JP2018081815A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光取出し効率が向上した表示装置を提供する。【解決手段】第１基板と、第１基板上の発光素子と、発光素子上の封止膜と、封止膜上の第１の絶縁層と、封止膜上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の遮光層と、遮光層上の第２基板と、を有し、第１の絶縁層は、発光素子の発光領域と重なる領域に開口部を有し、第２の絶縁層は、発光素子の発光領域の上方に逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、遮光層は、発光素子の発光領域と重なる領域に位置することを特徴とする表示装置である。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置の構成に関する。特に、表示装置の画素の構成に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。

有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられる構造が主流である。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。そして、画素の発光を、対向基板から射出させることにより、画像を表示させる。

このような構造では、外部から光が入射した場合、外光が対向基板を抜けてパネル内部に入り込むと、画素の反射電極において外光が反射される。このように、外光が反射されてしまうと、表示画像が見づらくなってしまうという課題があった。

このような課題に対し、例えば、特許文献１には、基板に円偏光板を貼り付けることにより、外光の映り込みを防止する構造、及び表示面の発光素子と対向する側に反射部材（反射偏光板）を配置する構造が開示されている。

特開２００５−１００７８９号公報

しかしながら、表示パネルに円偏光板を貼り付ける構造とする場合、円偏光板の光の透過率は、理論上５０％以下となってしまう。このため、発光素子の発光の取り出しロスが生じ、輝度が低下してしまうという問題が生じる。

上記問題に鑑み、本発明は、光取出し効率が向上した表示装置を提供することを目的の一つとする。また、外光の侵入や反射が抑制された表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明に係る表示装置の一態様は、第１基板と、第１基板上の発光素子と、発光素子上に位置し、発光素子を覆う封止膜と、封止膜上の第１の絶縁層と、封止膜上の第２の絶縁層と、平面的に見て第２の絶縁層と重なる遮光層と、を有し、第１の絶縁層は、発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、発光領域を露出する開口部を有し、第２の絶縁層の少なくとも一部は、開口部に位置し、第２の絶縁層は、発光領域と平面的に見て重なる領域に凹部を有し、遮光層は、発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に位置することを含む。

また、本発明に係る表示装置の他の一態様は、第１基板と、第１基板上の複数の発光素子と、発光素子上に位置し、複数の発光素子を覆う封止膜と、封止膜上の第１の絶縁層と、封止膜上の第２の絶縁層と、平面的に見て第２の絶縁層と重なる遮光層と、第１の遮光層上の第２基板と、を有し、第１の絶縁層は、複数の開口部を有し、複数の開口部の各々は、複数の発光素子の各々が備える発光領域の各々と平面的に見て重なり、且つ発光領域の各々を露出し、第２の絶縁層の少なくとも一部は、開口部に位置し、第２の絶縁層は、発光領域の各々と平面的に見て重なる領域の各々に、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、遮光層の第１の領域は、発光領域と重なる領域に位置し、遮光層の第２の領域は、複数の発光素子のうち、隣り合う発光素子の間の領域に位置することを含む。

また、本発明に係る表示装置の他の一態様は、第１基板と、第１基板上の発光素子と、発光素子上に位置し、発光素子を覆う封止膜と、封止膜上の第１の絶縁層と、封止膜上の第２の絶縁層と、平面的に見て第２の絶縁層と重なる遮光層と、遮光層上の第２基板と、を有し、第１の絶縁層は、発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、発光領域を露出する開口部を有し、第２の絶縁層の少なくとも一部は、開口部に位置し、第２の絶縁層は、発光領域と平面的に見て重なる領域に逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、遮光層は、発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に位置し、第２の絶縁層は、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部の半頂角を構成する第１の傾斜面を有し、第１の絶縁層は、開口部において第２の傾斜面を有し、第１の傾斜面は、発光素子から鉛直上方に射出された光を全反射させ、第２の傾斜面は、第１の傾斜面から水平方向に入射された光を、全反射させる第１の領域と、第１の傾斜面で全反射された光を、透過させる第２の領域と、を有し、第１の領域を断面視したときの幅は、第２の領域を断面視したときの幅よりも大きいことを含む。

また、本発明に係る表示装置の他の一態様は、第１基板と、第１基板上の発光素子と、発光素子上に位置し、発光素子を覆う封止膜と、封止膜上の第１の絶縁層と、封止膜上の第２の絶縁層と、平面的に見て第２の絶縁層と重なる遮光層と、遮光層上の第２基板と、を有し、第１の絶縁層は、発光素子の発光領域と重なる領域に開口部を有し、第２の絶縁層は、発光素子の発光領域の上方に逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、遮光層は、発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、発光領域を露出する位置し、第２の絶縁層の少なくとも一部は、開口部に位置し、第２の絶縁層は、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部の半頂角を構成する第１の傾斜面を有し、第１の絶縁層は、開口部において第２の傾斜面を有し、第２の傾斜面は、外部から鉛直下方に入射された光を全反射させる第１の領域と、外部から鉛直下方に入射された光を透過させる第２の領域と、を有し、第１の領域を断面視したときの幅は、第２の領域を断面視したときの幅よりも小さいことを含む。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を平面視した場合における概略図である。 図２におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を平面視した場合における概略図である。 図４におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 絶縁層１１７の屈折率と絶縁層１１８の屈折率と臨界角θｃの関係を示すグラフである。

