DE102020132411B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Halbleitervorrichtung, aufweisend:- ein Halbleiterelement (4);- eine Basisplatte (1), die eine das Halbleiterelement (4) haltende vordere Oberfläche und eine rückseitige Oberfläche aufweist, an der ein Kühlkörper (12), um das Halbleiterelement (4) zu kühlen, angebracht werden kann; und- eine Vielzahl von Kontaktmaterialien (2), die auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) und zum Überbrücken einer Lücke auf einem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte (1) und dem Kühlkörper (12) einzeln angeordnet sind, wobei:- jedes der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) jeweils ein auf einer gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) basierendes Volumen aufweist,- unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) ein Kontaktmaterial (2A) an einer konkaven Stelle (21) der gebogenen Form ein größeres Volumen als ein Kontaktmaterial (2B) an einer konvexen Stelle (22) der gebogenen Form aufweist,- eine weitere Schicht (14) eines Kontaktmaterials durchgängig auf der gesamten rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) als erste Schicht angeordnet ist und- die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) separat als zweite Schicht auf der Kontaktmaterialschicht (14) angeordnet ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung der Hintergrundtechnik
  • Ein Kühlkörper, wie etwa eine Wärmesenke, wird an einer Halbleitervorrichtung wie etwa einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) und einer Freilaufdiode (FWD) angebracht. Eine Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung und eine montierte Oberfläche des Kühlkörpers sind jeweils gebogen, sodass eine Lücke zwischen der Halbleitervorrichtung und dem Kühlkörper ausgebildet ist. Um die Lücke zu überbrücken, wird typischerweise zwischen der Halbleitervorrichtung und dem Kühlkörper ein Kontaktmaterial wie etwa Silikonfett (engl.: silicon grease) angeordnet. Dadurch wird ein Wärmeableitungspfad von der Halbleitervorrichtung zum Kühlkörper sichergestellt.
  • Die offengelegte japanische Patentanmeldung JP 2017- 79 244 A offenbart eine Kühlstruktur eines Halbleitermoduls, in der ein Material für einen Wärmeleitungsteil, der an einer konkaven Form in einem zentralen Teilbereich einer Wärmesenke angeordnet ist, dichter ist als dasjenige, das auf dessen Außenseite angeordnet ist. Die vorgeschlagene Kühlstruktur umfasst einen Kühlkörper, an dem ein Halbleiter in dem mittleren Teil in einer Ebenenrichtung angeordnet ist. Eine Isolationsplatte zum Kühlen des Kühlkörpers bildet die Seite gegenüber der Seite, wo der Halbleiter angeordnet ist. Es ist ein einen Wärmeleitteil zwischen der Isolierplatte und der Wärmesenke ausgebildet. Die Dichte der Anordnung eines Elements, das für den Wärmeleitteil verwendet wird, ist im zentralen Bereich in der Ebenenrichtung der Wärmesenke dicht und in einem äußeren Teil in der Ebenenrichtung spärlich ausgebildet. Im Ergebnis kann der Kühlkörper im mittleren Teil in der Ebenenrichtung des Kühlkörpers über den Wärmeleitteil an der Kühlisolationsplatte haften
  • Verglichen mit der montierten Oberfläche des Kühlkörpers ist in vielen Fällen die Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung mehrfach gebogen. Eine Konkavität bzw. konkave Stelle eines Bogens wird somit weniger wahrscheinlich mit dem Kontaktmaterial gefüllt und wird auf dem Wärmeableitungspfad von der Halbleitervorrichtung zum Kühlkörper eine Lücke ausgebildet. In diesem Fall werden die Wärmeableitungseigenschaften der Halbleitervorrichtung verschlechtert.
  • Die JP 2017- 224 790 A betrifft eine Halbleitervorrichtung, die zur Verwendung als Halbleitervorrichtung zur Leistungssteuerung geeignet ist und Wärme effizient abstrahlen kann, und stellt ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung bereit. Die vorgeschlagene Halbleitervorrichtung umfasst eine Wärmesenke mit einem Mittelteil und einem Außenumfangsteil, der ein äußerer Bereich des Mittelteils auf einer hinteren Oberfläche ist; ein Substrat, das auf einer Oberfläche des Kühlkörpers angeordnet ist; ein Halbleiterelement, das auf der Oberfläche des Substrats angeordnet ist; ein erstes Wärmegrenzflächenmaterial, das an dem Außenumfangsteil vorgesehen ist; und ein zweites Wärmegrenzflächenmaterial, das im Mittelteil vorgesehen und dicker als das erste Wärmegrenzflächenmaterial ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Offenbarung wurde konzipiert, um das oben erwähnte Problem zu lösen, und eine Aufgabe besteht darin, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, um geeignete Wärmeableitungseigenschaften sogar in einem Fall zu erzielen, in dem eine Montageoberfläche, an der ein Kühlkörper angebracht werden soll, eine gebogene Form aufweist.
  • Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe wird bei einer Halbleitervorrichtung erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 9 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Halbleiterelement, eine Basisplatte und eine Vielzahl von Kontaktmaterialien. Die Basisplatte weist eine das Halbleiterelement haltende vordere Oberfläche und eine rückseitige Oberfläche auf, an der ein Kühlkörper, um das Halbleiterelement zu kühlen, angebracht werden kann. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien ist auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte einzeln angeordnet. Die Vielzahl Kontaktmaterialien sind Materialien zum Überbrücken einer Lücke auf einem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte und dem Kühlkörper. Jedes der Vielzahl von Kontaktmaterialien weist jeweils ein auf einer gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte basierendes Volumen auf. Unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien hat ein Kontaktmaterial an einer konkaven Stelle der gebogenen Form ein größeres Volumen als ein Kontaktmaterial an einer konvexen Stelle der gebogenen Form. Erfindungsgemäß ist eine weitere Schicht eines Kontaktmaterials durchgängig auf der gesamten rückseitigen Oberfläche der Basisplatte als erste Schicht angeordnet ist. Ferner ist die Vielzahl von Kontaktmaterialien separat als zweite Schicht auf der Kontaktmaterialschicht angeordnet.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird die Halbleitervorrichtung, um geeignete Wärmeableitungseigenschaften zu erzielen, selbst in einem Fall bereitgestellt, in dem eine Montageoberfläche, an der der Kühlkörper angebracht werden soll, die gebogene Form aufweist.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 1 veranschaulicht;
    • 2 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 1 veranschaulicht;
    • 3 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration der Basisplatte und der Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 1 veranschaulicht;
    • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1 veranschaulicht, die über die Kontaktmaterialien an einem Kühlkörper angebracht ist;
    • 5 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in einer Ausführungsform 5 veranschaulicht;
    • 6 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration der Basisplatte und der Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 5 veranschaulicht;
    • 7 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in einer Ausführungsform 6 veranschaulicht;
    • 8 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration der Basisplatte und der Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 6 veranschaulicht;
    • 9 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in einer Ausführungsform 7 veranschaulicht;
    • 10 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration der Basisplatte und der Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 7 veranschaulicht;
    • 11 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in einer Ausführungsform 8 veranschaulicht;
    • 12 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 9 veranschaulicht;
    • 13 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Basisplatte und von Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 9 veranschaulicht;
    • 14 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte und der Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 9 veranschaulicht;
    • 15 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 9, die über die Kontaktmaterialien an einem Kühlkörper angebracht ist, veranschaulicht;
    • 16 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 10 veranschaulicht;
    • 17 veranschaulicht eine auf einer rückseitigen Oberfläche einer Basisplatte veranschaulichte Siebdruckplatte in der Ausführungsform 10;
    • 18 veranschaulicht einen Bewegungszustand einer Rakel in der Ausführungsform 10; und
    • 19 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte und von Kontaktmaterialien in der Ausführungsform 10 veranschaulicht.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • <Ausführungsform 1 >
  • 1 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 1 veranschaulicht.
  • Die Halbleitervorrichtung umfasst eine Basisplatte 1, eine Vielzahl von Kontaktmaterialien 2, ein Isoliersubstrat 3, ein Halbleiterelement 4, ein Gehäuse 5, einen Elektrodenanschluss 6 und ein Versiegelungsmaterial 7.
  • Die Basisplatte 1 weist eine das Isoliersubstrat 3 und das Halbleiterelement 4 haltende vordere Oberfläche und eine rückseitige Oberfläche auf, an der ein (nicht veranschaulichter) Kühlkörper, um die Halbleitervorrichtung 4 zu kühlen, angebracht werden kann. Die Basisplatte 1 besteht zum Beispiel aus Kupfer und Aluminium.
  • Das Isoliersubstrat 3 ist über ein Bondingmaterial 8 wie etwa ein Lot an die vordere Oberfläche der Basisplatte 1 gebondet. Das Isoliersubstrat 3 besteht zum Beispiel aus einer Keramik.
