JP2014090132A - 反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】洗浄と転写を長期にわたって繰り返し行なっても、高いパターン転写精度を実現する事が可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板表面に形成された多層反射層２と、前記多層反射層２の上に形成された保護層３と、前記保護層３の上に形成された吸収層４を備え、前記吸収層４に形成された回路パターン領域１０の外側の少なくとも一部に、前記吸収層４および前記保護層３並びに前記多層反射層２が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠１１を有した反射形マスク１０１において、前記遮光枠１１部内の前記多層膜が露出した側面に、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する側壁保護膜１２が化学蒸着法により形成されたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、反射型マスクブランク及び反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法に関し、特に極端紫外線（Extreme Ultra Violet；以下「ＥＵＶ」と表記する）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスクブランク及び反射型マスク、反射型マスクの製造方法に関する。

（ＥＵＶリソグラフィの説明）
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。

（ＥＵＶマスクとブランク構造の説明）
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく部分的に除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。

（ＥＵＶマスクの吸収層の膜厚と反射率の説明）
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。

このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光（極端紫外光）の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。

（隣接するチップの多重露光の説明）
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチッ
プを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。

このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、このような遮光枠部が形成されている反射型マスクを温硫酸やアルカリなどの洗浄薬液で洗浄した場合、これらの洗浄薬液により露出している多層反射層の側面が侵食されてパーティクルが発生し、当該反射型マスクや洗浄装置を汚染してしまうという不具合が発生する場合がある。

洗浄時の多層反射層側面の侵食を防止するために、酸素プラズマを照射して強制的に酸化させ、側壁保護膜の形成することも考えられる（例えば特許文献２参照）。しかしながらこのような方法で側壁保護膜を形成した場合には多層反射層を形成するＭｏ、Ｓｉ上の膜が同じ種類の酸化膜でないので、酸化膜の形成速度や膜厚が異なる。また、洗浄耐性も十分でなく、当然耐性も異なるため、洗浄を繰り返すと、さらに表面粗さが増長され、しまいには部分的に酸化膜が消失してしまう問題も発生する。

特開２００９−２１２２２０号公報 特開２０１０−１１８５２０号公報

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、洗浄と転写を長期にわたって繰り返し行なっても、高いパターン転写精度を実現する事が可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とするものである。

本発明の請求項１の発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成された回路パターン領域の外周の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層並びに前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有した反射型マスクにおいて、前記遮光枠部内の前記多層膜が露出した側面に、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する側壁保護膜が化学蒸着法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition）により形成されたことを特徴とする反射型マスクとしたものである。

本発明の請求項２の発明は、前記側壁保護膜は、洗浄耐性のあるＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクとしたものである。

本発明の請求項３の発明は、請求項１または２に記載の反射型マスクの製造方法であって、ドライエッチングもしくはウェットエッチングによって前記遮光枠内の前記多層反射
層の除去を行うエッチング工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項４の発明は、前記エッチング工程において、前記多層反射層に、フッ素原子もしくは塩素原子を含むガスを用いてドライエッチングを行うことを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項５の発明は、前記フッ素原子もしくは塩素原子を含むガスは、少なくともＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、ＣＨＦ_３、ＳＦ_６、ＣｌＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＣＣｌ_２Ｆ_２のいずれかを含むガスであることを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法であって、化学蒸着法によって前記側壁保護膜の形成を行う工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項７の発明は、前記側壁保護膜の形成工程において、化学蒸着法が、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項８の発明は、前記側壁保護膜の形成工程が、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、化学蒸着法を用いて側壁保護膜の形成を行い、レジスト剥離を行ない、前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項９の発明は、前記側壁保護膜の形成工程が、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、レジスト剥離を行ない、その後レジスト塗布し、遮光帯部の描画後に現像を行ない、化学蒸着法を用いて側壁保護膜を形成し、レジスト剥離を行うことによって前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項１０の発明は、前記側壁保護膜の形成工程において、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を用いて、化学蒸着法によって前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項１１の発明は、前記金属水素化物、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を含む材料ガスとしては、少なくともＳｉＨ_４、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＲＩＥＳ（トリエトキシシラン）、ＳｉＣｌ_４、Ｒ_３Ａｌのいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明の請求項１２の発明は、前記側壁保護膜の形成工程において、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、側壁に局所的に光を照射する手順によって、前記側壁保護膜の形成を行う、請求項１〜１１のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。

