JP2007217778A - プラズマ処理法、銅張積層板の製造法、プリント配線基板の製造法、銅張積層板、プリント配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供する。
【解決手段】電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入するプラズマ処理方法。
【選択図】図1
【解決手段】電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入するプラズマ処理方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマ処理法、銅張積層板の製造法、プリント配線基板の製造法、銅張積層板、プリント配線基板に関する。
近年、電子機器の小型、軽量、高速化の要求が高まり、プリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の高密度化が進んでいる。そのため、この分野で従来から用いられているウエットプロセスに加えて、半導体の分野で用いられているドライプロセスをプリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の製造方法に用いる検討が行われている。検討が行われているドライプロセスの一つとして、プラズマ処理があげられる。プラズマ処理は、有機絶縁層と配線の接着力向上のための前処理、レーザー穴あけ後のデスミア処理などに適用され始めている。例えば、有機樹脂層と配線の接着力を向上させるために、プラズマ処理を試料表面に施した後、配線層を形成する技術(特許文献1)が知られている。また配線形成後に、試料表面にプラズマ処理を施すことによって、配線とその上に形成する有機樹脂層の接着力を向上させる技術(特許文献2)も知られている。
ところが、絶縁体で覆われていない電極(金属が露出した部分)上に試料を配置して、上記のようなプラズマ処理を施した場合において、プラズマ処理によって帯電した試料表面の電位が上昇することによって、試料表面と電極間の電位差が大きくなり、試料の耐電圧を超え、試料が絶縁破壊を起こし、試料の一部が損傷する問題が発生した。しかも、プラズマ処理を施す試料(基板など)の厚さは、年々薄型化する傾向にあり、プラズマ処理の際に絶縁破壊を起こす可能性が年々高くなってきている。本発明は、試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は以下の通りである。
1.電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
2.前記2つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする項1に記載のプラズマ処理方法。
3.前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする項1または2に記載のプラズマ処理方法
4.前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
5.前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
6.項1〜5いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
7.項1〜5いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
8.項6に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
9.項7に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
1.電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
2.前記2つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする項1に記載のプラズマ処理方法。
3.前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする項1または2に記載のプラズマ処理方法
4.前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
5.前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
6.項1〜5いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
7.項1〜5いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
8.項6に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
9.項7に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
本発明のプラズマ処理法において、電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を得ることができる。
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。本発明のプラズマ処理法は、電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの前記電極の一部の金属が露出し、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴としている。
(電極)
電極はプラズマを発生させるために、電圧を印加する金属である。形状や厚さは特に問わなく、様々な形の電極がある。例えば、平行平板型のプラズマ処理装置では、電極の形状は1対の平板である。スパッタリング法を用いた成膜の前処理として使用されている逆スパッタリング処理では、電極の形状は、一方はスパッタリング装置内の試料台であり、もう一方は真空槽外壁である。電極に使用される金属の材質は特に問わないが、ステンレス鋼、アルミニウム鋼などが使用できる。
電極はプラズマを発生させるために、電圧を印加する金属である。形状や厚さは特に問わなく、様々な形の電極がある。例えば、平行平板型のプラズマ処理装置では、電極の形状は1対の平板である。スパッタリング法を用いた成膜の前処理として使用されている逆スパッタリング処理では、電極の形状は、一方はスパッタリング装置内の試料台であり、もう一方は真空槽外壁である。電極に使用される金属の材質は特に問わないが、ステンレス鋼、アルミニウム鋼などが使用できる。
(絶縁体)
プラズマ処理の際に、例えば特許文献3に示すように、主に試料に重金属が混入することを防止するために、電極をアルマイト、フッ素系樹脂やガラスなどで被覆する場合がある。本発明で言う絶縁体とは、これら電極を被覆した絶縁物をいう。逆スパッタリング処理において使用される真空槽や試料台、あるいは試料台が金属製である場合、あるいは電極の一部が露出したプラズマ処理装置などは、絶縁体によって電極のすべて、あるいは一部が被覆されていない。電極のすべてが絶縁体で覆われている場合は、絶縁体にも電圧が印加されるため、絶縁破壊が発生しにくい。しかし、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出している場合(電極のすべて、あるいは一部が絶縁体で覆われていない場合)は、絶縁体で覆われていない部分の電極と試料表面間の電圧は、試料のみに印加されるため、絶縁破壊が発生しやすい。
プラズマ処理の際に、例えば特許文献3に示すように、主に試料に重金属が混入することを防止するために、電極をアルマイト、フッ素系樹脂やガラスなどで被覆する場合がある。本発明で言う絶縁体とは、これら電極を被覆した絶縁物をいう。逆スパッタリング処理において使用される真空槽や試料台、あるいは試料台が金属製である場合、あるいは電極の一部が露出したプラズマ処理装置などは、絶縁体によって電極のすべて、あるいは一部が被覆されていない。電極のすべてが絶縁体で覆われている場合は、絶縁体にも電圧が印加されるため、絶縁破壊が発生しにくい。しかし、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出している場合(電極のすべて、あるいは一部が絶縁体で覆われていない場合)は、絶縁体で覆われていない部分の電極と試料表面間の電圧は、試料のみに印加されるため、絶縁破壊が発生しやすい。
(プラズマ処理)
プラズマ処理は、電極間に電圧を印加して、電極間に存在するガスをプラズマ化し、その中のイオン、電子やラジカルを試料に当てることによって、試料表面の改質や粗化を行う処理である。プラズマ処理は試料表面を均一処理できるよう、グロー放電であることが望ましい。プラズマ処理方法には、真空プラズマと大気圧プラズマがあるが、イオンなどのエネルギーは真空中の方が大きいために、本発明は真空プラズマの方で絶縁破壊が発生しやすい。そのため、本発明は真空プラズマに適用することが好ましい。
プラズマ処理は、電極間に電圧を印加して、電極間に存在するガスをプラズマ化し、その中のイオン、電子やラジカルを試料に当てることによって、試料表面の改質や粗化を行う処理である。プラズマ処理は試料表面を均一処理できるよう、グロー放電であることが望ましい。プラズマ処理方法には、真空プラズマと大気圧プラズマがあるが、イオンなどのエネルギーは真空中の方が大きいために、本発明は真空プラズマの方で絶縁破壊が発生しやすい。そのため、本発明は真空プラズマに適用することが好ましい。
真空プラズマには等方性エッチングである真空プラズマ法、異方性エッチングとして用いられる反応性イオンエッチング法(RIE)、スパッタリング蒸着と同室で処理を施す逆スパッタリング法などがある。逆スパッタリング法は、スパッタリング蒸着室で処理を行うため、電極が絶縁体で覆われていない場合が多い。従って、本発明を適用することが好ましい。また、RIE法は真空プラズマ法と比較して、イオンが持っているエネルギーが高いため、長期使用によって電極の一部分が露出する場合がある。このため、RIE法に本発明を適用することも好ましい。