  • Das Halbleiterelement 4 ist über ein Bondingmaterial 9 wie etwa ein Lot an eine auf einer vorderen Oberfläche des Isoliersubstrats 3 angeordnete Schaltungsstruktur 10 gebondet. Das Halbleiterelement 4 ist durch Drähte 11, die zum Beispiel aus Kupfer oder Aluminium bestehen, mit der Schaltungsstruktur 10 und dem Elektrodenanschluss 6 verbunden, die unten beschrieben werden. Das Halbleiterelement 4 besteht beispielsweise aus einem Halbleiter wie etwa Si oder einem sogenannten Halbleiter mit breiter Bandlücke wie etwa SiC und GaN. Das Halbleiterelement 4 ist beispielsweise ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und eine Freilaufdiode (FWD). Das Halbleiterelement 4 ist zum Beispiel ein Leistungs-Halbleiterelement und eine integrierte Schaltung (IC) einer Steuerung, um das Leistungs-Halbleiterelement zu steuern.
  • Das Gehäuse 5 enthält darin das Isoliersubstrat 3 und das Halbleiterelement 4. Das Gehäuse 5 besteht zum Beispiel aus Harz.
  • Der Elektrodenanschluss 6 ist zum Beispiel integral am Gehäuse 5 angebracht. Ein Ende des Elektrodenanschlusses 6 ist durch den Draht 11 mit der Schaltungsstruktur 10 oder dem Halbleiterelement 4 verbunden. Das andere Ende des Elektrodenanschlusses 6 ist an der Oberseite des Gehäuses 5 angeordnet und kann mit einer externen Schaltung verbunden werden.
  • Das Versiegelungsmaterial 7 füllt einen Raum innerhalb des Gehäuses 5, um das Isoliersubstrat 3, das Halbleiterelement 4, die Drähte 11 und dergleichen zu versiegeln. Das Versiegelungsmaterial 7 ist beispielsweise Harz und Gel.
  • 2 und 3 sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 1 veranschaulichen. 3 veranschaulicht einen entlang der Linie A-A' von 2 genommenen Schnitt.
  • Die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 ist mehrfach gebogen. Die gebogene Form ist beispielsweise eine Unebenheit bzw. Wellenform mit einer sanft gekrümmten Oberfläche und enthält eine konkave Stelle 21 und eine konvexe Stelle 22. Die gebogene Form wird zum Beispiel in Abhängigkeit von der Genauigkeit einer Verarbeitung der Basisplatte 1 oder durch Erwärmen und dergleichen in einem Prozess zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gebildet. Der einfachen Beschreibung halber ist in 3 das Ausmaß einer Wellenform der gebogenen Form der Basisplatte 1 übertrieben. Der Kühlkörper, um das Halbleiterelement 4 zu kühlen, ist an der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 angebracht, wenn die Halbleitervorrichtung in Gebrauch ist. Konkreter entspricht die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 der Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung, und die Halbleitervorrichtung wird so am Kühlkörper angebracht, dass die Montageoberfläche der montierten Oberfläche des Kühlkörpers gegenüberliegt. Die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 weist eine Form auf, die stärker als die montierte Oberfläche des Kühlkörpers gebogen ist. Alternativ dazu weist die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 mehr Unregelmäßigkeiten der gebogenen Form als die montierte Oberfläche des Kühlkörpers auf.
  • Die Kontaktmaterialien 2 sind auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 separat bzw. einzeln angeordnet. Die Kontaktmaterialien 2 haben jeweils ein auf der gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 basierendes Volumen. Unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 hat ein Kontaktmaterial 2A an der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form ein größeres Volumen als ein Kontaktmaterial 2B an der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form. Die Kontaktmaterialien 2 sind beispielsweise Fett und breiten sich aus, um eine Lücke zwischen der Basisplatte 1 und dem Kühlkörper zu überbrücken, wenn die Basisplatte 1 am Kühlkörper angebracht wird. Die Kontaktmaterialien 2 bilden einen Wärmeableitungspfad für die Halbleitervorrichtung zum Kühlkörper. Auf die Kontaktmaterialien 2 wird auch als Wärmeleitungsmaterialien, Wärmeableitungsmaterialien oder Wärmeleitpaste (TIMs) (engl.: thermal interface materials) verwiesen.
