JP7316127B2 - マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 - Google Patents

Description

本発明は、マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置に係り、例えば、マルチビーム描画における欠陥ビームによる画像劣化を低減する方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（レチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術が用いられる。

例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度（１回のショット）に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、偏向器で偏向されて試料上の所望の位置へと照射される。

ここで、従来、試料面上の描画領域をビームサイズで複数のメッシュ領域に区切ることで画素を定義する。そして、定速走行するステージ上に配置された試料に対して各ショットにおけるマルチビームの照射中、各ビームの照射対象画素がステージの移動によってずれないように各ビームがステージ移動に追従するトラッキング動作を行いながら、各ビームで複数の画素へのビーム照射をおこなっていた（例えば、特許文献１参照）。そして、１回のトラッキング制御が終了すると、トラッキング動作をリセットして各ビームを振り戻し、既に照射された画素に隣接する画素へと偏向位置をずらした後、同様に、トラッキング動作を行いながら、各ビームの照射をおこなっていた。

ここで、マルチビームの中には、照射時間を制御不能な複数の欠陥ビームが混在する場合がある。かかるマルチビームを用いて描画処理を行う場合、例えば、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまうと、例えば隣接する画素列同士が、かかる複数の欠陥ビームによって照射されてしまうといった問題があった。さらに、複数の欠陥ビームが所定の周期で発生する場合、かかる複数の欠陥ビームの発生周期の整数倍の値とビームの振り戻し量とが一致してしまうと、ビーム間ピッチで囲まれた同じ小領域内の多くの画素がかかる複数の欠陥ビームによって照射されることになってしまう。その場合、かかる小領域内に描画されるパターンの精度が悪くなってしまう。そのため、マルチビーム内に複数の欠陥ビームが発生する場合でも、各小領域内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減したい。

特開２０１７－０７３４６１号公報

そこで、本発明の一態様は、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまう場合に、各小領域内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減可能な方法および装置を提供する。

本発明の一態様のマルチビーム描画方法は、
マルチビームの各ビームをまとめてステージの移動に追従するようにビーム偏向によるｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行う工程と、
ｋ回目のトラッキング制御を行いながら、各ビームがそれぞれ対応するビーム間ピッチサイズで囲まれた矩形の照射領域内を同時にシフトしながら複数回のビームショットを行う工程と、
ｋ回目のトラッキング制御期間が経過後、前記マルチビームの各ビームをまとめて偏向することにより、ｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング位置をｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻す工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、トラッキング制御期間中に、トラッキング制御用のビーム偏向に用いる偏向器とは別の偏向器を用いて、各ビームの描画位置を前記ビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを行った位置にマルチビームを一括偏向する工程をさらに備えると好適である。

また、予め設定されたオフセットの複数の距離の中からｋ＋１回目のトラッキング制御に使用するオフセット距離を選択する工程をさらに備えと好適である。

また、マルチビームの中から欠陥ビームを検出する工程をさらに備え、
欠陥ビームが検出された後のｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング制御用のビーム偏向によって、トラッキング位置を欠陥ビームが検出された後のｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻すと好適である。

本発明の一態様のマルチビーム描画装置は、
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
マルチビームを放出するマルチビーム放出源と、
マルチビームの各ビームの照射時間を制御する照射時間制御部と、
マルチビームの各ビームをまとめてステージの移動に追従するようにｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行うように前記マルチビームを偏向する第１の偏向器と、
１回の前記トラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に、各ビームがそれぞれ対応する試料上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれた矩形の照射領域内を、同時にシフトしながら複数回のビームショットを行うように前記マルチ荷電粒子ビームを偏向する第２の偏向器と、
ｋ回目のトラッキング制御期間が経過後、前記マルチビームの各ビームをまとめて偏向することにより、ｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング位置をｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻すように前記第１の偏向器を制御する偏向制御回路と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまう場合に、各小領域内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減できる。その結果、描画精度の劣化を低減できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるシフトレジスタの接続構成の一例を示す図である。 実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。 実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。 実施の形態１の比較例におけるマルチビームの描画シーケンスの一例を説明するための図である。 実施の形態１の比較例におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１におけるマルチビームの描画シーケンスの一例を説明するための図である。 実施の形態１におけるトラッキング制御を説明するための図である。 実施の形態１における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。 実施の形態１におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。 実施の形態１におけるオフセット量を可変にした場合の複数の描画シーケンスの一例を説明するための図である。 実施の形態２におけるトラッキング制御を説明するための図である。 実施の形態２におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。 実施の形態３におけるトラッキング制御を説明するための図である。 実施の形態３における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。 実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。 実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。 実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。 実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。 実施の形態４における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。 実施の形態４におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。 実施の形態４における偏向電圧を時間との関係の他の一例を示す図である。 実施の形態４におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、マルチビームは、荷電粒子ビームに限らずレーザビーム等であっても適用できる。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画機構１５０（マルチビーム照射機構）と制御系回路１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画機構１５０は、電子ビームカラム（電子鏡筒）１０２と描画室１０３を備えている。電子ビームカラム１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８（第１の偏向器）、及び副偏向器２０９（第２の偏向器）が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時（露光時）には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。照明レンズ２０２、縮小レンズ２０５、及び対物レンズ２０７には、電磁レンズが用いられる。各電磁レンズは、マルチビーム（電子ビーム）を屈折させる。

制御系回路１６０は、描画装置１００全体を制御する制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプ（ユニット）１３２，１３４、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが描画装置１００の外部から入力され、格納されている。記憶装置１４４（記憶部）には、後述する複数の描画シーケンスデータが描画装置１００の外部から入力され、格納されている。偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプ（ユニット）１３２，１３４及びブランキングアパーチャアレイ機構２０４が図示しないバスを介して接続されている。レーザ測長システム１２２は、ＸＹステージ１０５上のミラー２１０からの反射光を受光することによって、レーザ干渉法の原理でＸＹステージ１０５の位置を測長する。主偏向器２０８は、少なくとも４極の電極群により構成され、電極毎に配置されるＤＡＣアンプ１３４を介して偏向制御回路１３０によって制御される。副偏向器２０９は、少なくとも４極の電極群により構成され、電極毎に配置されるＤＡＣアンプ１３２を介して偏向制御回路１３０によって制御される。

制御計算機１１０内には、欠陥ビーム検出部５０、欠陥画素数最大値演算部５２、描画シーケンス選択部５４、照射時間データ生成部５６、データ加工部５８、及び描画制御部５９が配置されている。欠陥ビーム検出部５０、欠陥画素数最大値演算部５２、描画シーケンス選択部５４、照射時間データ生成部５６、データ加工部５８、及び描画制御部５９といった各「～部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「～部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。欠陥ビーム検出部５０、欠陥画素数最大値演算部５２、描画シーケンス選択部５４、照射時間データ生成部５６、データ加工部５８、及び描画制御部５９に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、縦（ｙ方向）ｐ列×横（ｘ方向）ｑ列（ｐ，ｑ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２では、例えば、横縦（ｘ，ｙ方向）に５１２×５１２列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ直径の円形であっても構わない。

電子銃２０１には、図示しない高圧電源回路が接続され、電子銃２０１内の図示しないフィラメント（カソード）と引出電極（アノード）間への高圧電源回路からの加速電圧の印加と共に、所定の引出電極（ウェネルト）の電圧の印加と所定の温度のカソードの加熱によって、カソードから放出された電子群が加速させられ、電子ビーム２００となって放出される。成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。

ブランキングアパーチャアレイ機構２０４内には、例えばシリコン等からなる半導体基板が配置される。かかる半導体基板の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚のメンブレン領域に加工されている。メンブレン領域には、図２に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれのビームの通過用の通過孔（開口部）が開口される。言い換えれば、メンブレン領域には、電子線を用いたマルチビームのそれぞれ対応するビームが通過する複数の通過孔がアレイ状に形成される。そして、半導体基板のメンブレン領域上には、かかる複数の通過孔の各通過孔を挟んで対向する位置に制御電極と対向電極との２つの電極の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、半導体基板内部の各通過孔の近傍には、各通過孔用の制御電極に偏向電圧を印加するロジック回路が配置される。各ビーム用の対向電極は、グランド接続される。各ビーム用のロジック回路には、制御信号用のｎビット（例えば１０ビット）のパラレル配線が接続される。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、制御電極と対向電極と制御回路とによる個別ブランキング機構が構成される。

