JP2017183738A - 液晶表示装置の作製方法 - Google Patents
液晶表示装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017183738A JP2017183738A JP2017096130A JP2017096130A JP2017183738A JP 2017183738 A JP2017183738 A JP 2017183738A JP 2017096130 A JP2017096130 A JP 2017096130A JP 2017096130 A JP2017096130 A JP 2017096130A JP 2017183738 A JP2017183738 A JP 2017183738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- oxide
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 99
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 416
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 143
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 153
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 108
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 180
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 34
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 33
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 920
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 117
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 115
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 description 65
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 45
- 230000006870 function Effects 0.000 description 36
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 29
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 12
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 12
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 12
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000000329 molecular dynamics simulation Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N dinitrogen tetraoxide Chemical compound [O-][N+](=O)[N+]([O-])=O WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen trioxide Chemical compound [O-][N+](=O)N=O LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen pentaoxide Chemical compound [O-][N+](=O)O[N+]([O-])=O ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 102100022887 GTP-binding nuclear protein Ran Human genes 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- 101000774835 Heteractis crispa PI-stichotoxin-Hcr2o Proteins 0.000 description 1
- 101000620756 Homo sapiens GTP-binding nuclear protein Ran Proteins 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001077374 Oryza sativa subsp. japonica UMP-CMP kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- 101100393821 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GSP2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000004698 pseudo-potential method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Dram (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Abstract
Description
全般を指し電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
て薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を構成する
技術が注目されている。薄膜トランジスタはICや電気光学装置のような電子デバイスに
広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。金属酸
化物は多様に存在しさまざまな用途に用いられている。酸化インジウムはよく知られた材
料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされる透明電極材料として用いられている。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが既に知られ
ている(特許文献1乃至5、非特許文献1)。
ホモロガス相を有するInGaO3(ZnO)m(m:自然数)は、In、Ga及びZn
を有する多元系酸化物半導体として知られている(非特許文献2乃至4)。
ランジスタのチャネル層として適用可能であることが確認されている(特許文献6、非特
許文献5及び6)。
、提供することを課題の一とする。
体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減
する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を酸素雰囲気下で行う。また、
酸化物半導体層中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上
下に接して設けられる層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する
。また、当該加熱処理において、酸化物半導体層を酸化することができる。
体層を酸素雰囲気下で加熱処理し、酸化物半導体層の含有水分を低減すると共に、酸化物
半導体層を酸化する。加熱処理温度は、200℃以上基板の歪み点未満、好ましくは40
0℃以上700℃以下で行う。また、加熱処理後は、酸素雰囲気下、若しくは窒素または
希ガス(ヘリウム、アルゴンなど)の不活性気体雰囲気下で保持して、徐冷することが好
ましい。
窒素酸化物(一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化二窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五
酸化二窒素など)雰囲気をいう。また、酸素雰囲気において、窒素、または希ガス(ヘリ
ウム、アルゴンなど)の不活性気体が含まれてもよいが、その場合は、酸素原子を有する
気体より不活性気体の量が少ない。
加熱処理を、脱水化または脱水素化のための加熱処理という。本明細書では、この加熱処
理によってH2として脱離させていることのみを脱水素化と呼んでいるわけではなく、H
、OHなどを含む分子を脱離することを含めて脱水化または脱水素化と便宜上呼ぶことと
する。
を低減させると共に、酸化物半導体層の酸化を行うことで、薄膜トランジスタの信頼性を
向上させることができる。さらに、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層を形成すること
により、薄膜トランジスタの信頼性の向上させることができる。
分や、水素イオンや、OH−などの不純物をブロックする無機絶縁層を用いる。酸化物絶
縁層の代表例としては、酸化珪素層、酸化窒化珪素層の単層、または積層がある。
層を形成した後に、2回目の加熱を行ってもよい。酸化物半導体層上に接して保護層とな
る酸化物絶縁層を形成した後、2回目の加熱を行うと、薄膜トランジスタの電気的特性の
ばらつきを軽減することができる。
層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体
層を酸素雰囲気下にて脱水化または脱水素化し、脱水化または脱水素化させた酸化物半導
体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソ
ース電極層、及びドレイン電極層上に、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形
成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半
導体層を酸素雰囲気下で加熱した後、脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層上にソ
ース電極層及びドレイン電極層を形成し、ゲート絶縁層、加熱した酸化物半導体層、ソー
ス電極層、及びドレイン電極層上に上記した酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層
を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。なお、酸化物半導体層を酸素
雰囲気下、かつ温度200℃以上で加熱した後、室温以上100℃未満まで徐冷すること
が好ましい。
膜を形成し、その薄膜を半導体層として用いた薄膜トランジスタを作製する。なお、Mは
、Ga、Fe、Ni、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示
す。例えばMとして、Gaの場合があることの他、GaとNiまたはGaとFeなど、G
a以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Mとし
て含まれる金属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、または
該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書においては、InMO3(Zn
O)m(m>0)で表記される構造の酸化物半導体層のうち、MとしてGaを含む構造の
酸化物半導体をIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体とよび、その薄膜をIn−Ga−Z
n−O系非単結晶層とも呼ぶ。
O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、Al−Ga−Zn−O系、S
n−Al−Zn−O系、In−Zn−O系、Sn−Zn−O系、Al−Zn−O系、In
−O系、Sn−O系、Zn−O系の酸化物半導体を適用することができる。また上記酸化
物半導体層に酸化珪素を含ませてもよい。酸化物半導体層に結晶化を阻害する酸化珪素(
SiOX(X>0))を含ませることで、製造プロセス中において酸化物半導体層の形成
後に加熱処理した場合に、結晶化してしまうのを抑制することができる。なお、酸化物半
導体層は非晶質な状態であることが好ましく、一部結晶化していてもよい。
びGaを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体層をI型(真性)とするため、脱水
化または脱水素化は有効である。
線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路
は、酸化物半導体を用いた非線形素子を用いて構成することが好ましい。
続処理、インサイチュ(insitu)工程、連続形成とも呼ぶ)してもよい。大気に触
れさせることなく連続処理することで、ゲート絶縁層と酸化物半導体層の界面が、水分や
ハイドロカーボンなどの、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染されることなく
各積層界面を形成することができるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減するこ
とができる。
らPCVD法またはスパッタリング法で行う第2の処理工程までの一連のプロセス中、被
処理基板の置かれている雰囲気が大気等の汚染雰囲気に触れることなく、常に真空中また
は不活性気体雰囲気(窒素雰囲気または希ガス雰囲気)で制御されていることを言う。連
続処理を行うことにより、清浄化された被処理基板の水分等の再付着を回避して膜形成な
どの処理を行うことができる。
は本明細書における連続処理の範囲にあるとする。
う場合、第1の処理工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第2の処理を施すことも本明細書における連続処理の範囲にあるとする。
工程、または第2の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続処理の範囲にあるとする。
の処理工程と第2の処理工程の間にある場合、本明細書でいう連続処理の範囲には当ては
まらないとする。
良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を図1及び図2を用いて説明する。
図2(A)の線C1−C2における断面図である。薄膜トランジスタ470はボトムゲー
ト型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板400上に、ゲート電
極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層またはドレイン
電極層405a、405bを含む。また、薄膜トランジスタ470を覆い、酸化物半導体
層403に接する酸化物絶縁層407が設けられている。
低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)が酸素雰囲気下で行われる
。当該加熱処理が行われた酸化物半導体層403を薄膜トランジスタのチャネル形成領域
として用いることで、薄膜トランジスタの信頼性を向上することができる。
分(H2O)などの不純物を脱離させると共に、酸化物半導体層403を酸化した後、酸
素雰囲気下または不活性気体雰囲気下で徐冷を行うことが好ましい。更には、脱水化また
は脱水素化のための加熱処理及び徐冷させた後、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層の
形成などを行うことが好ましい。これらにより、薄膜トランジスタ470の信頼性の向上
に繋がる。
けられる層と酸化物半導体層403の界面、具体的にはゲート絶縁層402と酸化物半導
体層403の界面、及び酸化物絶縁層407と酸化物半導体層403の界面に存在する水
分などの不純物が低減されることが好ましい。
5bとして、チタン、アルミニウム、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウ
ム、トリウムのいずれか一または複数から選択された材料とする。また、上述した元素を
組み合わせた合金層などを積層することができる。
を用いればよく、代表的には、In−Ga−Zn−O系非単結晶層を用いる。
設ける。
有していることが必要となる。基板400にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウ
ケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。
が730℃以上のものを用いると良い。また、基板400には、例えば、アルミノシリケ
ートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が
用いられている。ホウ酸と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ませることで、より
実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く含むガラス基板を
用いることが好ましい。
なる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。
基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素層、酸化珪素層、窒
化酸化珪素層、または酸化窒化珪素層から選ばれた一または複数の層による積層構造によ
り形成することができる。
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合
金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
層が積層された2層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、また
は銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した2層構造、窒化チタン層とモ
リブデン層とを積層した2層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タン
グステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムと珪素の合金層またはアルミニウ
ムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層とすることが好ま
しい。
層、窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層、酸化アルミニウム層、または酸化タ
ンタル層を単層でまたは積層して形成することができる。例えば、形成ガスとして、Si
H4、酸素及び窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化珪素層を形成すればよい。
プラズマを発生させる逆スパッタリングを行い、ゲート絶縁層402の表面に付着してい
るゴミを除去することが好ましい。逆スパッタリングとは、ターゲット側に電圧を印加せ
ずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマ
を形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて、ヘリウムなどを
用いてもよい。
ング法により形成する。スパッタリングは、希ガス(代表的にはアルゴン)、酸素、ある
いは希ガス(代表的にはアルゴン)と酸素を混合した雰囲気中で行う。
よい。大気に触れさせることなく連続形成することで、界面が、水分やハイドロカーボン
などの、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成
することができるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
導体層430)に加工する(図1(A)参照。)。
気体雰囲気下で徐冷を行うことが好ましい。酸化物半導体層430を上記雰囲気下で加熱
処理することで、酸化物半導体層430に含まれる水素及び水分などの不純物を除去しつ
つ、酸化された酸化物半導体層431を形成することができる(図1(B)参照。)。当
該加熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、結晶化し、微結晶層または
多結晶層となる場合もある。
または窒素酸化物(一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化二窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒
素、五酸化二窒素など)を含む雰囲気をいう。また、酸素雰囲気において、窒素、または
希ガス(ヘリウム、アルゴンなど)の不活性気体が含まれてもよいが、その場合は、酸素
原子を有する気体より不活性気体の量が少ない。
