JP2018147990A

JP2018147990A - Ｔａｉｋｏウエハの処理方法

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Publication number: JP2018147990A
Application number: JP2017040485A
Authority: JP
Inventors: 畠井　宗宏; Munehiro Hatai; 宗宏畠井; 洸造上田; Kozo Ueda
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2017-03-03
Filing date: 2017-03-03
Publication date: 2018-09-20

Abstract

【課題】外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯ（登録商標）ウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供する。【解決手段】処理方法は、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハ２の研削されていない側の面に基材１２と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層１１を有するウエハ保護テープ１を貼り付けるテープ貼りつけ工程と、ウエハ保護テープ１に刺激を与えてウエハ保護テープ１を硬化させるテープ硬化工程と、ウエハ保護テープ１が貼付されたＴＡＩＫＯウエハ２にスパッタリング処理を施すスパッタリング工程と、スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハ２からウエハ保護テープ１を剥離するテープ剥離工程とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法に関する。

半導体チップの製造工程において、半導体ウエハや半導体チップの加工時の取扱いを容易にし、破損を防止するために粘着テープが用いられている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合、厚膜ウエハに粘着テープを貼り合わせた後に研削が行われる。

半導体ウエハは、機能特性を向上させる目的でより薄化してきている。このような薄化した半導体ウエハは、取り扱い性に劣るという問題がある。そこで、外周部を残して内側の領域のみが研削された、いわゆるＴＡＩＫＯウエハが提案されるようになってきた（例えば、特許文献１）。ＴＡＩＫＯウエハは、厚い外周部により充分な強度が維持され、取り扱い性に優れることから、パワー半導体等、種々の半導体分野において導入が進んでいる。

しかしながら、ウエハの薄化は近年さらに進んできており、ＴＡＩＫＯウエハであっても反りが発生する等取扱いに問題が生じるようになった。そこで、ＴＡＩＫＯウエハにもウエハ保護テープを用いることが提案されている。しかし、従来のウエハ保護テープでは更に薄化が進んだＴＡＩＫＯウエハの反りを充分に防止できないという問題があった。

また、ＴＡＩＫＯウエハを用いた半導体の製造では、スパッタリング等の高温処理が行われる。その際、従来のウエハ保護テープでは高温処理時の高温に耐えきれずにテープの粘着剤が溶融したり、熱によって接着昂進が起こったりすることで、テープの剥離時に糊残りが生じるという問題もあった。

特開２０１４−１０７３１２号公報

本発明は、上記現状に鑑み、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供することを目的とする。

本発明は、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハの研削されていない側の面に基材と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼りつけ工程と、前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程と、ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程と、スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程とを有するＴＡＩＫＯウエハの処理方法であって、前記基材は厚みが３８〜２００μｍであり、前記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以上であるＴＡＩＫＯウエハの処理方法である。
以下に本発明を詳述する。

本発明者らは、鋭意検討した結果ウエハ保護テープの基材を特定の厚みにし、基材の弾性率を特定の範囲とすることで、薄化が進んだＴＡＩＫＯウエハであっても反りを充分に防ぐことができることを見出した。更に、ウエハ保護テープの粘着剤を硬化型粘着剤とし、スパッタリング処理の前に硬化させることで、スパッタリングの熱によるＴＡＩＫＯウエハへの糊残りを防止できるとともに、処理後にはウエハ保護テープを容易に剥離できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、まず、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハの研削されていない側の面に基材と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼りつけ工程をおこなう。
ウエハ保護テープを貼り付けることによって、ＴＡＩＫＯウエハの反りを防いで取り扱い性を向上させることができる。
ここで、図１にウエハ保護テープが貼りつけられたＴＡＩＫＯウエハの様子を模式的に示した。硬化型粘着剤層１１と基材１２を有するウエハ保護テープ１がリングフレーム３を介してＴＡＩＫＯウエハ２の平坦な面（研削されていない面）を固定している。
なお、本明細書においてＴＡＩＫＯウエハとは、外周部を残して内側の領域のみが研削されたウエハを意味する。上記外周部は、通常０．５〜１ｍｍ程度の幅を有し、上記外周部と内側の領域との段差は通常５５０〜６５０μｍ程度である。上記ＴＡＩＫＯウエハは、片面に回路が形成されたものであってもよい。

上記基材は、厚みが３８〜２００μｍである。上記基材の厚みがこの範囲内にあることで、薄化したＴＡＩＫＯウエハであっても反りの発生を充分に防止することができるとともに、処理終了後には粘着テープを容易に剥離することができる。上記基材の好ましい厚みは、５０〜１５０μｍである。

上記基材は、２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以上である。上記基材の厚みに加えて２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以上であることによって、薄化したＴＡＩＫＯウエハであっても反りの発生を充分に防止することができる。上記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率の好ましい下限は１×１０^９Ｐａ以上である。上記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率の上限は特に限定されないが、実質１×１０^１０Ｐａ程度である。なお、２３℃での引っ張り貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティー計測制御社製、ＤＶＡ−２００）を用いて動的粘弾性測定の引っ張りモード角周波数１０Ｈｚで測定を行い、２３℃での貯蔵弾性率の値を測定することで求めることができる。

上記基材としては、上記厚みと上記２３℃での引っ張り貯蔵弾性率を満たしていれば特に限定されず、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることからポリエチレンナフタレートが好ましい。

上記硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）とを反応させることにより得ることができる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。

上記光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
ただし、上記硬化型粘着剤が高い耐熱性を発揮するためには、上記熱重合開始剤は、熱分解温度が２００℃以上である熱重合開始剤を用いることが好ましい。このような熱分解温度が高い熱重合開始剤は、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油社製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化型粘着剤や熱硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性、熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。

上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化型粘着剤は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤が上記気体発生剤を含有する場合には、ダイシング後の半導体チップからダイシングテープを剥離する際に、刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく粘着テープを剥離することができる。

上記気体発生剤は特に限定されないが、加熱を伴う処理に対する耐性に優れることから、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール化合物又はその塩等が好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体を発生する一方、２００℃程度の高温下でも分解しない高い耐熱性を有する。

上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型粘着剤へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。

上記硬化型粘着剤は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。

上記硬化型粘着剤は、上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、２００℃以上の加熱を伴う処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することにより上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより半導体チップ上への糊残りを防止する効果も発揮される。

上記硬化型粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記硬化型粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。

上記硬化型粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力でウエハに貼着でき、処理中のウエハを保護することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。

本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、上記ウエハ保護テープに刺激を与えて上記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程をおこなう。
硬化型粘着剤層を光の照射又は加熱により架橋、硬化させることによってウエハ保護テープの弾性率が上昇するため、スパッタリングによる高温下でも接着昂進しにくくなり、スパッタリング処理後にウエハ保護テープを剥離する際はＴＡＩＫＯウエハに糊残りすることなく容易に剥離を行うことができる。

上記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する粘着剤を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型接着剤を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型接着剤に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。

また、上記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと５０〜１５０℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する粘着剤を用いた場合、５０〜１５０℃程度の温度にまで加熱することにより、上記熱硬化型接着剤を架橋、硬化させることができる。

本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程をおこなう。
本発明では、上記スパッタリング工程の前にウエハ保護テープを硬化させて弾性率を上昇させているため、スパッタリング時の高温による粘着剤層の溶融や接着昂進を抑えることができる。
上記スパッタリングを行う方法については特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。

本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程をおこなう。
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法ではスパッタリング工程前にウエハ保護テープを硬化させているため、ウエハ保護テープを糊残りなく容易に剥離することができる。また、ウエハ保護テープの硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、剥離に先立って光を照射することにより該気体発生剤から気体が発生して、その圧力により更に容易に剥離することができる。

本発明によれば、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供できる。

ウエハ保護テープが貼りつけられたＴＡＩＫＯウエハの様子を模式的に表した図である。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。

（実施例１）
（１）硬化型粘着剤の合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて重合性ポリマーＡを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、シリコーンアクリレート（ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ダイセル・オルネクス社製）２０重量部、シリカフィラー（レオロシールＭＴ−１０、トクヤマ社製）２０重量部、化学架橋材（コロネートＬ−４５、積水フーラー社製）０．５重量部、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部を混合し、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。

（２）ウエハ保護テープの製造
得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルム（２３℃での引っ張り貯蔵弾性率：８×１０^９Ｐａ）のコロナ処理面上に、硬化型粘着剤層の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ウエハ保護テープを得た。

（３）糊残りの評価
得られたウエハ保護テープを直径２０ｃｍのＴＡＩＫＯウエハの回路面にラミネートし、ウエハの外径サイズにテープをカットした。次いで、テープ面から超高圧水銀灯を用いて、４０５ｎｍの紫外線をウエハ保護テープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ^２となるよう照度を調節して１分間照射して、硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた。その後、ＴＡＩＫＯ専用のグランダーにより研削面でのウエハ厚が１００μｍになるまで研削した。研削後、通常のスパッタリング条件でスパッタリングし、Ｃｕの膜を形成した（厚み０．０１μｍ）。その後ウエハ保護テープを剥離した。
ウエハ保護テープを剥離したＴＡＩＫＯウエハの表面を目視にて観察して、糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが全体の面積の５％未満であった場合を「○」、糊残り全体の面積の５％以上であった場合を「×」と評価した。
結果を表１に示した。

（比較例１〜３）
基材を表１に示したものに変更した以外は実施例１と同様にして硬化型粘着剤及びウエハ保護テープを得た。得られたウエハ保護テープを用いて、実施例１と同様の測定、評価を行った。
なお、比較例１では、「（３）糊残りの評価」で硬化型粘着剤層の光硬化を行わなかった。
結果を表１に示した。

１ウエハ保護テープ
１１硬化型粘着剤層
１２基材
２ＴＡＩＫＯウエハ
３リングフレーム

Claims

外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハの研削されていない側の面に基材と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼りつけ工程と、
前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程と、
ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程と、
スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程とを有するＴＡＩＫＯウエハの処理方法であって、
前記基材は厚みが３８〜２００μｍであり、
前記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以上である
ことを特徴とするＴＡＩＫＯウエハの処理方法。