における当該ビームによるショット数が同じ数（例えば４回）になるようにマルチビーム２０の副偏向位置をシフトさせる。かかる手法により、ｘ，ｙ方向にそれぞれ２ビーム間ピッチ分が偏向可能な偏向振り幅をもつ副偏向器２０９をそのまま使用して、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって描画されるサブ照射領域２９内の画素数を１／６４に低減できる。主偏向器２０８のｙ方向への偏向振り幅にはまだ十分余裕があるので、１単位となる画素群３７のショット回数を減らして、サブ照射領域２９間をｙ方向に跨ぐ回数を増やすことができる。例えば、例えば４×４（＝１６）個の画素群３７を１単位として、副偏向器２０９を使ってマルチビーム２０をシフトしながら２回ショットしてサブ照射領域２９内の異なる２画素の描画を行う毎に、主偏向器２０８を使って、注目サブ照射領域２９からｙ方向に隣接するサブ照射領域２９、ｙ方向に２つ隣りのサブ照射領域２９、ｙ方向に３つ隣りのサブ照射領域２９、ｙ方向に４つ隣りのサブ照射領域２９、ｙ方向に５つ隣りのサブ照射領域２９、ｙ方向に６つ隣りのサブ照射領域２９、及びｙ方向に７つ隣りのサブ照射領域２９にそれぞれシフトしても良い。かかる手法により、ｘ，ｙ方向にそれぞれ２ビーム間ピッチ分が偏向可能な偏向振り幅をもつ副偏向器２０９をそのまま使用して、１つのビーム（成形アパーチャアレイ基板２０３の同じ穴２２を通過したビーム）によって描画されるサブ照射領域２９内の画素数を１／１２８に低減できる。

図１４は、実施の形態２におけるビーム偏向位置の補正方法を説明するための図である。主偏向器２０８の偏向振り幅は、副偏向器２０９の偏向振り幅に比べて十分に大きい。そのため、主偏向器２０８の制御グリッドの分解能は、副偏向器２０９の制御グリッドの分解能よりも粗くなる。言い換えれば、主偏向器２０８の制御用アドレスユニット（Ａ．Ｕ．）は、副偏向器２０９の制御用アドレスユニット（Ａ．Ｕ．）よりも大きくなってしまう。そのため、主偏向器２０８を使ってｙ方向にビームシフトする場合、偏向位置に分解能誤差が生じる場合があり得る。そこで、実施の形態２では、主偏向器２０８を使ってｙ方向にビームシフトした際、シフト後の偏向位置が目標シフト位置からずれる場合には、副偏向器２０９によって補正する。これにより、高精度なビームシフトができる。

ここで、主偏向器２０８によってｙ方向にマルチビームをシフトする毎に、主偏向器２０８のセトリング時間が必要となる。しかし、ｙ方向にマルチビームをシフトするシフト量をトラッキング偏向量に対して小さくすれば、主偏向器２０８のｙ方向セトリング時間をトラッキングリセット時のセトリング時間に比べて小さくできる。よって、トラッキングサイクル数を増加させてサブ照射領域２９間移動の回数を増やす場合に比べてスループットへの影響を小さくできる。

以上のように、実施の形態２によれば、マルチビーム描画のスループットの低下を抑制しながら、各サブ照射領域２９（ビーム間ピッチ領域）を描画する異なるビームのビーム数を増やすことができる。よって、個別ビームがもつ精度差に起因する描画誤差を平均化できる。