  • Die gebogene Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 wird beispielsweise mittels eines Messgeräts für Ebenheit vermessen. Strukturen der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 werden beispielsweise mittels Siebdruck gebildet. Wenn die Kontaktmaterialen 2 auf die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 aufgetragen werden, wird die Menge der aufgetragenen Kontaktmaterialien 2 gemäß einem Ergebnis eines mittels des Messgeräts für Ebenheit durchgeführten Tests, das heißt einer gebogenen Form (z.B. Unregelmäßigkeiten von einigen bis mehrere hundert Mikrometer), an jeder Stelle eingestellt. Infolgedessen werden wie in 2 und 3 veranschaulicht die Strukturen der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 gebildet. Solch ein Auftragungsverfahren erzielt auf der mehrfach gebogenen Form der Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung basierende optimale Anordnungen der Kontaktmaterialien 2.
  • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1, die über ein Kontaktmaterial 2C an einem Kühlkörper 12 angebracht ist, veranschaulicht. Der Kühlkörper 12 ist hierin eine Wärmesenke 12A, die eine Vielzahl von Wärmeableitungslamellen enthält. Die Wärmesenke 12A ist aus Aluminium und dergleichen geschaffen. Die Wärmesenke 12A wird wie in 2 veranschaulicht mit Schrauben 13 an vier Ecken der Basisplatte 1 befestigt. Die Vielzahl an Kontaktmaterialien 2 wird zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A gerade genug zusammengedrückt, um sich wie das Kontaktmaterial 2C gleichmäßig auszubreiten. Auf dem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A wird keine Lücke (Zwischenraum) ausgebildet. Somit werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften sichergestellt.
  • Zusammengefasst umfasst die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1 das Halbleiterelement 4, die Basisplatte 1 und die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2. Die Basisplatte 1 weist die das Halbleiterelement 4 haltende vordere Oberfläche und die rückseitige Oberfläche auf, an der der Kühlkörper 12, um das Halbleiterelement 4 zu kühlen, angebracht werden kann. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 ist auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 einzeln angeordnet. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 hat eine Funktion, die Lücke auf dem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte 1 und dem Kühlkörper 12 zu überbrücken. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 weist jeweils ein auf der gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 basierendes Volumen auf. Unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 hat das Kontaktmaterial 2A an der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form ein größeres Volumen als das Kontaktmaterial 2B an der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form.
  • Mit dieser Konfiguration erzielt die Halbleitervorrichtung geeignete Wärmeableitungseigenschaften selbst in einem Fall, in dem die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1, an der der Kühlkörper 12 angebracht werden soll, das heißt die Montageoberfläche, die gebogene Form aufweist.
  • <Ausführungsform 2>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 2 wird beschrieben. Die Ausführungsform 2 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 2 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in der Ausführungsform 1 wird weggelassen.
  • Die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 2 unterscheidet sich von derjenigen in der Ausführungsform 1 in der Konfiguration der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2. In der Ausführungsform 2 hat unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 ein auf einer Seite eines äußeren Umfangs der Basisplatte 1 angeordnetes Kontaktmaterial ein kleineres Volumen als ein auf einer zentralen Seite der Basisplatte 1 angeordnetes Kontaktmaterial.
  • Da die Wärmesenke 12A mit den Schrauben 13 an den vier Ecken der Basisplatte 1 befestigt wird, ist ein Kontaktdruck auf der Seite des äußeren Umfangs der Basisplatte 1 höher als derjenige auf der zentralen Seite der Basisplatte 1. Das Kontaktmaterial auf der Seite des äußeren Umfangs der Basisplatte 1 breitet sich somit ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus, selbst wenn dessen Menge gering ist. Somit werden notwendige Wärmeableitungseigenschaften sichergestellt.
  • <Ausführungsform 3>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 3 wird beschrieben. Die Ausführungsform 3 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 3 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in der Ausführungsform 1 oder 2 wird weggelassen.
  • In der Ausführungsform 3 umfasst die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 zwei oder mehr Strukturen mit verschiedenen Flächen. Unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 hat beispielsweise das Kontaktmaterial 2A an der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form eine größere Fläche (Strukturgröße) als das Kontaktmaterial 2B an der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form. Die Strukturen der Kontaktmaterialien 2 können beliebige Formen aufweisen. Die Kontaktmaterialien 2 können die gleiche Höhe oder unterschiedliche Höhen aufweisen.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird, breiten sich die Kontaktmaterialien 2 ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Folglich werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften erzielt.
  • <Ausführungsform 4>
  • Beschrieben wird eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 4. Die Ausführungsform 4 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 4 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 3 wird weggelassen.