。または、加熱処理装置に導入する酸素の純度を、6N(99.9999%)以上、好ま
しくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは
0.1ppm以下)とすることが好ましい。
Rapid Thermal Anneal)法またはランプ光を用いるLRTA(La
mp Rapid Thermal Anneal)法などの瞬間加熱方法などを用いる
ことができる。
法について、図3を用いて説明する。
けられており、チャンバー602を加熱する。また、チャンバー602内には、基板60
4を搭載するサセプター605が設けられており、チャンバー602内に基板604を搬
入または搬出する。また、チャンバー602にはガス供給手段606及び排気手段607
が設けられている。ガス供給手段606により、チャンバー602にガスを導入する。ま
た、排気手段607により、チャンバー602内を排気する。なお、電気炉601の昇温
特性を0.1℃/min以上20℃/min以下とすることが好ましい。また、電気炉6
01の降温特性を0.1℃/min以上15℃/min以下とすることが好ましい。
ーコントローラ614、及びストップバルブ615を有する。本実施の形態では、ガス供
給源611とチャンバー602の間に精製器613を設ける。精製器613を設けること
で、ガス供給源611からチャンバー602内に導入されるガスの、水分、水素などの不
純物を、当該精製器613によって除去することが可能であり、チャンバー602内に、
水分、水素などの不純物の混入量を低減することができる。
導入し、チャンバー内を酸素雰囲気とし、200℃以上基板の歪み点未満、好ましくは4
00℃以上700℃以下に加熱されたチャンバー602において、基板604上に形成さ
れた酸化物半導体層430を加熱することで、酸化物半導体層430の脱水化または脱水
素化を行うことができる。
化の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層430の表面を酸化でき、水分、水素等
の不純物が脱離した部位または欠陥に酸素が結合するため、欠陥の少ないi型となる。こ
のため、脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層430を薄膜トランジスタのチャネ
ル形成領域に用いることで、後に形成される薄膜トランジスタの信頼性を高めることがで
きる。
対してTDS(Thermal Desorption Spectroscopy)で
450℃まで測定を行っても水の2つのピーク、少なくとも300℃付近に現れる1つの
ピークは検出されない程度の熱処理条件とする。従って、脱水化または脱水素化が行われ
た酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタに対して、TDSで450℃まで測定を行っ
ても少なくとも300℃付近に現れる水のピークは検出されない。
性気体雰囲気下で保持して、徐々に冷却する(徐冷する)ことが好ましい。例えば、加熱
処理後は、加熱処理の温度から室温以上100℃未満にまで徐冷すれば良い。この結果、
後に形成される薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。
度Tから、再び水が入らないような十分な温度まで、具体的には加熱温度Tよりも100
℃以上下げてもよい。
604を室温以上100℃未満の酸素雰囲気または不活性気体雰囲気に移動してもよい。
この結果、基板604の冷却時間を短縮することができる。
うことができる。代表的には、酸素雰囲気で、且つ200℃以上基板の歪み点未満、好ま
しくは400℃以上700℃以下に加熱された第1のチャンバーにおいて、基板上に形成
された酸化物半導体層430を加熱する。次に、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下
の搬送室を経て、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下で、室温以上100℃未満であ
る第2のチャンバーに、上記加熱処理された基板を移動し、冷却処理を行う。以上の工程
により、スループットを向上させることができる。
する前の酸化物半導体層に行うこともできる。その場合には、酸素雰囲気下または不活性
気体雰囲気下における酸化物半導体層の加熱処理後に室温以上100℃未満まで徐冷を行
い、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
ことが好ましいが、一部結晶化してもよい。
述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金層等がある。
に持たせることが好ましい。Al単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点が
あるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。Alと組み合わせる耐熱性導電性材
料としては、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素、ま
たは上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金層、または上述
した元素を成分とする窒化物で形成する。
403、及びソース電極層またはドレイン電極層405a、405bを形成する(図1(
C)参照。)。なお、酸化物半導体層431は一部のみがエッチングされ、溝部(凹部)
を有する酸化物半導体層403となる。
少なくとも1nm以上の厚さとし、CVD法、スパッタリング法など、酸化物絶縁層40
7に水分、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。ここ
では、酸化物絶縁層407は、スパッタリング法を用いて形成する。脱水化または脱水素
化させた酸化物半導体層に接して形成する酸化物絶縁層407は、水分や、水素イオンや
、OH−などが少なく、水分や、OH−が外部から侵入することをブロックする無機絶縁
層を用い、具体的には酸化珪素層、酸化窒化珪素層の単層、または積層で形成すればよい
。
形成時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の形態では100℃と
する。酸化珪素層のスパッタリング法による形成は、希ガス(代表的にはアルゴン)、酸
素、あるいは希ガス(代表的にはアルゴン)と酸素を混合した雰囲気中で行うことができ
る。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットを用いても珪素ターゲットを用いてもよ
い。例えば珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタリング法により
酸化珪素を形成することができる。
VD法などにより酸化物絶縁層407を形成することで信頼性の高い薄膜トランジスタ4
70を作製することができる(図1(D)参照。)。
物半導体層に含まれるH2O、H、OHなどの不純物を低減した後、徐冷を行うことが好
ましい。また、徐冷させた後、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層の形成などを行うこ
とで、薄膜トランジスタ470の信頼性を向上することができる。
ランジスタ470に加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を行ってもよい。
例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。該加熱処理を行うと、酸化
物半導体層403が酸化物絶縁層407と接した状態で加熱されることになり、薄膜トラ
ンジスタ470の電気的特性のばらつきを軽減することができる。この加熱処理(好まし
くは150℃以上350℃未満)は、酸化物絶縁層407の形成後であれば特に限定され
ず、他の工程、例えば樹脂層形成時の加熱処理や、透明導電層を低抵抗化させるための加
熱処理と兼ねることで、工程数を増やすことなく行うことができる。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を図4及び図5を用いて説明する。実施の形態1と
同一部分または同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことが
でき、繰り返しの説明は省略する。
図5(A)の線D1−D2における断面図である。薄膜トランジスタ460はボトムゲー
ト型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板450上に、ゲート電
極層451、ゲート絶縁層452、ソース電極層またはドレイン電極層455a、455
b、及び酸化物半導体層453を含む。また、薄膜トランジスタ460を覆い、酸化物半
導体層453に接する酸化物絶縁層457が設けられている。酸化物半導体層453は、
In−Ga−Zn−O系非単結晶層を用いる。
層452が存在し、ゲート絶縁層452と絶縁表面を有する基板である基板450の間に
ゲート電極層451が設けられている。ゲート絶縁層452上にはソース電極層またはド
レイン電極層455a、455bが設けられている。そして、ゲート絶縁層452、及び
ソース電極層またはドレイン電極層455a、455b上に酸化物半導体層453が設け
られている。また、図示しないが、ゲート絶縁層452上にはソース電極層またはドレイ
ン電極層455a、455bに加えて配線層を有し、該配線層は酸化物半導体層453の
外周部より外側に延在している。
である水分、水素などを低減すると共に酸化する加熱処理(脱水化または脱水素化のため
の加熱処理)を行うことで薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。
脱離させる過程を経た後、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下で徐冷を行うことが好
ましい。脱水化または脱水素化のための加熱処理及び徐冷させた後、酸化物半導体層に接
して酸化物絶縁層の形成などを行うことで、薄膜トランジスタ460の信頼性を向上させ
ることができる。
5bとして、実施の形態1に示すソース電極層またはドレイン電極層405a、405b
と同様に形成することができる。
絶縁層を基板450とゲート電極層451の間に設けてもよい。下地層は、基板450か
らの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素層、酸化珪素層、窒化酸化珪素層
、または酸化窒化珪素層から選ばれた一または複数の層による積層構造により形成するこ
とができる。ゲート電極層451は、実施の形態1に示すゲート電極層401と同様に形
成することができる。
できる。
電極層またはドレイン電極層455a、455bに加工する(図4(A)参照。)。
極層またはドレイン電極層405a、450bと同様に形成することができる。
上に酸化物半導体層を形成し、フォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層48
3(第1の酸化物半導体層)に加工する(図4(B)参照。)。
と同様に形成する。
入してプラズマを発生させる逆スパッタリングを行い、ゲート絶縁層452の表面に付着
しているゴミを除去することが好ましい。
下または不活性気体雰囲気下で徐冷を行うことが好ましい。脱水化または脱水素化のため
の加熱処理としては、酸素雰囲気下において、200℃以上基板の歪み点未満、好ましく
は400℃以上700℃以下の加熱処理を行う。当該工程により、脱水化または脱水素化
された酸化物半導体層453(第2の酸化物半導体層)とすることができる(図4(C)
参照。)。
まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素原子を有する気体、窒素
、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以
上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好
ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
する前の酸化物半導体層に行うこともできる。その場合には、酸素雰囲気下における酸化
物半導体層の加熱処理後に室温以上100℃未満まで徐冷を行うことが好ましい。この後
、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
であることが好ましいが、一部結晶化してもよい。
絶縁層457を形成する。本実施の形態では、酸化物絶縁層457として厚さ300nm
の酸化珪素層を形成する。形成時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本
実施の形態では100℃とする。脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層453に接
してスパッタリング法により酸化珪素層である酸化物絶縁層457を形成する。半導体装
置の作製プロセス中、酸素雰囲気下での脱水処理または脱水素処理のための加熱処理、酸
素雰囲気下または不活性気体雰囲気下での徐冷、及び酸化物絶縁層の形成などによって、
信頼性の高い薄膜トランジスタ460を作製することができる(図4(D)参照。)。
において薄膜トランジスタ460に加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を
行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。酸化物半導
体層453が酸化物絶縁層457と接した状態で加熱されることになり、該加熱処理を行
うと薄膜トランジスタ460の電気的特性のばらつきを軽減することができる。この加熱
処理(好ましくは150℃以上350℃未満)は、酸化物絶縁層457の形成後であれば
特に限定されず、他の工程、例えば樹脂層形成時の加熱処理や、透明導電層を低抵抗化さ
せるための加熱処理と兼ねることで、工程数を増やすことなく行うことができる。
薄膜トランジスタを含む半導体装置の作製工程について、図6乃至図9を用いて説明する
。
適宜用いることができる。
レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極(ゲート
電極層101を含むゲート配線、容量配線108、及び第1の端子121)を形成する。
このとき少なくともゲート電極層101の端部にテーパーが形成されるようにエッチング
する。
実施の形態1に示すゲート電極層401に示す材料を適宜用いることができる。また、ゲ
ート電極層101を耐熱性導電性材料で形成する場合は、チタン(Ti)、タンタル(T
a)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)、
スカンジウム(Sc)から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述
した元素を組み合わせた合金層、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
02は、実施の形態1に示すゲート絶縁層402と同様に形成することができる。また、
ゲート絶縁層102の厚さを50〜250nmとする。
mの厚さで形成する。
を形成する。ゲート絶縁層102を形成後、大気に曝すことなくIn−Ga−Zn−O系
非単結晶層を形成することは、ゲート絶縁層と半導体層の界面にゴミや水分を付着させな
い点で有用である。ここでは、直径8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体
ターゲット(In−Ga−Zn−O系酸化物半導体ターゲット(In2O3:Ga2O3
:ZnO=1:1:1))を用いて、基板とターゲットの間との距離を170mm、圧力
0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素、アルゴン、またはアルゴン及び酸素の
混合雰囲気中で形成する。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、
厚さ分布も均一となるために好ましい。In−Ga−Zn−O系非単結晶層の厚さは、5
nm〜200nmとする。酸化物半導体層として、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体
ターゲットを用いてスパッタリング法により厚さ50nmのIn−Ga−Zn−O系非単
結晶層を形成する。
と、直流電源を用いるDCスパッタリング法があり、さらに直流電源を用いてパルス的に
バイアスを与えるパルスDCスパッタリング法もある。RFスパッタリング法は主に絶縁
層を形成する場合に用いられ、DCスパッタリング法は主に金属層を形成する場合に用い
られる。
パッタリング装置は、同一チャンバーで異なる層を積層形成することも、同一チャンバー
で複数種類の材料を同時に放電させて形成することもできる。
タリング装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるE
CRスパッタリング法を用いるスパッタリング装置がある。
ングガス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄層を形成するリアクティブスパッタリ
ング法や、形成中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
をエッチングする。例えば燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチングに
より、不要な部分を除去して酸化物半導体層133を形成する(図6(A)参照)。なお
、ここでのエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いても
よい。
ば塩素(Cl2)、塩化硼素(BCl3)、塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CC
l4)など)が好ましい。
6)、弗化窒素(NF3)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(HBr
)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
ing)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導
結合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
を用いることができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等
の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる
。
液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
導体層133に酸素雰囲気下において加熱処理を行った後、酸素雰囲気下または不活性気
体雰囲気下で徐冷を行うことが好ましい。
う。例えば、酸素雰囲気下で450℃、1時間の加熱処理を行った酸化物半導体層を酸化
物半導体層134と示す(図6(B)参照。)。
空蒸着法で形成する(図6(C)参照。)。
05a、405bと同様の材料を適宜用いることができる。
持たせることが好ましい。
り不要な部分を除去してソース電極層またはドレイン電極層105a、105b、及び第
2の端子122を形成する(図6(D)参照。)。この際のエッチング方法としてウェッ
トエッチングまたはドライエッチングを用いる。例えば導電層132としてアルミニウム
層、またはアルミニウム合金層を用いる場合は、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いた
ウェットエッチングを行うことができる。また、アンモニア過水(31重量%過酸化水素
水:28重量%アンモニア水:水=5:2:2)を用いたウェットエッチングにより、導
電層132をエッチングしてソース電極層またはドレイン電極層105a、105bを形
成してもよい。このエッチング工程において、酸化物半導体層134の露出領域も一部エ
ッチングされ、酸化物半導体層103となる。よってソース電極層またはドレイン電極層
105a、105bの間の酸化物半導体層103は厚さの薄い領域となる。図6(D)に
おいては、ソース電極層またはドレイン電極層105a、105b、酸化物半導体層10
3のエッチングをドライエッチングによって一度に行うため、ソース電極層またはドレイ
ン電極層105a、105b及び酸化物半導体層103の端部は一致し、連続的な構造と
なっている。
105a、105bと同じ材料である第2の端子122を端子部に残す。なお、第2の端
子122はソース配線(ソース電極層またはドレイン電極層105a、105bを含むソ
ース配線)と電気的に接続されている。
ストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため、工程簡略化、低
コスト化が図れる。
極層またはドレイン電極層105a、105bを覆う酸化物絶縁層107を形成する。酸
化物絶縁層107はPCVD法により形成する酸化窒化珪素層を用いる。酸化物絶縁層1
