JP2017201688A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上方に開口した凹部13を有する基体16と、凹部13の底面13aに載置される半導体レーザ素子20と、凹部13に収容され、半導体レーザ素子20からの光の波長を変換するための波長変換部材32とを備え、凹部13は、底面13aよりも高い位置で波長変換部材32の下面を保持する保持面13cと、波長変換部材32の周縁の一部を包囲する包囲面13dとを有する発光装置。
【選択図】図1A
Description
上方に開口した凹部を有する基体と、
前記凹部の底面に載置される半導体レーザ素子と、
前記凹部に収容される、前記半導体レーザ素子からの光の波長を変換するための波長変換部材とを備え、
前記凹部は、前記底面よりも高い位置で前記波長変換部材の下面を保持する保持面と、前記波長変換部材の周縁の一部を包囲する包囲面とを有する発光装置。
この実施形態の発光装置10は、図1A及びBに示すように、半導体レーザ素子20と、半導体レーザ素子20からの光の波長を変換するための波長変換部材32と、上方に開口する凹部13を有する基体16とを備える。波長変換部材32は、凹部13内に収容されている。
凹部13は、図2及び図3A〜3Cに示すように、底面13aと、底面13aよりも高い位置で、波長変換部材32の下面を保持する保持面13cと、波長変換部材32の周縁の一部を包囲する包囲面13dとを有する。半導体レーザ素子20は、底面13aに載置される。
波長変換部材32は、半導体レーザ素子20から発振されるレーザ光の波長を変換する部材である。波長変換部材32は、その下面が、凹部13内の保持面13cに保持され、かつ、その周縁の一部が、包囲面13dにより包囲されている。
蛍光体は、半導体レーザ素子20と組み合わせて白色光が得られるような材料を選択するのが好ましい。例えば、半導体レーザ素子20から青色光が出射される場合には、半導体レーザ素子20の出射光を励起光として黄色光を発する蛍光体を用いることができる。黄色光を発する蛍光体としては、YAG系の蛍光体が挙げられる。また、半導体レーザ素子20から青色光よりも短波の光(例えば紫外光等)が出射される場合には、青色、緑色及び赤色の各色を発光する蛍光体を用いることができる。
保持部材32aは、半導体レーザ素子20が発振するレーザ光に対して遮光性を有するものが好ましい。具体的には、レーザ光を反射及び/又は吸収可能な部材であることが好ましい。これにより、蛍光体含有部材32bがレーザ光の光路からずれた場合において、保持部材32aで遮光、つまり反射及び/又は吸収することができる。したがって、何らかの理由により蛍光体含有部材32bが保持面から外れ、蛍光体含有部材32bがレーザ光の光路からずれた場合でも、レーザ光の光路に保持部材32aが位置するようにすれば、外部にレーザ光が漏れることを防止することができる。
基体16は、半導体レーザ素子20を実装することができる材料及び形状が選択される。例えば、基体16は、金属、ガラス、セラミックス等によって形成することができる。特に、基体16の耐食性及び放熱性等を考慮して、主としてセラミックスによって形成されていることが好ましい。セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどが挙げられ、なかでも、耐食性及び放熱性に優れているため、窒化アルミニウムが好ましい。基体16の平面形状は、略円形、略楕円、略多角形等の種々の形状が挙げられる。例えば、基体16の平面形状は略矩形状である。なお、平面形状とは、平面視における外形を指す。また、平面視とは、基体16の上面16aを上側とし、底面を下側としたときに、上方から、すなわち上面16aに対して略垂直な方向から観察することを指す。
平面視において、底面13aの両側において半導体レーザ素子20に近接するように接続面13bを配置することができる。これにより、半導体レーザ素子20と接続面13bとのワイヤ接続を容易とすることができる。接続面13b設けられた配線層23の上面は、底面13aとほぼ平行な面であることが好ましい。これにより、ワイヤ81の配線層23への接続が容易になる。接続面13bの大きさは、例えば、凹部13の平面積の20〜75%の平面積を有する又は底面13aの平面積の50〜250%の平面積を有することができる。
接続面13bは、底面13aよりも上方に配置することが好ましい。これにより、半導体レーザ素子20と電気的に接続するワイヤ81の長さを短くすることができ、電気抵抗を低減することができる。また、ワイヤ81による半導体レーザ素子20等との接続が容易になる。接続面13bは、底面13aに半導体レーザ素子を載置した場合、半導体レーザ素子の上面の高さと同程度となるように設けることが好ましい。これにより、ワイヤ81の長さをより短くすることができる。
例えば、保持面13cの平面形状は、多角形又は多角形の角が丸みを有する形状が挙げられる。
底面13a、接続面13b、保持面13c及び包囲面13dは、例えば、平面視において、それぞれ異なる領域に配置される。また、底面13aと接続面13bとの高さの違いや、接続面13bと保持面13cとの高さの違いは、セラミック層のグリーンシートの1層ずつで調整することができる。セラミック層の1層分の厚みは、例えば100〜500μm程度である。
半導体レーザ素子20としては、例えば、窒化物半導体(主として一般式InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される)などの半導体層を備える素子が挙げられる。その組成を調整することにより、半導体レーザ素子20の発振波長を調整することができる。例えば、400〜530nmの範囲に発振波長を有する半導体レーザ素子を用いることができる。YAG系蛍光体と組み合わせる場合は、発振波長が420〜490nmの範囲にある半導体レーザ素子20が好ましい。
発光装置10は、さらに、反射部材31を備えていることが好ましい。