  • In einem Bereich, in dem die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 angeordnet ist, und einem Bereich, der einen Bereich nahe dem Bereich einschließt, weist die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 ein auf dem Ausmaß einer Wellenform der gebogenen Form basierendes Flächenbelegungsverhältnis auf. Das Ausmaß einer Wellenform entspricht der Tiefe der Einsenkung an der konkaven Stelle 21 oder der Höhe der Erhebung an der konvexen Stelle 22. Das Flächenbelegungsverhältnis ist ein Verhältnis der Fläche der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 pro Einheitsfläche. Beispielsweise ist an der konkaven Stelle 21 ein Flächenbelegungsverhältnis der Kontaktmaterialien 2A in einem Bereich mit einem größeren Ausmaß einer Einsenkung höher als ein Flächenbelegungsverhältnis der Kontaktmaterialien 2A in einem Bereich mit einem geringeren Ausmaß der Einsenkung. Mit anderen Worten sind mehr Kontaktmaterialien 2A im Bereich mit dem höheren Ausmaß einer Einsenkung angeordnet.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird, breiten sich die Kontaktmaterialien 2 ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Somit werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften erzielt.
  • <Ausführungsform 5>
  • Beschrieben wird eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 5. Die Ausführungsform 5 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 5 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 4 wird weggelassen.
  • 5 und 6 sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 5 veranschaulichen. 6 veranschaulicht einen entlang der Linie B-B' von 5 genommenen Schnitt.
  • Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 umfasst zwei oder mehr Strukturen mit der gleichen Fläche und unterschiedlichen Dicken. Unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 hat beispielsweise das Kontaktmaterial 2A an der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form eine größere Dicke als das Kontaktmaterial 2B an der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form. Die Strukturen der Kontaktmaterialien 2 können beliebige Formen aufweisen.
  • Bei solch einer Konfiguration sind die Volumina der Kontaktmaterialien 2 durch die Dicken der Strukturen optimiert. Wenn die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird, breiten sich die Kontaktmaterialien 2 ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Somit werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften erzielt.
  • <Ausführungsform 6>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 6 wird beschrieben. Die Ausführungsform 6 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 6 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 5 wird weggelassen.
  • 7 und 8 sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 6 veranschaulichen. 8 veranschaulicht einen entlang der Linie C-C' von 7 genommenen Schnitt.
  • Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 angeordnete Kontaktmaterialschicht 14. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 ist auf der Kontaktmaterialschicht 14 angeordnet. Mit anderen Worten ist die Kontaktmaterialschicht 14 als eine erste Schicht angeordnet und ist die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 als eine zweite Schicht einzeln angeordnet. Das Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht kann in jedem beliebigen Bereich angeordnet sein, und als ein Beispiel ist die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht in der Ausführungsform 6 auf der gesamten rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 angeordnet. Die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht und die Strukturen der Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 als die zweite Schicht sind aus dem gleichen Material geschaffen. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 als die zweite Schicht weist jeweils ein auf dem Ausmaß einer Wellenform der gebogenen Form basierendes Volumen auf. Die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht hat vorzugsweise eine geringere Dicke als die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 als die zweite Schicht.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird, breiten sich die Kontaktmaterialien 2 ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften werden somit erzielt. Die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht verhindert auch eine mögliche chemische Reaktion, die auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 hervorgerufen wird, bevor die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird. Beispielsweise verhindert die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht ein Fortschreiten einer Oxidation oder Verschwefelung von Kupfer, das die Basisplatte 1 bildet.
  • <Ausführungsform 7>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 7 wird beschrieben. Die Ausführungsform 7 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 7 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 6 wird weggelassen.
  • 9 und 10 sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 7 veranschaulichen. 10 veranschaulicht einen entlang der Linie D-D' von 9 genommenen Schnitt.
  • Wie in der Ausführungsform 6 ist die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht angeordnet und ist die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 als die zweite Schicht einzeln angeordnet. In der Ausführungsform 7 ist jedoch die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 in einem Teil des Bereichs angeordnet, in dem die Kontaktmaterialschicht 14 angeordnet ist. Der Teil des Bereichs entspricht einem Bereich, in dem die gebogene Form der Basisplatte 1 eine vorbestimmte Bedingung erfüllt. Die vorbestimmte Bedingung umfasst zum Beispiel eine Bedingung über die Tiefe oder den Krümmungsgrad der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form. Genauer gesagt ist das Kontaktmaterial 2A in einem Bereich angeordnet, in dem die konkave Stelle 21 eine größere Tiefe als eine vorbestimmte Tiefe aufweist. Alternativ dazu ist das Kontaktmaterial 2A in einem Bereich angeordnet, in dem die konkave Stelle 21 einen größeren Krümmungsgrad als ein vorbestimmter Krümmungsgrad aufweist. Falls auf der anderen Seite die konvexe Stelle 22 der gebogenen Form eine Form mit einem bestimmten Niveaus oder mehr aufweist, ist in dem Bereich das Kontaktmaterial 2B nicht angeordnet.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird, breiten sich die Kontaktmaterialien 2 ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Somit werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften erzielt. Die Kontaktmaterialschicht 14 als die erste Schicht verhindert auch eine mögliche chemische Reaktion, konkret ein Fortschreiten einer Oxidation oder Verschwefelung, eines die Basisplatte 1 bildenden Metalls, die auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 hervorgerufen wird, bevor die Halbleitervorrichtung an der Wärmesenke 12A angebracht wird.