なお、実施の形態２の変形例として、１回のトラッキングサイクル中におこなうサブ照射領域２９間移動を主偏向器２０８のｙ方向移動と、副偏向器２０９のｘ方向及び／或いはｙ方向移動と、を組み合わせても好適である。組合せることで、主偏向器２０８のｙ方向セトリング時間の発生回数を減らしながら、副偏向器２０９だけではシフト困難な位置へとマルチビームをシフトできる。よって、上述した実施の形態２よりも主偏向器２０８のｙ方向セトリング時間の発生回数を減らしながら、各サブ照射領域２９（ビーム間ピッチ領域）を描画する異なるビームのビーム数を増やすことができる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、上述した例では、主偏向器２０８のｙ方向移動を４ショット毎に行う場合について説明したが、これに限るものではない。１ショット毎に主偏向器２０８のｙ方向移動を行う場合であっても構わない。スループットが犠牲になるものの、トラッキングサイクル数を増加させてサブ照射領域２９間移動の回数を増やす場合に比べてスループットへの影響を小さくできる。

また、上述した例では、各制御回路４１の制御用に１０ビットの制御信号が入力される場合を示したが、ビット数は、適宜設定すればよい。例えば、２ビット、或いは３ビット〜９ビットの制御信号を用いてもよい。なお、１１ビット以上の制御信号を用いてもよい。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。

２０ マルチビーム
２２ 穴
２４ 制御電極
２５ 通過孔
２６ 対向電極
２７ 制御グリッド
２８ 画素
２９ サブ照射領域
３０ 描画領域
３２ ストライプ領域
３１ 基板
３３ 支持台
３４ 照射領域
３６ 画素
３７ 画素群
４１ 制御回路
４７ 個別ブランキング機構
５０ ラスタライズ部
５２ 照射量演算部
５４ 照射時間データ加工部
５６ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 偏向制御回路
１３２，１３４ ＤＡＣアンプユニット
１３９ ステージ位置検出器
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画機構
１６０ 制御系回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ基板
２０４ ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ基板
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１０ ミラー
３３０ メンブレン領域
３３２ 外周領域

Claims (5)

1. 所定のショット数の荷電粒子ビームによるマルチビームショットを行う間、前記マルチビームの主偏向位置がステージの移動に追従するように前記ステージの移動方向に前記マルチビームの主偏向位置のトラッキング動作を行う工程と、
   前記トラッキング動作中に、前記マルチビームの各ビームが、試料の描画領域が前記マルチビームのビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数の矩形領域のそれぞれ異なる位置に、矩形領域間を跨ぐように、前記マルチビームの副偏向位置をシフトさせ、各矩形領域に所定のショット数で前記マルチビームのうちの複数のビームによりビームショットを行う工程と、
   を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
2. 第１の偏向器を用いて前記トラッキング動作を行い、
   第２の偏向器を用いて、前記副偏向位置をシフトすることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
3. 第１の偏向器を用いて前記トラッキング動作を行うと共に、前記第１の偏向器を用いて前記ステージの移動方向と直交する方向に前記副偏向位置のシフトを行い、
   第２の偏向器を用いて、当該矩形領域内において前記マルチビームの副偏向位置をシフトすることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
4. 前記各ビームがそれぞれ対応する矩形領域内で複数のビームショットを行う場合に、ショット毎に前記副偏向位置を前記矩形領域内の異なる位置にシフトさせることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
5. 試料を載置する、移動可能なステージと、
   荷電粒子ビームを放出する放出源と、
   複数の開口部が形成され、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する成形アパーチャアレイ基板と、
   前記マルチビームの主偏向位置が前記ステージの移動に追従するように前記ステージの移動方向に前記マルチビームの主偏向位置のトラッキング動作を行う第１の偏向器と、
   前記トラッキング動作中に、前記マルチビームの副偏向位置をシフトさせる第２の偏向器と、
   前記トラッキング動作中に、前記マルチビームの各ビームが、試料の描画領域が前記マルチビームのビーム間ピッチサイズでメッシュ状に分割された複数の矩形領域のそれぞれ異なる位置に、矩形領域間を跨ぐように、前記マルチビームの副偏向位置をシフトさせ、各矩形領域に所定のショット数で前記マルチビームのうちの複数のビームによりビームショットを行うように前記第１と第２の偏向器を制御する偏向制御回路と、
   を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。

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