07形成時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の形態では100
℃とする。ソース電極層またはドレイン電極層105a、105bの間に設けられた酸化
物半導体層103の露出領域と酸化物絶縁層107である酸化窒化珪素層が接して設けら
れることによって、信頼性の高い薄膜トランジスタを作製することができる(図7(A)
参照。)。
雰囲気下または窒素雰囲気下において、150℃以上350℃未満で行えばよい。該加熱
処理を行うと、酸化物半導体層103が酸化物絶縁層107と接した状態で加熱されるこ
とになり、薄膜トランジスタの電気特性の向上および、電気特性のばらつきを軽減するこ
とができる。この加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)は、酸化物絶縁層1
07の形成後であれば特に限定されず、他の工程、例えば樹脂層形成時の加熱処理や、透
明導電層を低抵抗化させるための加熱処理と兼ねることで、工程数を増やすことなく行う
ことができる。
07及びゲート絶縁層102のエッチングによりソース電極層又はドレイン電極層105
bに達するコンタクトホール125を形成する。また、ここでのエッチングにより第2の
端子122に達するコンタクトホール127、第1の端子121に達するコンタクトホー
ル126も形成する。この段階での断面図を図7(B)に示す。
は、酸化インジウム(In2O3)や酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO
2、ITOと略記する)などをスパッタリング法や真空蒸着法などを用いて形成する。こ
のような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特にITOのエッチ
ングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化
亜鉛合金(In2O3―ZnO)を用いても良い。また、透明導電層を低抵抗化させるた
めの加熱処理を行う場合、薄膜トランジスタの電気特性の向上および、電気特性のばらつ
きを軽減する熱処理と兼ねることができる。
り不要な部分を除去して画素電極層110を形成する。
及び酸化物絶縁層107を誘電体として、容量配線108と画素電極層110とで保持容
量が形成される。
22をレジストマスクで覆い端子部に形成された透明導電層128、129を残す。透明
導電層128、129はFPCとの接続に用いられる電極または配線となる。第1の端子
121上に形成された透明導電層128は、ゲート配線の入力端子として機能する接続用
の端子電極となる。第2の端子122上に形成された透明導電層129は、ソース配線の
入力端子として機能する接続用の端子電極である。
段階での平面図が図8に相当する。
図をそれぞれ図示している。図9(A1)は図9(A2)中のE1−E2線に沿った断面
図に相当する。図9(A1)において、酸化物絶縁層154上に形成される透明導電層1
55は、入力端子として機能する接続用の端子電極である。また、図9(A1)において
、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される第1の端子151と、ソース配線と同
じ材料で形成される接続電極層153とがゲート絶縁層152を介して重なり、透明導電
層155で導通させている。なお、図7(C)に図示した透明導電層128と第1の端子
121とが接触している部分が、図9(A1)の透明導電層155と第1の端子151が
接触している部分に対応している。
るソース配線端子部の断面図及び平面図をそれぞれ図示している。また、図9(B1)は
図9(B2)中のF1−F2線に沿った断面図に相当する。図9(B1)において、酸化
物絶縁層154上に形成される透明導電層155は、入力端子として機能する接続用の端
子電極である。また、図9(B1)において、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成
される電極層156が、ソース配線と電気的に接続される第2の端子150の下方にゲー
ト絶縁層102を介して重なる。電極層156は第2の端子150とは電気的に接続して
おらず、電極層156を第2の端子150と異なる電位、例えばフローティング、GND
、0Vなどに設定すれば、ノイズ対策のための容量または静電気対策のための容量を形成
することができる。また、第2の端子150は、酸化物絶縁層154を介して透明導電層
155と電気的に接続している。
。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第1の端子、ソース配線と同電位の第
2の端子、容量配線と同電位の第3の端子などが複数並べられて配置される。それぞれの
端子の数は、それぞれ任意な数で設ければ良いものとし、実施者が適宣決定すれば良い。
ゲート型のスタガ構造の薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ170を有する画素薄
膜トランジスタ部、保持容量を完成させることができる。そして、これらを個々の画素に
対応してマトリクス状に配置して画素部を構成することによりアクティブマトリクス型の
表示装置を作製するための一方の基板とすることができる。本明細書では便宜上このよう
な基板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。
と、対向電極が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを固定する。なお、対向基板に設けられた対向電極と電気的に接続する共通電
極をアクティブマトリクス基板上に設け、共通電極と電気的に接続する第4の端子を端子
部に設ける。この第4の端子は、共通電極を固定電位、例えばGND、0Vなどに設定す
るための端子である。
ト絶縁層を介して重ねて保持容量を形成してもよい。
を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素
電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極
と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターン
として観察者に認識される。
は動画のぼけが生じるという問題がある。液晶表示装置の動画特性を改善するため、全面
黒表示を1フレームおきに行う、所謂、黒挿入と呼ばれる駆動技術がある。
る所謂、倍速駆動と呼ばれる駆動技術もある。
ダイオード)光源または複数のEL光源などを用いて面光源を構成し、面光源を構成して
いる各光源を独立して1フレーム期間内で間欠点灯駆動する駆動技術もある。面光源とし
て、3種類以上のLEDを用いてもよいし、白色発光のLEDを用いてもよい。独立して
複数のLEDを制御できるため、液晶層の光学変調の切り替えタイミングに合わせてLE
Dの発光タイミングを同期させることもできる。この駆動技術は、LEDを部分的に消灯
することができるため、特に一画面を占める黒い表示領域の割合が多い映像表示の場合に
は、消費電力の低減効果が図れる。
を従来よりも改善することができる。
おり、良好な動特性を有するため、これらの駆動技術を組み合わせることができる。
、低電源電位、例えばGND、0Vなどに設定するため、端子部に、カソードを低電源電
位、例えばGND、0Vなどに設定するための第4の端子が設けられる。また、発光表示
装置を作製する場合には、ソース配線、及びゲート配線に加えて電源供給線を設ける。従
って、端子部には、電源供給線と電気的に接続する第5の端子を設ける。
る場合がある。その場合には、有機樹脂層を加熱処理するため、薄膜トランジスタの電気
特性の向上および、電気特性のばらつきを軽減する熱処理と兼ねることができる。
とができる。特に、脱水化または脱水素化のための加熱処理によって、不純物である水分
などを低減して酸化物半導体層の純度を高めるため、形成チャンバー内の露点を下げた特
殊なスパッタリング装置や超高純度の酸化物半導体ターゲットを用いなくとも、電気特性
が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製することができる。
定化し、オフ電流の増加などを防止することができる。よって、電気特性が良好で信頼性
のよい薄膜トランジスタを有する半導体装置とすることが可能となる。
である。
本実施の形態では、実施の形態1と一部工程が異なる一例を示す。本実施の形態は、ソー
ス電極層またはドレイン電極層405a、405bの形成後に脱水化または脱水素化の加
熱処理を行う形態を図10に示す。なお、図1と同一の部分には同じ符号を用いて説明す
る。
縁層402、酸化物半導体層430を形成する(図10(A)参照。)。
し、酸化物半導体層430の一部エッチングして酸化物半導体層441を形成する(図1
0(B)参照。)。
bに対して酸素雰囲気下において加熱処理及び徐冷を行うことが好ましい。この加熱処理
によって酸化物半導体層441は脱水処理または脱水素処理が行われ、酸化物半導体層4
03が形成される(図10(C)参照。)。なお、ソース電極層またはドレイン電極層4
05a、405bの材料は、ここでの加熱処理に耐える材料、例えばタングステン、モリ
ブデンなどを用いることが好ましい。
タリング法またはPCVD法による酸化物絶縁層407を形成する。脱水化または脱水素
化させた酸化物半導体層403に接してスパッタリング法またはPCVD法により酸化物
絶縁層407を形成することで、薄膜トランジスタ470を作製することができる(図1
0(D)参照。)。
まれるH2O、H、OHなどの不純物を低減した後、徐冷を行うことが好ましい。また酸
化物半導体層に接する酸化物絶縁層の形成などを行って、薄膜トランジスタ470の信頼
性を向上することができる。
(好ましくは150℃以上350℃未満)を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下で25
0℃、1時間の加熱処理を行う。当該加熱処理を行うと、酸化物半導体層403が酸化物
絶縁層407と接した状態で加熱されることになり、薄膜トランジスタ470の電気的特
性のばらつきを軽減することができる。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を、図11を用いて説明する。実施の形態1と同一
部分または同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことができ
、繰り返しの説明は省略する。
チャネル領域に重なるように酸化物絶縁層407を介して導電層409を設ける例である
。
471はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板4
00上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、及びソー
ス電極層またはドレイン電極層405a、405b、酸化物絶縁層407、導電層409
を含む。導電層409は、ゲート電極層401と重なるように、酸化物絶縁層407上に
設けられている。
05bと同様な材料、方法を用いて形成することができる。画素電極層を設ける場合は、
画素電極層と同様な材料、方法を用いて形成してもよい。本実施の形態では、導電層40
9としてチタン層、アルミニウム層、及びチタン層の積層を用いる。
2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層409がフローティング
状態であってもよい。
スタの信頼性を調べるためのバイアス−熱ストレス試験(以下、BT試験という)におい
て、BT試験前後における薄膜トランジスタ471のしきい値電圧を制御することができ
る。特に、基板温度を150℃まで上昇させた後にゲートに印加する電圧を−20Vとす
る−BT試験においてしきい値電圧の変動を低減することができる。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を、図12を用いて説明する。実施の形態1と同一
部分または同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことができ
、繰り返しの説明は省略する。
チャネル領域に重なるように酸化物絶縁層407及び絶縁層410を介して導電層419
を設ける例である。
472はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板4
00上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース領
域またはドレイン領域404a、404b、ソース電極層またはドレイン電極層405a
、405b、酸化物絶縁層407、絶縁層410、及び導電層419を含む。導電層41
9は、ゲート電極層401と重なるように、酸化物絶縁層407及び絶縁層410上に設
けられている。
形成する。酸化物半導体層上にソース領域及びドレイン領域404a、404bを形成す
る。ソース領域及びドレイン領域404a、404bの形成前または形成後に、酸素雰囲
気下において加熱処理を行った後、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下において徐冷
を行うことが好ましい。
晶層またはZn系微結晶層であり、酸化物半導体層403の形成条件とは異なる形成条件
で形成され、より低抵抗な層である。また、本実施の形態では、ソース領域及びドレイン
領域404a、404bは、多結晶状態または微結晶状態であり、酸化物半導体層403
も多結晶状態または微結晶状態である。酸化物半導体層403は加熱処理によって結晶化
させて多結晶状態または微結晶状態とすることができる。
し、酸化物絶縁層407及び絶縁層410にソース電極層またはドレイン電極層405b
に達する開口を形成する。絶縁層410、酸化物絶縁層407及び絶縁層410に形成さ
れた開口に導電層を形成し、所望の形状にエッチングして導電層419及び画素電極層4
11を形成する。このように画素電極層411を形成する工程で、同様の材料及び方法を
用いて導電層419を形成することができる。本実施の形態では、画素電極層411、導
電層419として酸化珪素を含む酸化インジウム酸化スズ合金(酸化珪素を含むIn−S
n−O系酸化物)を用いる。
a、405bと同様な材料、方法を用いて形成してもよい。
い。導電層419は、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層
419がフローティング状態であってもよい。
スタのしきい値電圧を制御することができる。
本実施の形態では、チャネルストップ型の薄膜トランジスタ1430の一例について図1
3(A)、図13(B)及び図13(C)に説明する。また、図13(C)は薄膜トラン
ジスタの上面図の一例であり、図中Z1―Z2の鎖線で切断した断面図が図13(B)に
相当する。また、薄膜トランジスタ1430の酸化物半導体層にガリウムを含まない酸化
物半導体材料を用いる例を示す。
ト電極層1401を覆うゲート絶縁層1402上には、酸化物半導体層を形成する。
酸化物半導体を用いる。酸化物半導体層にガリウムを用いないことによって、価格の高い
ターゲットを用いずに済むためコストを低減できる。
水素化するため、酸素雰囲気下において加熱処理を行った後、酸素雰囲気下または不活性
気体雰囲気下で徐冷を行うことが好ましい。加熱処理は、200℃以上基板の歪み点未満
、好ましくは400℃以上700℃以下とする。酸化物半導体層は酸素雰囲気下における
加熱処理によって、酸化物半導体層1403を形成することができる(図13(A)参照
)。本実施の形態では酸化物半導体層1403は、微結晶状態または多結晶状態とする。
ル保護層1418を設けることによって、後のソース領域及びドレイン領域1406a、
1406b形成工程時におけるダメージ(エッチング時のプラズマやエッチング剤による
膜減りなど)を防ぐことができる。従って薄膜トランジスタ1430の信頼性を向上させ
ることができる。
8を形成することもできる。大気に触れさせることなく連続的に処理することで、界面が
、水分やハイドロカーボンなどの、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染される
ことなく各積層界面を形成することができるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低
減することができる。
たはPCVD法などにより酸化物絶縁層であるチャネル保護層1418を形成することで
、脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層1403をチャネル形成領域に有する薄膜
トランジスタを作製することができる。
酸化珪素など)を用いることができる。作製方法としては、プラズマCVD法や熱CVD
法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。チャネル保護層1418
は形成後にエッチングにより形状を加工して形成する。ここでは、スパッタリング法によ
り酸化珪素層を形成し、フォトリソグラフィによるマスクを用いてエッチング加工するこ
とでチャネル保護層1418を形成する。
ン領域1406a、1406bを形成する。本実施の形態では、ソース領域またはドレイ
ン領域1406a、1406bは、Zn−O系微結晶層またはZn−O系多結晶層であり
、酸化物半導体層1403の形成条件とは異なる形成条件で形成され、より低抵抗な酸化
物半導体層である。また、ソース領域またはドレイン領域1406a、1406bは、窒
素を含ませたAl−Zn−O系非単結晶層、即ちAl−Zn−O−N系非単結晶層(AZ
ON層とも呼ぶ)を用いてもよい。
にドレイン電極層1405bをそれぞれ形成して薄膜トランジスタ1430を作製する(
図13(B)参照)。ソース電極層1405a及びドレイン電極層1405bは、実施の
形態1に示すソース電極層405a及びドレイン電極層405bと同様に形成することが
できる。
ス電極層1405a及びドレイン電極層1405bとの間に設けることにより、金属層で
あるソース電極層1405a、ドレイン電極層1405bと、酸化物半導体層1403と
の間を良好な接合としてショットキー接合に比べて熱的にも安定動作を有せしめる。また
、ソース領域及びドレイン領域1406a、1406bの低抵抗化により、高いドレイン
電圧でも良好な移動度を保持することができる。
されず、例えば、ソース領域及びドレイン領域を設けない構造としてもよい。
ランジスタ1430に加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を行う。例えば
、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。該加熱処理を行うと、酸化物半導
体層1403がチャネル保護層1418と接した状態で加熱されることになり、薄膜トラ
ンジスタ1430の電気的特性のばらつきを軽減することができる。この加熱処理(好ま
しくは150℃以上350℃未満)は、チャネル保護層1418の形成後であれば特に限
定されず、他の工程、例えば樹脂層形成時の加熱処理や、透明導電層を低抵抗化させるた
めの加熱処理と兼ねることで、工程数を増やすことなく行うことができる。
である。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を、図14(A)及び図14(B)を用いて説明す
る。実施の形態7と同一部分または同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態7
と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。
体層1403のチャネル領域に重なるようにチャネル保護層1418及び絶縁層1407
を介して導電層1409を設ける例である。
ンジスタ1431はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板で
ある基板1400上に、ゲート電極層1401、ゲート絶縁層1402、酸化物半導体層
1403、ソース領域またはドレイン領域1406a、1406b、ソース電極層または
ドレイン電極層1405a、1405b、絶縁層1407、及び導電層1409を含む。
導電層1409は、ゲート電極層1401と重なるように、絶縁層1407上に設けられ
ている。
を形成する。酸化物半導体層上にソース領域及びドレイン領域1406a、1406bを
形成する。ソース領域及びドレイン領域1406a、1406bの形成前または形成後に
、酸素雰囲気下において脱水化または脱水素化のための加熱処理を行った後、酸素雰囲気
下または不活性気体雰囲気下において徐冷を行うことが好ましい。
領域1406a、1406bは、Zn−O系微結晶層またはZn−O系多結晶層であり、
酸化物半導体層1403の形成条件とは異なる形成条件で形成され、より低抵抗な酸化物
半導体層である。また、酸化物半導体層1403は非晶質状態である。
a、1405bと同様な材料、方法を用いて形成することができる。画素電極層を設ける
場合は、画素電極層と同様な材料、方法を用いて形成してもよい。本実施の形態では、導
電層1409としてチタン層、アルミニウム層、及びチタン層の積層を用いる。
、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層1409がフローテ
ィング状態であってもよい。
ンジスタの信頼性を調べるためのバイアス−熱ストレス試験(以下、BT試験という)に