反射部材31は、凹部13の底面13aであって、半導体レーザ素子20からの光を反射し得る位置に配置されている。反射部材31は、底面13aに対して傾斜した反射面を有しており、この反射面によって半導体レーザ素子20の光を上方に反射するように配置されている。
反射部材31は、平面視において、反射部材31で反射する光が発光点と重なるような位置に配置されることが好ましい。例えば、反射部材31は、その反射面が蛍光体含有部材32bの直下に位置するように配置される。
反射部材31は、1つの発光装置に1つのみ配置されていてもよいし、複数配置されていてもよい。半導体レーザ素子が、1つの発光装置に複数実装される場合は、複数配置されていてもよい。
発光装置10は、さらに、蓋体17を備えていることが好ましい。
蓋体17は、凹部13内に搭載された半導体レーザ素子20を封止するように、例えば、凹部13の開口を塞ぎ、基体16に接合されている。この場合、蓋体17は、平面視で、第1凹部11及び第2凹部12と重ならない位置で、基体16に接合されていることが好ましい。これにより、蓋体17による画像認識の障害を避けることができる。蓋体17の基体16への接続は、例えば、銀ロウ等を用いて行うこともできるが、基体16の上面に金属枠を設けて、この金属枠に蓋体17を溶接することが好ましい。これにより、気密性の向上した封止を行うことができる。
蓋体17は、透光性部材33を保持/固定するために、貫通孔34aを備える保持部材34を有していることが好ましい。貫通孔34aの光入射側における開口面積は、波長変換部材32の貫通孔の光出射側における開口面積よりも大きいことが好ましい。透光性部材33は、例えば、蓋体17の保持部材34の貫通孔34aを塞ぐように、蓋体17の保持部材34の貫通孔34aの内側又は蓋体17の保持部材34の波長変換部材32側とは反対側の面に固定される。保持部材34にはコバール等を含む金属などを用いることができる。
発光装置10は、さらに、レンズ19等を備えていてもよい。
レンズ19は、凹部13の底面13aであって、半導体レーザ素子20からの光を通過し得る位置に配置されていることが好ましい。レンズ19は、通常、レーザ光の集光又は平行光化するものを利用することができる。
この実施形態の発光装置では、図4に示すように、基体46の凹部43内に、上述した基体16と同様に、底面43aと、底面43aよりも高い位置で、波長変換部材32の下面を保持する保持面43cと、波長変換部材32の周縁の一部を包囲する包囲面43dとを有する。半導体レーザ素子20は、底面43aに載置される。その他の構成は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様である。すなわち、基体46の上面46aに、蓋体17を接合し、半導体レーザ素子20等を封止した発光装置を得ることができる。
図4においては、平面視で、波長変換部材32の4つの角及びその近傍が、保持面43cに支持されている。また、側面43eに対向する2つの角と、これらの2つの角に挟まれた辺と、その辺に隣接する2辺の一部のみが、保持面43cに対して直立する包囲面43dにそれぞれ包囲されている。波長変換部材32は、保持面43cに、その下面の約1/3程度が支持され固定されている。また、波長変換部材32は、包囲面43dに、その外縁の約半分が300μm程度の間隔をあけて包囲されている。接続面43bには配線層23が設けられている。
11 第1凹部
12 第2凹部
13、43 凹部(第3凹部)
13a、43a 底面
13b、43b 接続面
13c、43c 保持面
13d、43d 包囲面
13d1 第1包囲面
13d2 第2包囲面
13d11、13d12、13d21、13d22 面
13e、43e 側面
14 第4凹部
15 第5凹部
16、46 基体
16a、46a 上面
17 蓋体
18 サブマウント
19 レンズ
20 半導体レーザ素子
21 第1金属層
22 第2金属層
23 配線層
24、25 外部電極
31 反射部材
32 波長変換部材
32a 保持部材
32b 蛍光体含有部材
33 透光性部材
34 保持部材
34a 貫通孔
81 ワイヤ
Claims (7)
- 上方に開口した凹部を有する基体と、
前記凹部の底面に載置される半導体レーザ素子と、
前記凹部に収容される、前記半導体レーザ素子からの光の波長を変換するための波長変換部材とを備え、
前記凹部は、前記底面よりも高い位置で前記波長変換部材の下面を保持する保持面と、前記波長変換部材の周縁の一部を包囲する包囲面とを有することを特徴とする発光装置。 - 平面視において、
前記波長変換部材は、略矩形状であり、互いに対向する第1隅部と第2隅部とを有し、
前記包囲面は、前記第1隅部を包囲する第1包囲面と、前記第2隅部を包囲する第2包囲面とを有する請求項1に記載の発光装置。 - 前記凹部は、さらに、前記底面よりも高く前記保持面よりも低い位置に、配線層を備える接続面を有する請求項1又は2に記載の発光装置。
- さらに、前記波長変換部材の直下であって前記凹部の底面に載置され、前記半導体レーザ素子からの光を反射する反射部材を備える請求項1から3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、
蛍光体を含有する蛍光体含有部材と、
該蛍光体含有部材を、貫通孔内に保持する遮光性の保持部材とを有する請求項1から4のいずれか1つに記載の発光装置。 - さらに、前記凹部の開口を塞ぎ、前記半導体レーザ素子からの光を透過する透光性部材を有する蓋体を備える請求項1から5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記蓋体は、さらに、前記半導体レーザ素子からの光を通す貫通孔を備える遮光性の保持部材を有し、
前記透光性部材は、前記蓋体の保持部材の貫通孔を塞ぐように、前記蓋体の保持部材に固定されている請求項6に記載の発光装置。
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