JP2019105721A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 狭額縁化が可能な表示装置を提供する。又は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。【解決手段】 表示装置は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有する表示パネルを備える。表示パネルは、第１基板と、境界線Ｂａを交差した接続用孔を有する第２基板と、表示領域ＤＡ及び第１領域Ａ１に位置する保護層ＰＦと、非表示領域ＮＤＡに位置する接続材Ｃと、を備える。保護層ＰＦの外縁は、境界線Ｂａ上に位置する第１外縁Ｅ１ａ，Ｅ１ｂと、第１領域Ａ１に設けられると共に第１外縁Ｅ１ａの端部と第１外縁Ｅ１ｂの端部とにそれぞれつなげられ、且つ、接続用孔を迂回して延在する第２外縁Ｅ２と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００２−４０４６５号公報

本実施形態は、狭額縁化が可能な表示装置を提供する。又は、本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、
表示領域と、前記表示領域の外縁に沿って設けられる第１領域及び前記第１領域の外縁に沿って設けられる第２領域を含む非表示領域と、を有する表示パネルを備え、前記表示パネルは、第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１領域と前記第２領域との境界線に交差して前記非表示領域に位置し前記第１主面から前記第２主面に亘って貫通した接続用孔と、を含んだ第２基体と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、前記表示領域及び前記第１領域に位置し、前記第２導電層のうち少なくとも前記表示領域に属する部分を覆う保護層と、前記非表示領域に位置し前記接続用孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、前記保護層の外縁は、前記境界線上に位置する一方の第１外縁と、前記接続用孔を挟んで前記一方の第１外縁と対向した状態で前記境界線上に位置する他方の第１外縁と、前記第１領域に設けられると共に前記一方の第１外縁の端部と前記他方の第１外縁の端部とにそれぞれつなげられ、且つ、前記接続用孔を迂回して延在する第２外縁と、を有する。

図１は、第１の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。 図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置の断面図である。 図４は、図３に示した表示装置の非表示領域を示す平面図であり、第２基体、第２導電層、保護層、及び接続材を示す図である。 図５は、上記第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、表示パネルに保護層を形成した状態を示す図である。 図６は、図５に続く、上記第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、第２基体に向けてレーザ光を照射して接続用孔を形成し、上記接続用孔に接続材を充填した状態を示す図である。 図７Ａは、比較例１の表示装置の非表示領域を示す平面図であり、第２基体、第２導電層、保護層、及び接続材を示す図である。 図７Ｂは、図７Ａの線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿って示す表示装置の断面図である。 図８Ａは、比較例２の表示装置の非表示領域を示す平面図であり、第２基体、第２導電層、保護層、及び接続材を示す図である。 図８Ｂは、図８Ａの線ＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢに沿って示す表示装置の断面図である。 図９は、上記第１の実施形態の変形例１の表示装置の表示パネルの他の構成例を示す断面図である。 図１０は、上記第１の実施形態の変形例２表示装置の構成例を示す平面図である。 図１１は、第２の実施形態に係るセンサ装置の構成例を示す断面図である。

以下に、本発明の複数の実施形態、複数の変形例、及び比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

ここで開示する実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。

以下に示す各実施形態は、第１基体と第２基体とが間隔を空けて配置され、第２基体が孔を有し、第１基体に位置する第１導電層と第２基体に位置する第２導電層とが上記孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置に適用できる。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップ１、配線基板３、後述するバックライトユニットＢＬなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層としての液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図１において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の空間に位置している。
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状の領域であり、表示領域ＤＡの外縁に沿って設けられ、表示領域ＤＡと隣接している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの左側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第１接続領域Ａａと、表示領域ＤＡの右側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第２接続領域Ａｂと、を含んでいる。

ＩＣチップ１は、表示パネルＰＮＬ、センサＳＳなどの制御部として機能している。ＩＣチップ１は、配線基板３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線を駆動する信号線駆動回路ＳＤ、走査線を駆動する走査線駆動回路、及び後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいる。例えば、ディスプレイドライバＤＤは、信号線駆動回路ＳＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤを含んでいる。また、図１に示す例では、ＩＣチップ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の表示パネルであってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の表示パネルであってもよい。或いは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の表示パネルであってもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、複数のセンサ駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。

検出電極Ｒｘは、表示領域を横切る本体部ＲＳと、複数の本体部を接続する接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、接続部ＣＮに連結される端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。
本体部ＲＳは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。
また、端子部ＲＴの少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥに重なって位置している。端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの上記第１接続領域Ａａ又は第２接続領域Ａｂに位置している。

第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの第１接続領域Ａａや第２接続領域Ａｂに位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴに重なって位置している。配線Ｗは、パッドＰに接続され、第２方向Ｙ及び第１方向Ｘに延出し、配線基板３を介してＩＣチップ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）は、端子部ＲＴとパッドＰとが対向する位置に形成されている。接続用孔については後述する。

センサ駆動電極Ｔｘは、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。例えば、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。

センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Ｔｘは、後述する共通電極ＣＥによって形成される。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン信号を供給する。なお、表示期間に、信号線駆動回路ＳＤは、後述する画素電極ＰＥに画像信号を与える。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング期間（タッチ期間）に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。図１に示す検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取る。

なお、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。

図２は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに切断した断面図である。図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。

図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０を備え、その上面（第３主面）に、第１絶縁層１１、信号線Ｓ、第２絶縁層１２、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、第３絶縁層１３、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等がこの順に積層形成されている。金属層Ｍは、一例では、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの順に積層して形成されている。なお、図２において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁層等を省略して図示している。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び第２配向膜ＡＬ２は、第２基体２０の下面（第１主面）に、この順で積層形成されている。
第１偏光板ＰＬ１は、第１基体１０とバックライトＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、第２基体２０に設けられた検出電極Ｒｘの上方に位置している。

次に、前述の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）について説明する。図３は、図１中の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、第１接続領域Ａａ及び第２接続領域Ａｂを代表して第１接続領域Ａａの構成について説明する。

図３に示すように、非表示領域ＮＤＡの第１接続領域Ａａは、表示領域ＤＡの外縁に沿って設けられる第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の外縁に沿って設けられる第２領域Ａ２と、を含んでいる。第１領域Ａ１は、表示領域ＤＡと第２領域Ａ２との間に位置している。

表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁層ＯＩと、保護層ＰＦと、接続材Ｃと、充填材ＦＩと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、カバー材ＣＧと、を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。

第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１基体１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１基体１０は、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａと、第３主面１０Ａとは反対側の第４主面１０Ｂと、を含んでいる。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）や配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を含み、第１基体１０の第３主面１０Ａ側に位置している。第１基体１０とパッドＰとの間や、第１基体１０と第２絶縁層１２との間には、図２に示す第１絶縁層１１や、他の絶縁層や他の導電層が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２基体２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。
第２基体２０は、第１導電層Ｌ１と対向し且つ第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離れて位置した第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａとは反対側の第２主面２０Ｂと、を含んでいる。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘすなわち端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）、接続部ＣＮ、及び本体部ＲＳを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置している。

保護層ＰＦは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに位置している。第１接続領域Ａａにおいて、保護層ＰＦは、第１領域Ａ１に位置し、第２領域Ａ２に位置していない。保護層ＰＦは、後述する第１外縁（Ｅ１）と、第２外縁Ｅ２と、を有している。保護層ＰＦは、第２導電層Ｌ２のうち、少なくとも表示領域ＤＡに属する部分を覆っている。換言すると、第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、第２導電層Ｌ２及び保護層ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。
ここで、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の境界線Ｂａと、保護層ＰＦの第１外縁（Ｅ１）との関係について説明する。保護層ＰＦの第１外縁（Ｅ１）は、後述の第２外縁Ｅ２の存在によって第２方向Ｙに不連続に設けられるものとなるが、境界線Ｂａは、当該第１外縁（Ｅ１）を繋げて形成される仮想線のことを言う。

第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、有機絶縁層ＯＩが位置している。有機絶縁層ＯＩに替えて、無機絶縁層や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第２基体２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。

例えば、有機絶縁層ＯＩは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせるシール材ＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁層１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを含む。シール材ＳＥは、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との隙間に設けられ、シール材ＳＥで囲まれている。

なお、第２絶縁層１２とシール材ＳＥとの間には、図２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。

第１及び第２基体１０，２０は、ガラス、樹脂などの絶縁材料によって形成されている。保護層ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明な導電材料等によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。本実施形態において、第１導電層Ｌ１は、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層して形成され、第２導電層Ｌ２は、モリブデン、アルミニウム、モリブデン、及び透明な導電材料の順に積層して形成されている。

第２基板ＳＵＢ２には、第１孔ＶＡが形成されている。第１孔ＶＡは、非表示領域ＮＤＡにおいて境界線Ｂａに交差する位置に設けられ、第１主面２０Ａから第２主面２０Ｂに亘って貫通している。第１孔ＶＡは、第２主面２０Ｂに開口ＶＡｏを有している。なお、第２外縁Ｅ２は、開口ＶＡｏに所定の間隔で沿設されている。第２導電層Ｌ２は、開口ＶＡｏの周りに位置し、第１孔ＶＡと重なる位置には存在していない。

表示装置ＤＳＰは、第１孔ＶＡに加え、各有機絶縁層ＯＩを貫通する第２孔ＶＢ、第１導電層Ｌ１を貫通する第３孔ＶＣ、及び第１基体１０に形成された凹部ＣＣを有している。第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、互いに連通しており、前述の接続用孔Ｖを構成する。
第２孔ＶＢは、第２絶縁層１２を貫通する孔、シール材ＳＥを貫通する孔、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する孔などを含んでいる。第１導電層Ｌ１は、第２孔ＶＢにおいて有機絶縁層ＯＩで覆われていない上面ＬＴ１と、第３孔ＶＣにおける内面ＬＳ１と、を有している。第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、第１孔ＶＡの直下に位置している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からのレーザ光の照射により、形成することができる。

