JP2018152478A - テンプレートおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、テンプレート基板11と、テンプレート基板11の同一面に設けられるデバイス形成パターン22およびアライメントマークと、を備えるテンプレートが提供される。アライメントマークは、テンプレート基板11に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層54と、屈折層54が設けられた第1凹パターンを埋め込む絶縁層56と、を有する。
【選択図】図4
Description
図1は、テンプレートの構造の一例を示す上面図であり、図2は、テンプレートの構造の一例を示す断面図であり、図1のA−A断面図を示している。図3は、第1の実施形態によるテンプレートのアライメントマークを含む領域の一例を示す一部上面図である。図4は、第1の実施形態によるテンプレートのデバイスパターンとアライメントマークの一例を示す断面図であり、(a)は図3のB−B断面図であり、(b)は図3のC−C断面図であり、(c)は図3のD−D断面図であり、(d)は図3のE−E断面図である。
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm ・・・(1)
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm ・・・(2)
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm ・・・(3)
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm ・・・(4)
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm ・・・(5)
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm ・・・(1)
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm ・・・(2)
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm ・・・(3)
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm ・・・(4)
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm ・・・(5)
のいずれかとすることによって、アライメントマーク21にCr膜を使用したときと同等の1次回折光強度が得られるという効果を有する。また、アライメントマーク21の凹パターン31とデバイス形成パターン22の凹パターン33とを別々に形成するので、所望の1次回折光強度が得られるように、凹パターン31の深さを任意の深さにすることができる。
第1の実施形態では、アライメントマークの回折格子パターンの下部に屈折層を配置し、上部に絶縁層を配置する構成とした。第2の実施形態では、屈折層を有機膜で構成する場合を説明する。
第1および第2の実施形態では、アライメントマークの凹パターンの深さが、デバイスパターンの深さと異なる場合を示した。第3の実施形態では、アライメントマークの凹パターンの深さとデバイスパターンの深さとを同じにすることができる場合を説明する。
[付記1]
テンプレート基板と、
前記テンプレート基板の同一面に設けられるデバイス形成パターンおよびアライメントマークと、
を備え、
前記アライメントマークは、
前記テンプレート基板に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層と、
前記屈折層が設けられた前記第1凹パターンを埋め込む絶縁層と、
を有することを特徴とするテンプレート。
[付記2]
前記屈折層は、前記テンプレート基板の屈折率とは異なる屈折率を有することを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記3]
前記アライメントマークは、複数の延在する前記第1凹パターンが延在方向に交差する方向に配置されていることを特徴とする付記2に記載のテンプレート。
[付記4]
前記屈折層は、空気または有機膜であることを特徴とする付記3に記載のテンプレート。
[付記5]
前記アライメントマークは、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第2凹パターンをさらに有し、
前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとの境界面が前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする付記4に記載のテンプレート。
[付記6]
前記屈折層の厚さをHとし、前記絶縁層の前記第1凹パターン内での厚さをDとしたときに、前記Dおよび前記Hは、
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm、
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm、
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm、
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm、または
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm
の関係を満たすことを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記7]
テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成する第1凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターン内の所定の深さまで有機膜を埋め込む有機膜埋込工程と、
前記第1凹パターンに第1絶縁膜を埋め込む第1絶縁膜埋込工程と、
前記テンプレート基板の前記第1領域以外の第2領域に、第2凹パターンを形成する第2凹パターン形成工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記8]
前記第1絶縁膜埋込工程の後で前記第2凹パターン形成工程の前に、前記有機膜を除去する有機膜除去工程をさらに含むことを特徴とする付記7に記載のテンプレートの製造方法。
[付記9]
前記第1凹パターン形成工程では、前記第1領域に、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第3凹パターンをさらに形成し、
前記有機膜埋込工程は、
前記第1凹パターンが配置される領域上では厚く、前記第1凹パターンが配置される領域以外の領域上では薄くなる有機膜を前記テンプレート基板上に形成する工程と、
前記第2領域上の前記有機膜が除去されるまで、前記有機膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記第1絶縁膜埋込工程は、