図３は、実施の形態１におけるシフトレジスタの接続構成の一例を示す図である。各ビーム用のロジック回路４１は、メンブレン領域にアレイ状に形成される。そして、例えば、同じ行に並ぶ複数のロジック回路４１（ｘ方向）毎にグループ化され、同じグループ内のロジック回路４１列は、図３に示すように、さらに複数のサブグループにグループ化される。図３の例では、各行のロジック回路４１列が例えば８つのサブグループに順に振り分けられ、グループ化される。例えば、５１２列×５１２行のマルチビームで構成される場合、各行の１番目～５１２番目のビーム用のロジック回路４１が１，９，１７，２５，・・・と８ビーム間ピッチ毎に、データ列１（サブグループ）を構成する。同様に、２，１０，１８，２６，・・・と８ビーム間ピッチ毎に、データ列２（サブグループ）を構成する。以下、同様に、データ列３（サブグループ）～データ列８（サブグループ）を構成する。そして、各サブグループ内のロジック回路４１群は、直列に接続される。そして、図示しないＩ／Ｏ回路からグループ毎の信号が分割されて、パラレルに各サブグループに伝達される。そして各サブグループの信号がサブグループ内の直列に接続されたロジック回路４１に伝達される。具体的には、各ロジック回路４１内に、シフトレジスタ１１が配置され、同じサブグループのロジック回路４１内のシフトレジスタ１１が直列に接続される。図３の例では、データ列（サブグループ）毎に６４個のシフトレジスタ１１が直列に接続される。よって、６４回のクロック信号によって、各ビーム用の照射時間データが各ビーム用のシフトレジスタ１１に伝送されることになる。図３の例では、同じ行（ｘ方向）毎に１つのグループを構成する場合を示したが、これに限るものではない。例えば、同じ行を左半分と右半分に分け、同じ行を左半分のビーム用のロジック回路４１で１つのグループを構成し、同じ行の右半分のビーム用のロジック回路４１で別の１つのグループを構成するようにしても好適である。これにより、データ列（サブグループ）毎に３２個のシフトレジスタ１１が直列に接続されることになる。或いは、同じ列に並ぶ複数のロジック回路４１（ｙ方向）毎にグループ化しても構わない。

ブランキングアパーチャアレイ機構２０４の複数の通過孔を通過するマルチビーム２０の各ビームは、それぞれ独立にかかる対となる２つの電極に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。このように、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４をマルチビーム２０が通過する際に、複数のブランカーが、成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

次に、描画機構１５０の動作の具体例について説明する。電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、矩形の複数の穴２２（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状のマルチビーム（複数の電子ビーム）２０ａ～ｅが形成される。かかるマルチビーム２０は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のそれぞれ対応するブランカー（第１の偏向器：個別ブランキング機構４７）内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、少なくとも個別に通過する電子ビーム２０を設定された描画時間（照射時間）ビームがＯＮ状態になるようにブランキング制御する。言い換えれば、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４（照射時間制御部の一例）は、マルチビームの各ビームの照射時間を制御する。

ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を通過したマルチビーム２０は、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ基板２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビームは、図１に示すように制限アパーチャ基板２０６の中心の穴を通過する。このように、制限アパーチャ基板２０６は、個別ブランキング機構によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２０６を通過したビームにより、１回分のショットの各ビームが形成される。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって、制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０全体が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように主偏向器２０８によってトラッキング制御が行われる。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。

図４は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。図４に示すように、試料１０１の描画領域３０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０のショットで照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば－ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は例えば等速で連続移動させる。第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を－ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、－ｘ方向に向かって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、－ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域３２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で各穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。

上述した照射領域３４は、ｘ方向のビーム間ピッチＰにｘ方向のビーム数を乗じた値をｘ方向寸法とし、ｙ方向のビーム間ピッチＰにｙ方向のビーム数を乗じた値をｙ方向寸法とした矩形領域で定義できる。ｘ方向のビーム間ピッチＰとｙ方向のビーム間ピッチＰは同じ値であっても良いし、異なる値であっても構わない。実施の形態１では、ｘ方向のビーム間ピッチＰとｙ方向のビーム間ピッチＰは同じ値の場合を示している。

図５は、実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。図５において、ストライプ領域３２は、例えば、マルチビームのビームサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に分割される。かかる各メッシュ領域が、描画対象画素３６（単位照射領域、或いは描画位置）となる。画素３６のサイズは、ビームサイズに限定されるものではなく、ビームサイズとは関係なく任意の大きさで構成されるものでも構わない。例えば、ビームサイズの１／ｎ（ｎは１以上の整数）のサイズで構成されても構わない。図５の例では、試料１０１の描画領域が、例えばｙ方向に、１回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４（描画フィールド）のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域３２に分割された場合を示している。なお、ストライプ領域３２の幅は、これに限るものではない。照射領域３４のｎ倍（ｎは１以上の整数）のサイズであると好適である。図５の例では、５１２×５１２列のマルチビームの場合を示している。そして、照射領域３４内に、１回のマルチビーム２０のショットで照射可能な複数の画素２８（ビームの描画位置）が示されている。言い換えれば、隣り合う画素２８間のピッチがマルチビームの各ビーム間ピッチＰとなる。図５の例では、隣り合う４つの画素２８で囲まれると共に、４つの画素２８のうちの１つの画素２８を含む矩形の領域で１つのサブ照射領域２９を構成する。図５の例では、各サブ照射領域２９は、４×４画素で構成される場合を示している。

図６は、実施の形態１の比較例におけるマルチビームの描画シーケンスの一例を説明するための図である。図６では、図５で示したストライプ領域３２を描画するマルチビームのうち、ｙ方向３行目の座標（１，３），（２，３），（３，３），・・・，（５１２，３）の各ビームで描画するサブ照射領域２９の一部を示している。図６の例では、例えば、ＸＹステージ１０５が８ビーム間ピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示している。かかる４つの画素を描画（露光）する間、照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動によって試料１０１との相対位置がずれないように、主偏向器２０８によってマルチビーム２０全体を一括偏向することによって、照射領域３４をＸＹステージ１０５の移動に追従させる。言い換えれば、トラッキング制御が行われる。図６の例では、８ビーム間ピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）することで１回のトラッキングサイクルを実施する場合を示している。

具体的には、レーザ測長システム１２２が、ミラー２１０にレーザを照射して、ミラー２１０から反射光を受光することでＸＹステージ１０５の位置を測長する。測長されたＸＹステージ１０５の位置は、制御計算機１１０に出力される。制御計算機１１０内では、描画制御部５９がかかるＸＹステージ１０５の位置情報を偏向制御回路１３０に出力する。偏向制御回路１３０内では、ＸＹステージ１０５の移動に合わせて、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向するための偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプ（ユニット）１３４に出力され、ＤＡＣアンプ（ユニット）１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として主偏向器２０８に印加する。

そして、描画機構１５０は、当該ショットにおけるマルチビームの各ビームのそれぞれの照射時間のうちの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれの画素３６に対応する描画時間（照射時間、或いは露光時間）、各画素３６にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。

図６の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、主偏向セトリング及び副偏向セトリングが終了後の時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば最下段右から１番目の画素に１ショット目のビームの照射が行われる。そして、時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔｔｒに副偏向セトリング時間を加えたショットサイクル時間Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビーム間ピッチ分だけ－ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

当該ショットのビーム照射開始から当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒが経過後、主偏向器２０８によってトラッキング制御のためのビーム偏向を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、副偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（前回の描画位置）を次の各ビームの描画位置（今回の描画位置）にシフトする。図６の例では、時刻ｔ＝Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の最下段右から次の描画対象画素へのシフトを開始し、時刻ｔ＝Ｔになった時点で、注目サブ照射領域２９の最下段右から１番目の画素から下から２段目かつ右から１番目の画素へと描画対象画素がシフトされている。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置に当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれ対応する描画時間、マルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。図６の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔからｔ＝Ｔ＋Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から２段目かつ右から１番目の画素に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビーム間ピッチ分だけ－ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