以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面からバンクに向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

＜第１実施形態＞
本実施形態に係る表示装置の構成及び製造方法について、図１乃至図１５を参照して説明する。
［構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。

図１に示すように、表示装置１００は、絶縁表面上に形成された、表示領域１０３と、表示領域１０３の周辺に位置する周辺領域１１０と、走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０５と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。また、データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６内に組み込まれていてもよい。ドライバＩＣ１０６は、ＩＣチップのような形態で第１基板１０１上に配置してもよく、フレキシブルプリント回路（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１０８に設けて外付けしてもよい。ＦＰＣ１０８は、周辺領域１１０に設けられた端子１０７と接続される。

ここで、絶縁表面は、第１基板１０１の表面である。第１基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層などの各層を支持する。尚、第１基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していても良いし、第１基板１０１上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成しても良い。絶縁表面が得られる限りにおいて、第１基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。また、第１基板１０１に対向して、第２基板１０２が配置されている。

図１に示す表示領域１０３には、複数の画素１０９がマトリクス状に配置される。各画素１０９は、後述する画素電極と、該画素電極の一部（アノード）、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）及び陰極（カソード）からなる発光素子と、を含む。各画素１０９には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号に従って、各画素１０９に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。

図２乃至図９を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について詳細に説明する。

図２に、表示装置１００の画素を平面視した場合における概略構成を示し、図３に、図２におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図を示す。図２に示すように、第２基板１０２には、着色層１２４と、遮光層１２１と、が設けられており、遮光層１２１は、開口部１２５を有している。遮光層１２１は、発光素子の発光領域と重なるように設けられており、遮光層１２１の開口部１２５から、発光素子の光が射出される。また、遮光層１２１は隣接する画素と結合部１２６で接続されている。遮光層１２１に、結合部１２６を設けない場合は、遮光層１２１は円形に分離されるが、分離された遮光層１２１が剥がれてしまうおそれがある。したがって、円形の遮光層１２１に結合部を設けて、隣接する画素と接続することにより、遮光層１２１が剥がれてしまうことを防止することができる。

図３に示すように、表示装置１００は、少なくとも、画素電極１１３と、バンク１１９と、発光層１１４と、共通電極１１５、封止膜１１６と、絶縁層１１７と、絶縁層１１８と、を有している。また、発光素子１２０は、画素電極１１３と、発光層１１４と、共通電極１１５と、を有する。なお、本明細書において、発光領域とは、バンク１１９の開口部において、画素電極１１３が露出している領域と発光層１１４とが重なる領域をいう。

絶縁層１１１は、第１基板１０１上に設けられている。絶縁層１１１は、トランジスタの下地として機能する絶縁層や、トランジスタや配線を覆う絶縁層を含んでいる。また、絶縁層１１１上に設けられている絶縁層１１２は、トランジスタや配線等の形状に伴う絶縁層１１１の凹凸を埋没し、略平坦な形状を有することが好ましい。

画素電極１１３は、絶縁層１１２上に設けられ、トランジスタと接続されている。また、画素電極１１３は、画素毎に独立して設けられている。また、画素電極１１３は、光反射性の材料を含んでいる。これにより、有機ＥＬ層で発光した光は、第１基板１０１側へ伝搬せず、表示面の側である第２基板１０２側へ射出される。

バンク１１９は、その端部が画素電極１１３の周縁部を覆うように設けられている。バンク１１９は、画素電極１１３の端部で発光層１１４が十分に被覆されず、共通電極１１５と短絡するのを防ぎ、隣接する画素間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。バンク１１９を形成するには、例えば、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。バンク１１９の膜厚は１μｍから５μｍの厚さが好適である。

発光層１１４は、少なくとも画素電極１１３上に設けられている。この例では、発光層１１４は、複数の画素１０９に共通して設けられ、画素電極１１３及び画素１０９間のバンク１１９を覆うように設けられている。

発光層１１４が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１１４は、発光性の有機材料を含む発光層１１４に加え、当該発光層１１４を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１１４は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルター（着色層１２４）によってフルカラー発光を実現している。なお、発光層１１４として、赤色発光を呈するもの、緑色発光を呈するもの、青色発光を呈するものを画素ごとに塗り分けた構成を用いてもよい。この場合には、カラーフィルター（着色層１２４）を省略してもよい。

共通電極１１５は、発光層１１４上に設けられている。また、共通電極１１５は、発光層１１４で発光した光を透過させるため、透光性を有している。共通電極１１５の材料としては、透光性を有し且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極１１５として、発光層１１４で発光した光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。

封止膜１１６は、共通電極１１５上に複数の画素１０９に跨って設けられ、複数の発光素子１２０を覆っている。封止膜１１６は、発光素子１２０が有する発光層に水分が侵入することを防止するために設ける。封止膜１１６は、無機材料及び有機材料を単層又は積層して用いることができる。なお、本実施形態では、封止膜１１６を設ける構成について説明するが、封止膜１１６を設けない構成としてもよい。

絶縁層１１７は、封止膜１１６上に設けられ、開口部１３０を有している。開口部１３０は、画素１０９毎に設けられており、発光素子１２０の発光領域と重なる領域に設けられている。また、絶縁層１１７は、開口部１３０において、傾斜面を有している。

絶縁層１１８は、発光素子１２０の上方に設けられ、逆円錐形状の凹部１３１を有している。凹部１３１は、画素１０９毎に設けられており、発光素子１２０の発光領域の上方に設けられている。また、絶縁層１１８は、逆円錐形状の凹部１３１の半頂角を構成する傾斜面を有している。

ここで、発光素子１２０から発光した光を、絶縁層１１８及び絶縁層１１７で、全反射させるために、絶縁層１１７の屈折率は、絶縁層１１８の屈折率よりも低いことが好ましい。この場合、絶縁層１１７として、例えば、酸化シリコンや有機樹脂などで形成される、酸化シリコン又は有機樹脂を含めて形成されることが好ましく、絶縁層１１８は、窒化シリコン膜で形成される、窒化シリコン膜を含めて形成されることが好ましい。

絶縁層１１７及び絶縁層１１８の上方には、接着材及び保護材として機能する充填材１２７（フィル材ともいう）が設けられる。充填材１２７としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、又はシロキサン系の樹脂材料を用いることができる。一方、基板周辺部分で十分な封止、及び第１基板１０１と第２基板１０２とのギャップ保持が実現できるであれば、充填材１２７を用いず、中空封止とすることもできる。

また、第１基板１０１に対向する位置に、充填材１２７を介して、第２基板１０２が設けられている。第２基板１０２には、遮光層１２１と、着色層１２４が設けられている。遮光層１２１は、第１基板１０１上の絶縁層１１８上に、換言すれば絶縁層１１８と平面的に見て重畳する位置に、設けられている。また、遮光層１２１は、第１基板１０１上の発光素子１２０の発光領域と平面的に見て重畳する領域に位置する。遮光層１２１は、カーボンブラックを含む黒色の樹脂で形成される。なお、遮光層１２１は、発光素子１２０と対向する面において、反射性を有する金属膜が形成されていてもよい。図３において、着色層１２４と遮光層１２１とは、第２基板１０２上に着色層１２４、遮光層１２１の順で積層されているが、遮光層１２１、着色層１２４の順で積層されていてもよい。

図４は、表示装置１００の画素を平面視した場合における概略構成を示し、図５は、図４におけるＡ１−Ａ２線に沿った断面図を示す。図４に示すように、絶縁層１１７は、開口部１３０を有しており、発光素子１２０の画素電極１１３と重なっている。また、絶縁層１１７の開口部１３０において、絶縁層１１８が設けられている。絶縁層１１８には、逆円錐形状の凹部１３１が形成されている。図４に示す黒丸は、逆円錐形状の頂点１３０を表している。なお、図４においては、逆円錐形状の凹部１３１を設ける場合について説明したが、凹部１３１は逆多角錐形状としてもよい。また、絶縁層１１７の開口部１３０や、絶縁層１１８の凹部１３１が、画素の中心に配置される場合について説明したが、これに限定されない。画素の中心よりもずれた位置に、開口部１３０や凹部１３１が配置されていてもよい。

従来の表示装置では、外部から光が入射した場合、外光が対向基板を抜けてパネル内部に入り込むと、画素の反射電極において外光が反射されてしまい、表示画像が見えづらくなってしまっていた。これを防止するため、表示装置に円偏光板を設ける構成とすると、円偏光板の光の透過率が低いため、発光素子で発光した光の取り出しロスが生じ、輝度が低下してしまうという問題があった。

そこで、図３に示すように、遮光層１２１を、発光素子１２０発光領域と重なる領域に設けることにより、表示装置の外部から光が入射して、第２基板１０２を抜けてパネル内部に入り込んだとしても、遮光層１２１によって光が画素の反射電極（ここでは画素電極１１３）に到達しにくくなる。これにより、画素の反射電極によって、光が反射されることを防止することができるため、外光によって表示画像が見えづらくなることを防止することができる。これにより、表示装置に円偏光板を貼り付けなくてもよいため、発光素子で発光した光を効率よく取り出すことができ、輝度を向上させることができる。

