JP2018163335A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 透明基板上に転写用パターンを備えた、表示装置製造用のフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、被転写体上にホールを形成するためのホールパターンであって、
   前記透明基板が露出した、径Ｗ１（μｍ）の透光部と、
   前記透光部を囲む、幅Ｒ（μｍ）の遮光リム部と、
   前記遮光リム部を囲む、位相シフト部を有し、
   前記位相シフト部と前記透光部の、露光光の代表波長の光に対する位相差が略１８０度であり、
   前記透光部の片側に位置する前記位相シフト部を透過する露光光が被転写体上に形成する光強度分布において、前記位相シフト部と前記遮光リム部の境界位置から前記遮光リム部側に向かって、第１の谷の極小値点Ｂ１までの距離をｄ１（μｍ）とし、第２の谷の極小値点Ｂ２までの距離をｄ２（μｍ）とするとき、
   （ｄ１−０．５×Ｗ１）≦Ｒ≦（ｄ２−０．５×Ｗ１）
   であることを特徴とする、フォトマスク。
2. 透明基板上に転写用パターンを備えた、表示装置製造用のフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、被転写体上にホールを形成するためのホールパターンであって、
   前記透明基板が露出した、径Ｗ１（μｍ）の透光部と、
   前記透光部を囲む、幅Ｒ（μｍ）の遮光リム部と、
   前記遮光リム部を囲む、位相シフト部を有し、
   前記位相シフト部と前記透光部の、露光光の代表波長の光に対する位相差が略１８０度であり、
   前記透光部の片側に位置する前記位相シフト部を透過する露光光が被転写体上に形成する光強度分布において、前記位相シフト部と前記遮光リム部の境界位置から前記遮光リム部側に向かって、第１の山の極大値点Ｐにおける光強度の１／２を示す２つの点のうち、前記山の前記遮光リム部に近い側の傾斜部にある点をＱ１、遠い側の傾斜部にある点をＱ２とし、前記境界位置からＱ１までの距離をｄ３とし、Ｑ２までの距離をｄ４とするとき、
   （ｄ３−０．５×Ｗ１）≦Ｒ≦（ｄ４−０．５×Ｗ１）
   であることを特徴とする、フォトマスク。
3. 前記転写用パターンは、前記被転写体上に、径Ｗ２（但しＷ２≦Ｗ１）のホールを形成するためのホールパターンであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のフォトマスク。
4. 前記位相シフト部は、前記代表波長の光に対して、２〜１０％の透過率をもつことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
5. 開口数（ＮＡ）が０．０８〜０．２０であり、ｉ線、ｈ線、又はｇ線を含む露光光源をもつ等倍の投影露光装置を用いて、前記転写用パターンを露光し、被転写体上に、径Ｗ２が０．８〜３．０（μｍ）のホールを形成することに用いる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のフォトマスク。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のフォトマスクを用意する工程と、
   開口数（ＮＡ）が０．０８〜０．２０であり、ｉ線、ｈ線、又はｇ線を含む露光光源をもつ等倍の投影露光装置を用いて、前記転写用パターンを露光し、被転写体上に、径Ｗ２が０．８〜３．０（μｍ）のホールを形成する工程とを含む、表示装置の製造方法。