本発明は、多層反射層を除去し遮光枠を形成したＥＵＶマスクにおいて、多層反射膜、高い遮光性能を有する反射型マスクが可能となり、高い精度の転写パターンを形成できるという効果を奏する。

（ａ）本発明の反射型マスクの一例の構造の概略断面図と（ｂ）概略平面図 本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（パターン形成まで）を示す概略断面図 本発明の実施例の反射型マスク（パターン形成まで）を示す概略平面図 本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（遮光枠形成）を示す概略断面図 本発明の実施例の反射型マスクを示す概略図 実施例１の反射型マスクの検出欠陥数

（本発明の反射型マスクの構成）
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の反射型マスクの構成について説明する。図１（ａ）は、本発明の反射型マスクの一例の構造の概略断面図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）を上から見た概略平面図である。即ち、本発明の反射型マスクの一例の構成は、１０１である。

図１（ａ）に示す反射型マスク１０１は、基板１の表面に、多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成されている。基板の裏面には導電膜５が形成された構造となっている。保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収膜４のマスクパターン修正時に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられた層である。

本発明の反射型マスク１０１は、吸収層４が加工されたパターン領域１０と、その外周部に吸収層４、保護層３、多層反射層２、（緩衝層がある場合は緩衝層も）が除去された遮光枠１１を有する。

本発明の反射型マスク１０１は、遮光枠部１１内の多層反射層２が露出した側面には、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する側壁保護膜１２が形成されている。

このように、本発明の反射型マスクにおいては、遮光枠部内の上記多層反射膜が露出した側面のみに側壁保護膜が形成されているため、反射型マスクに用いられる洗浄薬液によって多層反射膜が浸食等されることなく、侵食等された多層反射膜が異物となることを抑制することができる。そのため、遮光枠部が形成されている場合でも、異物の発生が少なくすることができ、このような反射型マスクを用いることにより高いパターン転写精度を実現することが可能である。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：多層反射層、保護層、緩衝層）
図１（ａ）の多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、ＭｏとＳｉが交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、さらに最上層の保護層３は２〜３ｎｍ厚のルテニウム（Ｒｕ）あるいは厚さ１０ｎｍ程度のシリコン（Ｓｉ）で構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るためである。保護層３がＲｕの場合は、吸収層４の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層３がＳｉの場合は、吸収層４との間に、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：吸収層）
図１（ａ）の吸収層４は、ＥＵＶに対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。

図１（ａ）の吸収層４は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：裏面導電膜）
図１（ａ）の導電膜５は、一般にはＣｒＮで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。

図１（ａ）では導電膜５を有するかたちで記載したが、導電膜５を有さないマスクブランク及びマスクとしても良い。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細）
本発明の反射型マスクの遮光枠の形成方法について説明する。まずフォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光枠部のみが開口したレジストパターンを形成する。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス（あるいはその両方）を用いたドライエッチングによって、レジストパターンの開口部の吸収膜４と保護層３を除去する。次いで、多層反射層２を、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液あるは酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層を貫通・除去する。

ドライエッチングによって、多層反射層２を貫通・除去する際に、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いるのは、多層反射層の材料であるＭｏとＳｉの両方に対して、エッチング性を有するためである。この際に用いるフッ素系ガスは、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、ＣＨＦ_３、ＳＦ_６、ＣｌＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＣＣｌ_２Ｆ_２が挙げられる。

ウェットエッチングによって、多層反射層２を貫通・除去する際のエッチング液には、多層反射層の材料であるＭｏとＳｉのエッチングに適している必要がある。例えば、アルカリ性溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）が適している。酸性溶液としては、硝酸とリン酸の混合液が適しているが、これにフッ酸、硫酸、酢酸を加えても良い。

本発明においては、上記遮光枠部内の上記多層反射層が露出した側面に、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する側壁保護膜が形成されている。側壁保護膜の形成方法としては、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、ＣＶＤ法を用いて側壁保護膜の形成を行い、レジスト剥離を行なう手順によって側壁保護膜の形成を行う。