ここで、絶縁層１１８の傾斜面及び絶縁層１１７の傾斜面について、図６を参照して説明する。図６の矢印で示すように、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光が絶縁層１１８の傾斜面に入射する方向と、光が絶縁層１１８の傾斜面に入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θが、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光を全反射させる臨界角θｃ以上であることが好ましい。また、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が絶縁層１１７の傾斜面に水平方向に入射する方向と、光が絶縁層１１７の傾斜面に入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θが、絶縁層１１７の傾斜面に水平方向に入射された光を全反射させる臨界角θｃ以上であることが好ましい。

上記のような構成とすることにより、図６に示すように、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光は、絶縁層１１８の傾斜面において全反射される。そして、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光は、絶縁層１１７の傾斜面に水平方向に入射し、絶縁層１１７の傾斜面において全反射され、充填材１２７、着色層１２４、及び第２基板１０２を透過する。

以上のような構成を有することによって、表示装置１００は、発光素子１２０から射出された光が、絶縁層１１８及び絶縁層１１７によって、全反射され、図６に示す矢印の方向に取り出されやすくなるため、光の取り出し効率、光利用効率が向上する。光取り出し効率、光利用効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、低消費電力に繋がる。

なお、図３、図５、及び図６において、絶縁層１１８を単層の構成で示しているが、絶縁層１１８の密度（層の緻密さ、層を構成する物質の密度）を、絶縁層１１７と接する面から絶縁層１１８の逆円錐形状又は逆多角形状の凹部１３１の半頂角を構成する斜面にかけて低くなるような構成としてもよい。絶縁層１１８の密度を、封止膜１１６と対向する側から遮光層１２１と対向する側にかけて、段階的に低くなるような構成としてもよい。また、絶縁層１１８を複数の層で積層してもよい。例えば、図７に示すように、絶縁層１１８を第１の層１２９と第２の層１２８との２層構造とする。この場合、封止膜１１６や絶縁層１１７に接する第１の層１２９の密度を、第１の層１２９の上に形成された第２の層１２８の密度よりも高くする構成としてもよい。

絶縁層１１７及び絶縁層１１８において、発光素子１２０から発光した光を全反射させるために、絶縁層１１７の屈折率は、絶縁層１１８の屈折率よりも低いことが好ましい。図１９に、入射元の屈折率ｎ１と、進行先の屈折率ｎ２と、臨界角θｃとの関係を表すグラフを示す。縦軸に臨界角θｃを示し、横軸に進行先の屈折率ｎ２を示す。また、入射元の屈折率ｎ１について、四角印のプロットは屈折率が１．７０、ひし形のプロットは屈折率が１．８０、三角印のプロットは屈折率が１．９０、バツ印のプロットは屈折率が２．００、丸印のプロットは屈折率が２．１０を表している。なお、臨界角θｃは、以下の式で表される。なお、ｎ１は、入射元の絶縁層１１８の屈折率であり、ｎ２は進行先の絶縁層１１７の屈折率である。

図１９に示すように、絶縁層１１８の屈折率ｎ１は１．７以上２．１以下が好ましく、絶縁層１１７の屈折率ｎ２は１．４５以上１．６０以下が好ましい。より好ましくは、臨界角θｃが４５°以上６５°以下を満たすように、上記の絶縁層１１８の屈折率ｎ１と、絶縁層１１７の屈折率ｎ２とを設定する。また、図７のように、絶縁層１１８を２層構造とする場合には、第１の層１２９及び第２の層１２８の屈折率は１．７以上２．１以下とし、第１の層１２９の屈折率を、第２の層１２８の屈折率よりも低くすることが好ましい。なお、第１基板１０１と第２基板１０２との間に充填材１２７を設ける場合、充填材１２７の屈折率を、絶縁層１１８の屈折率よりも低くすることが好ましい。充填材１２７の屈折率を、例えば、１．５とするとよい。

なお、図３、図５、及び図６では、絶縁層１１８が、絶縁層１１７の開口部１３０の内側に形成される例について説明したが、本発明はこれに限定されない。図８に示すように、絶縁層１１７を覆うように絶縁層１１８が形成されていてもよい。

次に、表示装置１００において、複数の画素１０９が行方向に配列された場合について、図９に示す。図９では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３つの画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂの断面を示している。

第１基板１０１上に、絶縁層１１１及び絶縁層１１２を介して発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂが設けられている。また、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ上に、封止膜１１６が設けられている。

封止膜１１６上には絶縁層１１７が設けられ、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの各々と重なる領域に開口部１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが設けられている。