大気圧プラズマには、例えば特許文献4のような電極間に試料を配置する「ダイレクト方式」と、電極から離れた場所に試料を配置する特許文献5のような「リモート方式」があるが、本発明は試料の絶縁破壊の対策であるため、大気圧プラズマにおいては「ダイレクト方式」に適用することが好ましい。
プラズマ処理に用いるガスは特に限定しないが、Ar、O2、窒化系ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素系ガスなどがある。電極に印加する電圧は、プラズマがグロー放電となる電圧が好ましい。グロー放電となる電圧は、プラズマ処理方法、使用するガス、電極形状や装置などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な電圧値を求めるのが好ましい。
(誘電体)
誘電体とは、絶縁体と同じく電気抵抗値が大きな物質である。誘電体の材質は電気抵抗値が大きな物質であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、有機絶縁基材、セラミック基材、ガラス基材などがある。誘電体の厚さは絶縁破壊を起こさない厚さであることが好ましい。絶縁破壊を起こさない厚さは、使用する誘電体の材質、電極に印加する電圧、使用するガス、プラズマ処理方法などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により厚さを決めておくことが好ましい。
誘電体とは、絶縁体と同じく電気抵抗値が大きな物質である。誘電体の材質は電気抵抗値が大きな物質であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、有機絶縁基材、セラミック基材、ガラス基材などがある。誘電体の厚さは絶縁破壊を起こさない厚さであることが好ましい。絶縁破壊を起こさない厚さは、使用する誘電体の材質、電極に印加する電圧、使用するガス、プラズマ処理方法などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により厚さを決めておくことが好ましい。
(電極に印加する電圧)
電極に印加する電圧は、直流、交流またはパルス状のいずれでもかまわないが、交流またはパルス状である電圧が好ましい。この理由としては、電極に印加する電圧が、直流と交流またはパルス状を比較した場合、交流またはパルス状の方が、試料表面の電位の上昇を低減できるため、絶縁破壊が発生しにくくなるためである。また、電極に印加する電圧が交流またはパルス状である場合、波形は特に問わない。電極間に印加する電圧が交流またはパルス状のプラズマ処理としては、通常の真空プラズマ、逆スパッタリング、RFプラズマ、異方性プラズマがある。
電極に印加する電圧は、直流、交流またはパルス状のいずれでもかまわないが、交流またはパルス状である電圧が好ましい。この理由としては、電極に印加する電圧が、直流と交流またはパルス状を比較した場合、交流またはパルス状の方が、試料表面の電位の上昇を低減できるため、絶縁破壊が発生しにくくなるためである。また、電極に印加する電圧が交流またはパルス状である場合、波形は特に問わない。電極間に印加する電圧が交流またはパルス状のプラズマ処理としては、通常の真空プラズマ、逆スパッタリング、RFプラズマ、異方性プラズマがある。
(銅張積層板およびプリント配線基板)
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板は、以下のように製造できる。
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板は、以下のように製造できる。
(樹脂層)
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板の樹脂層としては、熱硬化性の絶縁材料、熱可塑性の絶縁材料、またはそれらの混合絶縁材料が使用できるが、絶縁層は熱硬化性の絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性の絶縁材料としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、3量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ノルボルネン樹脂等を用いることができる。熱可塑性の絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板の樹脂層としては、熱硬化性の絶縁材料、熱可塑性の絶縁材料、またはそれらの混合絶縁材料が使用できるが、絶縁層は熱硬化性の絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性の絶縁材料としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、3量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ノルボルネン樹脂等を用いることができる。熱可塑性の絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
(ビア)
プリント配線基板において、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。ビアは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
プリント配線基板において、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。ビアは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
(スルーホール)
プリント配線基板において、各層を電気的に接続させるためにスルーホールを設けることができる。スルーホールは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で電気的に接続し、形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
プリント配線基板において、各層を電気的に接続させるためにスルーホールを設けることができる。スルーホールは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で電気的に接続し、形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
(金属層)
金属層は、配線と樹脂層の接着力を向上させる金属からなることが好ましく、例えばAl、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Mo、Pd、W、Cuなどが使用でき、またこれらの金属を2種類以上組み合せて形成することもできる。また、複数層形成してもよい。
金属層は、配線と樹脂層の接着力を向上させる金属からなることが好ましく、例えばAl、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Mo、Pd、W、Cuなどが使用でき、またこれらの金属を2種類以上組み合せて形成することもできる。また、複数層形成してもよい。
(金属層の形成方法)
樹脂層上に金属層を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
樹脂層上に金属層を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
金属層と樹脂層の接着性をよくするために、金属層を形成する前に、樹脂層表面に前処理を施してもかまわない。前処理としては、プラズマ処理などのドライ系処理や、酸やアルカリ液などを用いたウエット系処理が例としてある。特にドライ系処理は本発明が有効である。金属層と樹脂層の接着力を向上させる方法としては、金属層を薄く形成した後、プラズマ処理を施す方法がある。この際の金属層の厚みは、0.1nm〜100nmの範囲であると金属層と樹脂層の接着力が向上するため好ましく、さらに0.1nm〜10nmがより好ましく、特に、1nm〜8nmの範囲で金属層と樹脂層の接着力が最も向上するため好ましい。金属層の厚みが100nmを超えると金属層と樹脂層の接着力が低下する傾向がある。また、0.1nm未満の場合には、後に形成される配線間の絶縁抵抗値が下がる傾向がある。金属層の厚みは、埋め込む方法や処理条件によって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な厚みを求めるのが好ましい。
スパッタリングのような真空中で金属層を形成する方法は、金属層の形成速度が遅いという欠点がある。そこで、真空中で金属層を薄く堆積し、シード層を形成した後、電気めっきを用いて厚付けする方法を用いてもかまわない。
(銅張積層板形成方法)
本発明の銅張積層板は、先に述べたようなプラズマ処理の際に、試料と電極の間に誘電体を挿入することによって、作製することができる。
本発明の銅張積層板は、先に述べたようなプラズマ処理の際に、試料と電極の間に誘電体を挿入することによって、作製することができる。
(配線形成方法)
本発明のプリント配線基板の製造方法は、樹脂層表面に配線を形成する工程を有しており、その配線の形成方法としては、樹脂層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法(サブトラクト法)、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきにより配線を形成する方法(アディティブ法)、樹脂層上にシード層(薄い金属層)を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、シード層をエッチングで除去する方法(セミアディティブ法)がある。本発明は、サブトラクト法及びセミアディティブ法による配線形成に特に有効である。