ここで、開口ＶＡｏの端から第２外縁Ｅ２までの間隔Ｇａは数μｍ〜数十μｍ程度が好ましい。保護層ＰＦは、第３方向Ｚに厚みＴｈを有している。かかる厚みは、数μｍ〜十数μｍ程度が好ましい。また、間隔Ｇａは、厚みＴｈと、実質同一の長さを有していることが好ましい。ここで、実質同一の長さとは、間隔Ｇａが、厚みＴｈの半分以上、且つ、厚みＴｈの１．５倍以下であることを言う。本実施形態において、間隔Ｇａ及び厚みＴｈは、それぞれ５μｍである。

接続用孔Ｖには、接続材Ｃが配置されている。接続材Ｃと、接続用孔Ｖが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁層ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Ｃは、例えば銀などの金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。
なお、製造工程の過程で溶剤は蒸発するため、接続材Ｃとしては金属材料が接続用孔の壁面や開口周りに付着しているとしてよい。

接続材Ｃは、接続用孔Ｖを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。接続材Ｃは、非表示領域ＮＤＡにおいて、接続用孔Ｖの内部及び外部に位置している。接続材Ｃは、第２外縁Ｅ２に接している。接続材Ｃは、第１孔ＶＡにおける第２基体２０の内面２０Ｉ、第２孔ＶＢにおける有機絶縁層ＯＩの内面、内面ＬＳ１などを覆っている。また、接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方に位置している。
図３に示す例では、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との関係に注目すると、接続材Ｃは、パッドＰの上面ＬＴ１及び内面ＬＳ１に接触している。接続材Ｃと第２導電層Ｌ２との関係に注目すると、接続材Ｃは、端子部ＲＴのうち保護層ＰＦで覆われていない部分に接触している。

図３に示す例では、接続材Ｃは、内面２０Ｉ、第２孔ＶＢの内面、及び内面ＬＳ１にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続材Ｃが充填されていない。より具体的には、接続材は、これらの内面を皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。
接続用孔Ｖの中空部分を埋めるべく、接続用孔Ｖは充填材ＦＩで覆われている。例えば、接続用孔Ｖは充填材ＦＩで満たされている。又は、接続用孔Ｖに空洞が存在していてもよい。充填材ＦＩは、例えば保護層ＰＦと同様の材料によって形成されている。なお、接続材Ｃは、接続用孔Ｖを埋め尽くしていてもよい。

接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板３と電気的に接続される。そのため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力される信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能になる。したがって、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。

カバー材ＣＧは、平型であり、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにわたって形成され、表示パネルＰＮＬの全面を覆っている。カバー材ＣＧの表示パネルＰＮＬと対向する側の面には、遮光層ＳＨが形成されている。遮光層ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。遮光層ＳＨは、接続用孔Ｖ、接続材Ｃなどを覆っている。
カバー材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２偏光板ＰＬ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically Clear Resin）で形成されている。接着層ＡＬは、全域にわたって略均一な厚みを有している。

図４に示すように、第１孔ＶＡの開口ＶＡｏは、境界線Ｂａに交差した状態で設けられている。本実施形態において、開口ＶＡｏは、平面視で真円形であり、中心（中心軸）ＣＥＮを有している。なお、開口ＶＡｏの形状は、真円以外の円形でもよく、円形以外であってもよい。この場合、中心ＣＥＮは、開口ＶＡｏの幾何学上の中心である。中心ＣＥＮは、境界線Ｂａより表示領域ＤＡ側に位置している。すなわち、開口ＶＡｏは、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２に亘って形成されており、且つ、第２領域Ａ２の（開口）面積よりも第１領域Ａ１の（開口）面積の方が大きい。
端子部ＲＴは、平面視で円環の形状を有し、開口ＶＡｏを全周にわたって囲んでいる。

保護層ＰＦの外縁は、複数の第１外縁Ｅ１と、複数の第２外縁Ｅ２と、を含んでいる。本実施形態において、第２外縁Ｅ２は、第１孔ＶＡに一対一で対応している。第２外縁Ｅ２の個数は、第１孔ＶＡの数と同じである。ここでは、一方の第１外縁Ｅ１ａと、他方の第１外縁Ｅ１ｂと、第２外縁Ｅ２と、を示している。

第１外縁Ｅ１ａは、境界線Ｂａ上に位置している。第１外縁Ｅ１ｂは、第１孔ＶＡを挟んで第１外縁Ｅ１ａと隙間を空けて端部間が対向しており、同じく境界線Ｂａ上に位置している。第２外縁Ｅ２は、第１領域Ａ１に設けられている。第２外縁Ｅ２は、第１外縁Ｅ１ａの端部と第１外縁Ｅ１ｂの端部とにそれぞれつなげられ、第１領域Ａ１内にて第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）を迂回して延在している。後述するが、第１外縁Ｅ１は、保護層ＰＦを形成することで得られるものであり、第２外縁Ｅ２は、保護層ＰＦを形成した後、保護層ＰＦにレーザ光が照射されることで得られるものである。