おいて、BT試験前後における薄膜トランジスタ1431のしきい値電圧を制御すること
ができる。
は同様な機能を有する部分、及び工程は、図14(A)と同様に行うことができ、繰り返
しの説明は省略する。
体層1403のチャネル領域に重なるようにチャネル保護層1418、絶縁層1407及
び絶縁層1408を介して導電層1409を設ける例である。
を形成する。酸化物半導体層の形成後に、酸素雰囲気下において脱水化または脱水素化の
ための加熱処理を行った後、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下において徐冷を行う
ことが好ましい。
る。
03とソース電極層またはドレイン電極層1405a、1405bが直接接する構造とな
っている。
に設けることによって、薄膜トランジスタの信頼性を調べるためのBT試験において、B
T試験前後における薄膜トランジスタ1432のしきい値電圧を制御することができる。
である。
本実施の形態では、実施の形態1と構造が一部異なる例を図15に示す。実施の形態1と
同一部分または同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことが
でき、繰り返しの説明は省略する。
脱水化または脱水素化のための加熱処理を行った後、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲
気下で徐冷を行うことが好ましい。第1の酸化物半導体層を上記雰囲気下で加熱処理する
ことで、酸化物半導体層403に含まれる水素及び水分などの不純物を除去することがで
きる。
して用いる第2の酸化物半導体層を形成した後、導電層を形成する。
より選択的にエッチングし、酸化物半導体層403、及びソース領域またはドレイン領域
404a、404b、及びソース電極層またはドレイン電極層405a、405bを形成
する。なお、酸化物半導体層403は一部のみがエッチングされ、溝部(凹部)を有する
酸化物半導体層となる。
素層を酸化物絶縁層407として形成する。脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層
に接して形成する酸化物絶縁層407は、水分や、水素イオンや、OH−などが少なく、
水分や、OH−が外部から侵入することをブロックする無機絶縁層を用い、具体的には酸
化珪素層、または窒化酸化珪素層を用いる。さらに酸化物絶縁層407上に窒化珪素層を
積層してもよい。
VD法などにより酸化物絶縁層407を形成することで、脱水化または脱水素化させた酸
化物半導体層403をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタ473を作製すること
ができる(図15参照。)。
In−Ga−Zn−O系非単結晶層を用いる。また、ソース領域及びドレイン領域404
a、404bは、Al−Zn−O系非晶質層を用いることができる。また、ソース領域及
びドレイン領域404a、404bは、窒素を含ませたAl−Zn−O系非晶質層、即ち
Al−Zn−O−N系非晶質層を用いてもよい。
イン電極層との間にドレイン領域を有する。
て用いる第2の酸化物半導体層は、チャネル形成領域として用いる第1の酸化物半導体層
の厚さよりも薄く、且つ、より高い導電率(電気伝導度)を有するのが好ましい。
及びドレイン領域として用いる第2の酸化物半導体層は非晶質構造の中に結晶粒(ナノク
リスタル)を含む場合がある。このソース領域及びドレイン領域として用いる第2の酸化
物半導体層中の結晶粒(ナノクリスタル)は直径1nm〜10nm、代表的には2nm〜
4nm程度である。
ンジスタ473に加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を行ってもよい。例
えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。該加熱処理を行うと、酸化物
半導体層403が酸化物絶縁層407と接した状態で加熱されることになり、薄膜トラン
ジスタ473の電気的特性のばらつきを軽減することができる。
である。
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜ト
ランジスタを作製する例について以下に説明する。
。また、実施の形態1乃至実施の形態9に示す薄膜トランジスタはn型TFTであるため
、駆動回路のうち、n型TFTで構成することができる駆動回路の一部を画素部の薄膜ト
ランジスタと同一基板上に形成する。
基板5300上には、画素部5301、第1の走査線駆動回路5302、第2の走査線駆
動回路5303、信号線駆動回路5304を有する。画素部5301には、複数の信号線
が信号線駆動回路5304から延伸して配置され、複数の走査線が第1の走査線駆動回路
5302、及び第2の走査線駆動回路5303から延伸して配置されている。なお走査線
と信号線との交差領域には、各々、表示素子を有する画素がマトリクス状に配置されてい
る。また、表示装置の基板5300はFPC(Flexible Printed Ci
rcuit)等の接続部を介して、タイミング制御回路5305(コントローラ、制御I
Cともいう)に接続されている。
号線駆動回路5304は、画素部5301と同じ基板5300上に形成される。そのため
、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。ま
た、基板5300外部に駆動回路を設けた場合の配線を延伸させることによる接続部での
接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または歩留まりの向上を図ることができる。
て、第1の走査線駆動回路用スタート信号(GSP1)、第1の走査線駆動回路用クロッ
ク信号(GCLK1)を供給する。また、タイミング制御回路5305は、第2の走査線
駆動回路5303に対し、一例として、第2の走査線駆動回路用スタート信号(GSP2
)(スタートパルスともいう)、第2の走査線駆動回路用クロック信号(GCLK2)を
供給する。信号線駆動回路5304に、信号線駆動回路用スタート信号(SSP)、信号
線駆動回路用クロック信号(SCLK)、ビデオ信号用データ(DATA)(単にビデオ
信号ともいう)、ラッチ信号(LAT)を供給するものとする。なお各クロック信号は、
周期のずれた複数のクロック信号でもよいし、クロック信号を反転させた信号(CKB)
とともに供給されるものであってもよい。なお、第1の走査線駆動回路5302と第2の
走査線駆動回路5303との一方を省略することが可能である。
2の走査線駆動回路5303)を画素部5301と同じ基板5300に形成し、信号線駆
動回路5304を画素部5301とは別の基板に形成する構成について示している。当該
構成により、単結晶半導体を用いたトランジスタと比較すると電界効果移動度が小さい薄
膜トランジスタによって、基板5300に形成する駆動回路を構成することができる。し
たがって、表示装置の大型化、工程数の削減、コストの低減、または歩留まりの向上など
を図ることができる。
17(A)、図17(B)ではn型TFTで構成する信号線駆動回路の構成、動作につい
て一例を示し説明する。
スイッチング回路5602は、スイッチング回路5602_1〜5602_N(Nは自然
数)という複数の回路を有する。スイッチング回路5602_1〜5602_Nは、各々
、薄膜トランジスタ5603_1〜5603_k(kは自然数)という複数のトランジス
タを有する。薄膜トランジスタ5603_1〜5603_kが、n型TFTである例を説
明する。
。薄膜トランジスタ5603_1〜5603_kの第1端子は、各々、配線5604_1
〜5604_kと接続される。薄膜トランジスタ5603_1〜5603_kの第2端子
は、各々、信号線S1〜Skと接続される。薄膜トランジスタ5603_1〜5603_
kのゲートは、配線5605_1と接続される。
、高電源電位レベル、ともいう)の信号を出力し、スイッチング回路5602_1〜56
02_Nを順番に選択する機能を有する。
との導通状態(第1端子と第2端子との間の導通)を制御する機能、即ち配線5604_
1〜5604_kの電位を信号線S1〜Skに供給するか否かを制御する機能を有する。
このように、スイッチング回路5602_1は、セレクタとしての機能を有する。また薄
膜トランジスタ5603_1〜5603_kは、各々、配線5604_1〜5604_k
と信号線S1〜Skとの導通状態を制御する機能、即ち配線5604_1〜5604_k
の電位を信号線S1〜Skに供給する機能を有する。このように、薄膜トランジスタ56
03_1〜5603_kは、各々、スイッチとしての機能を有する。
入力される。ビデオ信号用データ(DATA)は、画像情報または画像信号に応じたアナ
ログ信号である場合が多い。
トを参照して説明する。図17(B)には、信号Sout_1〜Sout_N、及び信号
Vdata_1〜Vdata_kの一例を示す。信号Sout_1〜Sout_Nは、各
々、シフトレジスタ5601の出力信号の一例であり、信号Vdata_1〜Vdata
_kは、各々、配線5604_1〜5604_kに入力される信号の一例である。なお、
信号線駆動回路の1動作期間は、表示装置における1ゲート選択期間に対応する。1ゲー
ト選択期間は、一例として、期間T1〜期間TNに分割される。期間T1〜TNは、各々
、選択された行に属する画素にビデオ信号用データ(DATA)を書き込むための期間で
ある。
めに誇張して表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されないも
のであることを付記する。
5_1〜5605_Nに順番に出力する。例えば、期間T1において、シフトレジスタ5
601は、ハイレベルの信号を配線5605_1に出力する。すると、薄膜トランジスタ
5603_1〜5603_kはオンになるので、配線5604_1〜5604_kと、信
号線S1〜Skとが導通状態になる。このとき、配線5604_1〜5604_kには、
Data(S1)〜Data(Sk)が入力される。Data(S1)〜Data(Sk
)は、各々、薄膜トランジスタ5603_1〜5603_kを介して、選択される行に属
する画素のうち、1列目〜k列目の画素に書き込まれる。こうして、期間T1〜TNにお
いて、選択された行に属する画素に、k列ずつ順番にビデオ信号用データ(DATA)が
書き込まれる。
によって、ビデオ信号用データ(DATA)の数、または配線の数を減らすことができる
。よって、外部回路との接続数を減らすことができる。また、ビデオ信号が複数の列ずつ
画素に書き込まれることによって、書き込み時間を長くすることができ、ビデオ信号の書
き込み不足を防止することができる。
至実施の形態9に示す薄膜トランジスタで構成される回路を用いることが可能である。こ
の場合、シフトレジスタ5601が有する全てのトランジスタの極性をn型、またはp型
のいずれかの極性のみで構成することができる。
いて図18及び図19を用いて説明する。
ッファ等を有していても良い。走査線駆動回路において、シフトレジスタにクロック信号
(CLK)及びスタートパルス信号(SP)が入力されることによって、選択信号が生成
される。生成された選択信号はバッファにおいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給さ
れる。走査線には、1ライン分の画素のトランジスタのゲート電極が接続されている。そ
して、1ライン分の画素のトランジスタを一斉にONにしなくてはならないので、バッフ
ァは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
Nは3以上の自然数)を有している(図18(A)参照)。図18(A)に示すシフトレ
ジスタの第1のパルス出力回路10_1乃至第Nのパルス出力回路10_Nには、第1の
配線11より第1のクロック信号CK1、第2の配線12より第2のクロック信号CK2
、第3の配線13より第3のクロック信号CK3、第4の配線14より第4のクロック信
号CK4が供給される。また第1のパルス出力回路10_1では、第5の配線15からの
スタートパルスSP1(第1のスタートパルス)が入力される。また2段目以降の第nの
パルス出力回路10_n(nは、2以上、N以下の自然数)では、一段前段のパルス出力
回路からの信号(前段信号OUT(n−1)という)(nは2以上N以下の自然数)が入
力される。また第1のパルス出力回路10_1では、2段後段の第3のパルス出力回路1
0_3からの信号、また、2段目以降の第nのパルス出力回路10_nでは、2段後段の
第(n+2)のパルス出力回路10_n+2からの信号(後段信号OUT(n+2)とい
う)が入力される。また各段のパルス出力回路からは、前段及び/または後段のパルス出
力回路に入力するための第1の出力信号(OUT(1)(SR)〜OUT(N)(SR)
)、別の配線等に電気的に接続される第2の出力信号(OUT(1)〜OUT(N))が
出力される。なお、図18(A)に示すように、シフトレジスタの最終段の2つの段には
、後段信号OUT(n+2)が入力されないため、一例としては、別途第2のスタートパ
ルスSP2、第3のスタートパルスSP3をそれぞれ入力する構成とすればよい。
レベル、ともいう)を繰り返す信号である。ここで、第1のクロック信号(CK1)〜第
4のクロック信号(CK4)は、順に1/4周期分遅延している。本実施の形態では、第
1のクロック信号(CK1)〜第4のクロック信号(CK4)を利用して、パルス出力回
路の駆動の制御等を行う。なお、クロック信号は、入力される駆動回路に応じて、GCK
、SCKということもあるが、ここではCKとして説明を行う。
子21、第2の入力端子22、第3の入力端子23、第4の入力端子24、第5の入力端
子25、第1の出力端子26、第2の出力端子27を有しているとする(図18(B)参
照)。第1の入力端子21、第2の入力端子22及び第3の入力端子23は、第1の配線
11〜第4の配線14のいずれかと電気的に接続されている。例えば、図18(A)にお
いて、第1のパルス出力回路10_1は、第1の入力端子21が第1の配線11と電気的
に接続され、第2の入力端子22が第2の配線12と電気的に接続され、第3の入力端子
23が第3の配線13と電気的に接続されている。また、第2のパルス出力回路10_2
は、第1の入力端子21が第2の配線12と電気的に接続され、第2の入力端子22が第
3の配線13と電気的に接続され、第3の入力端子23が第4の配線14と電気的に接続
されている。
1が入力され、第2の入力端子22に第2のクロック信号CK2が入力され、第3の入力
端子23に第3のクロック信号CK3が入力され、第4の入力端子24に第1のスタート
パルスSP1が入力され、第5の入力端子25に後段信号OUT(3)が入力され、第1
の出力端子26より第1の出力信号OUT(1)(SR)が出力され、第2の出力端子2
7より第2の出力信号OUT(1)が出力されていることとなる。
ランジスタ(TFT)の他に、上記実施の形態で説明した4端子の薄膜トランジスタを用
いることができる。なお、本明細書において、薄膜トランジスタが半導体層を介して二つ
のゲート電極を有する場合、半導体層より下方のゲート電極を下方のゲート電極、半導体
層に対して上方のゲート電極を上方のゲート電極とも呼ぶ。
工程により、しきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。その
ため、チャネル形成領域を含む半導体層に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタでは、
しきい値電圧の制御を行うことのできる構成が好適である。4端子の薄膜トランジスタの
しきい値電圧は、上方及び/または下方のゲート電極の電位を制御することにより所望の
値に制御することができる。
(C)で説明する。
タ43を有している。また、第1の高電源電位VDDが供給される電源線51、第2の高
電源電位VCCが供給される電源線52、低電源電位VSSが供給される電源線53から
、第1のトランジスタ31〜第13のトランジスタ43に信号、または電源電位が供給さ
れる。ここで、図18(C)における各電源線の電源電位の大小関係は、第1の電源電位
VDDは第2の電源電位VCC以上の電位とし、第2の電源電位VCCは第3の電源電位
VSSより大きい電位とする。なお、第1のクロック信号(CK1)〜第4のクロック信
号(CK4)は、一定の間隔でHレベルとLレベルを繰り返す信号であるが、Hレベルの
ときVDD、LレベルのときVSSであるとする。なお電源線51の電位VDDを、電源
線52の電位VCCより高くすることにより、動作に影響を与えることなく、トランジス
タのゲート電極に印加される電位を低く抑えることができ、トランジスタのしきい値のシ
フトを低減し、劣化を抑制することができる。なお、第1のトランジスタ31〜第13の
トランジスタ43のうち、第1のトランジスタ31、第6のトランジスタ36乃至第9の
トランジスタ39には、4端子の薄膜トランジスタを用いることが好ましい。第1のトラ
ンジスタ31、第6のトランジスタ36乃至第9のトランジスタ39の動作は、ソースま
たはドレインとなる電極の一方が接続されたノードの電位を、ゲート電極の制御信号によ
って切り替えることが求められるトランジスタであり、ゲート電極に入力される制御信号
に対する応答が速い(オン電流の立ち上がりが急峻)ことでよりパルス出力回路の誤動作
を低減することができるトランジスタである。そのため、4端子の薄膜トランジスタを用
いることによりしきい値電圧を制御することができ、誤動作がより低減できるパルス出力
回路とすることができる。
続され、第2端子が第9のトランジスタ39の第1端子に電気的に接続され、ゲート電極
(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が第4の入力端子24に電気的に接続されて
いる。第2のトランジスタ32は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子
が第9のトランジスタ39の第1端子に電気的に接続され、ゲート電極が第4のトランジ
スタ34のゲート電極に電気的に接続されている。第3のトランジスタ33は、第1端子
が第1の入力端子21に電気的に接続され、第2端子が第1の出力端子26に電気的に接
続されている。第4のトランジスタ34は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、
第2端子が第1の出力端子26に電気的に接続されている。第5のトランジスタ35は、
第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2のトランジスタ32のゲート
電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極が第4の
入力端子24に電気的に接続されている。第6のトランジスタ36は、第1端子が電源線
52に電気的に接続され、第2端子が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のト
ランジスタ34のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上
方のゲート電極)が第5の入力端子25に電気的に接続されている。第7のトランジスタ
37は、第1端子が電源線52に電気的に接続され、第2端子が第8のトランジスタ38
の第2端子に電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)
が第3の入力端子23に電気的に接続されている。第8のトランジスタ38は、第1端子
が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気
的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が第2の入力端子
22に電気的に接続されている。第9のトランジスタ39は、第1端子が第1のトランジ
スタ31の第2端子及び第2のトランジスタ32の第2端子に電気的に接続され、第2端
子が第3のトランジスタ33のゲート電極及び第10のトランジスタ40のゲート電極に
電気的に接続され、ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)が電源線52
に電気的に接続されている。第10のトランジスタ40は、第1端子が第1の入力端子2
1に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電気的に接続され、ゲート電極
が第9のトランジスタ39の第2端子に電気的に接続されている。第11のトランジスタ
41は、第1端子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電
気的に接続され、ゲート電極が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジ
スタ34のゲート電極に電気的に接続されている。第12のトランジスタ42は、第1端
子が電源線53に電気的に接続され、第2端子が第2の出力端子27に電気的に接続され
、ゲート電極が第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲー
ト電極)に電気的に接続されている。第13のトランジスタ43は、第1端子が電源線5
3に電気的に接続され、第2端子が第1の出力端子26に電気的に接続され、ゲート電極
が第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に電