本発明のプリント配線基板の製造方法は、樹脂層表面に配線を形成する工程を有しており、その配線の形成方法としては、樹脂層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法(サブトラクト法)、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきにより配線を形成する方法(アディティブ法)、樹脂層上にシード層(薄い金属層)を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、シード層をエッチングで除去する方法(セミアディティブ法)がある。本発明は、サブトラクト法及びセミアディティブ法による配線形成に特に有効である。
(エッチングによる配線形成)
樹脂層上に金属箔を形成し、さらに金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。
樹脂層上に金属箔を形成し、さらに金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。
(めっきによる配線形成)
また、配線は、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、本発明の処理方法をコア基板に施した後、無電解めっき用触媒を付着させる。その後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、配線を形成する。
また、配線は、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、本発明の処理方法をコア基板に施した後、無電解めっき用触媒を付着させる。その後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、配線を形成する。
(セミアディティブ法による配線形成)
セミアディティブ法による配線形成法は、シード層を形成し、その上にめっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
セミアディティブ法による配線形成法は、シード層を形成し、その上にめっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
(セミアディティブ法のシード層の形成方法)
シード層はセミアディティブ法における電気めっき工程において、電流を流すことができる厚さを必要とする。樹脂層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
シード層はセミアディティブ法における電気めっき工程において、電流を流すことができる厚さを必要とする。樹脂層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
(蒸着又はめっきによるシード層の形成)
シード層の形成法は、樹脂層上に蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)、めっき等によって、シード層を形成することができる。本発明は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、化学的気相成長でシード層を形成する場合に、特に有効な手段である。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。スパッタリングに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばAl、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Mo、Pd、W、Cuおよびそれらの合金を一層、もしくはそれ以上の層を下地金属として用い、0.1〜50nmスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして100〜500nmスパッタリングして薄膜銅層を形成できる。また、コア基板表面または樹脂層上にシード層としてめっき銅を、0.5〜3μm無電解銅めっきし、形成することもできる。
シード層の形成法は、樹脂層上に蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)、めっき等によって、シード層を形成することができる。本発明は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、化学的気相成長でシード層を形成する場合に、特に有効な手段である。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。スパッタリングに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばAl、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Mo、Pd、W、Cuおよびそれらの合金を一層、もしくはそれ以上の層を下地金属として用い、0.1〜50nmスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして100〜500nmスパッタリングして薄膜銅層を形成できる。また、コア基板表面または樹脂層上にシード層としてめっき銅を、0.5〜3μm無電解銅めっきし、形成することもできる。
(金属箔を貼り合わせる方法)
樹脂層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属箔を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を貼り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としては、キャリア銅/ニッケル/薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去すればよい。後者としては、アルミ、銅、絶縁フィルムなどをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、5μm以下のシード層を形成できる。また、厚み9〜18μmの銅箔を貼り付け、5μm以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
樹脂層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属箔を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を貼り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としては、キャリア銅/ニッケル/薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去すればよい。後者としては、アルミ、銅、絶縁フィルムなどをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、5μm以下のシード層を形成できる。また、厚み9〜18μmの銅箔を貼り付け、5μm以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
(銅張積層板の製造方法)
本発明を用いた銅張積層板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図1の(a)〜(e)に、本発明における銅張積層板の製造方法の実施形態の一例を断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
本発明を用いた銅張積層板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図1の(a)〜(e)に、本発明における銅張積層板の製造方法の実施形態の一例を断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
(工程a)
(工程a)は図1(a)に示したように、樹脂層100を誘電体101上に配置する工程である。誘電体上にすべり無く配置するために、貼り付けることが好ましい。貼り付ける方法は特に限定しないが、テープで試料の端部を誘電体に貼り付ける方法や、接着剤を用いる方法や、圧着法などを用いて誘電体101と樹脂層100を貼り付ける方法がある。なお誘電体101は、エッチング法や、引き剥がし法などの方法によって、樹脂層100から取り除くことができる材料を用いることが好ましい。
(工程a)は図1(a)に示したように、樹脂層100を誘電体101上に配置する工程である。誘電体上にすべり無く配置するために、貼り付けることが好ましい。貼り付ける方法は特に限定しないが、テープで試料の端部を誘電体に貼り付ける方法や、接着剤を用いる方法や、圧着法などを用いて誘電体101と樹脂層100を貼り付ける方法がある。なお誘電体101は、エッチング法や、引き剥がし法などの方法によって、樹脂層100から取り除くことができる材料を用いることが好ましい。
(工程b)
(工程b)は図1(b)に示したように、樹脂層100上に金属層102を形成する工程である。樹脂層100上に金属層102を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
(工程b)は図1(b)に示したように、樹脂層100上に金属層102を形成する工程である。樹脂層100上に金属層102を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長(CVD)のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタリング、3極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、RFスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
(工程c)
(工程c)は図1(c)に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極103上に、金属層102を形成した樹脂層100および誘電体101を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層102を形成してもかまわない。金属層102の形成方法は(工程b)で示したものと同様の方法でかまわない。また、(工程c)でプラズマ処理を施した後、更に金属層(不図示)を形成してもかまわない。
