JP2017224790A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第2の目的は、効率よく放熱することが可能な半導体装置の製造方法を得ることである。
中央部と、中央部よりも外側の領域である外周部と、を裏面に備えた放熱板の表面に前記基板を配置する工程と、第1マスクの前記外周部と重なる位置に第1開口を形成する工程と、前記第1マスクを、前記第1開口が前記外周部に配置されるように前記裏面に配置する工程と、前記第1マスクを前記裏面に配置した状態で、前記第1開口を埋めるように前記外周部に第1サーマルインターフェイスマテリアルを塗布する工程と、前記第1マスクよりも厚い第2マスクの前記中央部と重なる位置に第2開口を形成する工程と、前記第2マスクにエッチングを行い、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルが収まる溝を形成する工程と、前記第2マスクを、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルが前記溝に収まるように前記裏面に配置する工程と、前記第2マスクを前記裏面に配置した状態で、前記第2開口を埋めるように前記中央部に第2サーマルインターフェイスマテリアルを塗布する工程と、を備える。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態に係る半導体装置100は、放熱板14を備える。放熱板14は金属で形成される。放熱板14は、ヒートシンクと半導体装置100をボルトで締結するためのボルト締結部18を備える。ボルト締結部18は、放熱板14の裏面141の四隅に配置される。放熱板14の表面142には基板12が配置される。基板12は絶縁性を備える。基板12の表面には半導体素子10が配置される。放熱板14、基板12および半導体素子10の表面は封止材16で封止されている。封止材16は樹脂である。
図10は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の平面図である。図11は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態に係る半導体装置200は、第1TIM220および第2TIM221を備える。これ以外の構造は半導体装置100と同様である。本実施の形態に係る半導体装置200は、外周部144に第1TIM220を備える。また、第1TIM220よりも厚い第2TIM221を中央部143に備える。
図13は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の平面図である。半導体装置300は、位置認識マーク360を備える。それ以外の構造は、半導体装置200と同様である。位置認識マーク360は、放熱板14の裏面141に配置される。
Claims (10)
- 中央部と、中央部よりも外側の領域である外周部と、を裏面に備えた放熱板と、
前記放熱板の表面に配置された基板と、
前記基板の表面に配置された半導体素子と、
前記外周部に設けられた第1サーマルインターフェイスマテリアルと、
前記中央部に設けられ、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルよりも厚い第2サーマルインターフェイスマテリアルと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記放熱板は、前記中央部よりも外側にボルト締結部を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記中央部は、前記半導体素子の配置位置と前記放熱板を挟んで対向する領域を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1サーマルインターフェイスマテリアルは互いに分離した複数の部分を有し、
前記第2サーマルインターフェイスマテリアルは互いに分離した複数の部分を有し、
前記第2サーマルインターフェイスマテリアルの前記複数の部分の各々の面積は、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルの前記複数の部分の各々の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記裏面に、前記裏面上の位置情報を得るための位置認識マークを備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 基板の表面に半導体素子を配置する工程と、
中央部と、中央部よりも外側の領域である外周部と、を裏面に備えた放熱板の表面に前記基板を配置する工程と、
第1マスクの前記外周部と重なる位置に第1開口を形成する工程と、
前記第1マスクを、前記第1開口が前記外周部に配置されるように前記裏面に配置する工程と、
前記第1マスクを前記裏面に配置した状態で、前記第1開口を埋めるように前記外周部に第1サーマルインターフェイスマテリアルを塗布する工程と、
前記第1マスクよりも厚い第2マスクの前記中央部と重なる位置に第2開口を形成する工程と、
前記第2マスクにエッチングを行い、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルが収まる溝を形成する工程と、
前記第2マスクを、前記第1サーマルインターフェイスマテリアルが前記溝に収まるように前記裏面に配置する工程と、
前記第2マスクを前記裏面に配置した状態で、前記第2開口を埋めるように前記中央部に第2サーマルインターフェイスマテリアルを塗布する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記放熱板の前記中央部よりも外側にボルト締結部を形成する工程を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記中央部は、前記半導体素子の配置位置と前記放熱板を挟んで対向する領域を含むことを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1マスクに、複数の前記第1開口を形成し、
前記第2マスクに、複数の前記第2開口を形成し、
前記複数の第2開口の各々の面積は、前記複数の第1開口の各々の面積よりも大きいことを特徴とする請求項6〜8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記放熱板は、前記裏面に前記裏面上の位置情報を得るための位置認識マークを備え、
前記位置認識マークを読み取る工程と、
位置ズレ量を算出する工程と、
を備えることを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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