気的に接続されている。
0のゲート電極、及び第9のトランジスタ39の第2端子の接続箇所をノードAとする。
また、第2のトランジスタ32のゲート電極、第4のトランジスタ34のゲート電極、第
5のトランジスタ35の第2端子、第6のトランジスタ36の第2端子、第8のトランジ
スタ38の第1端子、及び第11のトランジスタ41のゲート電極の接続箇所をノードB
とする。
1に適用した場合に、第1の入力端子21乃至第5の入力端子25と第1の出力端子26
及び第2の出力端子27に入力または出力される信号を示している。
子22に第2のクロック信号CK2が入力され、第3の入力端子23に第3のクロック信
号CK3が入力され、第4の入力端子24にスタートパルスが入力され、第5の入力端子
25に後段信号OUT(3)が入力され、第1の出力端子26より第1の出力信号OUT
(1)(SR)が出力され、第2の出力端子27より第2の出力信号OUT(1)が出力
される。
端子を有する素子である。また、ゲートと重版した領域にチャネル領域が形成される半導
体を有しており、ゲートの電位を制御することで、チャネル領域を介してドレインとソー
スの間に流れる電流を制御することが出来る。ここで、ソースとドレインとは、薄膜トラ
ンジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインである
かを限定することが困難である。そこで、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソ
ースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第1
端子、第2端子と表記する場合がある。
ストラップ動作を行うための、容量素子を別途設けても良い。またノードBの電位を保持
するため、一方の電極をノードBに電気的に接続した容量素子を別途設けてもよい。
グチャートについて図19(B)に示す。なおシフトレジスタが走査線駆動回路である場
合、図19(B)中の期間61は垂直帰線期間であり、期間62はゲート選択期間に相当
する。
ランジスタ39を設けておくことにより、ブートストラップ動作の前後において、以下の
ような利点がある。
ストラップ動作によりノードAの電位が上昇すると、第1のトランジスタ31の第2端子
であるソースの電位が上昇していき、第1の電源電位VDDより大きくなる。そして、第
1のトランジスタ31のソースが第1端子側、即ち電源線51側に切り替わる。そのため
、第1のトランジスタ31においては、ゲートとソースの間、ゲートとドレインの間とも
に、大きなバイアス電圧が印加されるために大きなストレスがかかり、トランジスタの劣
化の要因となりうる。そこで、ゲート電極に第2の電源電位VCCが印加される第9のト
ランジスタ39を設けておくことにより、ブートストラップ動作によりノードAの電位は
上昇するものの、第1のトランジスタ31の第2端子の電位の上昇を生じないようにする
ことができる。つまり、第9のトランジスタ39を設けることにより、第1のトランジス
タ31のゲートとソースの間に印加される負のバイアス電圧の値を小さくすることができ
る。よって、本実施の形態の回路構成とすることにより、第1のトランジスタ31のゲー
トとソースの間に印加される負のバイアス電圧も小さくできるため、ストレスによる第1
のトランジスタ31の劣化を抑制することができる。
端子と第3のトランジスタ33のゲートとの間に第1端子と第2端子を介して接続される
ように設ける構成であればよい。なお、本実施形態でのパルス出力回路を複数具備するシ
フトレジスタの場合、走査線駆動回路より段数の多い信号線駆動回路では、第9のトラン
ジスタ39を省略してもよく、トランジスタ数を削減する利点がある。
導体を用いることにより、薄膜トランジスタのオフ電流を低減すると共に、オン電流及び
電界効果移動度を高めることが出来ると共に、劣化の度合いを低減することが出来るため
、回路内の誤動作を低減することができる。また酸化物半導体を用いたトランジスタは、
アモルファスシリコンを用いたトランジスタに比べ、ゲート電極に高電位が印加されるこ
とによるトランジスタの劣化の程度が小さい。そのため、第2の電源電位VCCを供給す
る電源線に、第1の電源電位VDDを供給しても同様の動作が得られ、且つ回路間を引き
回す電源線の数を低減することができるため、回路の小型化を図ることが出来る。
に第3の入力端子23によって供給されるクロック信号、第8のトランジスタ38のゲー
ト電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第2の入力端子22によって供給さ
れるクロック信号は、第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方
のゲート電極)に第2の入力端子22によって供給されるクロック信号、第8のトランジ
スタ38ゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第3の入力端子23に
よって供給されるクロック信号となるように、結線関係を入れ替えても同様の作用を奏す
る。なお、図19(A)に示すシフトレジスタにおいて、第7のトランジスタ37及び第
8のトランジスタ38が共にオンの状態から、第7のトランジスタ37がオフ、第8のト
ランジスタ38がオンの状態、次いで第7のトランジスタ37がオフ、第8のトランジス
タ38がオフの状態とすることによって、第2の入力端子22及び第3の入力端子23の
電位が低下することで生じる、ノードBの電位の低下が第7のトランジスタ37のゲート
電極の電位の低下、及び第8のトランジスタ38のゲート電極の電位の低下に起因して2
回生じることとなる。一方、図19(A)に示すシフトレジスタを図19(B)のように
、第7のトランジスタ37及び第8のトランジスタ38が共にオンの状態から、第7のト
ランジスタ37がオン、第8のトランジスタ38がオフの状態、次いで、第7のトランジ
スタ37がオフ、第8のトランジスタ38がオフの状態とすることによって、第2の入力
端子22及び第3の入力端子23の電位が低下することで生じるノードBの電位の低下を
、第8のトランジスタ38のゲート電極の電位の低下による一回に低減することができる
。そのため、第7のトランジスタ37のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート
電極)に第3の入力端子23によって供給されるクロック信号、第8のトランジスタ38
のゲート電極(下方のゲート電極及び上方のゲート電極)に第2の入力端子22によって
供給されるクロック信号とすることによって、ノードBの電位の変動を小さくすることで
、ノイズを低減することが出来るため好適である。
間に、ノードBに定期的にHレベルの信号が供給される構成とすることにより、パルス出
力回路の誤動作を抑制することができる。
である。
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、薄膜ト
ランジスタを使用した駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、
システムオンパネルを形成することができる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する
過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は
、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的に
は、表示素子の画素電極(画素電極層ともいう)のみが形成された状態であっても良いし
、画素電極となる導電層を形成した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の
状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
説明する。図20(A1)(A2)は、第1の基板4001上に形成された実施の形態3
で示した酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ4010、4011、及び
液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によって封止した、
パネルの平面図であり、図20(B)は、図20(A1)(A2)のM−Nにおける断面
図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体層または多結晶半導体層で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図20(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図20(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図20(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011上には保護絶縁層4020、4
021が設けられている。
頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。また実施の形態1または実施の形
態2に示す薄膜トランジスタを適用してもよい。本実施の形態において、薄膜トランジス
タ4010、4011はn型薄膜トランジスタである。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。
であり、画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御
するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層
4031は、薄膜トランジスタ4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に
接続される。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電
極層4031と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシー
ル材4005に含有させる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層4008に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1ミリ秒以
下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
できる。
フィルター)、表示素子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内
側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光
板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリ
クスとして機能する遮光層を設けてもよい。
。保護絶縁層4020は、水分や、水素イオンや、OH−などの不純物を含まず、これら
が外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒化アルミニウ
ム膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。勿論、保護絶縁層402
0は透光性を有する絶縁膜である。ここでは、保護絶縁層4020として、PCVD法に
より窒化珪素膜を形成する。
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)
、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いる
ことができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層
4021を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
OG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷等)等の方法、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテン
コーター、ナイフコーター等のツール(設備)を用いることができる。絶縁層4021の
焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく半導体装置を作製することが可能
となる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率
が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
ら形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4011のソース電極層及びドレイ
ン電極層と同じ導電層で形成されている。
て電気的に接続されている。
装している例を示しているがこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実
装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して
実装しても良い。
導体装置として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
る。
である。
半導体装置として電子ペーパーの例を示す。
読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利
点を有している。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を
含む)とする。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。なお、電気泳動ディスプレイは
、液晶表示装置には必要な偏光板は必要ない。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態1乃至実施の形態
9の薄膜トランジスタによって得られるアクティブマトリクス基板を用いることができる
。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形態1で示す薄膜トランジス
タと同様に作製でき、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また
、実施の形態2乃至実施の形態9で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ5
81として適用することもできる。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
タであり、半導体層と接する絶縁層583に覆われている。薄膜トランジスタ581のソ
ース電極層またはドレイン電極層によって第1の電極層587と、絶縁層583及び絶縁
層585に形成する開口で接しており電気的に接続している。第1の電極層587と基板
596上に形成された第2の電極層588との間には、黒色領域590a及び白色領域5
90bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ594を含む球形粒子589が設
けられており、球形粒子589の周囲は樹脂等の充填材595で充填されている。第1の
電極層587が画素電極に相当し、第2の電極層588が共通電極に相当する。第2の電
極層588は、薄膜トランジスタ581と同一基板580上に設けられる共通電位線と電
気的に接続される。共通接続部を用いて基板580と基板596の間に配置される導電性
粒子を介して第2の電極層588と共通電位線とを電気的に接続することができる。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm〜20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表示装置、または表示装置を具
備する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこ
とが可能となる。
。
である。
半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素子としては、ここで
はエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセン
スを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって
区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
す図である。
は酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるn型のトランジスタを1つの画素に2つ用
いる例を示す。
402、発光素子6404及び容量素子6403を有している。スイッチング用トランジ
スタ6401はゲートが走査線6406に接続され、第1電極(ソース電極及びドレイン
電極の一方)が信号線6405に接続され、第2電極(ソース電極及びドレイン電極の他
方)が発光素子駆動用トランジスタ6402のゲートに接続されている。発光素子駆動用
トランジスタ6402は、ゲートが容量素子6403を介して電源線6407に接続され
、第1電極が電源線6407に接続され、第2電極が発光素子6404の第1電極(画素
電極)に接続されている。発光素子6404の第2電極は共通電極6408に相当する。
共通電極6408は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
る。なお、低電源電位とは、電源線6407に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位<高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばGND、0Vなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子6404に印加
して、発光素子6404に電流を流して発光素子6404を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子6404の順方向しきい値電圧以上となるようにそれ
ぞれの電位を設定する。
省略することも可能である。発光素子駆動用トランジスタ6402のゲート容量について
は、チャネル領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
トには、発光素子駆動用トランジスタ6402が十分にオンするか、オフするかの二つの
状態となるようなビデオ信号を入力する。つまり、発光素子駆動用トランジスタ6402
は線形領域で動作させる。発光素子駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させる
ため、電源線6407の電圧よりも高い電圧を発光素子駆動用トランジスタ6402のゲ
ートにかける。なお、信号線6405には、(電源線電圧+発光素子駆動用トランジスタ
6402のVth)以上の電圧をかける。
らせることで、図23と同じ画素構成を用いることができる。
6404の順方向電圧+発光素子駆動用トランジスタ6402のVth以上の電圧をかけ
る。発光素子6404の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少
なくとも順方向しきい値電圧を含む。なお、発光素子駆動用トランジスタ6402が飽和
領域で動作するようなビデオ信号を入力することで、発光素子6404に電流を流すこと
ができる。発光素子駆動用トランジスタ6402を飽和領域で動作させるため、電源線6
407の電位は、発光素子駆動用トランジスタ6402のゲート電位よりも高くする。ビ
デオ信号をアナログとすることで、発光素子6404にビデオ信号に応じた電流を流し、
アナログ階調駆動を行うことができる。
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
FTがn型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図24(A)(B)
(C)の半導体装置に用いられる発光素子駆動用TFTであるTFT7001、7011
、7021は、実施の形態1で示す画素に配置される薄膜トランジスタと同様に作製でき
、酸化物半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2乃至
実施の形態9で示す画素に配置される薄膜トランジスタをTFT7001、7011、7
021として適用することもできる。
そして、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を
取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反
対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出構造の
発光素子にも適用することができる。
2から発せられる光が陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図24(A