(工程c)は図1(c)に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極103上に、金属層102を形成した樹脂層100および誘電体101を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層102を形成してもかまわない。金属層102の形成方法は(工程b)で示したものと同様の方法でかまわない。また、(工程c)でプラズマ処理を施した後、更に金属層(不図示)を形成してもかまわない。
(工程d)
(工程d)は図1(d)に示したように、樹脂層100から誘電体101を除去する工程である。除去する方法は、貼り付けた方法に影響されるため、実験等によってあらかじめ方法や条件を決めておくことが好ましい。
(工程d)は図1(d)に示したように、樹脂層100から誘電体101を除去する工程である。除去する方法は、貼り付けた方法に影響されるため、実験等によってあらかじめ方法や条件を決めておくことが好ましい。
(工程e)
(工程e)は図1(e)に示したように、金属層102上に銅層104を形成する工程である。銅層の形成方法としては、スパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層104が得られる。
(工程e)は図1(e)に示したように、金属層102上に銅層104を形成する工程である。銅層の形成方法としては、スパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層104が得られる。
(工程f)
試料を180°回転し、(工程a)〜(工程e)を繰り返すことによって、銅層を形成した裏面にも同様に、図1(f)に示すように金属層102および銅層104を形成することによって、両面銅張積層板を形成することができる。なお、(工程f)における誘電体は、試料を180°回転させた後、(工程e)で形成した銅層104と電極の間に配置する。
試料を180°回転し、(工程a)〜(工程e)を繰り返すことによって、銅層を形成した裏面にも同様に、図1(f)に示すように金属層102および銅層104を形成することによって、両面銅張積層板を形成することができる。なお、(工程f)における誘電体は、試料を180°回転させた後、(工程e)で形成した銅層104と電極の間に配置する。
(プリント配線基板の製造方法)
本発明を用いたプリント配線基板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図2の(g)〜(l)に、本発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施形態の一例として、片面に配線を形成したプリント配線基板を作製したときの断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
本発明を用いたプリント配線基板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図2の(g)〜(l)に、本発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施形態の一例として、片面に配線を形成したプリント配線基板を作製したときの断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
(工程g)
(工程g)は図2(g)に示したように、樹脂層100を誘電体101上に配置する工程である。配置する方法としては、(工程a)で示した方法と同じでかまわない。
(工程g)は図2(g)に示したように、樹脂層100を誘電体101上に配置する工程である。配置する方法としては、(工程a)で示した方法と同じでかまわない。
(工程h)
(工程h)は図2(h)に示したように、樹脂層100上に金属層102を形成する工程である。金属層102の形成方法としては、(工程b)で示した方法と同じでかまわない。
(工程h)は図2(h)に示したように、樹脂層100上に金属層102を形成する工程である。金属層102の形成方法としては、(工程b)で示した方法と同じでかまわない。
(工程i)
(工程i)は図2(i)に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極103上に、金属層102を形成した樹脂層100および誘電体101を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層102を形成してもかまわない。金属層102の形成方法は(工程b)で示したものと同様の方法でかまわない。また、(工程i)でプラズマ処理を施した後、更に金属層(不図示)を形成してもかまわない。
(工程i)は図2(i)に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極103上に、金属層102を形成した樹脂層100および誘電体101を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層102を形成してもかまわない。金属層102の形成方法は(工程b)で示したものと同様の方法でかまわない。また、(工程i)でプラズマ処理を施した後、更に金属層(不図示)を形成してもかまわない。
(工程j)
(工程j)は図2(j)に示したように、樹脂層100から誘電体101を除去する工程である。除去する方法は、(工程d)で示した方法と同じでかまわない。
(工程j)は図2(j)に示したように、樹脂層100から誘電体101を除去する工程である。除去する方法は、(工程d)で示した方法と同じでかまわない。
(工程k)
(工程k)は図2(k)に示したように、金属層102上に銅層104を形成する工程である。銅層の形成方法としては、(工程e)と同じでかまわない。
(工程k)は図2(k)に示したように、金属層102上に銅層104を形成する工程である。銅層の形成方法としては、(工程e)と同じでかまわない。
(工程l)
(工程l)は図2(l)に示したように、配線105を形成する工程である。配線の形成方法としては、まず、銅層104上にパターン状にレジストを形成し、エッチング法を用いて不要な部分の銅層104および金属層102を除去する。この方法によって、配線105が得られる。
(工程l)は図2(l)に示したように、配線105を形成する工程である。配線の形成方法としては、まず、銅層104上にパターン状にレジストを形成し、エッチング法を用いて不要な部分の銅層104および金属層102を除去する。この方法によって、配線105が得られる。
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
図1を用いて本発明の第1の実施例を説明する。
(工程a)
図1(a)に示すように、20cm□の面積で、樹脂層100として、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)を用意し、片面に25cm□で、125μmの厚さの誘電体101であるユーピレックス−125S(宇部興産(株)社製、商品名)に貼り付けた。貼り付け方法は、75μmポリイミドテープであるNITTO TAPE(日東電工(株)社製、商品名)を用いて、樹脂層100である20cm□のポリイミドフィルムの四隅を125μmの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層100を誘電体101に貼り付ける際には、樹脂層100にしわが発生しないように貼り付けを行った。
(実施例1)
図1を用いて本発明の第1の実施例を説明する。
(工程a)
図1(a)に示すように、20cm□の面積で、樹脂層100として、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)を用意し、片面に25cm□で、125μmの厚さの誘電体101であるユーピレックス−125S(宇部興産(株)社製、商品名)に貼り付けた。貼り付け方法は、75μmポリイミドテープであるNITTO TAPE(日東電工(株)社製、商品名)を用いて、樹脂層100である20cm□のポリイミドフィルムの四隅を125μmの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層100を誘電体101に貼り付ける際には、樹脂層100にしわが発生しないように貼り付けを行った。
(工程b)
図1(b)に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層100であるポリイミドフィルムの表面に金属層102であるCr層を5nm作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名)を用いて以下に示した条件1で行った。
条件1
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:34nm/min
図1(b)に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層100であるポリイミドフィルムの表面に金属層102であるCr層を5nm作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名)を用いて以下に示した条件1で行った。
条件1
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:34nm/min
(工程c)
図1(c)に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、(工程b)において金属層102であるCr層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極103上において、条件2で行った。電極103は絶縁体で覆われていない状態で行った。
条件2