本実施形態において、第２外縁Ｅ２は、平面視にて円弧の形状を有している。そして、平面視にて、第２外縁Ｅ２と、開口ＶＡｏの端のうち第１領域Ａ１に位置する部分とは、相似であることが好ましい。

接続材Ｃは、第１領域Ａ１において、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）のうち開口ＶＡｏの端と第２外縁Ｅ２とで挟まれた領域に位置する部分に接している。また、接続材Ｃは、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）のうち、第２領域Ａ２に位置する部分に接している。

また、本実施形態において、保護層ＰＦは、フォトリソグラフィ法を用いて形成されている。境界線Ｂａは、第２方向Ｙに直線状に延在する理想線ＩＬ１上にあり、第１外縁Ｅ１の位置は理想的な位置である。上記のようにフォトリソグラフィ法を用いることにより、第１外縁Ｅ１を所望の位置に形成することができる。

ところで、保護層ＰＦは、フォトリソグラフィ法以外の手法を用いて形成され得る。例えば、保護層ＰＦは、印刷法を用いて形成可能である。但し、印刷法を用いた場合、保護層ＰＦの第１外縁Ｅ１は、理想線ＩＬ１より外側にずれたり、内側にずれたり、し得る。

ここで、第１基準線ＲＬ１は、理想線ＩＬ１より外側（第２基体２０の外縁Ｅ２０側）に位置し、第２方向Ｙに直線状に延在している。第２基準線ＲＬ２は、理想線ＩＬ１より内側（表示領域ＤＡ側）に位置し、第２方向Ｙに直線状に延在している。第１方向Ｘにおいて、理想線ＩＬ１から第１基準線ＲＬ１までの幅Ｗａ１と、理想線ＩＬ１から第２基準線ＲＬ２までの幅Ｗａ２とは、同一である。第１基準線ＲＬ１から第２基準線ＲＬ２までの領域は、保護層ＰＦのためのマージン領域であり、第１外縁Ｅ１が位置し得る領域である。

第１外縁Ｅ１（境界線Ｂａ）が理想線ＩＬ１より第２基準線ＲＬ２側にずれても、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、境界線Ｂａを交差することができる。しかしながら、第１外縁Ｅ１（境界線Ｂａ）が理想線ＩＬ１より第１基準線ＲＬ１側にずれると、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、境界線Ｂａを交差することが困難になる場合があり得る。

上記のことから、保護層ＰＦの形成に印刷法を用いる場合、印刷法に続けていわゆるレーザトリミングを行い、保護層ＰＦを形成してもよい。レーザトリミングでは、レーザ走査により、保護層ＰＦのうち理想線ＩＬ１と第１基準線ＲＬ１との間に属する部分にレーザ光を照射する。これにより、保護層ＰＦのうち第１基準線ＲＬ１側にはみ出し過ぎた部分を除去することができる。例えば、第１外縁Ｅ１が理想線ＩＬ１上に位置するよう、保護層ＰＦを形成することができる。上記のことから、印刷法とレーザトリミングとの両方を用いて保護層ＰＦの第１外縁Ｅ１を形成してもよい。これにより、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、安定して境界線Ｂａを交差することが可能となる。

なお、本実施形態と異なり、境界線Ｂａは、第２方向Ｙに直線状に延在していなくともよい。第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）が境界線Ｂａを交差するのであれば、境界線Ｂａは蛇行して第２方向Ｙに延在していてもよい。

表示パネルＰＮＬの製造工程において、例えば、複数の表示パネルを含む集合体を割断して単個の表示パネルに分離することで、上記外縁Ｅ２０を有する第２基体２０などを形成することができる。本実施形態において、外縁Ｅ２０は、第２方向Ｙに直線状に延在する理想線ＩＬ２上を通っている。
但し、外縁Ｅ２０は、蛇行して第２方向Ｙに延在し得る。ここで、幅Ｗｂは、第１方向Ｘにおいて、理想線ＩＬ２から第１基準線ＲＬ１までの距離である。理想線ＩＬ２と第１基準線ＲＬ１との間の領域は、上記割断による外縁Ｅ２０の若干の蛇行を考慮したマージン領域であり、外縁Ｅ２０が位置し得る領域である。

端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）から外縁Ｅ２０までの最短距離は、理想線ＩＬ２から理想線ＩＬ１までの距離より短い。このため、上記の最短距離が、理想線ＩＬ２から理想線ＩＬ１までの距離より長い場合と比較して、狭額縁化など、表示パネルＰＮＬの小型化に寄与することができる。
本実施形態の表示装置ＤＳＰは、上記のように構成されている。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、保護層ＰＦの形成から充填材ＦＩの形成までの製造方法について説明する。
図５に示すように、まず、フォトリソグラフィ法、印刷法、又は印刷法及びレーザトリミングの両方を用い、保護層ＰＦを形成する。この時点で、保護層ＰＦは、第１外縁Ｅ１を有し、第２外縁Ｅ２を有していない。続いて、保護層ＰＦの上方から、第２基体２０に向けてレーザ光を照射する。