)では、発光素子7002の陰極7003と発光素子駆動用TFTであるTFT7001
が電気的に接続されており、陰極7003上に発光層7004、陽極7005が順に積層
されている。陰極7003は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導電層であれば様
々の材料を用いることができる。例えば、Ca、Al、MgAg、AlLi等が望ましい
。そして発光層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように
構成されていてもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電
子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれ
らの層を全て設ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料
を用いて形成し、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを
含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性導電層を用いて
も良い。
、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて
形成する。隔壁7009は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7009の側面が連続し
た曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7009と
して感光性の樹脂材料を用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することがで
きる。
相当する。図24(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
TFT7011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出す
る場合の、画素の断面図を示す。図24(B)では、発光素子駆動用TFT7011と電
気的に接続された透光性を有する導電層7017上に、発光素子7012の陰極7013
が形成されており、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されてい
る。なお、陽極7015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮
蔽するための遮蔽層7016が形成されていてもよい。陰極7013は、図24(A)の
場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。
ただしその厚さは、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例
えば20nmの厚さを有するアルミニウム層を、陰極7013として用いることができる
。そして発光層7014は、図24(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数
の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する
必要はないが、図24(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成すること
ができる。そして遮蔽層7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが
、金属層に限定されない。例えば黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもできる。
ル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用い
て形成する。隔壁7019は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7019の側面が連続
した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7019
として感光性の樹脂材料を用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することが
できる。
に相当する。図24(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、発光素子駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電層702
7上に、発光素子7022の陰極7023が形成されており、陰極7023上に発光層7
024、陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図24(A)の場合と同
様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしそ
の厚さは、光を透過する程度とする。例えば20nmの厚さを有するアルミニウム膜を、
陰極7023として用いることができる。そして発光層7024は、図24(A)と同様
に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちら
でも良い。陽極7025は、図24(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性
材料を用いて形成することができる。
ル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用い
て形成する。隔壁7029は、特に感光性の樹脂材料を用い、隔壁7029の側面が連続
した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁7029
として感光性の樹脂材料を用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略することが
できる。
22に相当する。図24(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
が電気的に接続されている例を示したが、発光素子駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
断面について、図25を用いて説明する。図25(A)は、第1の基板上に形成された薄
膜トランジスタ及び発光素子を、第2の基板との間にシール材によって封止した、パネル
の平面図であり、図25(B)は、図25(A)のH−Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図25(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。また実施の形態1または実施の形
態2に示す薄膜トランジスタを適用してもよい。本実施の形態において、薄膜トランジス
タ4509、4510はn型薄膜トランジスタである。
。保護絶縁層4543は、水分や、水素イオンや、OH−などの不純物を含まず、これら
が外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒化アルミニウ
ム膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。勿論、保護絶縁層454
3は透光性を有する絶縁膜である。ここでは、保護絶縁層4543として、PCVD法に
より窒化珪素膜を形成する。
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)
、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いる
ことができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層
4544を形成してもよい。ここでは、絶縁層4544としてアクリルを用いる。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、第1の電極層4517、電界発光層
4512、第2の電極層4513の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光
素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構成は適宜変え
ることができる。
特に感光性の材料を用い、第1の電極層4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
3及び隔壁4520上に酸化物絶縁層を形成してもよい。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
から形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509が有するソース電極層及
びドレイン電極層と同じ導電層から形成されている。
して電気的に接続されている。
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用い
ればよい。
、位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板または円偏光板に反射防止層を設けてもよい。例えば、表面の凹凸に
より反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体層または多結晶半導体層によって形成された駆動
回路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、または走査線駆
動回路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図25の構成に限定されな
い。
することができる。
である。
本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペー
パーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である
。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り
物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる
。電子機器の一例を図26に示す。
701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体27
03は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行
うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる
。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図26では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図26では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側
面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケ
ーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成と
してもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレーム9700
の記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して
画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができ
る。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
28(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細
書に開示する半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構
成とすることができる。図28(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線
通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図28(A)に示す携帯型遊技機が有
する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する半導体装置を備えた構成であればよく
、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
するヒンジユニットを閉状態として表示部9303を有する上部筐体9301と、キーボ
ード9304を有する下部筐体9302とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶこと
が便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態
として、表示部9303を見て入力操作を行うことができる。
イス9306を有する。また、表示部9303をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一
部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体9302はCPUやハー
ドディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体9302は他の機器、例えばU
SBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート9305を有して
いる。
07を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部93
07の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部9307をタッチ入力
パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
は無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。
放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体9301と下部筐
体9302とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部9307をスライド
させて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる
。この場合には、ヒンジユニットを開状態として表示部9303を表示させず、さらにテ
レビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることがで
き、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。
話の一例を示す斜視図である。
体を腕に装着するためのバンド部9204、腕に対するバンド部の固定状態を調節する調
節部9205、表示部9201、スピーカ9207、及びマイク9208から構成されて
いる。
チや、撮像開始指示スイッチの他、例えば押すとインタネット用のプログラムが起動され
るスイッチなど、操作スイッチ9203を用いて各ファンクションを対応づけることがで
きる。
作スイッチ9203の操作、またはマイク9208への音声入力により行われる。なお、
図29(B)では、表示部9201に表示された表示ボタン9202を図示しており、指
などで触れることにより入力を行うことができる。
段を有するカメラ部9206を有する。なお、特にカメラ部は設けなくともよい。
レビ放送を受信して映像を表示部9201に表示することができ、さらにメモリなどの記
憶装置などを備えた構成として、テレビ放送をメモリに録画できる。また、図29(B)
に示す携帯電話は、GPSなどの位置情報を収集できる機能を有していてもよい。
ネルなどの映像表示装置を用いる。図29(B)に示す携帯電話は、小型、且つ、軽量で
あるため、バッテリー容量の限られており、表示部9201に用いる表示装置は低消費電
力で駆動できるパネルを用いることが好ましい。
ず、携行できる形状を有しているものであればよい。
た。ここでは、計算用のソフトウェアとしては、アクセルリス株式会社製のCASTEP
を用い、計算条件は、NVTアンサンブル、時間を0.5ピコ秒、温度を350℃とした
。計算手法は平面波基底擬ポテンシャル法を用いた密度汎関数法である。汎関数はGGA
PBEを用いた。
2個のZn原子、及び46個のO原子からなるアモルファス構造とした。計算に用いた基
本格子は1.02nm×1.02nm×2.06nmの直方体である。境界は周期境界条
件を用いている。以下では上記表面モデルに酸素分子を付加したモデルを用いている。
30(A)に示し、0.5ピコ秒後の両者の位置を図30(B)に示す。図30(B)に
おいて、酸素分子が酸化物半導体層表面の金属に吸着されている。0.5ピコ秒内では、
酸素分子の共有結合が失われる状態に至らなかった。
熱力学的に安定である。また、酸化物半導体層の密度の測定値から作製した構造モデルは
、酸素分子が共有結合を保ったまま拡散するには酸化物半導体層内部のスペースは狭すぎ
ることを示している。従って、酸素原子は熱力学的平衡に達した際には酸化物半導体層内
部に拡散する。
熱処理に伴う酸素の拡散現象について計算した。結果を、図31及び図32を用いて説明
する。ここでは、計算用のソフトウェアとしては、富士通株式会社製のMaterial
s Explorer5.0を用いた。
1を、酸素密度の低い層703及び酸素密度の高い層705が積層される構造とした。
個のZn原子、及び54個のO原子からなるアモルファス構造とした。
Zn原子、及び66個のO原子からなるアモルファス構造とした。
典MD(分子動力学)計算を行った。時間刻み幅を0.2フェムト秒とし、総計算時間を
200ピコ秒と設定した。また、ポテンシャルは、金属−酸素結合、及び酸素−酸素結合
のポテンシャルにBorn−Mayer−Huggins型のポテンシャルを適用した。
また、酸化物半導体層701の上端及び下端の原子の動きを固定した。
703であり、z軸座標の1.15nmから2.3nmが酸素密度の高い層705である
。MD計算前の酸素の密度分布を実線707で示し、MD計算後の酸素密度の分布を破線
709で示す。
、酸素密度の高い層705において、酸素の密度が高い。一方、破線709においては、
酸素密度の低い層703及び酸素密度の高い層705において、酸素密度が均質であるこ
とが分かる。
、酸素密度の分布に偏りが有る場合、加熱処理により酸素密度が高い方から低い方へ拡散
し、酸素密度が均質になることが分かる。
1の表面に酸素713が移動する(図33(A)参照)。なお、図33(A)では、酸化
物半導体層711として、金属(Me)と酸素(O)が結合している形態を示す。次に、
酸素713は、酸化物半導体層711の表面に吸着する。図33(B)に、酸素が酸化物
半導体の金属(Me)に吸着した酸化物半導体層715を示す。こののち、吸着した酸素
は、酸化物半導体層に含まれる金属イオン(Me)とイオン結合を生じ、酸素原子の状態
で酸化物半導体層内部に拡散することが分かる(図33(C)参照。)
することで、酸化物半導体層403及び酸化物絶縁層407の界面において酸素密度が高
まるため、当該酸素が酸化物半導体層403の酸素密度の低い方へ拡散し、酸化物半導体
層403が高抵抗化する。以上のことから、薄膜トランジスタの信頼性を向上させること
ができる。
11 配線
12 配線
13 配線
14 配線
15 配線
21 入力端子
22 入力端子
23 入力端子
24 入力端子
25 入力端子
26 出力端子
27 出力端子
31 トランジスタ
32 トランジスタ
33 トランジスタ
34 トランジスタ
35 トランジスタ
36 トランジスタ
37 トランジスタ
38 トランジスタ
39 トランジスタ
40 トランジスタ
41 トランジスタ
42 トランジスタ
43 トランジスタ
51 電源線
52 電源線
53 電源線
61 期間
62 期間
100 基板
101 ゲート電極層
102 ゲート絶縁層
103 酸化物半導体層
105a ドレイン電極層
105b ドレイン電極層
107 酸化物絶縁層
108 容量配線
110 画素電極層
121 端子
122 端子
125 コンタクトホール
126 コンタクトホール
127 コンタクトホール
128 透明導電層
129 透明導電層
132 導電層
133 酸化物半導体層
134 酸化物半導体層
150 端子
151 端子
152 ゲート絶縁層
153 接続電極層
154 酸化物絶縁層
155 透明導電層
156 電極層
170 薄膜トランジスタ
200 温度
250 温度
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
404a ソース領域またはドレイン領域
405a ソース電極層またはドレイン電極層