なお、側壁保護膜は、遮光枠部内の前記多層膜が露出した側面のみに、形成したほうが望ましい。

別の方法としては、多層反射層の側壁を形成後にレジスト剥離を行なう。その後レジスト塗布を行い、遮光帯部の描画後に現像を行ない、ＣＶＤ法を用いて側壁保護膜を形成し、レジスト剥離を行なう手順によって側壁保護膜の形成を行う。

もしくは多層反射層の側壁を形成後に側壁に局所的に光を照射する手順によって、前記側壁保護膜の形成を行う方法がある。

側壁保護膜を形成することにより、洗浄薬液により上記多層反射層が侵食等されて、異物となることを防止することができる。この際「洗浄薬液」とは、反射型マスクの製造工程において異物、レジスト等を除去することを目的として用いられる液体を意味する。また、「洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する」とは、上記洗浄薬液と接触しても、侵食、溶解等されて異物、汚染等を発生させない、とを意味する。

上記側壁保護膜は化学蒸着法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成する。ＣＶＤは均一で緻密な膜の形成が可能である。特にＥＵＶマスクにおいては熱に弱いため、比較的低温で行なえるプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法が有効ではあるが、その他、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法なども使用可能である。

上記側壁保護膜はＳｉ０_２もしくはＡｌ_２０_３のようなプラズマＣＶＤの酸化反応で形成されるものが適している。なぜなら、これらの保護膜は洗浄耐性が高いためである。ＣＶＤに用いる材料ガスは、金属水素化物、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を例示できる。具体的には、ＳｉＨ_４、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＲＩＥＳ（トリエトキシシラン）、ＳｉＣｌ_４、Ｒ_３ＡＬなどが使われるが、この限りではない。

上記側壁保護膜の形成にＣＶＤを用いる事により、凹凸や溝など立体的な構造の表面をすきまなく、かつ１種類の緻密な膜で被覆する事が可能となるため、洗浄薬液と接触し、侵食、溶解等されて異物、汚染等を発生させない側壁保護膜を形成することができる。

以下、本発明の反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。図２（ａ）に本実施例で用意した反射型マスクブランク２０１を用意した。このブランクは、基板１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの多層反射層２が、その上に２．５ｎｍ厚のＲｕの保護層３が、更にその上に７０ｎｍ厚のＴａＳｉからなる吸収層４が、順次形成されている。

本ブランクに対し、ポジ型化学増幅レジスト９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を３００ｎｍの膜厚で塗布し（図２（ｂ））、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によって描画後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック）により、レジスト部分にレジストパターンを形成した（図２（ｃ））。

次いで、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ_４プラズマとＣｌ_２プラズマにより、吸収層４をエッチングし（図２（ｄ））、レジスト剥離洗浄することで、図２（ｅ）に示す評価パターンを有する反射型マスク２１１を作製した。評価パターンは、寸法２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンをマスク中心に配置した。パターン領域の大きさは、１０ｃｍ×１０ｃｍとした。反射型マスク２１１の上面図を図３に示す。

次いで、上述の評価パターンを有する反射型マスク２１１のパターン領域１０に対して、遮光枠を形成する工程を行った。反射型マスク２１１（図４（ａ））にｉ線レジスト２９を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図４（ｂ））、そこへｉ線描画機（ＡＬＴＡ）により描画、現像を行うことにより、後に遮光枠となる領域を抜いたレジストパターンを形成した（図４（ｃ））。このときレジストパターンの開口幅は５ｍｍとし、マスク中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍのメインパターン領域から３μｍ（マイクロメートル）の距離に配置した。

次いで、ドライエッチング装置を用いてＣＨＦ_３プラズマ（ドライエッチング装置内の圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー２０００Ｗ、ＣＨＦ_３：流量２０ｓｃｃｍ、処理時間６分、これらは、以下の表記で同じ。）により、上記レジストの開口部の吸収層４と多層反射層２とを垂直性ドライエッチングで貫通・除去し（図４（ｄ）、（ｅ））、図４（ｅ）に示すような形状を得た。