印加電圧:800V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:30秒
交流周波数:13.56MHz
図1(c)に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、(工程b)において金属層102であるCr層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極103上において、条件2で行った。電極103は絶縁体で覆われていない状態で行った。
条件2
印加電圧:800V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:30秒
交流周波数:13.56MHz
さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置(ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名))内で、Cr層を5nm作製し、さらにCu薄膜層を200nm作製した。Cr層の作製は、条件1と同様の条件で行い、Cu薄膜層の形成は条件3で行った。
条件3
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:52nm/min
条件3
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:52nm/min
(工程d)
次に、図1(d)に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体101であるポリイミドフィルムを取り外した。
次に、図1(d)に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体101であるポリイミドフィルムを取り外した。
(工程e)
その後、(工程b)および(工程c)において形成したCr層とCu薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成した。
その後、(工程b)および(工程c)において形成したCr層とCu薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成した。
(工程f)
その後、試料を180°回転し、(工程a)〜(工程e)を繰り返し、金属層102を形成した後、(工程c)と同じ条件で逆スパッタリング処理を施し、さらにCr層とCu薄膜層をシード層として形成し、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成することによって、両面銅張積層板を作製した。
その後、試料を180°回転し、(工程a)〜(工程e)を繰り返し、金属層102を形成した後、(工程c)と同じ条件で逆スパッタリング処理を施し、さらにCr層とCu薄膜層をシード層として形成し、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成することによって、両面銅張積層板を作製した。
(実施例2)
(実施例1)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例1)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件4
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:29nm/min
(実施例1)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例1)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件4
パワー:500W
アルゴン流量:100SCCM
真空度:7.0×10−1Pa
温度:室温(25℃)
成膜レート:29nm/min
(実施例3)
(実施例1)の(工程c)および(工程f)において、逆スパッタリング処理ではなく、RIE処理を用いた。RIE処理はRIE CSE−1110((株)アルバック社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件5行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件5
印加電圧:500V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:1.0Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:120秒
交流周波数:13.56MHz
(実施例1)の(工程c)および(工程f)において、逆スパッタリング処理ではなく、RIE処理を用いた。RIE処理はRIE CSE−1110((株)アルバック社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件5行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件5
印加電圧:500V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:1.0Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:120秒
交流周波数:13.56MHz
(実施例4)
(実施例3)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例3)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例3)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例3)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例3)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例3)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例5)
(実施例1)の(工程c)および(工程f)において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターPR−501A(ヤマト科学(株)社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件6で行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件5
印加電圧:400V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:10.0Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:300秒
交流周波数:13.56MHz
(実施例1)の(工程c)および(工程f)において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターPR−501A(ヤマト科学(株)社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件6で行った。それ以外の工程は、(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件5
印加電圧:400V
アルゴン流量:100SCCM
真空度:10.0Pa
温度:室温(25℃)
処理時間:300秒
交流周波数:13.56MHz
(実施例6)
(実施例5)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例5)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例5)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例5)の(工程b)、(工程c)および(工程f)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例5)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例5)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例7)
(実施例1)の樹脂層100として、ユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)ではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例1)の樹脂層100として、ユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)ではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例1)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例8)
(実施例2)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例2)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例2)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例2)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例9)
(実施例3)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例3)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例3)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例3)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例10)