405b ソース電極層またはドレイン電極層
407 酸化物絶縁層
409 導電層
410 絶縁層
411 画素電極層
419 導電層
430 酸化物半導体層
431 酸化物半導体層
441 酸化物半導体層
450 基板
451 ゲート電極層
452 ゲート絶縁層
453 酸化物半導体層
455a ドレイン電極層
457 酸化物絶縁層
460 薄膜トランジスタ
470 薄膜トランジスタ
471 薄膜トランジスタ
472 薄膜トランジスタ
473 薄膜トランジスタ
483 酸化物半導体層
580 基板
581 薄膜トランジスタ
583 絶縁層
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
594 キャビティ
595 充填材
596 基板
601 電気炉
602 チャンバー
603 ヒーター
604 基板
605 サセプター
606 ガス供給手段
607 排気手段
611 ガス供給源
612 圧力調整弁
613 精製器
614 マスフローコントローラ
615 ストップバルブ
701 酸化物半導体層
703 層
705 層
707 実線
709 破線
711 酸化物半導体層
713 酸素
715 酸化物半導体層
1400 基板
1401 ゲート電極層
1402 ゲート絶縁層
1403 酸化物半導体層
1405a ソース電極層またはドレイン電極層
1405b ソース電極層またはドレイン電極層
1406a ソース領域またはドレイン領域
1406b ソース領域またはドレイン領域
1407 絶縁層
1408 絶縁層
1409 導電層
1418 チャネル保護層
1430 薄膜トランジスタ
1431 薄膜トランジスタ
1432 薄膜トランジスタ
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電層
4020 保護絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4035 スペーサ
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4519 異方性導電層
4520 隔壁
4543 保護絶縁層
4544 絶縁層
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 走査線駆動回路
5304 信号線駆動回路
5305 タイミング制御回路
5601 シフトレジスタ
5602 スイッチング回路
5603 薄膜トランジスタ
5604 配線
5605 配線
590a 黒色領域
590b 白色領域
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 発光素子駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電極
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7009 隔壁
7011 発光素子駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽層
7017 導電層
7019 隔壁
7021 発光素子駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電層
7029 隔壁
9201 表示部
9202 表示ボタン
9203 操作スイッチ
9204 バンド部
9205 調節部
9206 カメラ部
9207 スピーカ
9208 マイク
9301 上部筐体
9302 下部筐体
9303 表示部
9304 キーボード
9305 外部接続ポート
9306 ポインティングデバイス
9307 表示部
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 入力手段(操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (7)
- 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
水分又は水素が低減された気体雰囲気下で、前記酸化物半導体層に第1の加熱を行い、
前記第1の加熱後に、水分又は水素が低減された気体雰囲気下で、前記酸化物半導体層を冷却し、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後に、第2の加熱を行い、
前記第2の加熱後に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に電気的に接続する画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
水分又は水素が除去された気体雰囲気下で、前記酸化物半導体層に第1の加熱を行い、
前記第1の加熱後に、水分又は水素が除去された気体雰囲気下で、前記酸化物半導体層を冷却し、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後に、第2の加熱を行い、
前記第2の加熱後に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に電気的に接続する画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第1の加熱を行い、
前記第1の加熱後に、前記酸化物半導体層を冷却し、
前記第1の加熱及び前記冷却は、水分又は水素を低減する装置によって水分又は水素が低減された気体の雰囲気で行われ、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後、第2の加熱を行い、
前記第2の加熱後に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に電気的に接続する画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第1の加熱を行い、
前記第1の加熱後に、前記酸化物半導体層を冷却し、
前記第1の加熱及び前記冷却は、水分又は水素を除去する装置によって水分又は水素が除去された気体の雰囲気で行われ、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後、第2の加熱を行い、
前記第2の加熱後に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に電気的に接続する画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の加熱は、前記酸化物半導体層の脱水化又は脱水素化のための加熱であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1の加熱は、400℃以上700℃以下の温度で行われ、
前記第2の加熱は、150℃以上350℃未満の温度で行われることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の冷却は、室温以上100℃未満まで冷却することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009164134 | 2009-07-10 | ||
JP2009164134 | 2009-07-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017061491A Division JP6145593B1 (ja) | 2009-07-10 | 2017-03-27 | 液晶表示装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018161557A Division JP2018198330A (ja) | 2009-07-10 | 2018-08-30 | 液晶表示装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183738A true JP2017183738A (ja) | 2017-10-05 |
JP6397083B2 JP6397083B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=43427790
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010156912A Active JP5654277B2 (ja) | 2009-07-10 | 2010-07-09 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014235811A Active JP5937179B2 (ja) | 2009-07-10 | 2014-11-20 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2015047948A Active JP6033350B2 (ja) | 2009-07-10 | 2015-03-11 | トランジスタ及びその作製方法 |
JP2016095418A Active JP6118940B2 (ja) | 2009-07-10 | 2016-05-11 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2016205892A Active JP6117981B2 (ja) | 2009-07-10 | 2016-10-20 | トランジスタ |
JP2017061491A Active JP6145593B1 (ja) | 2009-07-10 | 2017-03-27 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2017096130A Active JP6397083B2 (ja) | 2009-07-10 | 2017-05-15 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2018161557A Withdrawn JP2018198330A (ja) | 2009-07-10 | 2018-08-30 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2020051119A Withdrawn JP2020127012A (ja) | 2009-07-10 | 2020-03-23 | 半導体装置 |
JP2021151104A Withdrawn JP2021192458A (ja) | 2009-07-10 | 2021-09-16 | 半導体装置の作製方法 |
JP2023103992A Pending JP2023115131A (ja) | 2009-07-10 | 2023-06-26 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010156912A Active JP5654277B2 (ja) | 2009-07-10 | 2010-07-09 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014235811A Active JP5937179B2 (ja) | 2009-07-10 | 2014-11-20 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2015047948A Active JP6033350B2 (ja) | 2009-07-10 | 2015-03-11 | トランジスタ及びその作製方法 |
JP2016095418A Active JP6118940B2 (ja) | 2009-07-10 | 2016-05-11 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2016205892A Active JP6117981B2 (ja) | 2009-07-10 | 2016-10-20 | トランジスタ |
JP2017061491A Active JP6145593B1 (ja) | 2009-07-10 | 2017-03-27 | 液晶表示装置の作製方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018161557A Withdrawn JP2018198330A (ja) | 2009-07-10 | 2018-08-30 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2020051119A Withdrawn JP2020127012A (ja) | 2009-07-10 | 2020-03-23 | 半導体装置 |
JP2021151104A Withdrawn JP2021192458A (ja) | 2009-07-10 | 2021-09-16 | 半導体装置の作製方法 |
JP2023103992A Pending JP2023115131A (ja) | 2009-07-10 | 2023-06-26 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8900916B2 (ja) |
EP (1) | EP2452362B1 (ja) |
JP (11) | JP5654277B2 (ja) |
KR (7) | KR102174908B1 (ja) |
CN (2) | CN102473731B (ja) |
SG (2) | SG177332A1 (ja) |
TW (2) | TWI609429B (ja) |
WO (1) | WO2011004724A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021814A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG177332A1 (en) * | 2009-07-10 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
CN102473735B (zh) | 2009-07-31 | 2015-08-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
TWI634642B (zh) | 2009-08-07 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
WO2011027656A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
CN102687204A (zh) * | 2009-10-09 | 2012-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法 |
KR102143040B1 (ko) | 2009-10-16 | 2020-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
JP5258824B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | プロセスシミュレーションをコンピュータに実行させるプログラム |
CN102157565A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-08-17 | 北京大学深圳研究生院 | 一种薄膜晶体管的制作方法 |
JP5766467B2 (ja) | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
JP5657433B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-01-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、センサ及びx線デジタル撮影装置 |
US9960278B2 (en) * | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI605590B (zh) | 2011-09-29 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5418563B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2014-02-19 | ウシオ電機株式会社 | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および製造装置 |
JP2013093565A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013087962A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 加熱調理装置 |
US20140252355A1 (en) * | 2011-10-21 | 2014-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
KR20130136063A (ko) | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI479664B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-04-01 | Ye Xin Technology Consulting Co Ltd | 薄膜電晶體及其製作方法與液晶顯示面板 |
US9312392B2 (en) * | 2013-05-16 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104460143B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-12-15 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
DE112014004839T5 (de) * | 2013-10-22 | 2016-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
WO2015132697A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7154136B2 (ja) * | 2017-02-07 | 2022-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102343573B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
WO2021068220A1 (en) * | 2019-10-12 | 2021-04-15 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabrication thereof |
US11581334B2 (en) * | 2021-02-05 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (181)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3208658B2 (ja) | 1997-03-27 | 2001-09-17 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 電気光学素子の製法 |
JPH10290012A (ja) | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH11112059A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネル |
JP3702096B2 (ja) | 1998-06-08 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000357586A (ja) | 1999-06-15 | 2000-12-26 | Sharp Corp | 薄膜el素子の製造方法および薄膜el素子 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4700160B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2001332734A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
