JP2018113414A5 - - Google Patents
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Description
一側面によれば、無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板と、前記回路基板の主面にバンプを介して搭載された半導体素子と、前記半導体素子の横の前記主面に形成され、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延び、かつ前記基板よりも熱膨張率が大きな樹脂層とを有する半導体装置が提供される。
なお、その樹脂層４０が厚過ぎると、図８（ａ）の工程で回路基板１を冷却するときに樹脂層４０の収縮量が大きくなり過ぎ、他方の主面１ｂを凸にして回路基板１が反るおそれがある。また、厚い樹脂層４０が邪魔で各半導体素子１１、１２の上面にヒートシンク５２を固着するのも困難となる。
Claims (10)
- 無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板と、
前記回路基板の主面にバンプを介して搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の横の前記主面に形成され、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延び、かつ前記基板よりも熱膨張率が大きな樹脂層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記樹脂層は、平面視において、前記回路基板の四辺の縁に沿って延びるリング状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記樹脂層は、平面視において、前記回路基板の相対する二辺に沿って帯状に延びることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記樹脂層の端部に、前記二辺とは異なる前記回路基板の残りの二辺に沿って延びる延長部を設けたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
- 前記樹脂層の上面の高さは、前記半導体素子の上面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記樹脂層は、前記樹脂絶縁層よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板の主面に、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延びる樹脂層を形成する工程と、
前記回路基板の前記主面に、バンプを備えた半導体素子を搭載する工程と、
前記樹脂層を形成する工程の後に、前記バンプを加熱して溶融することにより、前記バンプを介して前記回路基板と前記半導体素子とを接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂層の材料として熱硬化性樹脂を採用すると共に、
前記バンプを加熱する工程において前記樹脂層を熱硬化させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記回路基板の前記主面と前記半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程を更に有し、
前記樹脂層を形成する工程において、前記アンダーフィル樹脂よりも粘度が高い樹脂を前記樹脂層の材料として使用することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂層の材料として熱硬化性樹脂を採用すると共に、
前記回路基板の前記主面にアンダーフィル樹脂を設ける工程を更に有し、
前記回路基板の前記主面に前記半導体素子を搭載する工程において、前記主面と前記半導体素子との間に前記アンダーフィル樹脂を介在させ、
前記バンプを加熱する工程において、前記樹脂層と前記アンダーフィル樹脂とを同時に熱硬化させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
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