封止膜１１６及び絶縁層１１７上には絶縁層１１８が設けられ、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの各々の発光領域と重なる領域に、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂが設けられている。

発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの各々の発光領域と重なる領域に、遮光層における領域１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂが設けられている。

また、第１基板１０１に対向する位置に第２基板１０２が設けられている。第２基板１０２には、遮光層における領域１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂ、１２２と、着色層１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂが設けられている。遮光層における領域１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂは、第１基板１０１上の絶縁層１１８の上方に設けられている。また、遮光層における領域１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂは、第１基板１０１上の発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂの各々の発光領域と重なる領域に位置する。

遮光層における領域１２２は、第１基板１０１上の絶縁層１１７上方に設けられている。また、遮光層における領域１２２は、複数の発光素子のうち、隣り合う発光素子の間に位置する。例えば、発光素子１２０Ｒと発光素子１２０Ｇとの間の領域に位置し、発光素子１２０Ｒと発光素子１２９Ｂとの間に位置する。遮光層における領域１２２は、着色層１２４Ｒと着色層１２４Ｇとが重なる領域、及び着色層１２４Ｇと着色層１２４Ｂとが重なる領域に設けることが好ましい。このような構成とすることにより、発光素子の各々で発光した光が、着色層と着色層とが重なる領域を透過することを防止することができる。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の構造について説明した。本実施形態によれば、光取出し効率が向上した表示装置１００を提供することができる。

［製造方法］
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について、図１０乃至図１５を参照して説明する。

先ず、図１０に示すように、第１基板１０１上に、絶縁層１１１と、絶縁層１１１上に絶縁層１１２を形成する。

絶縁層１１１として無機絶縁層を使用する場合、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。

絶縁層１１２として有機絶縁層を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。

次に、絶縁層１１２上に、画素電極１１３を形成する。画素電極１１３は、発光層１１４で発生した光を共通電極１１５側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されることが好ましい。あるいは、画素電極１１３を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構成としてもよい。画素電極１１３は、画素ごとに形成する。

次に、画素電極１１３の周辺部を覆うように、バンク１１９を形成する。バンク１１９として、例えば、ポリイミドやアクリル等の有機材料、酸化シリコン等の無機材料を用いて形成する。バンク１１９の膜厚は、１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。

次に、画素電極１１３上に発光層１１４を形成する。発光層１１４は、例えば有機ＥＬ層から成る。本実施形態では、発光層１１４として、白色発光を呈するものを用い、複数の画素に跨って形成する。

次に、発光層１１４上に共通電極１１５を形成する。共通電極１１５は、透明導電膜を用い、複数の画素に跨って形成される。以上により、発光素子１２０を形成することができる。

次に、共通電極１１５上に封止膜１１６を形成する。封止膜１１６としては、例えば、無機材料及び有機材料を単層又は積層して、用いることができる。無機材料を用いる場合、例えば、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌｘＯｙＮｚ））、窒化酸化アルミニウム （ＡｌｘＮｙＯｚ）等の膜などを用いることができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。また、有機材料を用いる場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。封止膜１１６を積層する場合は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、アクリル、窒化シリコン膜のとすることができる。封止膜１１６としては水分の遮断性が高い膜が好ましい。封止膜１１６を、水分の遮断性が高い膜で形成することにより、表示装置１００の外部から侵入した水分が、発光層１１４に侵入することを防止することができる。その結果、発光素子１２０の劣化を防止することができる。

次に、図１１に示すように、封止膜１１６上に、絶縁層１１７を形成する。絶縁層１１７は、例えば、酸化シリコンや有機材料（樹脂）を用いて形成する、或いは酸化シリコン又は有機材料（樹脂）を含ませて形成する。また、絶縁層１１７として用いる材料としては、屈折率が１．４５以上１．６０以下である材料を用いることが好ましい。

次に、図１２に示すように、絶縁層１１７に開口部１３０を形成する。例えば、絶縁層１１７として酸化シリコンを用いる場合は、絶縁層１１７の上層にエッチング速度の速い膜を形成することにより、開口部１３０をテーパー形状とすることができる。また、絶縁層１１７として、有機材料を用いる場合は、現像及びポストベークを行うことにより、開口部１３０をテーパー形状にすることができる。