TWI263336B (en) * | 2000-06-12 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film transistors and semiconductor device |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3708836B2 (ja) | 2001-05-14 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2003068757A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Sony Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP2002182247A (ja) | 2001-10-12 | 2002-06-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US7079190B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-07-18 | Zoran Corporation | Technique for determining the slope of a field pixel |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7189992B2 (en) | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP4723787B2 (ja) | 2002-07-09 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004235180A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4660124B2 (ja) | 2004-06-17 | 2011-03-30 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7382421B2 (en) | 2004-10-12 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film transistor with a passivation layer |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR100889796B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-03-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
JP5118810B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
RU2402106C2 (ru) | 2004-11-10 | 2010-10-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
US7872259B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI481024B (zh) | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR20090130089A (ko) | 2005-11-15 | 2009-12-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
JP5171258B2 (ja) | 2005-12-02 | 2013-03-27 | 出光興産株式会社 | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
NO325084B1 (no) * | 2005-12-02 | 2008-01-28 | Aker Mh As | Toppmontert boremaskin |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
JP2007188953A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 多結晶シリコン層の製造方法 |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
KR101206033B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 반도체 박막의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2007293073A (ja) | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2007311404A (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4614148B2 (ja) | 2006-05-25 | 2011-01-19 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 酸化物半導体及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US8013331B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device using the same |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP5127183B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5216276B2 (ja) | 2006-08-30 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7651896B2 (en) | 2006-08-30 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
JP2008174469A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薬剤保持体の保存方法 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101410926B1 (ko) | 2007-02-16 | 2014-06-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5196870B2 (ja) | 2007-05-23 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法 |
US8436349B2 (en) | 2007-02-20 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor fabrication process and display device |
WO2008105347A1 (en) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor fabrication process and display device |
JP2008235871A (ja) | 2007-02-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置 |
JP2008221988A (ja) | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Toyota Motor Corp | 自動車 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5244331B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
JP4727684B2 (ja) | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
WO2008126879A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
JP5215589B2 (ja) | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
JP2008310312A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
JP5294651B2 (ja) | 2007-05-18 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | インバータの作製方法及びインバータ |
KR101334182B1 (ko) | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101402189B1 (ko) | 2007-06-22 | 2014-06-02 | 삼성전자주식회사 | Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각용액 |
US20090001881A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Masaya Nakayama | Organic el display and manufacturing method thereof |
JP2009031750A (ja) | 2007-06-28 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
JPWO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP5101387B2 (ja) | 2007-09-13 | 2012-12-19 | 富士フイルム株式会社 | カプセル型内視鏡 |
US20090076322A1 (en) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Atsushi Matsunaga | Capsule endoscope |
JP4759598B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置 |
JP2009099847A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
JP2009099887A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
KR101270174B1 (ko) | 2007-12-03 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US7968383B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-06-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electronic device and method of manufacturing the same |
JP5644111B2 (ja) | 2007-12-26 | 2014-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ |
CN101910450B (zh) | 2007-12-27 | 2012-08-29 | Jx日矿日石金属株式会社 | a-IGZO氧化物薄膜的制备方法 |
JP5276863B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-08-28 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ |
JP5325446B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-10-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100958006B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2010-05-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5584960B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
US7812346B2 (en) | 2008-07-16 | 2010-10-12 | Cbrite, Inc. | Metal oxide TFT with improved carrier mobility |
TWI476921B (zh) | 2008-07-31 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI500160B (zh) | 2008-08-08 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8129718B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
US9082857B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5537787B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
WO2010050419A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and display device |
JP2010153802A (ja) | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5528727B2 (ja) | 2009-06-19 | 2014-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス |
KR101732859B1 (ko) | 2009-06-30 | 2017-05-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR101645061B1 (ko) | 2009-06-30 | 2016-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR20120031026A (ko) | 2009-06-30 | 2012-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
WO2011002046A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5663214B2 (ja) | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102228220B1 (ko) | 2009-07-03 | 2021-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
KR101642620B1 (ko) | 2009-07-10 | 2016-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
SG177332A1 (en) | 2009-07-10 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2010
- 2010-06-22 SG SG2011095395A patent/SG177332A1/en unknown
- 2010-06-22 SG SG10201403913PA patent/SG10201403913PA/en unknown
- 2010-06-22 CN CN201080032159.1A patent/CN102473731B/zh active Active
- 2010-06-22 KR KR1020197037802A patent/KR102174908B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-22 KR KR1020207031477A patent/KR102319490B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-22 EP EP10797035.2A patent/EP2452362B1/en active Active
- 2010-06-22 CN CN201510215816.0A patent/CN104835850B/zh active Active
- 2010-06-22 KR KR1020237022217A patent/KR20230107390A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-22 KR KR1020217034632A patent/KR20210131462A/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-22 KR KR1020127003540A patent/KR101820176B1/ko active Application Filing
- 2010-06-22 WO PCT/JP2010/060938 patent/WO2011004724A1/en active Application Filing
- 2010-06-22 KR KR1020187000944A patent/KR101935752B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-22 KR KR1020187037870A patent/KR20190002745A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-07-01 TW TW099121694A patent/TWI609429B/zh active
- 2010-07-01 TW TW105141841A patent/TWI648796B/zh active
- 2010-07-08 US US12/832,329 patent/US8900916B2/en active Active
- 2010-07-09 JP JP2010156912A patent/JP5654277B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-13 US US14/540,184 patent/US11152493B2/en active Active
- 2014-11-20 JP JP2014235811A patent/JP5937179B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-11 JP JP2015047948A patent/JP6033350B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-11 JP JP2016095418A patent/JP6118940B2/ja active Active
- 2016-10-20 JP JP2016205892A patent/JP6117981B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-27 JP JP2017061491A patent/JP6145593B1/ja active Active
- 2017-05-15 JP JP2017096130A patent/JP6397083B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018161557A patent/JP2018198330A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-03-23 JP JP2020051119A patent/JP2020127012A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-09-16 JP JP2021151104A patent/JP2021192458A/ja not_active Withdrawn
- 2021-10-13 US US17/500,149 patent/US11855194B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-26 JP JP2023103992A patent/JP2023115131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021814A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6397083B2 (ja) | 液晶表示装置の作製方法 | |
JP6695398B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6592052B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP6345840B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180731 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6397083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |