JP2017107984A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002507 cathodic stripping potentiometry Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】WL−CSPウエーハから品質の良いデバイスチップを生成するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された表面の各領域にデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法であって、チップの仕上がり厚さに相当する深さを有する溝19を分割予定ラインに沿って形成する工程と、ウエーハの表面をモールド樹脂21で被覆して溝にモールド樹脂を埋設する工程と、ウエーハの表面から分割予定ラインに対応するモールド樹脂の中央に分割起点25を形成する工程と、ウエーハの表面に保護部材を配設する工程と、保護部材を介してチャックテーブルで吸引保持し、ウエーハの裏面を研削して溝中に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる工程と、外力を付与してウエーハをモールド樹脂によって囲繞された外周を有する個々のデバイスチップに分割する工程を含む。
【選択図】図5
【解決手段】格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された表面の各領域にデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法であって、チップの仕上がり厚さに相当する深さを有する溝19を分割予定ラインに沿って形成する工程と、ウエーハの表面をモールド樹脂21で被覆して溝にモールド樹脂を埋設する工程と、ウエーハの表面から分割予定ラインに対応するモールド樹脂の中央に分割起点25を形成する工程と、ウエーハの表面に保護部材を配設する工程と、保護部材を介してチャックテーブルで吸引保持し、ウエーハの裏面を研削して溝中に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる工程と、外力を付与してウエーハをモールド樹脂によって囲繞された外周を有する個々のデバイスチップに分割する工程を含む。
【選択図】図5
Description
本発明は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスチップの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画される各領域にIC、LSI等のデバイスが形成される。これらのウエーハは裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、分割予定ラインに沿って切削装置によって分割されることで個々の半導体デバイスチップが製造される。
近年、WL−CSP(Wafer−Level Chip Size Package)という技術が半導体デバイスの分野で盛んに用いられている。WL−CSPとは、ウエーハの状態で再配線層や電極(金属ポスト)を形成後、ウエーハの表面を樹脂で封止し、切削ブレード等で各パッケージに分割する技術であり、ウエーハを固片化したパッケージの大きさが半導体デバイスチップの大きさになるため、小型化及び軽量化の観点からも広く採用されている。
WL−CSPで個々のデバイスチップを製造するプロセスとしては、以下のようなプロセスが公知である。
(1)ウエーハの分割予定ラインにデバイスチップの仕上がり厚さに相当する切削溝を形成する。
(2)ウエーハの表面全面をモールド樹脂で被覆すると共に切削溝中にモールド樹脂を埋設する。
(3)ウエーハの表面に保護部材を貼着してからウエーハの裏面を研削して切削溝中のモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる。
(4)ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、切削溝形成工程で用いた切削ブレードの厚みより薄い厚みの切削ブレードでウエーハを分割予定ラインに沿って切削して個々のデバイスチップに分割する。
しかし、表面にモールド樹脂が被覆されたウエーハの裏面を研削して切削溝を裏面に露出させると、分割予定ラインに沿った切削溝はモールド樹脂のみで形成されていることとなり、分割工程でウエーハの分割予定ラインを切削すると、モールド樹脂の抵抗によって切削ブレードの切り刃が撓み、デバイスチップの側面に傷をつけるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、WL−CSPウエーハから品質の良いデバイスチップを生成することのできるウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さを有する溝を分割予定ラインに沿って形成する溝形成工程と、該溝形成工程を実施した後、ウエーハの表面をモールド樹脂で被覆して該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程を実施した後、ウエーハの表面から該分割予定ラインに対応するモールド樹脂の中央に該分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成工程と、該分割起点形成工程を実施した後、ウエーハの表面に被覆された該モールド樹脂上に保護部材を配設する保護部材配設工程と、該保護部材配設工程を実施した後、保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで吸引保持し、ウエーハの裏面を研削して該溝中に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、該裏面研削工程を実施した後、ウエーハに外力を付与してウエーハを該モールド樹脂によって囲繞された外周を有する個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