図６の例では、時刻ｔ＝Ｔ＋Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から２段目かつ右から１番目の画素から次の描画対象画素へのシフトを開始し、時刻ｔ＝２Ｔになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から２段目かつ右から１番目の画素から下から３段目かつ右から１番目の画素へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象画素がシフトされている。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝２Ｔ＋Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から１番目の画素に３ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝３Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビーム間ピッチ分だけ－ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。時刻ｔ＝２Ｔ＋Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から次の描画対象画素へのシフトを開始し、時刻ｔ＝３Ｔになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素から下から４段目かつ右から１番目の画素へと副偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象画素がシフトされている。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から４段目かつ右から１番目の画素に４ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝４Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビーム間ピッチ分だけ－ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。以上により、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列の描画が終了する。

図６の例では初回位置から３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプ（ユニット）１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。言い換えれば、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す。図６の例では、時刻ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のトランキングを解除して、ｘ方向に８ビーム間ピッチ分ずれた注目グリッドにビームを振り戻す。なお、図６の例では、座標（１，３）のビーム（１）について説明したが、その他の座標のビームについてもそれぞれの対応するグリッドに対して同様に描画が行われる。すなわち、座標（ｎ，ｍ）のビームは、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点で対応するグリッドに対して右から１番目の画素列の描画が終了する。例えば、座標（２，３）のビーム（２）は、図６のビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の－ｘ方向に隣り合うサブ照射領域に対して右から１番目の画素列の描画が終了する。

なお、各サブ照射領域２９の右から１番目の画素列の描画は終了しているので、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず副偏向器２０９は、時刻ｔ＝４Ｔを含む主偏向セトリング時間が経過した時点（ｔ＝４Ｔ＋ΔＴｓ）で各サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から２番目の画素３６にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。ΔＴｓは、主偏向セトリング時間－副偏向セトリング時間に相当する。

以上のように同じトラッキングサイクル中は主偏向器２０８によって照射領域３４を試料１０１に対して相対位置が同じ位置になるように制御された状態で、副偏向器２０９によって１画素ずつシフトさせながら各ショットを行う。そして、トラッキングサイクルが１サイクル終了後、照射領域３４のトラッキング位置を戻してから、図６の下段に示すように、例えば１画素ずれた位置に１回目のショット位置を合わせ、次のトラッキング制御を行いながら副偏向器２０９によって１画素ずつシフトさせながら各ショットを行う。ストライプ領域３２の描画中、かかる動作を繰り返すことで、順次照射領域３４の位置が重なり合いながらもトラッキング距離ずつ移動していき、当該ストライプ領域の描画を行っていく。

ここで、マルチビーム２０の中には、照射時間を制御不能な複数の欠陥ビームが混在する場合がある。欠陥ビームとして、ビームＯＮにはなっても照射時間を制御不能なビームの他に、常時ＯＮビーム、或いは常時ＯＦＦビームが挙げられる。かかる欠陥ビームが混在するマルチビーム２０を用いて描画処理を行う場合、例えば、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまうと、例えば隣接する画素列同士が、かかる複数の欠陥ビームによって照射されてしまうといった問題があった。さらに、複数の欠陥ビームが所定の周期で発生する場合、かかる複数の欠陥ビームの発生周期の整数倍の値とビームの振り戻し量とが一致してしまうと、ビーム間ピッチで囲まれた同じ小領域内の多くの画素がかかる複数の欠陥ビームによって照射されることになってしまう。図３に示したように、サブグループ毎に、シフトレジスタ１１が直列に接続されている。そのため、例えば、斜線で示すビーム１用のシフトレジスタ１１が故障している場合、下流側のビーム９，１７，２５，・・・用の照射時間データも所望するデータとは異なってしまう。例えば、ビーム９用のシフトレジスタ１１が故障している場合、上流側のビーム１用の照射時間データは正常に用いることができるものの、下流側のビーム１７，２５，・・・用の照射時間データが所望するデータとは異なってしまう。そのため、図３の例では、例えば、８ビーム間ピッチ毎に周期性を持った複数の欠陥ビームが発生してしまうことになる。

図７は、実施の形態１の比較例におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。図６に示した描画シーケンスで描画処理を進めていく場合、ビーム１によって注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、右から２番目の画素列がビーム９によって描画される。右から３番目の画素列がビーム１７によって描画される。右から４番目の画素列がビーム２５によって描画される。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまうと、注目サブ照射領域２９内の１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることになってしまう。これでは、かかるサブ照射領域２９（小領域）内に描画されるパターンは使用できない。そのため、マルチビーム２０内に複数の欠陥ビームが発生する場合でも、各サブ照射領域２９（小領域）内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減することが求められる。そこで、実施の形態１では、ビーム偏向にビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）のオフセットを設ける。以下、具体的に説明する。

図８は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図８において、実施の形態１における描画方法は、欠陥ビーム検出工程（Ｓ１０２）と、欠陥画素数最大値演算工程（Ｓ１０４）と、描画シーケンス選択工程（Ｓ１０８）と、照射時間データ生成工程（Ｓ１１０）と、データ配列加工工程（Ｓ１１２）と、データ転送工程（Ｓ１１４）と、描画工程（Ｓ１２０）と、いう一連の工程を実施する。描画工程（Ｓ１２０）内では、トラッキング工程（Ｓ１２２）と、ショット工程（Ｓ１２４）と、シフト工程（Ｓ１２６）と、ショット工程（Ｓ１２８）と、トラッキングリセット工程（Ｓ１２９）と、いう一連の工程を実施する。

欠陥ビーム検出工程（Ｓ１０２）として、欠陥ビーム検出部５０は、マルチビーム２０の中から欠陥ビームを検出する。例えば、各ビーム用のシフトレジスタ１１を用いて、評価用の照射時間データを伝送する。そして、各シフトレジスタ１１を経たデータに基づいた各ビームの電流値を測定する。描画制御部５９の制御により、マルチビーム２０の各ビームを１本ずつ図示しないファラディーカップに照射して、各ビームのビーム電流量を測定する。対象ビームはビームＯＮにその他のビームはビームＯＦＦになるように、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を動作させればよい。例えば、予め設定された照射時間ずつ各ビームを１本ずつファラディーカップに照射する動作を複数回繰り返す。そして、欠陥ビーム検出部５０は、得られた合計電流量を入力し、合計電流量を繰り返し数で割った平均電流量を測定する。そして、設計値と比較して、過剰或いは不足していれば、かかるビームは欠陥ビームとして検出できる。なお、常時ＯＮビームが存在する場合、各ビーム電流を検出する際、常時ＯＮビームの分も合わせて検出されてしまうが、常時ＯＮビーム１本だけの電流を測定した場合の合計電流量が他のビームの合計電流量よりも小さくなるので、常時ＯＮビームを特定できる。常時ＯＮビームが特定できれば、他のビームの測定結果から常時ＯＮビームの測定結果を差し引けば、当該ビームの合計電流量がわかる。

なお、欠陥ビームの検出手法は、これに限るものではない。例えば、マルチビーム２０のうち、欠陥ビームがどれなのか識別可能に定義された情報を別途、描画装置１００が外部から入力し、記憶装置１４４に格納しても良い。或いは、ビームを照射せずに、評価データを各ビームのロジック回路４１に伝送し、伝送したデータを回収して、このデータを設計値と比較して、異なっていれば欠陥ビームと判定しても良い。

図９は、実施の形態１におけるマルチビームの描画シーケンスの一例を説明するための図である。図９では、４ショット目までの動作は、図６と同様である。図９では、４ショット目が終了し、トラッキングリセットを行う場合に、次回のトラッキング制御が開始される時点でトラッキング位置を前回のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセット（ｎＰ）を付けた位置まで戻す。図９の例では、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ図６の場合よりも余分に振り戻す場合を示している。これにより、ｋ回目のトラッキング動作の際に欠陥ビームであるビーム１により右から１番目の画素列の描画が行われたサブ照射領域２９は、ｋ＋１回目のトラッキング動作の際には、欠陥ビームであるビーム９ではなく、１つだけずれた正常ビームであるビーム１０により右から２番目の画素列が描画されるようにできる。そして、トラッキング制御毎に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に振り戻すことで、ｋ＋２回目のトラッキング動作の際には、欠陥ビームであるビーム１７ではなく、２つだけずれた正常ビームであるビーム１９により右から３番目の画素列が描画されるようにできる。そして、ｋ＋３回目のトラッキング動作の際には、欠陥ビームであるビーム２５ではなく、３つだけずれた正常ビームであるビーム２８により右から４番目の画素列が描画されるようにできる。

