JP2019096887A - 構造体及び構造体製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 被成膜体
12 被成膜体の表面
13 基板
14 導電部材
15 角部
16 基板の表面
17 導電部材の表面
18 非晶質炭素膜
19 孔
22 境界領域
23 隅部
25 応力緩和層
Claims (14)
- 基板と、
前記基板の表面から突出又は後退するように前記基板に設けられた導電部材と、
前記基板の表面の少なくとも一部及び前記導電部材の表面の少なくとも一部に形成された非晶質炭素膜と、
を含み、
前記基板は、基材層と、絶縁性及び弾力性を有する材料からなる応力緩和層と、を含み、
前記非晶質炭素膜は、前記応力緩和層の表面に形成され、
前記非晶質炭素膜はプラズマCVD法又はプラズマPVD法により形成される構造体。 - 基板と、
前記基板から一部が露出しており、前記基板に設けられた導電部材と、
前記基板の表面の少なくとも一部及び前記基板の表面から露出した前記導電部材の表面の少なくとも一部に形成された非晶質炭素膜と、
を含み、
前記導電部材のうち前記基板から露出している部分の隅部が平面視で曲線形状を有し、
前記基板は、基材層と、絶縁性及び弾力性を有する材料からなる応力緩和層と、を含み、
前記非晶質炭素膜は、前記応力緩和層の表面に形成され、
前記非晶質炭素膜はプラズマCVD法又はプラズマPVD法により形成される構造体。 - 前記曲線の曲率半径が1mmから1mであることを特徴とする請求項2記載の構造体。
- 前記基板から露出している前記導電部材の上面が平面視で円形又は楕円形となることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の構造体。
- 前記基板の表面と前記導電部材の表面とが略面一となっていることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記導電部材は、金属、導電性を有する炭素素材、又は半導体を材料とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記基板は半導体又は樹脂を材料とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記基板及び前記導電部材は、半導体デバイスであり、前記導電部材は電気配線又は/及び電気接続端子である請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記基板及び導電部材は絶縁性を有する材料と導電性を有する材料からなるインターポーザ基板又は両面プリント配線版であることを特徴とする請求項1から請求項8に記載の構造体。
- 前記応力緩和層は樹脂を材料とすることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記非晶質炭素膜と前記基板との間に前記応力緩和層と前記導電部材との密着性の高い混合膜がさらに設けられることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記混合膜の膜密度は、前記非晶質炭素膜の前記混合膜近傍の部分の膜密度より大きく、かつ、前記非晶質炭素膜の少なくとも内部の層の膜密度が、前記非晶質炭素膜の前記混合膜近傍の部分より大きいことを特徴とする請求項11に記載の構造体。
- 前記導電部材の少なくとも一部が形成された非晶質炭素膜から露出していることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記構造体は、さらに前記基板の表面及びその表面から露出する前記導電部材の表面に3nmから500μmの厚さを有する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上に前記非晶質炭素膜が形成される請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の構造体。
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