  • < Ausführungsform 8>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 8 wird beschrieben. Die Ausführungsform 8 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 8 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 7 wird wegelassen.
  • 11 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 8 veranschaulicht. Ein Heizkörper der Halbleitervorrichtung ist oberhalb der konkaven Stelle 21 der gebogenen Form angeordnet. Der Heizkörper ist beispielsweise das Halbleiterelement 4 und ein Widerstandselement. Der Heizkörper kann oberhalb der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form oder nicht angeordnet sein. In der Ausführungsform 8 ist ein Beispiel dargestellt, in dem der Heizkörper oberhalb der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form nicht angeordnet ist.
  • In einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung ist die konkave Stelle 21 nicht ausreichend mit den Kontaktmaterialien 2 gefüllt und ist es wahrscheinlich, dass an der konkaven Stelle 21 ein Zwischenraum ausgebildet wird. Die in jeder Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung dargestellten Kontaktmaterialien 2 haben jeweils ein auf der gebogenen Form basierendes Volumen und breiten sich somit ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A aus. Vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften vom Heizkörper zum Kühlkörper 12 werden somit selbst in einem Fall erzielt, in dem der Heizkörper oberhalb der konkaven Stelle 21 angeordnet ist.
  • <Ausführungsform 9>
  • Eine Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform 9 wird beschrieben. Die Ausführungsform 9 ist ein untergeordnetes Konzept der Ausführungsform 1, und die Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 9 enthält die Komponenten der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 1. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 8 wird weggelassen.
  • 12 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 9 veranschaulicht. 13 und 14 sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialen 2 in der Ausführungsform 9 veranschaulichen. 14 veranschaulicht einen entlang der Linie E-E' von 13 genommenen Schnitt.
  • Die Halbleitervorrichtung umfasst die Basisplatte 1, die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2, ein isolierendes Bauteil 15, das Halbleiterelement 4, das Gehäuse 5, den Elektrodenanschluss 6 und das Versiegelungsmaterial 7. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2, das Halbleiterelement 4, das Gehäuse 5, der Elektrodenanschluss 6 und das Versiegelungsmaterial 7 weisen Konfigurationen ähnlich jenen in der Ausführungsform 1 auf.
  • Die isolierende Bauteil 15 ist so angeordnet, dass es mit der vorderen Oberfläche der Basisplatte 1 in direktem Kontakt ist. Das isolierende Bauteil 7 ist beispielsweise Harz. Das Halbleiterelement 4 ist an die auf einer vorderen Oberfläche des isolierenden Bauteils 15 angeordnete Schaltungsstruktur 10 gebondet. In der Ausführungsform 1 ist das Isoliersubstrat 3 über das Bondingmaterial 8 an die vordere Oberfläche der Basisplatte 1 gebondet; in der Ausführungsform 9 ist aber das Bondingmaterial 8 nicht zwischen dem isolierenden Bauteil 15 und der Basisplatte 1 angeordnet. Das isolierende Bauteil 15 und die Basisplatte 1 sind integrale Teile.
  • 15 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand der Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 9 veranschaulicht, die über die Kontaktmaterialien 2 am Kühlkörper 12 angebracht ist. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 wird zusammengedrückt, so dass sie sich zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A (Kühlkörper 12) ausbreiten, und der Zwischenraum ist dann mit einem gleichmäßigen Kontaktmaterial 2C gefüllt. Auf dem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A wird keine Lücke (kein Zwischenraum) ausgebildet. Somit sind vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften gewährleistet. In der Ausführungsform 9 ist der Wärmewiderstand zwischen dem Halbleiterelement 4 und der Wärmesenke 12A reduziert, um die Wärmeableitungseigenschaften zu verbessern.