(実施例4)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例4)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例4)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例4)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例11)
(実施例5)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例5)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例5)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例5)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例12)
(実施例6)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例6)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例6)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例6)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例13)
(工程g)
図2(g)に示すように、20cm□の面積で、樹脂層100として、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)を用意し、片面に25cm□で、125μmの厚さの誘電体101であるユーピレックス−125S(宇部興産(株)社製、商品名)に貼り付けた。貼り付け方法は、75μmポリイミドテープであるNITTO TAPE(日東電工(株)社製、商品名)を用いて、樹脂層100である20cm□のポリイミドフィルムの四隅を125μmの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層100を誘電体101に貼り付ける際には、樹脂層100にしわが発生しないように貼り付けを行った。
(工程g)
図2(g)に示すように、20cm□の面積で、樹脂層100として、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)を用意し、片面に25cm□で、125μmの厚さの誘電体101であるユーピレックス−125S(宇部興産(株)社製、商品名)に貼り付けた。貼り付け方法は、75μmポリイミドテープであるNITTO TAPE(日東電工(株)社製、商品名)を用いて、樹脂層100である20cm□のポリイミドフィルムの四隅を125μmの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層100を誘電体101に貼り付ける際には、樹脂層100にしわが発生しないように貼り付けを行った。
(工程h)
図2(h)に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層100であるポリイミドフィルムの表面に金属層102であるCr層を5nm作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名)を用いて以下に示した条件1で行った。
図2(h)に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層100であるポリイミドフィルムの表面に金属層102であるCr層を5nm作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名)を用いて以下に示した条件1で行った。
(工程i)
図2(i)に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、(工程h)において金属層102であるCr層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極103上において、条件2で行った。電極103は絶縁体で覆われていない状態で行った。さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置(ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名))内で、Cr層を5nm作製し、さらにCu薄膜層を200nm作製した。Cr層の作製は、条件1と同様の条件で行い、Cu薄膜層の形成は条件3で行った。
図2(i)に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、(工程h)において金属層102であるCr層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極103上において、条件2で行った。電極103は絶縁体で覆われていない状態で行った。さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置(ロードロック式スパッタリング装置型式SIH−350−T08((株)アルバック社製、商品名))内で、Cr層を5nm作製し、さらにCu薄膜層を200nm作製した。Cr層の作製は、条件1と同様の条件で行い、Cu薄膜層の形成は条件3で行った。
(工程j)
次に、図2(j)に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体101であるポリイミドフィルムを取り外した。
次に、図2(j)に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体101であるポリイミドフィルムを取り外した。
(工程k)
その後、(工程h)および(工程i)において形成したCr層とCu薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成した。
その後、(工程h)および(工程i)において形成したCr層とCu薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてCu層104を8μm形成した。
(工程l)
Cu層104の上に、レジストを形成し、パターン状に露光を行った後、サブトラクティブ法を用いてCu層、Cu薄膜層およびCr層を、エッチング液を用いて除去することによって、配線105を形成した。Cu層およびCu薄膜層のエッチング液としては、塩化第二鉄系エッチング液を用い、Cr層のエッチング液としては、フェリシアン化カリウム系エッチング液を用いた。このようにして、プリント配線基板を作製した。
Cu層104の上に、レジストを形成し、パターン状に露光を行った後、サブトラクティブ法を用いてCu層、Cu薄膜層およびCr層を、エッチング液を用いて除去することによって、配線105を形成した。Cu層およびCu薄膜層のエッチング液としては、塩化第二鉄系エッチング液を用い、Cr層のエッチング液としては、フェリシアン化カリウム系エッチング液を用いた。このようにして、プリント配線基板を作製した。
(実施例14)
(実施例13)の(工程h)および(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例13)のCr層と同じにした。Ni層の形成は、条件4と同じ条件で行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例13)の(工程h)および(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例13)のCr層と同じにした。Ni層の形成は、条件4と同じ条件で行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例15)
(実施例13)の(工程i)において、逆スパッタリング処理ではなく、RIE処理を用いた。RIE処理はRIE CSE−1110((株)アルバック社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件5行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例13)の(工程i)において、逆スパッタリング処理ではなく、RIE処理を用いた。RIE処理はRIE CSE−1110((株)アルバック社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件5行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例16)
(実施例15)の(工程h)および、(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例15)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例15)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例15)の(工程h)および、(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例15)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例15)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例17)