図６に示すように、これにより、第２基体２０、有機絶縁層ＯＩ、第１導電層Ｌ１を貫通し、第１基体１０を凹ませる接続用孔Ｖを形成することができる。さらに、保護層ＰＦと、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）と、を部分的に除去することができる。保護層ＰＦにおいては、第２外縁Ｅ２が形成される。
なお、上記レーザ光の照射により接続用孔Ｖを形成し、その後改めて保護層ＰＦにレーザトリミングを行うことで第１外縁Ｅ１を形成する工程も採用可能である。

また、レーザ光の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギが与えられると、第１導電層Ｌ１に利用する金属や第２基体２０に利用するガラスより、有機絶縁層ＯＩに利用する有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、第２孔ＶＢは、拡張して形成されている。
なお、レーザとしては、例えば炭酸ガスレーザなどが適用可能であるが、第２基体２０及び有機絶縁層ＯＩに孔を形成できるものであればよく、エキシマレーザ装置なども適用可能である。

次いで、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。具体的には、まず、接続用孔Ｖに接続材Ｃを注入する。接続材Ｃを注入する際、終始、大気圧下で行ってもよい。又は、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で接続材Ｃを注入した後、接続材Ｃの外側の雰囲気の気圧を大気圧に戻してもよい。これにより、接続材Ｃが接続用孔Ｖの底まで流れ込み、接続材Ｃは第１導電層Ｌ１に接触する。

何れの接続材Ｃの注入方法においても、保護層ＰＦの側面のうち、第２外縁Ｅ２に沿った側面ＳＰＦ２は、接続材Ｃを堰き止めることができる。また、このように接続材Ｃが保護層ＰＦの側面に堰き止められることにより、接続材Ｃに一定の表面張力を働かせることができる。接続材Ｃを保護層ＰＦによって堰き止めない場合と比較して、接続材Ｃの広がりを抑制することができ、接続材Ｃを厚く盛ることができる。

その後、図３に示すように、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続材Ｃの体積は減少し、接続用孔Ｖにおける内面を皮膜状に覆う接続材Ｃが形成される。このように形成された接続材Ｃは、孔ＶＡにおいて第２基体２０に接触し、孔ＶＢにおいて有機絶縁層ＯＩ及び上面ＬＴ１に接触し、孔ＶＣにおいて内面ＬＳ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１基体１０に接触している。なお、上述した接続材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。

上記のように本実施形態では、接続材Ｃを注入する工程において保護層の側面の堰き止め効果及びそれに伴う表面張力の発生効果を狙って接続材Ｃを厚く盛ることができる。したがって、十分な量の接続材Ｃを接続用孔Ｖに供給することができる。この結果、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において接続材Ｃを途切れることなく連続的に形成でき、接続材注入工程の信頼性が高まる。また、電気抵抗の低い接続材Ｃを得ることができる。

その後、接続材Ｃの溶剤が蒸発することで接続材Ｃが薄膜化して接続用孔Ｖ及び開口ＶＡｏ周りに付着する。上述の如く十分な量の接続材Ｃを供給できるので、接続材Ｃは十分な膜厚を有して接続用孔Ｖに形成される。
その後、充填材ＦＩを形成することで、図３の如き基板間導通構造が形成される。図３に示した例では、充填材ＦＩは、接続用孔Ｖの内部のうち接続材Ｃ以外の残りの部分に充填されるとともに、接続材Ｃと、第２導電層Ｌ２のうち保護層ＰＦ及び接続材Ｃで覆われていない部分を覆っている。これにより、第２偏光板ＰＬ２とそれぞれ対向する側の保護層ＰＦの面及び充填材ＦＩの面は、平坦化され、接続用孔Ｖと重なる部分の段差を緩和することができる。

上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。

第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、境界線Ｂａを交差している。このため、狭額縁化など、表示パネルＰＮＬの小型化に寄与することができる。
保護層ＰＦは、側面ＳＰＦ２（第２外縁Ｅ２）を備えている。保護層ＰＦは、接続材Ｃの形成時に第２主面２０Ｂに沿った方向に広がり易かった接続材Ｃを堰き止めることができ、接続材Ｃを厚く盛ることができる。言い換えると、接続用孔Ｖの近傍に接続材Ｃを留めることができる。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続材Ｃで良好に導通させることができる。

かかる構成により、接続材Ｃは表示領域ＤＡ側に広がり難い。ユーザに接続材Ｃを視認させ難くすることができるため、表示品位に優れた表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、平面視において、遮光層ＳＨの内周縁ＩＰから接続用孔Ｖまでの距離を短くすることができるため、狭額縁化が可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。
上記のことから、狭額縁化が可能な表示装置ＤＳＰを得ることができる。さらに、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（比較例１）
次に、比較例１について説明する。比較例１では、保護層ＰＦの外縁の位置が上記第１の実施形態と異なっている。図７Ａ及び図７Ｂにおいては、説明に必要な主要部のみを図示している。例えば、充填材ＦＩに関しては図示していない。
図７Ａに示すように、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、境界線Ｂａを交差していない。この結果、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、第２領域Ａ２に位置し、第１領域Ａ１に位置していない。