図１０は、実施の形態１におけるトラッキング制御を説明するための図である。図１０において、主偏向器２０８は、トラッキングが開始される時点での一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域からｘ方向に８ビーム間ピッチ離れた領域に、オフセットとしてビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）が加算された合計（８＋ｎＰ）ビーム間ピッチ離れた領域に移行する。そして、次のトラッキングが開始される。かかる動作を繰り返すことでトラッキングサイクルが実施される。なお、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングリセットしてから主偏向セトリングを開始し、時刻ｔ＝４Ｔを含む主偏向セトリング時間の経過後（ｔ＝４Ｔ＋ΔＴｓ）が、次のトラッキング制御が開始される時点となる。その間もＸＹステージ１０５は等速移動しているため、トラッキングリセットの際に、ΔＴｓにＸＹステージ１０５の移動速度を乗じた距離分、余分に振り戻すことは言うまでもない。

図１１は、実施の形態１における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。図１１（ａ）では、縦軸にトラッキング用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３４から出力される偏向電圧Ｖｔｒを示し、横軸に時間ｔを示す。図１１（ｂ）では、縦軸にｘ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｘを示し、横軸に時間ｔを示す。図１１（ｃ）では、縦軸にｙ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｙを示し、横軸に時間ｔを示す。図１では、副偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニットとして、１つのＤＡＣアンプ１３２が示されているが、ｘ，ｙ方向に偏向可能な場合、副偏向器２０９は４極以上の電極（例えば８極）から構成され、各電極にそれぞれＤＡＣアンプが接続される。なお、図１では、主偏向器２０８用のＤＡＣアンプユニットとして、１つのＤＡＣアンプ１３４が示されているが、ｘ，ｙ方向に偏向可能な場合、副偏向器２０９は４極以上の電極（例えば８極）から構成され、各電極にそれぞれＤＡＣアンプが接続される。図１１（ａ）に示すように、ｋ回目のトラッキング制御の後、ｋ＋１回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋２回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に２ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋３回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に３ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。これにより、主偏向器２０８によるトラッキング制御用のビーム偏向により、照射ビームをずらすことができる。

図１２は、実施の形態１におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。図９～図１１に示したようにトラッキング制御毎に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分ずつだけ余分に振り戻す描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、ビーム１によって注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、右から２番目の画素列が欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。右から３番目の画素列が欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１９によって描画できる。右から４番目の画素列が欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２８によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した４画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／４に低減できる。

図１３は、実施の形態１におけるオフセット量を可変にした場合の複数の描画シーケンスの一例を説明するための図である。図１３（ａ）～図１３（ｄ）において、各枠はサブ照射領域２９を示し、縦に並ぶ枠は同じサブ照射領域２９を示す。また、枠内の各番号はビーム番号を示す。また、斜線の枠は欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９を示し、斜線の枠を照射する欠陥ビーム番号は、隣接枠の続きの番号となる。（Ａ，Ｂ）のＡは、トラッキング制御の回数を示し、Ｂは、オフセット量となるビーム間ピッチＰサイズの倍数の値を示す。よって、例えば、（ｋ＋１，１）とは、ｋ回目のトラッキングリセット時の振り戻し量としてビーム間ピッチＰサイズの１倍だけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からｋ＋１回目のトラッキング制御を行う場合を示す。

図１３（ａ）では、比較例として、オフセットしない図６に示した描画シーケンスを実施した場合を示している。よって、ｋ回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム１，９，１７，２５のいずれかで照射されたサブ照射領域２９は、ｋ＋１回目のトラッキング制御でも、欠陥ビームとなるビーム１，９，１７，２５のいずれかで照射される。同様に、ｋ＋２回目のトラッキング制御でも、欠陥ビームとなるビーム１，９，１７，２５のいずれかで照射される。同様に、ｋ＋３回目のトラッキング制御でも、欠陥ビームとなるビーム１，９，１７，２５のいずれかで照射される。よって、１回のトラッキング制御で４画素ずつ描画する場合、欠陥画素数最大値は１６となる。

これに対して、図１３（ｂ）では、トラッキング制御毎のトラッキング偏向によるオフセット付きの描画シーケンスの一例を示す。図１３（ｂ）では、トラッキング制御毎に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分ずつだけ余分に振り戻す図９に示した描画シーケンスを実施した場合を示している。図１３（ｂ）に示すように、トラッキング制御毎に、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９を１つずつ、ずらすことができることがわかる。よって、１回のトラッキング制御で４画素ずつ描画する場合、欠陥画素数最大値を４にできる。

ここで、欠陥ビームが発生する位置は、常に周期性をもつとは限らない。ランダムな位置に欠陥ビームが発生する場合もあり得る。例えばブランキングアパーチャアレイ機構２０４の複数の通過孔の一部に粒子状のゴミが付着してビーム通過を妨げている場合が考えられる図１３（ｃ）では、実施の形態１におけるトラッキング制御毎のトラッキング偏向によるオフセット付きの描画シーケンスの他の一例を示す。図１３（ｃ）では、ランダム欠陥として、ビーム７が欠陥ビームとしてさらに追加された場合を示す。図１３（ｃ）では、ｋ回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム１，７，９，１７，２５のいずれかで照射されたサブ照射領域２９は、ｋ＋１回目のトラッキング制御において、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズだけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より１つずらすことができることがわかる。ｋ＋２回目のトラッキング制御において、オフセット量として２ビーム間ピッチＰサイズだけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より２つずらすことができることがわかる。ｋ＋３回目のトラッキング制御において、オフセット量として４ビーム間ピッチＰサイズだけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より４つずらすことができることがわかる。しかし、図１３（ｃ）の例では、ｋ回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム７で照射されたサブ照射領域２９（Ａ部）が、ｋ＋２回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム９で照射されてしまう。同様に、ｋ＋２回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム７で照射されたサブ照射領域２９（Ａ’部）が、ｋ＋３回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム１７で照射されてしまう。よって、１回のトラッキング制御で４画素ずつ描画する場合、欠陥画素数最大値を８にできる。

図１３（ｄ）では、実施の形態１におけるトラッキング制御毎のトラッキング偏向によるオフセット付きの描画シーケンスの他の一例を示す。図１３（ｄ）では、図１３（ｃ）とは異なるオフセットを付けた場合を示す。図１３（ｄ）では、ｋ回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム１，７，９，１７，２５のいずれかで照射されたサブ照射領域２９は、ｋ＋１回目のトラッキング制御において、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズだけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より＋ｘ方向に１つずらすことができることがわかる。ｋ＋２回目のトラッキング制御において、オフセット量として１ビーム間ピッチＰサイズだけ－ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より－ｘ方向に１つずらすことができることがわかる。ｋ＋３回目のトラッキング制御において、オフセット量として４ビーム間ピッチＰサイズだけ＋ｘ方向にオフセットされた位置からトラッキング制御を開始する。そのため、欠陥ビームで照射されるサブ照射領域２９をｋ回目のトラッキング制御の場合より＋ｘ方向に４つずらすことができることがわかる。図１３（ｄ）では、図１３（ｃ）の場合と比べて、ｋ＋２回目のトラッキング制御の開始位置が異なることになる。これにより、ｋ回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム７で照射されたサブ照射領域２９が再度欠陥ビームで照射されることを無くすことができる。しかし、ｋ＋２回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム７で照射されたサブ照射領域２９（Ａ”部）は、ｋ＋１回目のトラッキング制御において、欠陥ビームとなるビーム１で照射されてしまう。よって、１回のトラッキング制御で４画素ずつ描画する場合、欠陥画素数最大値を８にできる。

以上のように、実施の形態１によれば、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまう場合に、各小領域内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減できる。

なお、実施の形態１では、例えば、図１３に示したように、オフセットしない描画シーケンスと、オフセット量（距離）および方向を可変にした複数の描画シーケンスとを予め用意しておくと好適である。オフセット量（距離）および方向を可変にした複数の描画シーケンスは、図１３の例に限るものではない。その他のオフセット量（距離）および方向を可変にした描画シーケンスであっても良い。オフセット量（距離）および方向を可変にした複数の描画シーケンスを予め用意しておく場合、オフセットしない描画シーケンスと、オフセット量（距離）および方向を可変にした複数の描画シーケンスを含む複数の描画シーケンス１，２，３，４，・・・の情報は、描画装置１００に外部から入力され、記憶装置１４４に格納しておく。以下、実施の形態１では、複数の描画シーケンスを選択可能な場合の描画方法について説明する。