(実施例13)の(工程i)において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターPR−501A(ヤマト科学(株)社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件6行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例13)の(工程i)において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターPR−501A(ヤマト科学(株)社製、商品名)を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件6行った。それ以外の工程は、(実施例13)と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
(実施例18)
(実施例17)の(工程h)および、(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例17)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例17)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例17)の(工程h)および、(工程i)においてCr層ではなく、Ni層を形成した。Niの膜厚は、(実施例17)のCr層と同じにした。Ni層の形成条件は、条件4で行った。それ以外の工程は、(実施例17)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例19)
(実施例13)の樹脂層100として、ユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)ではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例13)の樹脂層100として、ユーピレックス−25S(宇部興産(株)社製、商品名)ではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例13)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例20)
(実施例14)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例14)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例14)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例14)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例21)
(実施例15)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例15)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例15)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例15)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例22)
(実施例16)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例16)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例16)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例16)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例23)
(実施例17)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例17)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例17)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例17)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例24)
(実施例18)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例18)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(実施例18)の樹脂層100として、ユーピレックス−25Sではなく、25μmの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン100EN(東レ・デュポン(株)社製、商品名)を用いた。それ以外の工程は(実施例18)と同様にして、プリント配線基板を作製した。
(比較例1)
(実施例1)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例1)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例1)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例1)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例2)
(実施例2)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例2)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例2)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例2)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例3)
(実施例3)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例3)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例3)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例3)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例4)
(実施例4)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例4)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例4)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例4)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例5)
(実施例5)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例5)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例5)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例5)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例6)
(実施例6)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例6)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例6)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例6)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例7)
(実施例7)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例7)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例7)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例7)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例8)
(実施例8)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例8)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例8)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例8)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例9)
(実施例9)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例9)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例9)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例9)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例10)
(実施例10)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例10)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例10)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例10)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例11)