前記テンプレート基板上に、前記第1凹パターンを埋め込むように第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第2領域上の前記第1絶縁膜が除去されるまで、前記第1絶縁膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記有機膜除去工程は、
前記第1凹パターン内の前記有機膜が前記第3凹パターン内で露出した露出部から、前記有機膜を除去する工程と、
前記露出部を第2絶縁膜で覆う工程と、
を含むことを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記10]
前記第1凹パターン内に形成される前記有機膜の厚さをHとし、前記第1凹パターン内に形成される前記第1絶縁膜の厚さをDとしたときに、前記Dおよび前記Hは、
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm、
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm、
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm、
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm、または
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm
の関係を満たすことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記11]
前記第1凹パターン形成工程では、前記第1領域に、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第3凹パターンをさらに形成し、
前記有機膜埋込工程は、
前記第1凹パターンが配置される領域上では厚く、前記第1凹パターンが配置される領域以外の領域上では薄くなる有機膜を前記テンプレート基板上に形成する工程と、
前記第2領域上の前記有機膜が除去されるまで、前記有機膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記第1絶縁膜埋込工程は、
前記テンプレート基板上に、前記第1凹パターンを埋め込むように第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第3凹パターンが配置される領域上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記第2領域上の前記第1絶縁膜が除去されるまで、前記第1絶縁膜をエッチバックする工程と、
を含むことを特徴とする付記7に記載のテンプレートの製造方法。
[付記12]
テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成し、前記第1領域以外の第2領域に第2凹パターンを形成する凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターンの底部に屈折層を形成する屈折層形成工程と、
前記第1凹パターン内に絶縁層を埋め込む絶縁層埋込工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記13]
前記屈折層形成工程は、
前記第1凹パターンおよび前記第2凹パターン内に前記屈折層を形成する工程と、
前記第1凹パターン内に第1マスク層を形成する工程と、
前記第1マスク層をマスクとして、前記第2凹パターン内の前記屈折層を除去する工程と、
を含み、
前記絶縁層埋込工程は、
前記第1凹パターンおよび前記第2凹パターン内に前記絶縁層を形成する工程と、
前記第1領域上に第2マスク層を形成する工程と、
前記第2マスク層をマスクとして、前記第2凹パターン内の前記絶縁層を除去する工程と、
前記第1領域で前記テンプレート基板上に形成された前記第2マスク層および前記絶縁層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
[付記14]
前記屈折層は、Cr,Ta,Ti,Ru,TiN,TaO,TaNおよびSiNの群から選択される少なくとも1つの材料であることを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
[付記15]
前記凹パターン形成工程では、前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとを同時に形成することを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
Claims (7)
- テンプレート基板と、
前記テンプレート基板の同一面に設けられるデバイス形成パターンおよびアライメントマークと、
を備え、
前記アライメントマークは、
前記テンプレート基板に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層と、
前記屈折層が設けられた前記第1凹パターンを埋め込む絶縁層と、
を有することを特徴とするテンプレート。 - 前記アライメントマークは、複数の延在する前記第1凹パターンが延在方向に交差する方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。
- 前記屈折層は、空気もしくは有機膜、または、Cr,Ta,Ti,Ru,TiN,TaO,TaNおよびSiNの群から選択される少なくとも1つの材料であることを特徴とする請求項2に記載のテンプレート。
- 前記アライメントマークは、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第2凹パターンをさらに有し、
前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとの境界面が前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項3に記載のテンプレート。 - 前記第1凹パターンの深さは、前記デバイス形成パターンを構成する第3凹パターンの深さと同じかあるいは前記第3凹パターンよりも深いことを特徴とする請求項4に記載のテンプレート。
- テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成する第1凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターン内の所定の深さまで有機膜を埋め込む有機膜埋込工程と、
前記第1凹パターンに第1絶縁膜を埋め込む第1絶縁膜埋込工程と、
前記テンプレート基板の前記第1領域以外の第2領域に、第2凹パターンを形成する第2凹パターン形成工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。 - テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成し、前記第1領域以外の第2領域に第2凹パターンを形成する凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターンの底部に屈折層を形成する屈折層形成工程と、
前記第1凹パターン内に絶縁層を埋め込む絶縁層埋込工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
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