  • <Ausführungsform 10>
  • Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 10 wird beschrieben. Eine Beschreibung ähnlicher Komponenten und deren Funktionsweise in einer der Ausführungsformen 1 bis 9 wird weggelassen.
  • 16 ist ein Flussdiagramm, das das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 10 veranschaulicht.
  • In einem Schritt S1 wird die Basisplatte 1 präpariert. Die Basisplatte 1 weist die das Halbleiterelement 4 haltende vordere Oberfläche und die rückseitige Oberfläche auf, an der der Kühlkörper 12, um das Halbleiterelement 4 zu kühlen, angebracht werden kann.
  • In einem Schritt S2 wird eine Siebdruckplatte auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 montiert. 17 veranschaulicht eine Siebdruckplatte 31, die auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 in der Ausführungsform 10 montiert ist. Die Siebdruckplatte 31 hat eine flache Oberfläche und weist eine Vielzahl von Löchern 31A in der flachen Oberfläche als Maskenstruktur auf. Die Löcher 31A haben jeweils individuelle Größen. Die Siebdruckplatte 31 hat eine konstante Dicke. Auf die flache Oberfläche der Siebdruckplatte 31 wird ein Kontaktmaterial 2D zugeführt.
  • In einem Schritt S3 wird eine Oberfläche einer Rakel mit dem auf die flache Oberfläche der Siebdruckplatte 31 zugeführten Kontaktmaterial 2D in Kontakt gebracht und wird die Rakel bewegt, während auf die Rakel in Richtung der Basisplatte 1 Druck angewendet wird. Die Oberfläche der Rakel ist eine in Bewegungsrichtung der Rakel orientierte innere Oberfläche der Rakel. 18 veranschaulicht einen Bewegungszustand einer Rakel 32. In diesem Schritt S3 wird die Vielzahl von Löchern 31A mit dem Kontaktmaterial 2D gefüllt und wird die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 strukturiert. In diesem Fall kann die Größe des auf die Rakel 32 anzuwendenden Drucks basierend auf der gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1, die zuvor vermessen wurde, eingestellt werden. Konkreter kann ein größerer Druck an der konkaven Stelle 21 als an der konvexen Stelle 22 angewendet werden. Das Kontaktmaterial 2A an der konkaven Stelle 21 hat ein größeres Volumen als das Kontaktmaterial 2b an der konvexen Stelle 22 der gebogenen Form.
  • Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 wird dadurch auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte 1 einzeln angeordnet. 19 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Basisplatte 1 und der Kontaktmaterialien 2 in der Ausführungsform 10 veranschaulicht. Eine in 19 dargestellte gestrichelte Linie 33 gibt die Dicke der Kontaktmaterialien an, die in einem Fall ausgebildet werden, in dem der anzuwendende Druck nicht eingestellt ist. Durch Einstellen des Drucks kann der konkaven Stelle 21 eine größere Menge der Kontaktmaterialien 2 als der konvexen Stelle 22 absichtlich zugeführt werden.
  • Die Halbleitervorrichtung wird dann an der Wärmesenke 12A angebracht. Die Vielzahl von Kontaktmaterialien 2 wird zwischen der Basisplatte 1 und der Wärmesenke 12A so zusammengedrückt, dass sie sich ohne Ausbilden einer Lücke (eines Zwischenraums) ausbreiten. Somit werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften erzielt.
  • Ein Verfahren zum Ausbilden der Strukturen der Kontaktmaterialien 2 durch Drucken ist für die Halbleitervorrichtung geeignet, in der die rückseitige Oberfläche der Basisplatte 1 eine einzige Wölbung bzw. einen einzigen Bogen aufweist, ist aber ursprünglich nicht für die mehrfach gebogene Halbleitervorrichtung geeignet. Ein herkömmliches Verfahren weist beispielsweise insofern ein Problem auf, als durch den Einfluss von Biegungen der Basisplatte 1 nur dünne Kontaktmaterialien 2 gebildet werden, obgleich von Hause aus dicke Kontaktmaterialien 2 gedruckt werden sollten. Gemäß dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in der Ausführungsform 10 kann jedoch durch Einstellung des anzuwendenden Drucks der konkaven Stelle 21 die größere Menge der Kontaktmaterialien 2 als der konvexen Stelle 22 zugeführt werden. Das Herstellungsverfahren ermöglicht einen Prozess zum Drucken der Kontaktmaterialien 2 mit Blick auf die gebogene Form der Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung. Infolgedessen werden vorteilhafte Wärmeableitungseigenschaften sogar in einem Fall erzielt, in dem die Montageoberfläche der Halbleitervorrichtung die gebogene Form aufweist.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können frei miteinander kombiniert werden und können wie jeweils geeignet modifiziert oder weggelassen werden.