また、保護層ＰＦの外縁は、実質的に第１外縁Ｅ１のみによって形成され、上記第２外縁Ｅ２を含んでいない。第１外縁Ｅ１は、開口ＶＡｏから第１方向Ｘに離れて位置している。このため、レーザ光の照射にて第１孔ＶＡを形成しても、第１外縁Ｅ１の位置及び形は維持されている。

上記第１の実施形態と比較した場合、接続材Ｃは、平面視にて乱雑に広がっている。接続材Ｃを形成する際、金属材料が保護層ＰＦで堰き止められたり、保護層ＰＦが金属材料に所望の表面張力を働かせることができなかったり、するためである。

ここで、第１基準線ＲＬ１は、開口ＶＡｏのうち表示領域ＤＡ側の端を通り、第２方向Ｙに直線状に延在している。第３基準線ＲＬ３は、開口ＶＡｏのうち外縁Ｅ２０側の端を通り、第２方向Ｙに直線状に延在している。第４基準線ＲＬ４は、第３基準線ＲＬ３と、理想線ＩＬ２との間に位置し、第２方向Ｙに直線状に延在している。幅Ｗｃは、第１方向Ｘにおいて、第３基準線ＲＬ３から第４基準線ＲＬ４までの距離である。幅Ｗｂは、第１方向Ｘにおいて、理想線ＩＬ２から第４基準線ＲＬ４までの距離である。

第３基準線ＲＬ３と第４基準線ＲＬ４との間の領域は、接続材Ｃのためのマージン領域であり、接続材Ｃが存在し得る領域である。理想線ＩＬ２と第４基準線ＲＬ４との間の領域は、外縁Ｅ２０のためのマージン領域であり、外縁Ｅ２０が位置し得る領域である。

境界線Ｂａは、表示領域ＤＡと開口ＶＡｏとの間に位置している。このため、保護層ＰＦに起因して狭額縁化が阻害されることはない。ところで、外縁Ｅ２０を得るための割断工程の際、第２主面２０Ｂは露出している必要がある。このため、保護層ＰＦや、金属層が、第４基準線ＲＬ４と理想線ＩＬ２との間の領域に侵入している状態を防止する必要がある。但し、比較例１では、接続材Ｃは広がり易いため、十分な幅Ｗｃを確保する必要がある。そのため、比較例１では、幅Ｗｃを持つマージン領域の分、狭額縁化が阻害される場合があり得る。

図７Ｂに示すように、保護層ＰＦは、第１外縁Ｅ１に沿った側面ＳＰＦ１を有している。接続材Ｃは、側面ＳＰＦ１に接していない。上記第１の実施形態と比較し、開口ＶＡｏの端から側面ＳＰＦ１までの間隔Ｇａは長い。このため、接続材Ｃを形成する際、金属材料を厚く盛ろうとすると、接続材Ｃが広がり過ぎてしまい、広がった接続材Ｃが割断領域に侵入してしまう恐れがある。一方、接続材Ｃを形成する際、金属材料を薄く盛れば接続材Ｃの広がりを防止することができる。しかしながら、この場合、接続材Ｃが想定以上に薄く形成されてしまい、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れる場合があり得る。また、電気抵抗の低い接続材Ｃを得ることが困難となり得る。結果的に、接続材Ｃによる接続信頼性が低下することになり得る。
上記のことから、比較例１では、狭額縁化が可能な表示装置ＤＳＰを得ることが困難となり得る。さらに、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることが困難となり得る。

（比較例２）
次に、比較例２について説明する。比較例２では、保護層ＰＦの外縁の位置が上記第１の実施形態及び上記比較例１と異なっている。図８Ａ及び図８Ｂにおいては、説明に必要な主要部のみを図示している。例えば、充填材ＦＩに関しては図示していない。
図８Ａに示すように、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、境界線Ｂａを交差していない。第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）は、第１領域Ａ１に位置し、第２領域Ａ２に位置していない。

保護層ＰＦの外縁は、第１外縁Ｅ１を含み、上記第２外縁Ｅ２を含んでいない。このため、第１孔ＶＡを形成するためのレーザ光は、保護層ＰＦに照射され、保護層ＰＦに第４孔ＶＤが形成される。第４孔ＶＤは、第１孔ＶＡと第３方向Ｚに対向している。また、本比較例２の場合、上記のようにレーザ光が照射されると、第２基体２０や第２導電層Ｌ２に利用する材料より、保護層ＰＦに利用する材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第４孔ＶＤは、第１孔ＶＡより拡張して形成されている。なお、第１外縁Ｅ１の位置及び形は維持されている。

ここで、第２基準線ＲＬ２は、開口ＶＡｏのうち外縁Ｅ２０側の端を通り、第２方向Ｙに直線状に延在している。境界線Ｂａは、開口ＶＡｏより外縁Ｅ２０側に位置している。このため、本比較例２は、第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）が境界線Ｂａを交差する場合と比較して、狭額縁化など、表示パネルＰＮＬの小型化が困難である。