次に、図１３に示すように、封止膜１１６及び絶縁層１１７上に絶縁層１１８を形成する。絶縁層１１８は、絶縁層１１７よりも、屈折率の高い材料を用いて形成することが好ましい。絶縁層１１８として用いる材料としては、屈折率が１．７以上２．１以下のである材料を用いることが好ましい。絶縁層１１８は、例えば、窒化シリコンを用いて形成、窒化シリコンを含ませて形成する。また、絶縁層１１８をＣＶＤ法により成膜する際に、窒素を含むガスと、シリコンを含むガスの流量比を変化させることで、絶縁層１１８の密度を膜厚方向に変化させることができる。例えば、絶縁層１１８の成膜を開始してから、シリコンを含むガスの流量を徐々に減少させることで、絶縁層１１８の密度を、絶縁層１１７や封止膜１１６と接する面から表面にかけて低くすることができる。また、絶縁層１１８の密度の減少に応じて、屈折率も減少させることができる。また、図７に示すように、絶縁層１１８を積層する場合には、窒素を含むガスと、シリコンを含むガスにて第１の層を形成し、その後、シリコンを含むガスの流量を減少させて第２の層を形成するとよい。なお、絶縁層１１８として窒化シリコン膜を用いる場合には、塗布法により形成してもよい。塗布法により形成された窒化シリコン膜は、その表面を平坦にすることができる。

次に、図１４に示すように、絶縁層１１８の表面を平坦化する。例えば、絶縁層１１８にエッチング処理を行うことにより、絶縁層１１８表面の平坦化を行う。具体的には、異方性エッチングにより、絶縁層１１８の表面を全体的に厚さ方向に削っていく。エッチング処理は、絶縁層１１７の上面を確実に露出させることができるようにオーバーエッチングを行う。また、絶縁層１１８に化学的機械研磨を行うこにより、絶縁層１１８表面の平坦化を行ってもよい。なお、図８に示す表示装置を製造する場合には、必ずしも絶縁層１１７表面が露出しなくともよい。

次に、図１５に示すように、絶縁層１１８をエッチングすることにより、絶縁層１１８に、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部１３１を形成する。なお、絶縁層１１８において密度を異ならせた場合には、密度が低い窒化シリコンは、密度が高い窒化シリコンよりも早くエッチングされる。

次いで、第２基板１０２に遮光層１２１や着色層１２４を形成する工程や、第１基板１０１と第２基板１０２との貼り合わせ工程を経て、図３に示す表示装置１００を製造することができる。

以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、光取出し効率の向上した表示装置１００を提供することができる。また、外光の侵入や反射が抑制された表示装置１００を提供することができる。

＜第２実施形態＞
本実施形態に係る表示装置２００の構成について、図１６乃至図１８を参照して説明する。図１６は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を示す断面図である。なお、本実施形態に係る表示装置２００は、絶縁層１１７の開口部１３０の形状が、実施形態１に係る表示装置１００に示す絶縁層１１７の開口部１３０の形状と異なっている。そのため、本実施形態では、絶縁層１１７の開口部１３０について詳述し、その他の構成については説明を省略する。

図１６に示す断面図において、絶縁層１１７の開口部１３０の傾斜面は、第１の領域１３０ａと、第２の領域１３０ｂと、を有している。第１の領域１３０ａは、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が、水平方向に入射したときに、光を全反射させる領域である。また、第２の領域１３０ｂは、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が、水平方向に入射したときに、光を透過させる領域である。第２の領域１３０ｂでは、光が透過してしまうため、表示装置の外に光を取り出すことが困難となる。そのため、第１の領域１３０ａを断面視したときの幅は、第２の領域１３０ｂを断面視したときの幅よりも大きいことが好ましい。

図１７に示すように、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光が絶縁層１１８の傾斜面に入射する方向と、光が絶縁層１１８の傾斜面に入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θは、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光を全反射させる臨界角θｃ以上であることが好ましい。また、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに水平に入射する方向と、光が絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θが、絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに水平方向に入射された光を全反射させる臨界角θｃ以上であることが好ましい。また、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに水平に入射する方向と、光が絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θが、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに水平方向に入射された光を全反射させる臨界角θｃ未満であることが好ましい。

上記のような構成とすることにより、図１７に示すように、発光素子１２０から鉛直上方に射出された光は、絶縁層１１８の傾斜面において、全反射される。そして、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光は、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに水平に入射し、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａにおいて全反射され、着色層１２４及び第２基板１０２を透過する。なお、絶縁層１１８の傾斜面で全反射された光が、絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに水平に入射した場合は、絶縁層１１７を透過する。絶縁層１１７において、第１の領域１３０ａを断面視したときの幅を、第２の領域１３０ｂを断面視したときの幅よりも大きくすることにより、発光素子１２０の発光の取り出し効率を向上させることができる。

次に、表示装置２００の外部から鉛直下方に光が入射する場合について説明する。表示装置２００の外部から鉛直下方に光が入射するとき、遮光層１２１が存在する領域では、遮光層１２１によって光が表示装置２００に内部に入射することを防止することができる。また、遮光層１２１が存在しない領域では、光が表示装置２００の内部に入射してしまう。