好ましくは、ウエーハの加工方法は、該分割起点形成工程を実施した後、該分割工程を実施する前に、ウエーハを収容する開口を有する環状フレームに外周部が貼着された粘着テープに該開口内でウエーハの裏面を貼着し、該粘着テープを介して該ウエーハを該環状フレームで支持するフレーム支持工程を更に備え、該分割工程において、該保護部材と該粘着テープによって挟まれた状態でウエーハを個々のデバイスチップに分割する。
好ましくは、分割起点形成工程において、分割起点は切削ブレード、スクライバー、又はレーザービームの照射の何れかによって形成する。
本発明のウエーハの加工方法によると、分割起点形成工程及び裏面研削工程を実施した後、ウエーハに外力を付与してウエーハをモールド樹脂によって囲繞された個々のデバイスチップ(チップサイズパッケージ)に分割するので、切削ブレードの切り刃が撓みデバイスチップの側面に傷をつけるという問題が解消され、確実にモールド樹脂で外周が囲繞されたデバイスチップを製造できる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。ウエーハ11は約700μmの厚さを有している。
ウエーハ11は表面11a及び裏面11bを有しており、表面11aには複数の分割予定ライン13が互いに直交して形成されており、分割予定ライン13によって区画された各領域にはIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
図1の拡大図に示すように、各デバイス15はその表面に突出する複数の突起電極(バンプ)17を有している。このように表面にバンプ17を有するウエーハ11は、ウエーハ11をデバイス15を有する個々のデバイスチップに分割して、バンプ17を配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術により配線基板に実装される。
図2を参照すると、切削ブレードにより溝形成工程を実施する実施形態の斜視図が示されている。図2で10は切削装置の切削ユニットであり、切削ユニット10はスピンドルハウジング12中に収容されたスピンドルの先端に装着された切削ブレード14と、切削ブレード14の上半分を覆うブレードカバー16を備えている。ブレードカバー16には切削加工中のウエーハ11及び切削ブレード14に向かって切削水を噴出するブレードクーラーノズル18が取り付けられている。
溝形成工程では、所定幅の切り刃を有する矢印A方向に高速回転する切削ブレード14を、ウエーハ11の表面11aからデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さに切り込ませ、ウエーハ11を保持する図示しないチャックテーブルを矢印X1方向に加工送りすることにより、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝19を分割予定ライン13に沿って形成する。
ウエーハ11をY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様な切削溝19を次々と形成する。次いで、ウエーハ11を保持するチャックテーブルを90°回転した後、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様な切削溝19を次々と形成する。
図3(A)は溝形成工程終了後のウエーハ11の表面側斜視図を示している。図3(A)の3B−3B線の拡大断面図である図3(B)に示すように、溝形成工程で形成される切削溝19は、所定幅W1及びデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さd1を有している。
ここでウエーハ11の厚さをt1=700μmとすると、本実施形態では、所定幅W1=40μm、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さd1=300μmである。然し、所定幅W1及びデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さd1はこれらの数値に限定されるものではない。
溝形成工程実施後、ウエーハ11の表面11aにモールド樹脂を被覆して、ウエーハ11に形成された切削溝19内にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。
このモールディング工程では、図4(A)に示すように、フィラー入りの液状のモールド樹脂21をウエーハ11の表面11aに滴下して、ウエーハ11を吸引保持する図示しないチャックテーブルを回転させ、スピンコーティングにより、ウエーハ11の表面11aを、図4(B)の拡大断面図に示すように、モールド樹脂21で被覆し、モールド樹脂21を切削溝19中に埋設する。液状のモールド樹脂21は室温に放置すると硬化する。
本実施形態では、ウエーハ11の表面11a上に被覆されたモールド樹脂21の厚さt2は約100μmであり、バンプ17の頭部がモールド樹脂21表面から僅かに露出している。バンプ17の頭部がモールド樹脂21で完全に覆われている場合には、研削又は研磨によりバンプ17の頭部をモールド樹脂21表面から露出させる。
ここで、本実施形態におけるウエーハ11の分割予定ライン13の幅が50μmとすると、切削溝19の幅W1は約40μm程度が好ましく、モールド樹脂21はエポキシ樹脂中にフィラーとしてのシリカを混入したものが好ましい。
さらに、エポキシ樹脂1に対して体積比でフィラーとしてのシリカ(SiO2)9を含んでいるモールド樹脂が好ましく、シリカの平均粒径は30μm以下、より好ましくは20μm以下が好ましい。
モールディング工程実施後、ウエーハ11の表面11aに保護部材を配設する保護部材配設工程を実施する。実際には、ウエーハ11の表面11aはモールド樹脂21で被覆されているため、モールド樹脂21上に保護テープ等の保護部材を貼着する。