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: - ein Halbleiterelement (4); - eine Basisplatte (1), die eine das Halbleiterelement (4) haltende vordere Oberfläche und eine rückseitige Oberfläche aufweist, an der ein Kühlkörper (12), um das Halbleiterelement (4) zu kühlen, angebracht werden kann; und - eine Vielzahl von Kontaktmaterialien (2), die auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) und zum Überbrücken einer Lücke auf einem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte (1) und dem Kühlkörper (12) einzeln angeordnet sind, wobei: - jedes der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) jeweils ein auf einer gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) basierendes Volumen aufweist, - unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) ein Kontaktmaterial (2A) an einer konkaven Stelle (21) der gebogenen Form ein größeres Volumen als ein Kontaktmaterial (2B) an einer konvexen Stelle (22) der gebogenen Form aufweist, - eine weitere Schicht (14) eines Kontaktmaterials durchgängig auf der gesamten rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) als erste Schicht angeordnet ist und - die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) separat als zweite Schicht auf der Kontaktmaterialschicht (14) angeordnet ist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) ein auf einer Seite eines äußeren Umfangs der Basisplatte (1) angeordnetes Kontaktmaterial ein kleineres Volumen als ein auf einer zentralen Seite der Basisplatte (1) angeordnetes Kontaktmaterial hat.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) zwei oder mehr Strukturen mit unterschiedlichen Flächen aufweist.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) ein auf einem Ausmaß einer Wellenform der gebogenen Form basierendes Flächenbelegungsverhältnis aufweist, wobei das Flächenbewegungsverhältnis ein Verhältnis einer Fläche der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) pro Einheitsfläche ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) zwei oder mehr Strukturen mit der gleichen Fläche und unterschiedlichen Dicken aufweist.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) in einem Teil eines Bereichs angeordnet ist, in dem die Kontaktmaterialschicht (14) angeordnet ist, wobei der Teil des Bereichs ein Bereich ist, in dem die gebogene Form der Basisplatte (1) eine vorbestimmte Bedingung an die gebogene Form erfüllt.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein das Halbleiterelement (4) einschließender Heizkörper oberhalb der konkaven Stelle (21) angeordnet ist.
  8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, - ferner aufweisend ein isolierendes Bauteil (15), das mit der vorderen Oberfläche der Basisplatte (1) in direktem Kontakt ist, - wobei das Halbleiterelement (4) an eine auf einer vorderen Oberfläche des isolierenden Bauteils (15) angeordnete Schaltungsstruktur (10) gebondet ist.
  9. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend die Schritte, in denen: - eine Basisplatte (1) präpariert wird, die eine ein Halbleiterelement (4) haltende vordere Oberfläche und eine rückseitige Oberfläche aufweist, an der ein Kühlkörper (12), um das Halbleiterelement (4) zu kühlen, angebracht werden kann; und - auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) eine Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) zum Überbrücken einer Lücke auf einem Wärmeableitungspfad zwischen der Basisplatte (1) und dem Kühlkörper (12) einzeln angeordnet wird, wobei: - jedes der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) jeweils ein auf einer gebogenen Form der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) basierendes Volumen aufweist, - unter der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) ein Kontaktmaterial (2A) an einer konkaven Stelle (21) der gebogenen Form ein größeres Volumen als ein Kontaktmaterial (2B) an einer konvexen Stelle (22) der gebogenen Form hat und der Schritt zum Anordnen der Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) die Teilschritte aufweist, in denen: - auf der rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) eine Siebdruckplatte (31) montiert wird, die eine flache Oberfläche hat und eine Vielzahl von Löchern in der flachen Oberfläche aufweist; und - eine Oberfläche einer Rakel (32) mit dem auf die flache Oberfläche der Siebdruckplatte (31) zugeführten Kontaktmaterial (2D) in Kontakt gebracht wird und die Rakel (32) bewegt wird, während auf die Rakel (32) in Richtung der Basisplatte (1) Druck angewendet wird, um die Vielzahl von Löchern (31A) zu füllen und die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) zu strukturieren, - eine weitere Schicht (14) eines Kontaktmaterials durchgängig auf der gesamten rückseitigen Oberfläche der Basisplatte (1) als erste Schicht angeordnet wird und - die Vielzahl von Kontaktmaterialien (2) separat als zweite Schicht auf der Kontaktmaterialschicht (14) angeordnet wird.
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