図８Ｂに示すように、保護層ＰＦは、第４孔ＶＤにおける内面ＳＡを有している。接続材Ｃは、内面ＳＡに接している。上記第１の実施形態と比較した場合、本比較例２の接続材Ｃの広がりは、一層、抑制される。なぜなら、接続材Ｃを形成する際、内面ＳＡで金属材料が堰き止められたり、内面ＳＡが金属材料に表面張力を働かせることができたり、するためである。なお、接続材Ｃを形成する際、金属材料を厚く盛ることは可能である。接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを良好に接続することができる。
上記のことから、比較例２では、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることは可能である。但し、比較例２では、狭額縁化が可能な表示装置ＤＳＰを得ることは困難である。

これらの比較例に対し、上述した第１の実施形態では、保護層ＰＦは、第１外縁Ｅ１、及び第２外縁Ｅ２を有している。保護層ＰＦにより、特に、表示領域ＤＡ側で堰き止め効果を得ることができる。また、非表示領域ＮＤＡにおいて、保護層ＰＦのためのマージン領域を狭く見積もることができ、結果的に、狭額縁化に寄与することができる。
また、側面ＳＰＦ２（第２外縁Ｅ２）は、開口ＶＡｏを囲う位置に設けられているため、接続材Ｃの注入工程時に、表面張力を接続材Ｃに良好に発揮することができる。当該表面張力は、平面視において、注入された接続材Ｃの外縁の全周に亘って有効に働く。そのため、側面ＳＰＦ２がない領域（保護層ＰＦがない領域）であっても、当該表面張力の影響により、接続材Ｃの漏れ出しを防止することができる。又は、接続材Ｃの漏れ出しが生じたとしても、接続材Ｃの漏れ出しを最小限に抑えることができる。

上述したように、接続材Ｃは、表示領域ＤＡ側に関して保護層ＰＦにより堰き止められ、外縁Ｅ２０側に関して側面ＳＰＦ２の表面張力の発生により広がりが抑制される。外縁Ｅ２０側に保護層ＰＦ等による壁面を形成することなく、接続材Ｃの広がりを抑制することができる。そのため、外縁Ｅ２０側に、接続材Ｃを堰き止めるための構造物を形成する必要はない。また、当該構造物を形成するための領域を考慮したり、割断のマージンを当該構造物の外端から取ったりする必要はないため、狭額縁化に寄与することができる。

次に、上記第１の実施形態の変形例について説明する。
（変形例１）
例えば、図９に示すように、接続材Ｃが、第１基板ＳＵＢ１側の電極として、第１導電層Ｌ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接していてもよい。第１基板ＳＵＢ１は、第３導電層Ｌ３をさらに有している。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２とシール材ＳＥとの間に形成されている。例えば、第３導電層Ｌ３は、上述した金属層Ｍとともに、同一材料を利用し、同時に形成される。第３導電層Ｌ３は、第１導電層Ｌ１に電気的に接続されている。図９に示す例では、第３導電層Ｌ３は、第２絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを通り、第１導電層Ｌ１にコンタクトしている。

接続用孔Ｖは、第３導電層Ｌ３を貫通した第５孔ＶＥをさらに有している。平面視において、第２孔ＶＢの面積は、第５孔ＶＥの面積より大きい。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２及びシール材ＳＥで覆われていない環状の部分ＲＩを有している。接続材Ｃは、第３導電層Ｌ３の上記部分ＲＩに接触している。例えば、接続材Ｃは、上記部分ＲＩのうち、内面ＲＩＩ、上面ＲＩＴ、及び下面ＲＩＢに接している。
本変形例においても、レーザ光の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギが与えられると、融点の違いから、第３導電層Ｌ３に利用する金属より、第２絶縁膜１２に利用する有機絶縁材料、及びシール材ＳＥに利用する有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上記部分ＲＩは、溶け残り部分であり、接続材Ｃと接触する領域となる。
上記のように、図９に示す例では、接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接触している。接続材Ｃが第３導電層Ｌ３に接触する面積の分、接触面積を拡大することができる。