保護部材配設工程を実施した後、ウエーハ11の表面11aから分割予定ライン13に対応するモールド樹脂21の中央に分割予定ライン13に沿って分割起点25を形成する分割起点形成工程を実施する。
この分割起点形成工程は、例えば図5(A)に示すような、切削装置の切削ユニット10により実施する。分割起点形成工程で採用する切削ブレード14aは溝形成工程で採用した切削ブレード14よりその厚さが薄い必要があり、例えば切り刃の厚さが20μmの切削ブレード14aを使用する。
分割起点形成工程では、矢印A方向に高速回転する切削ブレード14aをウエーハ11の表面11aから分割予定ライン13に対応するモールド樹脂21の中央に僅かばかり(例えば30μm)切り込ませ、ウエーハ11を保持した図示しないチャックテーブルを矢印X1方向に加工送りすることにより、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って分割起点25を形成する。
ウエーハ11をY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様な分割起点25を次々と形成する。次いで、ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブルを90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様な分割起点25を次々と形成する。図5(B)を参照すると、分割起点が形成されたウエーハ11の拡大断面図が示されている。
上述した実施形態では、分割起点形成工程を切削ブレード14aを使用した切削により実施しているが、分割起点形成工程は切削ブレードによる切削に限定されるものではなく、分割起点25をスクライバーによって形成するようにしても良い。
他の実施形態としては、モールド樹脂21に対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のレーザービームを分割予定ライン13に沿って切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21の中央部に照射し、アブレーションにより分割起点25を形成するようにしても良い。
分割起点形成工程を実施した後、ウエーハ11の裏面11bを研削して切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21をウエーハ11の裏面11bに露出させる裏面研削工程を実施する。
この裏面研削工程について図6を参照して説明する。裏面研削工程では、研削装置のチャックテーブル20によりウエーハ11の表面11a側を保護テープ23を介して吸引保持し、ウエーハ11の裏面11b側を露出させる。
研削装置の研削ユニット22は、モータにより回転駆動されるスピンドル24と、スピンドル24の先端に固定されたホイールマウント26と、ホイールマウント26に複数のねじ28で着脱可能に固定された研削ホイール30とを含んでいる。研削ホイール30は、環状のホイール基台32と、ホイール基台32の下端外周部に環状に固着された複数の研削砥石34とから構成される。
裏面研削工程では、チャックテーブル20を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール30をチャックテーブル20と同一方向に、即ち矢印b方向に例えば6000rpmで回転させると共に、図示しない研削ユニット送り機構を作動して、研削砥石34をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール30を所定の研削送り速度(例えば1μm/s)で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面研削を実施する。研削を続行してウエーハ11をデバイスチップの仕上げ厚みへと薄化すると、図6(B)に示すように、ウエーハ11の裏面11bに切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21が露出する。
図7を参照すると、裏面研削工程実施後のウエーハの拡大断面図が示されている。ここで、ウエーハ11の表面11aに被覆されたモールド樹脂21の厚さは100μmであるため、t3=400μmとなる。
裏面研削工程を実施した後、図8に示すように、ウエーハ11を収容する開口F1を有する環状フレームFに粘着テープであるダイシングテープTの外周部を貼着し、ウエーハ11の裏面11bを開口F1内でダイシングテープTに貼着し、ウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームで支持するフレーム支持工程を実施する。図9はフレーム支持工程でダイシングテープTを介してウエーハ11を支持した状態の拡大断面図である。
フレーム支持工程を実施した後、ウエーハ11に外力を付与して、ウエーハ11をモールド樹脂21によって囲繞された外周を有するデバイスチップに分割する分割工程を実施する。
分割工程では、例えば、図9に示されたフレーム支持工程で支持されたウエーハの上下を反転し、図10に示すように、所定間隔離間した一対の支持台42の間に分割起点25が位置するようにウエーハ11を分割装置40の一対の支持台42上に位置付けて搭載し、鋭角先端部44aを有する楔形状の分割バー44を矢印A方向に移動して、ウエーハ11の裏面11bにダイシングテープTを介して分割バー44を押圧することにより、分割起点25から切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21を分割予定ライン13に沿って割断する。図11を参照すると、分割工程で割断された後のウエーハの拡大断面図が示されている。厚さt4は、本実施形態では20μmである。
分割バー44の駆動は、例えばエアシリンダ等により行う。切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21に分割起点25が形成されているため、楔形状の分割バー44の押圧により、切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21は比較的スムーズに二つに割断される。