欠陥画素数最大値演算工程（Ｓ１０４）として、欠陥画素数最大値演算部５２は、予め用意された複数の描画シーケンスについて、検出された欠陥ビームを含むマルチビーム２０で描画した場合、描画シーケンス毎に欠陥画素数最大値を演算する。欠陥画素数最大値は、試料１０１の描画領域３０或いはストライプ領域３２内の全サブ照射領域２９の中から欠陥ビームで照射された画素数が最も多くなるサブ照射領域２９における欠陥ビームで照射された画素数を示す。上述した図１３（ａ）の例では、欠陥画素数最大値が１６となる。図１３（ｂ）の例では、欠陥画素数最大値が４となる。図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）の例では、欠陥画素数最大値が８となる。但し、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）の例では、図１３（ｂ）の例とは、欠陥ビームの数が異なるので、そのまま単純に比較することができないことは言うまでもない。

描画シーケンス選択工程（Ｓ１０８）として、描画シーケンス選択部５４は、複数の描画シーケンスの中から、欠陥画素数最大値が、より小さくなる描画シーケンスを選択する。言い換えれば、描画シーケンス選択部５４は、ｋ回目のトラッキング制御に対して、予め設定されたオフセットの複数の距離の中からｋ＋１回目のトラッキング制御に使用するオフセット距離を選択する。

照射時間データ生成工程（Ｓ１１０）として、照射時間データ生成部５６は、画素３６毎の照射時間データを生成する。記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を実施して、照射時間データを生成する。照射時間データは、画素３６毎に生成され、描画時間（照射時間）が演算される。例えば対象画素３６にパターンを形成しない場合、ビーム照射が無となるので、描画時間ゼロ或いはビーム照射無の識別コードが定義される。ここでは、１回のマルチビームのショットにおける最大描画時間Ｔｔｒ（最大露光時間）が予め設定される。実際に照射される各ビームの照射時間は、算出されたパターンの面積密度に比例して求めると好適である。また、最終的に算出される各ビームの照射時間は、図示しない近接効果、かぶり効果、ローディング効果等の寸法変動を引き起こす現象に対する寸法変動分を照射量によって補正した補正後の照射量に相当する時間にすると好適である。また、その他の要因による位置ずれを周囲の画素を含めた複数の画素の照射量の配分によって補正した補正後の照射量に相当する時間にすると好適である。よって、実際に照射される各ビームの照射時間は、ビーム毎に異なり得る。各ビームの描画時間（照射時間）は、最大描画時間Ｔｔｒ内の値で演算される。

データ配列加工工程（Ｓ１１２）として、データ加工部５８は、選択された描画シーケンスに沿って、画素毎に担当するビームが割り振られ、マルチビーム２０のショット順に、及びシフトレジスタ１１の配列順に、各ビームの照射時間データが並ぶように照射時間データを加工する。

データ転送工程（Ｓ１１４）として、描画制御部５９は、加工された照射時間データを偏向制御回路１３０にデータ転送する。

描画工程（Ｓ１２０）として、描画機構１５０は、選択された描画シーケンスに沿って、マルチビーム２０を用いて、試料１０１にパターンを描画する。描画機構１５０は、マルチビーム２０の各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行いながら、１回のトラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に各ビームがビーム間ピッチサイズで囲まれた互いに異なるサブ照射領域２９（矩形領域）内を、各ビームの照射位置を一緒にシフトしながら複数回のビームショットを行う。具体的には、以下のように動作する。

トラッキング工程（Ｓ１２２）として、描画機構１５０は、マルチビーム２０の各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行う。具体的には、レーザ測長システム１２２が、ミラー２１０にレーザを照射して、ミラー２１０から反射光を受光することでＸＹステージ１０５の位置を測長する。測長されたＸＹステージ１０５の位置は、制御計算機１１０に出力される。制御計算機１１０内では、描画制御部５９がかかるＸＹステージ１０５の位置情報を偏向制御回路１３０に出力する。偏向制御回路１３０内では、ＸＹステージ１０５の移動に合わせて、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向するための主偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプ１３４に出力され、ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として主偏向器２０８に印加する。

ショット工程（Ｓ１２４）として、描画機構１５０は、ｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行いながら、１回のトラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に各ビームで、ビーム間ピッチＰサイズで囲まれた互いに異なるサブ照射領域２９（矩形領域）内の１つの画素をそれぞれ照射する（１ショット目のビーム照射を行う）。

シフト工程（Ｓ１２６）として、描画機構１５０は、ｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行いながら、１回のトラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に各ビームでそれぞれ照射する画素３６を、ビーム間ピッチＰサイズで囲まれた互いに異なるサブ照射領域２９（矩形領域）内の次の画素に副偏向器２０９によるビーム偏向により一括してシフトする。

ショット工程（Ｓ１２８）として、描画機構１５０は、ｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行いながら、１回のトラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に各ビームで、ビーム間ピッチＰサイズで囲まれた互いに異なるサブ照射領域２９（矩形領域）内でシフトされた画素をそれぞれ照射する（２ショット目のビーム照射を行う）。

そして、１回のトラッキング制御あたりのショット数（例えば、４回）が行われるまで、シフト工程（Ｓ１２６）とショット工程（Ｓ１２８）とを繰り返す。これにより、３ショット目のビーム照射と、４ショット目のビーム照射を行う。

トラッキングリセット工程（Ｓ１２９）として、描画機構１５０は、ｋ回目のトラッキング制御期間が経過後、ｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング制御用の主偏向器２０８によるビーム偏向によって、トラッキング位置をｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチＰサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻す。図９の例では、＋ｘ方向にビーム間ピッチＰサイズのオフセットを付けた位置まで戻す。

そして、次のトラッキング制御を行いながら、１回のトラッキング制御あたりのショット数（例えば、４回）が行われるまで、ショットとシフトを繰り返す。以降、同様に、描画工程（Ｓ１２０）内の各内部工程を繰り返す。

そして、１つのストライプ領域３２の描画が終了したら、ＸＹステージ１０５の移動により次のストライプ領域３２に照射領域３４を移動させて、同様の動作を繰り返す。

ここで、上述した例では、描画開始前に、欠陥ビーム検出工程（Ｓ１０２）を実施することで、以降の描画処理について１つの描画シーケンスを選択する場合を説明したが、これに限るものではない。描画開始前の他に、さらに、例えば、数ストライプ領域３２の描画処理が終了する毎に、欠陥ビーム検出工程（Ｓ１０２）を実施しても好適である。描画開始前には、欠陥ビームが検出されず、オフセットを付けない描画シーケンスで描画処理を開始しものの、数ストライプ領域３２の描画処理が終了した時点で、欠陥ビームが検出される場合もあり得る。かかる場合、欠陥ビームが検出された以降のストライプ領域３２の描画について、欠陥画素数最大値演算工程（Ｓ１０４）と、描画シーケンス選択工程（Ｓ１０８）と、選択された描画シーケンスに基づいたデータ配列加工工程（Ｓ１１２）と、を実施すればよい。言い換えれば、描画機構１５０は、欠陥ビームが検出された後のｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング制御用のビーム偏向によって、トラッキング位置を欠陥ビームが検出された後のｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらにビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻す。そして、ｋ＋１回目のトラッキング制御を開始する。

以上のように、実施の形態１によれば、トラッキング動作をリセットする際のビームの振り戻し量（距離）と、複数の欠陥ビーム間の距離とが一致してしまう場合に、各サブ照射領域２９（小領域）内で欠陥ビームにより照射される画素数を低減できる。その結果、描画精度の劣化を低減できる。

実施の形態２．
実施の形態１では、トラッキングリセットによってマルチビーム２０のトラッキング位置を振り戻す場合に、トラッキング方向（－ｘ方向）とは逆の振り戻し方向（ｘ方向）或いは同方向（－ｘ方向）にトラッキング制御用の主偏向器２０８によってオフセットする場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態２では、振り戻し方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方向）にオフセットする場合について説明する。実施の形態２における描画装置１００の構成は、図１と同様である。また、実施の形態２における描画方法のフローチャート図は、図８と同様である。以下、説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。

