JP2014102496A5 - - Google Patents
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Claims (24)
- 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 透明基板上に成膜した遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がなく、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、請求項2記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、請求項4記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±2次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射しないように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記ピッチPは、前記露光機の解像限界がB(μm)であるとき、0.7B≦P≦1.3Bであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が20%以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が90度以下であることを特徴とする、請求項1〜8に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンは、径が1μm以上4μm以下であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅は、0.5μm以上であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とし、前記主パターンの透過光が、被転写体上に形成する光強度分布を示す光強度分布曲線において、主ピークと、前記主ピークに最も近い、第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をQ(μm)とし、前記主ピークから2番目に近い第2サブピークと前記第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をR(μm)とするとき、
Q ≦ P ≦ R ・・・ (1)
であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 透明基板上に成膜した、遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さく、かつ、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がないことを特徴とする、請求項13に記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、請求項14記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した、半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有することを特徴とする、請求項13に記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、請求項16記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅をA(μm)とするとき、
Q ≦ P±(A/2) ≦ R ・・・ (2)
であることを特徴とする、請求項13〜17のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項13〜18のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンは、径が1μm以上4μm以下であることを特徴とする、請求項13〜19のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅は、0.5μm以上であることを特徴とする、請求項13〜20のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が20%以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が90度以下である、請求項13〜21のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項13〜22のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- パターン転写方法であって、
請求項1〜23のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスクを用い、表示装置用露光機によって被転写体上にパターン転写することを特徴とする、パターン転写方法。
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