さらにプラズマＣＶＤ装置を用いて、高周波電力１３．５６Ｍｈｚ、反応圧力を１ｔｏｒｒの設定で、原料となるＴＲＩＥＳは５０℃に加温したものを用いて成膜したところ、図４（ｆ）に示すような形状を得た。

最後に、硫酸系の剥離液とアンモニア過酸化水素水により、レジスト剥離・洗浄を実施し、ドライエッチングで残ったレジストを除去した（図４（ｇ））。図５（ａ）、（ｂ）に本実施例で作製した反射型マスク１０１を示す。

このようにして作製した遮光枠の一部を断裁して、電子顕微鏡にて断面観察したところ、約５ｎｍ程度のＳｉ０_２の側壁保護膜が、多層反射層の側面にのみに形成されていることを確認した。

次いで、このようにして作製した側壁保護膜を有する遮光枠付き反射型マスクと、従来型の遮光枠付き反射型マスクの両方を用意し、１０ｘ１０ｃｍに２００ｎｍのライン＆スペースパターンを敷き詰めたメインパターン領域を、マスク検査装置にて検査を実施した。その結果、本発明の遮光枠付き反射型マスクは、従来の遮光枠付き反射型マスクに比べて、マスク作製直後（洗浄１回後）で、欠陥数は約１／５０に低減していた（図６（ａ））。また、本発明の遮光枠付き反射型マスクは、洗浄を繰り返しても欠陥数が増えないが、従来の遮光枠付き反射型マスクは、洗浄回数の増加に伴い欠陥数が増加した（図６（ａ）、（ｂ））。これは、遮光枠の多層反射層の側壁が洗浄するほど荒れが生じ、パーティクルが発生していると考えられる。

このように、遮光性能の高い遮光枠を有する反射型マスクを作製することができた。

本発明は、反射型マスク等に有用である。

１ 基板
２ 多層反射層
３ 保護層
４ 吸収層
５ 裏面導電膜
９ レジスト
１０ パターン領域
１１ 遮光枠
１２ 側壁保護膜
２９ レジスト
１０１ 本発明の反射型マスク
２０１ 反射型マスクブランク
２１１ パターン領域に回路パターンが形成された反射型マスク

Claims (12)

1. 基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成された回路パターン領域の外周の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層並びに前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を有した反射型マスクにおいて、前記遮光枠部内の前記多層膜が露出した側面に、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する側壁保護膜が化学蒸着法により形成されたことを特徴とする反射型マスク。
2. 前記側壁保護膜は、洗浄耐性のあるＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
3. 請求項１または２に記載の反射型マスクの製造方法であって、ドライエッチングもしくはウェットエッチングによって前記遮光枠内の前記多層反射層の除去を行うエッチング工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法。
4. 前記エッチング工程において、前記多層反射層に、フッ素原子もしくは塩素原子を含むガスを用いてドライエッチングを行うことを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
5. 前記フッ素原子もしくは塩素原子を含むガスは、少なくともＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、ＣＨＦ_３、ＳＦ_６、ＣｌＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＣＣｌ_２Ｆ_２のいずれかを含むガスであることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクの製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法であって、化学蒸着法によって前記側壁保護膜の形成を行う工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法。
7. 前記側壁保護膜の形成工程において、化学蒸着法が、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
8. 前記側壁保護膜の形成工程が、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、化学蒸着法を用いて側壁保護膜の形成を行い、レジスト剥離を行ない、前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
9. 前記側壁保護膜の形成工程が、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、レジスト剥離を行ない、その後レジスト塗布し、遮光帯部の描画後に現像を行ない、化学蒸着法を用いて側壁保護膜を形成し、レジスト剥離を行うことによって前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
10. 前記側壁保護膜の形成工程において、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を用いて、化学蒸着法によって前記側壁保護膜の形成を行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
11. 前記金属水素化物、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を含む材料ガスとしては、少なくともＳｉＨ_４、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＲＩＥＳ（トリエトキシシラン）、ＳｉＣｌ_４、Ｒ_３Ａｌのいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクの製造方法。
12. 前記側壁保護膜の形成工程において、多層反射層の除去を行なうエッチング工程後に、
    側壁に局所的に光を照射する手順によって、前記側壁保護膜の形成を行う、請求項１〜１１のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。