一本の分割起点25に沿った割断が終了すると、ウエーハ11を横方向に1ピッチ分移動して、次の分割起点25を一対の支持台42の中間部分に位置付け、分割バー44を駆動して次の分割起点25からウエーハ11を割断する。
第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿っての分割が終了すると、ウエーハ11を90°回転して、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って分割起点25からウエーハ11を分割する。
これにより、ウエーハ11は図12に示すように、個々のデバイスチップ27に分割される。デバイスチップ27はその表面側及び両側面がモールド樹脂21で被覆されているため、チップサイズパッケージ(CSP)31に分割される。
本実施形態では、分割工程の前にフレーム支持工程を実施したため、図10に示す分割工程では、ウエーハ11は保護テープ23とダイシングテープTに挟まれた状態で個々のデバイスチップ27、即ちCSP31に分割される。
フレーム支持工程を実施しない場合には、分割起点25が一対の支持台42の間に位置するようにウエーハ11の表面11a上に配設された保護テープ23を直接支持台42上に搭載し、楔形状の分割バー44を矢印A方向に移動して、ウエーハ11の切削溝19中に埋設されたモールド樹脂21を分割起点25に沿って割断する。
この場合、ウエーハ11の表面11aにはモールド樹脂21を介して保護テープ23が貼着されているため、分割起点25からウエーハ11を分割後にもウエーハ11の全体形状を保つことができる。
10 切削ユニット
11 半導体ウエーハ
13 分割予定ライン
14,14a 切削ブレード
15 デバイス
17 バンプ
19 切削溝
21 モールド樹脂
22 研削ユニット
23 保護テープ
25 分割起点
27 デバイスチップ
30 研削ホイール
31 CSP
40 分割装置
42 支持台
44 分割バー
11 半導体ウエーハ
13 分割予定ライン
14,14a 切削ブレード
15 デバイス
17 バンプ
19 切削溝
21 モールド樹脂
22 研削ユニット
23 保護テープ
25 分割起点
27 デバイスチップ
30 研削ホイール
31 CSP
40 分割装置
42 支持台
44 分割バー
Claims (5)
- 格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さを有する溝を分割予定ラインに沿って形成する溝形成工程と、
該溝形成工程を実施した後、ウエーハの表面をモールド樹脂で被覆して該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程を実施した後、ウエーハの表面から該分割予定ラインに対応するモールド樹脂の中央に該分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程を実施した後、ウエーハの表面に被覆された該モールド樹脂上に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
該保護部材配設工程を実施した後、保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで吸引保持し、ウエーハの裏面を研削して該溝中に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程を実施した後、ウエーハに外力を付与してウエーハを該モールド樹脂によって囲繞された外周を有する個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該分割起点形成工程を実施した後、該分割工程を実施する前に、ウエーハを収容する開口を有する環状フレームに外周部が貼着された粘着テープに該開口内でウエーハの裏面を貼着し、該粘着テープを介して該ウエーハを該環状フレームで支持するフレーム支持工程を更に備え、
該分割工程において、該保護部材と該粘着テープによって挟まれた状態でウエーハを個々のデバイスチップに分割する請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 該分割起点形成工程において、該分割起点は切削ブレードによって形成される請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該分割起点形成工程において、該分割起点はスクライバーによって形成される請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該分割起点形成工程において、該分割起点はレーザービームの照射によって形成される請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015240591A JP2017107984A (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015240591A JP2017107984A (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017107984A true JP2017107984A (ja) | 2017-06-15 |
Family
ID=59060938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015240591A Pending JP2017107984A (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
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---|---|
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