図１４は、実施の形態２におけるトラッキング制御を説明するための図である。図１４において、主偏向器２０８は、トラッキング方向（－ｘ方向）或いは振り戻し方向（ｘ方向）以外の方向にもマルチビーム２０を一括偏向できる。そこで、実施の形態２では、振り戻し方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方向）にオフセットする。（Ａ，Ｂ，Ｃ）のＡは、トラッキング制御の回数を示し、Ｂは、ｘ方向へのオフセット量となるビーム間ピッチＰサイズの倍数の値を示す。Ｃは、ｙ方向へのオフセット量となるビーム間ピッチＰサイズの倍数の値を示す。よって、例えば、（ｋ＋１，１，１）とは、ｋ回目のトラッキングリセット時の振り戻し量としてビーム間ピッチＰサイズの１倍だけ＋ｘ方向にオフセットされると共にビーム間ピッチＰサイズの１倍だけ＋ｙ方向にオフセットされた位置からｋ＋１回目のトラッキング制御を行う場合を示す。

まず、図１４（ａ）に示すように、ｋ回目のトラッキング制御（ｋ，０，０）において、トラッキングが開始される時点での照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、図１４（ｂ）に示すように、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域からｘ方向に８ビーム間ピッチ離れた領域に、オフセットとして＋ｘ方向にビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）が加算された合計（８＋ｎＰ）ビーム間ピッチ離れた領域に主偏向器２０８によるビーム偏向によって移行する。そして、次のｋ＋１回目のトラッキング制御が開始される。

そして、ｋ＋１回目のトラッキング制御（ｋ＋１，１，０）において、トラッキングが開始される時点での照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、図１４（ｃ）に示すように、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域から＋ｘ方向のオフセット分を除いたｘ方向に７ビーム間ピッチ離れた領域に振り戻される。その際に、今度は、オフセットとして＋ｙ方向にビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）離れた領域に主偏向器２０８によるビーム偏向によって移行する。そして、次のｋ＋２回目のトラッキング制御が開始される。

そして、ｋ＋２回目のトラッキング制御（ｋ＋２，０，１）では、ｘ方向のトラッキング制御はｋ回目のトラッキング制御と同じでありながら、＋ｙ方向に１ビーム間ピッチ分ずれた領域２１のトラッキング制御を行う。ｋ＋２回目のトラッキング制御において、トラッキングが開始される時点での照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、図１４（ｄ）に示すように、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域からｘ方向に８ビーム間ピッチ離れた領域に、オフセットとして＋ｘ方向にビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）が加算された合計（８＋ｎＰ）ビーム間ピッチ離れた領域に主偏向器２０８によるビーム偏向によって移行する。そして、次のｋ＋３回目のトラッキング制御が開始される。

そして、ｋ＋３回目のトラッキング制御（ｋ＋３，１，１）では、ｘ方向のトラッキング制御はｋ＋１回目のトラッキング制御と同じでありながら、＋ｙ方向に１ビーム間ピッチ分ずれた領域２１のトラッキング制御を行う。ｋ＋３回目のトラッキング制御において、トラッキングが開始される時点での照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、図１４（ａ）に示すように、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域から＋ｘ方向のオフセット分を除いたｘ方向に７ビーム間ピッチ離れた領域に振り戻される。同時に、＋ｙ方向のオフセット分を除いた－ｙ方向に１ビーム間ピッチ離れた領域に主偏向器２０８によるビーム偏向によって移行する。そして、次のｋ＋４回目のトラッキング制御が開始される。かかる動作を繰り返すことでトラッキングサイクルが実施される。なお、ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングリセットしてから主偏向セトリングを開始し、時刻ｔ＝４Ｔを含む主偏向セトリング時間の経過後（ｔ＝４Ｔ＋ΔＴｓ）が、次のトラッキング制御が開始される時点となる。その間もＸＹステージ１０５は等速移動しているため、トラッキングリセットの際に、ΔＴｓにＸＹステージ１０５の移動速度を乗じた距離分、余分に振り戻すことは言うまでもない。

図１５は、実施の形態２におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。図１４（ａ）～図１４（ｄ）に示したようにトラッキング制御毎に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分ずつだけ余分に＋ｘ方向、＋ｙ方向、＋ｘ，ｙ方向にそれぞれ振り戻す描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、ビーム１によって注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、右から２番目の画素列が欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。右から３番目の画素列が欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１７）によって描画できる。ビーム番号のかっこは、１行ずれたビームの番号を示す。右から４番目の画素列が欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２６）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した４画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／４に低減できる。

なお、主偏向器２０８によるビーム偏向によってｘ方向へのオフセットは行わず、ｙ方向へのオフセットだけを行うことでも、欠陥ビームによって描画されるサブ照射領域２９内の画素数を低減できる。例えば、ｋ回目のトラッキング制御では、オフセット（０，０）、ｋ＋１回目のトラッキング制御では、オフセット（０，１）、ｋ＋２回目のトラッキング制御では、オフセット（０，２）、ｋ＋３回目のトラッキング制御では、オフセット（０，３）、でも良い。かっこ内の数値は、トラッキング開始位置でのｘ，ｙ方向へのオフセット量となるビーム間ピッチＰサイズの倍数の値を示す。但し、ｙ方向へのオフセット量（距離）が大きくなると、照射領域３４がストライプ領域３２から外れてしまう距離が大きくなってしまうので、ｙ方向へのオフセット量（距離）は例えば１倍等の小さい方が望ましい。

以上のように、実施の形態２によれば、トラッキング制御を行う主偏向器２０８によるビーム偏向によってｙ方向へのオフセットを行う、或いはｘ方向へのオフセットとｙ方向へのオフセットとを組み合わせることで、欠陥ビームによって描画されるサブ照射領域２９内の画素数を低減できる。

実施の形態３．
上述した実施の形態では、オフセットのビーム偏向をトラッキング制御に用いる主偏向器２０８により行う場合について説明したが、オフセットのビーム偏向の仕方はこれに限るものではない。実施の形態３では、サブ照射領域２９内でのシフト偏向に用いる副偏向器２０９により行う場合について説明する。実施の形態３における描画装置１００の構成は、図１と同様である。また、実施の形態３における描画方法のフローチャート図は、図８と同様である。以下、説明する点以外の内容は、実施の形態１或いは実施の形態２と同様である。

実施の形態３では、シフト工程（Ｓ１２６）として、トラッキング制御期間中に、トラッキング制御用のビーム偏向に用いる主偏向器２０８とは別の副偏向器２０９を用いて、各ビームの描画位置をビーム間ピッチＰサイズの整数倍（ｎＰ）のオフセットを行った位置にマルチビーム２０を一括偏向する。

図１６は、実施の形態３におけるトラッキング制御を説明するための図である。図１６において、副偏向器２０９は、サブ照射領域２９のサイズよりも大きい偏向幅でマルチビーム２０を一括偏向できる。さらに、副偏向器２０９は、サブ照射領域２９内のシフト偏向と共にオフセット偏向を実施できる。

まず、図１６（ａ）に示すように、ｋ回目のトラッキング制御において、トラッキングが開始される時点での照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように主偏向器２０８がトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝２Ｔの時点で－ｘ方向に例えば４ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。一方、その間、副偏向器２０９は、１ショット目の最大描画時間Ｔｔｒが経過後、マルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（１ショット目の描画位置）を次の各ビームの描画位置（２ショット目の描画位置）にシフトする。

そして、２ショット目の最大描画時間Ｔｔｒが経過後、マルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（２ショット目の描画位置）を次の各ビームの描画位置（３ショット目の描画位置）にシフトする。かかる偏向の際に、合わせて、副偏向器２０９は、オフセットとして＋ｙ方向にビーム間ピッチの整数倍（ｎＰ）だけ各ビームの描画位置（３ショット目の描画位置）をビーム偏向によって移行する。図１６（ｂ）に示すように、時刻ｔ＝２Ｔになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から２段目かつ右から１番目の画素から、注目サブ照射領域２９のｙ方向に隣接したサブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素へと副偏向器２０９によるマルチビーム２０の一括偏向により描画対象画素がシフトされている。図１６（ｂ）に示すように、主偏向器２０８によるトラッキング制御を行っている描画対象ストライプ領域３２内の領域２１（実線）は、ｙ方向にオフセットされている訳ではないが、実際にマルチビーム２０を照射する照射領域３４（点線）は、副偏向器２０９によるビーム偏向によりｙ方向にオフセットされていることになる。