ここで、絶縁層１１７の傾斜面について、図１８を参照して説明する。図１８に示すように、表示装置２００の外部から鉛直下方に入射した光が、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに入射する方向と、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａに入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θは、表示装置２００の外部から鉛直下方に入射した光を全反射させるなす角θｃ未満とする。また、表示装置２００の外部から鉛直下方に入射した光が、絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに入射する方向と、絶縁層１１７の第２の領域１３０ｂに入射した点における接線に垂直な方向とのなす角θは、表示装置２００の外部から鉛直下方に入射した光を全反射させる臨界角θｃ以上とする。

上記のような構成とすることにより、表示装置２００の外部から鉛直下方に入射された光の大半は、遮光層１２１によって光が表示装置２００の内部に入射することを防止することができる。また、遮光層１２１が存在しない領域であっても、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａにおいて、表示装置２００の内部に入射した光の大半を透過させることができる。これにより、表示装置２００の内部に入射する光の量を低減させることができる。また、表示装置２００の内部に光が入射したとしても、反射電極によって反射される光の量を低減させることができる。

図１６に示す表示装置２００の構成においては、絶縁層１１７の第１の領域１３０ａと、反射電極（図１６では、画素電極１１３）とは、重ならないことが好ましい。これにより、表示装置２００の外部から光が入射して、光が絶縁層１１７の第１の領域１３０ａを透過した場合であっても、反射電極において光が反射されてしまうことをさらに抑制することができる。

以上のような表示装置２００の構成とすることにより、表示装置２００の内部に入り込む外光を減少させることができ、さらに内部で反射して出てくる光の強度を低減させることができる。また、表示装置２００に円偏光板を貼り付けない構造としても、表示画像が見えづらくなることを防止することができる。また、表示装置２００に円偏光板を貼り付けなくてもよいため、発光素子で発光した光を効率よく取り出すことができ、輝度を向上させることができる。

本実施形態に係る表示装置２００に、実施形態１で説明した絶縁層１１８の構成を適用してもよい。つまり、絶縁層１１８の密度を徐々に減少させた構造や、絶縁層１１８を複数の層で積層した構造としてもよい。

本実施形態に係る表示装置２００の絶縁層１１７及び絶縁層１１８において、発光素子１２０から発光した光を全反射させるために、絶縁層１１７の屈折率は、絶縁層１１８の屈折率よりも低いことが好ましい。ここでも、図１９に示す入射元の屈折率ｎ１と、進行先の屈折率ｎ２と、臨界角θｃとの関係を表すグラフを参照することができる。本実施の形態では、入射元の屈折率ｎ１が絶縁層１１８を表し、進行先の屈折率ｎ２が絶縁層１１７を表す。なお、外部から表示装置２００に光が入射する場合にも、入射元の屈折率ｎ１が絶縁層１１８を表し、進行先の屈折率ｎ２が絶縁層１１７を表す。

以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００及び２００について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

１００：表示装置、１０１：第１基板、１０２：第２基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１１：絶縁層、１１２：絶縁層、１１３：画素電極、１１４：発光層、１１５：共通電極、１１６：封止膜、１１７：絶縁層、１１８：絶縁層、１１９：バンク、１２０：発光素子、１２１：遮光層、１２２：遮光層における領域、１２４：着色層、１２５：開口部、１２６：結合部、１２７：充填材、１２８：第２の層、１２９：第１の層、頂点：１３０

Claims (21)