（変形例２）
図１０に示すように、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３…は、それぞれ第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに間隔を空けて並んでいてもよい。本体部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３…は、表示領域ＤＡと配線基板３との間に位置し、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…は、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、センサ装置について説明する。図１１は、第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮの構成例を示す断面図である。
図１１に示すように、センサ装置ＳＥＮは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、透明絶縁層ＴＩ、保護層ＰＦ、接続材Ｃ、配線基板３、ＩＣチップ１などを備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０と、第１導電層Ｌ１と、センサ駆動電極Ｔｘと、を有している。
第２基板ＳＵＢ２は、第１孔ＶＡを含んだ第２基体２０と、第２主面２０Ｂに設けられた検出電極Ｒｘ（第２導電層Ｌ２）と、を有している。透明絶縁層ＴＩは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。例えば、透明絶縁層ＴＩは、透明な有機絶縁材料で形成され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。この例では、接続用孔Ｖは、有機絶縁膜ＯＩではなく透明絶縁層ＴＩを貫通している点を除き、上記第１の実施形態と同様に形成されている。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、センシング領域ＡＡにて互いに交差している。なお、第１領域Ａ１はセンシング領域ＡＡの外縁に沿って設けられ、第２領域Ａ２は第１領域Ａ１の外縁に沿って設けられている。
保護層ＰＦは、センシング領域ＡＡ及び第１領域Ａ１に位置し、第２領域Ａ２に位置していない。保護層ＰＦは、側面ＳＰＦ２を有している。なお、保護層ＰＦは、上述した第１外縁（Ｅ１）及び第２外縁（Ｅ２）を有している。保護層ＰＦは、第２導電層Ｌ２のうち、少なくともセンシング領域ＡＡに属する部分を覆っている。

接続材Ｃは、接続用孔Ｖを通り、第１導電層Ｌ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方において、側面ＳＰＦ２に接している。
上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＥＮにおいても、保護層ＰＦの外縁と第１孔ＶＡ（開口ＶＡｏ）との関係は、上述した第１の実施形態と同様である。第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＥＮ…センサ装置、ＳＵＢ１…第１基板、
１０…第１基体、Ｌ１…第１導電層、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２基体、
２０Ａ…第１主面、２０Ｂ…第２主面、Ｌ２…第２導電層、ＯＩ…有機絶縁膜、
ＳＥ…シール材、ＬＣ…液晶層、Ｖ…接続用孔、ＶＡ…第１孔、ＶＡｏ…開口、
ＰＦ…保護層、Ｅ１，Ｅ１ａ，Ｅ１ｂ…第１外縁、Ｅ２…第２外縁、Ｃ…接続材、
ＦＩ…充填材、Ｔｘ…センサ駆動電極、Ｒｘ…検出電極、ＰＥ…画素電極、
ＲＣ…検出回路、１…ＩＣチップ、ＴＩ…透明絶縁層、ＤＡ…表示領域、
ＮＤＡ…非表示領域、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ｂａ…境界線、Ｔｈ…厚み、
Ｇａ…間隔、ＣＥＮ…中心。

Claims (11)

1. 表示領域と、前記表示領域の外縁に沿って設けられる第１領域及び前記第１領域の外縁に沿って設けられる第２領域を含む非表示領域と、を有する表示パネルを備え、
   前記表示パネルは、
   第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
   前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１領域と前記第２領域との境界線に交差して前記非表示領域に位置し前記第１主面から前記第２主面に亘って貫通した接続用孔と、を含んだ第２基体と、前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、
   前記表示領域及び前記第１領域に位置し、前記第２導電層のうち少なくとも前記表示領域に属する部分を覆う保護層と、
   前記非表示領域に位置し前記接続用孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、
   前記保護層の外縁は、前記境界線上に位置する一方の第１外縁と、前記接続用孔を挟んで前記一方の第１外縁と対向した状態で前記境界線上に位置する他方の第１外縁と、前記第１領域に設けられると共に前記一方の第１外縁の端部と前記他方の第１外縁の端部とにそれぞれつなげられ、且つ、前記接続用孔を迂回して延在する第２外縁と、を有する、
   表示装置。
2. 前記接続材は、前記第２外縁に接している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記接続用孔は、前記第２主面に開口を有し、
   前記第２導電層は、前記開口の周りに位置し、
   前記第２外縁は、前記開口の端に間隔を空けて位置し、
   前記接続材は、さらに、前記第２導電層のうち前記開口の端と前記第２外縁とで挟まれた領域に位置する部分に接している、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記接続材は、前記第２導電層のうち、前記第２領域に位置する部分に接している、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記開口の端から前記第２外縁までの間隔と、前記保護層の厚みとは、実質同一の長さを有する、
   請求項３に記載の表示装置。
6. 平面視にて、前記接続用孔の中心は、前記境界線より前記表示領域側に位置する、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記接続用孔は、前記第２主面に開口を有し、
   平面視にて、前記第２外縁と、前記開口の端のうち前記第１領域に位置する部分とは、相似である、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記接続用孔は、円形の形状を有し、
   前記第２外縁は、円弧の形状を有している、
   請求項１に記載の表示装置。
9. 検出回路をさらに備え、
   前記第２導電層は、検出電極を有し、
   前記検出回路は、前記第１導電層と電気的に接続され前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
   請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１基板は、前記検出電極と交差するセンサ駆動電極を有する、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 制御部をさらに備え、
    前記第１基板は、前記第１基体と前記第２基板との間に位置した画素電極及びセンサ駆動電極をさらに有し、
    前記第２導電層は、検出電極を有し、
    前記制御部は、
    画像を表示する表示期間に、前記画素電極に画像信号を与え、前記センサ駆動電極にコモン信号を与え、
    センシングを行うセンシング期間に、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を与え、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
    請求項１に記載の表示装置。

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