そして、副偏向器２０９は、３ショット目の最大描画時間Ｔｔｒが経過後、マルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（３ショット目の描画位置）を次の各ビームの描画位置（４ショット目の描画位置）にシフトする。その間、主偏向器２０８は、領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で－ｘ方向に例えば８ビーム間ピッチ移動する。その間、主偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、図１６（ｃ）に示すように、４ショット目の最大描画時間Ｔｔｒが経過した時刻ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットする。

時刻ｔ＝３Ｔ＋Ｔｔｒの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、図１６（ｄ）に示すように、次のトラッキング制御が開始される時点で、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１（実線）は、前回の領域からｘ方向に８ビーム間ピッチ離れた領域に主偏向器２０８によるビーム偏向によって移行する。これにより、図１６（ｄ）に示すように、主偏向器２０８によるトラッキング制御を行っている描画対象ストライプ領域３２内の領域２１（実線）は、ｋ回目のトラッキング制御の開始位置に戻る。そして、次のｋ＋１回目のトラッキング制御が開始される。

図１７は、実施の形態３における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。図１７（ａ）では、縦軸にトラッキング用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３４から出力される偏向電圧Ｖｔｒを示し、横軸に時間ｔを示す。図１７（ｂ）では、縦軸にｘ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｘを示し、横軸に時間ｔを示す。図１７（ｃ）では、縦軸にｙ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｙを示し、横軸に時間ｔを示す。図１７（ａ）に示すように、ｋ回目のトラッキング制御の後、ｋ＋１回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧は加算されない。同様に、ｋ＋２回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に２ビーム間ピッチのオフセット分の電圧は加算されない。同様に、ｋ＋３回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に３ビーム間ピッチのオフセット分の電圧は加算されない。一方、ｋ回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、図１７（ｃ）に示すように、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋１回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋２回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋３回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。これにより、副偏向器２０９によるビーム偏向により、照射ビームをずらすことができる。

図１８は、実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。図１７（ａ）～図１７（ｄ）に示したようにトラッキング制御期間中のシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から１番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム１によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から１番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１）によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から２番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム９によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から２番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（９）によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から３番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム１７によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から３番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１７）によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から４番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム２５によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から４番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２５）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した８画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／２に低減できる。

図１９は、実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。図１８の例では、トラッキング制御期間中のシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする描画シーケンスを説明したが、これに限るものではない。図１９の例では、トラッキング制御期間中のシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする描画シーケンスで描画処理を進める場合を示している。かかるオフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から１番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム１によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から１番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって正常ビームのビーム２によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から２番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム９によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から２番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から３番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム１７によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から３番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１８によって描画できる。同様に、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目と２段目かつ右から４番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム２５によって描画されるものの、下から３段目と４段目かつ右から４番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２６によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した８画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／２に低減できる。

図２０は、実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。図２０の例では、トラッキング制御期間中のシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする場合と、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする場合とを組み合わせた描画シーケンスで描画処理を進める場合を示している。具体的には、各トラッキング制御期間中の１ショット目から２ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする。そして、同じトラッキング制御期間中の２ショット目から３ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする。そして、同じトラッキング制御期間中の３ショット目から４ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向と＋ｙ方向との両方にシフトする。

図２０の例における描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から１番目の画素が、欠陥ビームのビーム１によって描画されるものの、下から２段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって正常ビームのビーム２によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から２番目の画素が、欠陥ビームのビーム９によって描画されるものの、下から２段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（９）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１０）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から３番目の画素が、欠陥ビームのビーム１７によって描画されるものの、下から２段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１７）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１８によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１８）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から４番目の画素が、欠陥ビームのビーム２５によって描画されるものの、下から２段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２５）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２６によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２６）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した４画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／４に低減できる。

図２１は、実施の形態３におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。図２１の例では、トラッキング制御期間中のシフト偏向の際に、シフト位置をランダムに変えると共に、さらに、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする場合と、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする場合とを組み合わせた描画シーケンスで描画処理を進める場合を示している。

図２１の例では、ｋ－１回目のトラッキングリセットの際、ｋ回目のトラッキング制御期間中の１ショット目へのシフト偏向として、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする。そして、同じｋ回目のトラッキング制御期間中の１ショット目から２ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする。そして、同じｋ回目のトラッキング制御期間中の２ショット目から３ショット目へのシフト偏向の際には、オフセットしない。そして、同じｋ回目のトラッキング制御期間中の３ショット目から４ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向と＋ｙ方向との両方にシフトする。

そして、ｋ＋１回目のトラッキング制御期間中の１ショット目から２ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする。そして、同じｋ＋１回目のトラッキング制御期間中の２ショット目から３ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする。そして、同じｋ＋１回目のトラッキング制御期間中の３ショット目から４ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向と＋ｙ方向との両方にシフトする。

そして、ｋ＋１回目のトラッキングリセットの際、ｋ＋２回目のトラッキング制御期間中の１ショット目へのシフト偏向として、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする。そして、同じｋ＋２回目のトラッキング制御期間中の１ショット目から２ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする。そして、同じｋ＋２回目のトラッキング制御期間中の２ショット目から３ショット目へのシフト偏向の際には、オフセットしない。そして、同じｋ＋２回目のトラッキング制御期間中の３ショット目から４ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向と＋ｙ方向との両方にシフトする。

そして、ｋ＋３回目のトラッキング制御期間中の１ショット目から２ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｙ方向にシフトする。そして、同じｋ＋３回目のトラッキング制御期間中の２ショット目から３ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向にシフトする。そして、同じｋ＋３回目のトラッキング制御期間中の３ショット目から４ショット目へのシフト偏向の際に、オフセット量としてビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分に＋ｘ方向と＋ｙ方向との両方にシフトする。

図２１の例における描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって正常ビームのビーム２によって描画できる。下から２段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１）によって描画できる。下から３段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１によって描画される。そして、下から４段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から２番目の画素が、欠陥ビームのビーム９によって描画されるものの、下から２段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（９）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１０）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から３番目の画素が、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１８によって描画できる。下から２段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１７）によって描画できる。下から３段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７によって描画される。そして、下から４段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１８）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から４番目の画素が、欠陥ビームのビーム２５によって描画されるものの、下から２段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２５）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２６によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２６）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した４画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／４に低減できる。さらに、欠陥ビームによって描画される画素同士を離すことができる。

実施の形態４．
実施の形態４では、上述した実施の形態１～３の組合せの描画シーケンスについて説明する。実施の形態４における描画装置１００の構成は、図１と同様である。また、実施の形態４における描画方法のフローチャート図は、図８と同様である。以下、説明する点以外の内容は、実施の形態１～３のいずれかと同様である。

図２２は、実施の形態４における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。図２２（ａ）では、縦軸にトラッキング用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３４から出力される偏向電圧Ｖｔｒを示し、横軸に時間ｔを示す。図２２（ｂ）では、縦軸にｘ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｘを示し、横軸に時間ｔを示す。図２２（ｃ）では、縦軸にｙ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｙを示し、横軸に時間ｔを示す。図２２（ａ）に示すように、主偏向器２０８によるｋ回目のトラッキング制御の後、ｋ＋１回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋２回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に２ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋３回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に３ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。これにより、主偏向器２０８によるトラッキング制御用のビーム偏向により、照射ビームをずらすことができる。さらに、ｋ回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、図２２（ｃ）に示すように、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋１回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋２回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。同様に、ｋ＋３回目のトラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。これにより、副偏向器２０９によるビーム偏向により、照射ビームをずらすことができる。このように、実施の形態４では、トラッキング制御毎の切り換えタイミングでの、主偏向器２０８によるオフセットによるビームずらしと、トラッキング制御期間中のタイミングでの、副偏向器２０９によるオフセットによるビームずらしとの両方を実施する。

図２３は、実施の形態４におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の一例を説明するための図である。図２３の例では、図２２（ａ）～図２２（ｃ）に示したようにトラッキング制御毎に、主偏向器２０８によりオフセット量として＋ｘ方向にビーム間ピッチＰサイズ分ずつだけ余分に振り戻すと共に、各トラッキング制御期間中に、副偏向器２０９によりオフセット量として＋ｙ方向にビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分にシフトする描画シーケンスで描画処理を進める。