1. 第１基板と、
   前記第１基板上の発光素子と、
   前記発光素子上に位置し、前記発光素子を覆う封止膜と、
   前記封止膜上の第１の絶縁層と、
   前記封止膜上の第２の絶縁層と、
   平面的に見て前記第２の絶縁層と重なる遮光層と、
   を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、前記発光領域を露出する開口部を有し、
   前記第２の絶縁層の少なくとも一部は、前記開口部に位置し、
   前記第２の絶縁層は、前記発光領域と平面的に見て重なる領域に凹部を有し、
   前記遮光層は、前記発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に位置することを特徴とする表示装置。
2. 前記第１基板と対向する第２基板を有し、
   前記遮光層は、前記第２基板に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記凹部は、逆円錐形状又は逆多角錐形状であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
4. 前記凹部は、第１の傾斜面を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記開口部において第２の傾斜面を有し、
   前記第１の傾斜面は、前記発光素子から鉛直上方に射出された光を全反射させ、
   前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面から水平方向に入射された光を、全反射させることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１の絶縁層の屈折率は、前記第２の絶縁層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表示装置。
6. 前記第２の絶縁層の密度は、前記第１の絶縁層と接する面から前記凹部が有する第１の傾斜面にかけて低くなることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２の絶縁層は、第１の層と、前記第１の層の前記遮光層の側に位置する第２の層と、を有し、
   前記第１の層の密度は、前記第２の層の密度よりも高いことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１の絶縁層は、酸化シリコン又は有機樹脂を含み、
   前記第２の絶縁層は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載の表示装置。
9. 第１基板と、
   前記第１基板上の複数の発光素子と、
   前記発光素子上に位置し、前記複数の発光素子を覆う封止膜と、
   前記封止膜上の第１の絶縁層と、
   前記封止膜上の第２の絶縁層と、
   平面的に見て前記第２の絶縁層と重なる遮光層と、
   前記第１の遮光層上の第２基板と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、複数の開口部を有し、
   前記複数の開口部の各々は、前記複数の発光素子の各々が備える発光領域の各々と平面的に見て重なり、且つ前記発光領域の各々を露出し、
   前記第２の絶縁層の少なくとも一部は、前記開口部に位置し、
   前記第２の絶縁層は、前記発光領域の各々と平面的に見て重なる領域の各々に、逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、
   前記遮光層の第１の領域は、前記発光領域と重なる領域に位置し、
   前記遮光層の第２の領域は、前記複数の発光素子のうち、隣り合う発光素子の間の領域に位置することを特徴とする表示装置。
10. 前記第２の絶縁層は、前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する第１の傾斜面を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記開口部において第２の傾斜面を有し、
    前記第１の傾斜面は、前記発光素子から鉛直上方に射出された光を全反射させ、
    前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面から水平方向に入射された光を、全反射させることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１の絶縁層の屈折率は、前記第２の絶縁層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第２の絶縁層の密度は、前記第１の絶縁層と接する面から前記第２の絶縁層の前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する傾斜面にかけて低くなることを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置。
13. 前記第２の絶縁層は、第１の層と、前記第１の層の前記遮光層の側に位置する第２の層と、を有し、
    前記第１の層の密度は、前記第２の層の密度よりも高いことを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置。
14. 第１基板と、
    前記第１基板上の発光素子と、
    前記発光素子上に位置し、前記発光素子を覆う封止膜と、
    前記封止膜上の第１の絶縁層と、
    前記封止膜上の第２の絶縁層と、
    平面的に見て前記第２の絶縁層と重なる遮光層と、
    前記遮光層上の第２基板と、を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、前記発光領域を露出する開口部を有し、
    前記第２の絶縁層の少なくとも一部は、前記開口部に位置し、
    前記第２の絶縁層は、前記発光領域と平面的に見て重なる領域に逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、
    前記遮光層は、前記発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に位置し、
    前記第２の絶縁層は、前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する第１の傾斜面を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記開口部において第２の傾斜面を有し、
    前記第１の傾斜面は、前記発光素子から鉛直上方に射出された光を全反射させ、
    前記第２の傾斜面は、前記第１の傾斜面から水平方向に入射された光を、全反射させる第１の領域と、前記第１の傾斜面で全反射された光を、透過させる第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域を断面視したときの幅は、前記第２の領域を断面視したときの幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
15. 前記第１の絶縁層の屈折率は、前記第２の絶縁層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記第２の絶縁層の密度は、前記第１の絶縁層と接する面から前記第２の絶縁層の前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する傾斜面にかけて低くなることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第２の絶縁層は、第１の層と、前記第１の層の前記遮光層の側に位置する第２の層と、を有し、
    前記第１の層の密度は、前記第２の層の密度よりも高いことを特徴とする請求項１４又は請求項１５記載の表示装置。
18. 第１基板と、
    前記第１基板上の発光素子と、
    前記発光素子上に位置し、前記発光素子を覆う封止膜と、
    前記封止膜上の第１の絶縁層と、
    前記封止膜上の第２の絶縁層と、
    平面的に見て前記第２の絶縁層と重なる遮光層と、
    前記遮光層上の第２基板と、を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記発光素子の発光領域と重なる領域に開口部を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記発光素子の発光領域の上方に逆円錐形状又は逆多角錐形状の凹部を有し、
    前記遮光層は、前記発光素子の発光領域と平面的に見て重なる領域に、前記発光領域を露出する位置し、
    前記第２の絶縁層の少なくとも一部は、前記開口部に位置し、
    前記第２の絶縁層は、前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する第１の傾斜面を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記開口部において第２の傾斜面を有し、
    前記第２の傾斜面は、外部から鉛直下方に入射された光を全反射させる第１の領域と、外部から鉛直下方に入射された光を透過させる第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域を断面視したときの幅は、前記第２の領域を断面視したときの幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。
19. 前記第１の絶縁層の屈折率は、前記第２の絶縁層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第２の絶縁層の密度は、前記第１の絶縁層と接する面から前記第２の絶縁層の前記逆円錐形状又は前記逆多角錐形状の前記凹部の半頂角を構成する傾斜面にかけて低くなることを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記第２の絶縁層は、第１の層と、前記第１の層の前記遮光層の側に位置する第２の層と、を有し、
    前記第１の層の密度は、前記第２の層の密度よりも高いことを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の表示装置。

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