(実施例11)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例11)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例11)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例11)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例12)
(実施例12)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例12)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(実施例12)の(工程a)、(工程f)において、誘電体101を用いず、(工程d)を行わなかった。その他は(実施例12)と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
(比較例13)
(実施例13)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例13)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例13)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例13)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例14)
(実施例14)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例14)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例14)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例14)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例15)
(実施例15)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例15)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例15)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例15)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例16)
(実施例16)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例16)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例16)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例16)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例17)
(実施例17)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例17)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例17)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例17)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例18)
(実施例18)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例18)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例18)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例18)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例19)
(実施例19)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例19)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例19)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例19)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例20)
(実施例20)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例20)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例20)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例20)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例21)
(実施例21)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例21)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例21)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例21)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例22)
(実施例22)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例22)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例22)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例22)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例23)
(実施例23)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例23)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例23)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例23)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(比較例24)
(実施例24)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例24)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
(実施例24)の(工程g)において、誘電体101を用いず、(工程j)を行わなかった。その他は(実施例24)と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
以上のように作製した実施例1〜12および比較例1〜12で作製した両面銅張積層板について、外観を観察した。同様に、実施例13〜24および比較例13〜24で作製したプリント配線基板について、外観を観察した。外観は、目視によって判別し、絶縁破壊による焼損の有無を調べた。試料はそれぞれ25個作製し、焼損が見られた試料についてはNGとした。下記表1に、NGとなった試料数を示す。
実施例1〜12で作製した両面銅張積層板および実施例13〜24で作製したプリント配線基板に示したように、本発明の場合、絶縁破壊による試料の焼損は見られなかった。それに対して、比較例1〜12で作製した両面銅張積層板および比較例13〜24で作製したプリント配線基板に示したように、本発明を用いなかった場合は、ほとんどの試料で絶縁破壊による焼損が見られた。
本発明により、プラズマ処理において電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板を製造できる。
100 樹脂層
101 誘電体
102 金属層
103 プラズマを発生させる電極(絶縁体で被覆されていない)
104 電気めっき銅層
105 配線
101 誘電体
102 金属層
103 プラズマを発生させる電極(絶縁体で被覆されていない)
104 電気めっき銅層
105 配線
Claims (9)
- 電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 前記2つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理方法
- 前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
- 前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載のプラズマ処理法。
- 請求項1〜5いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
- 請求項1〜5いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
- 請求項6に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
- 請求項7に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか1つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
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2006
- 2006-02-20 JP JP2006042356A patent/JP2007217778A/ja active Pending
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