図２３の例における描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目及び２段目かつ右から１番目の２つの画素が、欠陥ビームのビーム１によって描画されるものの、下から３段目及び４段目かつ右から１番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目及び２段目かつ右から２番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。そして、下から３段目及び４段目かつ右から２番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１０）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目及び２段目かつ右から３番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１９によって描画できる。そして、下から３段目及び４段目かつ右から３番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１９）によって描画できる。

同様に、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目及び２段目かつ右から４番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２８によって描画できる。そして、下から３段目及び４段目かつ右から４番目の２つの画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２８）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した２画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／８に低減できる。

図２４は、実施の形態４における偏向電圧を時間との関係の一例を示す図である。図２４（ａ）では、縦軸にトラッキング用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３４から出力される偏向電圧Ｖｔｒを示し、横軸に時間ｔを示す。図２４（ｂ）では、縦軸にｘ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｘを示し、横軸に時間ｔを示す。図２４（ｃ）では、縦軸にｙ方向の副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ（ユニット）１３２から出力される偏向電圧Ｖｙを示し、横軸に時間ｔを示す。図２４（ａ）に示すように、主偏向器２０８によるｋ回目のトラッキング制御の後、ｋ＋１回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋２回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に２ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。そして、ｋ＋３回目のトラッキング制御の際、主偏向Ｘ方向に３ビーム間ピッチのオフセット分の電圧を加算して印加する。これにより、主偏向器２０８によるトラッキング制御用のビーム偏向により、照射ビームをずらすことができる。さらに、各トラッキング制御期間中において、１ショット目の描画位置から２ショット目の描画位置にシフトする場合に、図２２（ｃ）に示すように、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。また、各トラッキング制御期間中において、２ショット目の描画位置から３ショット目の描画位置にシフトする場合に、図２２（ｂ）に示すように、副偏向ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。さらに、各トラッキング制御期間中において、３ショット目の描画位置から４ショット目の描画位置にシフトする場合に、副偏向ｙ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算されると共に、副偏向ｘ方向に１ビーム間ピッチのオフセット分の電圧が加算される。

図２５は、実施の形態４におけるビームの振り戻し量と、複数の欠陥ビームの発生周期とが一致してしまう場合におけるサブ照射領域の描画状況の他の一例を説明するための図である。図２５の例では、トラッキング制御毎に、主偏向器２０８によりオフセット量として＋ｘ方向にビーム間ピッチＰサイズ分ずつだけ余分に振り戻すと共に、各トラッキング制御期間中に、副偏向器２０９によりオフセット量として＋ｘ方向、或いは／及び＋ｙ方向にビーム間ピッチＰサイズ分だけ余分にシフトする描画シーケンスで描画処理を進める。

図２５の例における描画シーケンスで描画処理を進めていくことで、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から１番目の画素が、欠陥ビームのビーム１によって描画されるものの、下から２段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって正常ビームのビーム２によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から１番目の画素は、欠陥ビームのビーム１に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から２番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から２番目の画素が、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１０によって描画できる。そして、下から２段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１０）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって正常ビームのビーム１１によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から２番目の画素は、欠陥ビームのビーム９に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１１）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から３番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム１９によって描画できる。下から２段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（１９）によって描画できる。下から３段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって正常ビームのビーム２０によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から３番目の画素は、欠陥ビームのビーム１７に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２０）によって描画できる。

また、注目サブ照射領域２９の右から４番目の画素列が描画される場合、かかる注目サブ照射領域２９では、下から１段目かつ右から４番目の画素は、が、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２８によって描画できる。下から２段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２８）によって描画できる。そして、下から３段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって正常ビームのビーム２９によって描画できる。そして、下から４段目かつ右から４番目の画素は、欠陥ビームのビーム２５に代わって１行下側の正常ビームのビーム（２９）によって描画できる。このように、ビームの振り戻し量と複数の欠陥ビームの発生周期とが共に、８ビーム間ピッチで一致してしまう場合でも、注目サブ照射領域２９内の全１６画素が、すべて欠陥ビームによって描画されることなく、欠陥ビームによって描画される画素数を斜線で示した１画素、すなわち注目サブ照射領域２９の１／１６に低減できる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。なお、実施の形態２～４のいずれかの描画シーケンスについて、オフセット量（距離）および方向を可変にした複数の描画シーケンスを予め用意しておくと好適である。これらの複数の描画シーケンスを含む複数の描画シーケンス１，２，３，４，・・・の情報は、描画装置１００に外部から入力され、記憶装置１４４に格納しておく。そして、欠陥画素数最大値演算工程（Ｓ１０４）及び描画シーケンス選択工程（Ｓ１０８）を実施し、複数の描画シーケンスの中から、欠陥画素数最大値が、より小さくなる描画シーケンスを選択すればよい。また、上述した例では、主偏向器２０８と副偏向器２０９との２段偏向を行う場合について説明したがこれに限るものではない。一段偏向（トラッキング＋画素切り替えの両方を行う）の場合であっても構わない。マルチ荷電粒子ビームのブランキング機構はブランキングアパーチャアレイに限らない。たとえば機械的シャッターを用いたアパーチャアレイでブランキング制御をしてもよい。ブランキングアパーチャでブランキング制御する装置でなく、レーザをデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）等でブランキングするマルチレーザービーム描画装置でもよい。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。

２０ マルチビーム
２１ 領域
２２ 穴
２８ 画素
２９ サブ照射領域
３０ 描画領域
３２ ストライプ領域
３４ 照射領域
３６ 画素
５０ 欠陥ビーム検出部
５２ 欠陥画素数最大値演算部
５４ 描画シーケンス選択部
５６ 照射時間データ生成部
５８ データ加工部
５９ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子ビームカラム
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２２ レーザ測長システム
１３０ 偏向制御回路
１３２，１３４ ＤＡＣアンプ
１４０，１４２，１４４ 記憶装置
１５０ 描画機構
１６０ 制御系回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ基板
２０４ ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ基板
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１０ ミラー

Claims (5)

1. マルチビームの各ビームをまとめてステージの移動に追従するようにビーム偏向によるｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行う工程と、
   前記ｋ回目のトラッキング制御を行いながら、各ビームがそれぞれ対応するビーム間ピッチサイズで囲まれた矩形の照射領域内を同時にシフトしながら複数回のビームショットを行う工程と、
   前記ｋ回目のトラッキング制御期間が経過後、前記マルチビームの各ビームをまとめて偏向することにより、ｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング位置を前記ｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらに前記ビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻す工程と、
   を備えたことを特徴とするマルチビーム描画方法。
2. 前記トラッキング制御期間中に、前記トラッキング制御用のビーム偏向に用いる偏向器とは別の偏向器を用いて、各ビームの描画位置を前記ビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを行った位置に前記マルチビームを一括偏向する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のマルチビーム描画方法。
3. 予め設定された前記オフセットの複数の距離の中から前記ｋ＋１回目のトラッキング制御に使用するオフセット距離を選択する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のマルチビーム描画方法。
4. 前記マルチビームの中から欠陥ビームを検出する工程をさらに備え、
   前記欠陥ビームが検出された後のｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、前記トラッキング制御用のビーム偏向によって、トラッキング位置を前記欠陥ビームが検出された後のｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらに前記ビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻すことを特徴とする請求項１～３いずれか記載のマルチビーム描画方法。
5. 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
   マルチビームを放出するマルチビーム放出源と、
   前記マルチビームの各ビームの照射時間を制御する照射時間制御部と、
   前記マルチビームの各ビームをまとめてステージの移動に追従するようにｋ回目（ｋは自然数）のトラッキング制御を行うように前記マルチビームを偏向する第１の偏向器と、
   １回の前記トラッキング制御あたりのトラッキング制御期間中に、各ビームがそれぞれ対応する前記試料上におけるビーム間ピッチサイズで囲まれた矩形の照射領域内を、同時にシフトしながら複数回のビームショットを行うように前記マルチビームを偏向する第２の偏向器と、
   前記ｋ回目のトラッキング制御期間が経過後、前記マルチビームの各ビームをまとめて偏向することにより、ｋ＋１回目のトラッキング制御の開始位置として、トラッキング位置を前記ｋ回目のトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置にさらに前記ビーム間ピッチサイズの整数倍のオフセットを付けた位置まで戻すように前記第１の偏向器を制御する偏向制御回路と、
   を備えたことを特徴とするマルチビーム描画装置。

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