JP2017179537A - Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017179537A JP2017179537A JP2016071397A JP2016071397A JP2017179537A JP 2017179537 A JP2017179537 A JP 2017179537A JP 2016071397 A JP2016071397 A JP 2016071397A JP 2016071397 A JP2016071397 A JP 2016071397A JP 2017179537 A JP2017179537 A JP 2017179537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- izo
- sputtering target
- target
- powder
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 31
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 11
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼して得られた仮焼粉を成型、焼結することで得られる、IZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法において、仮焼き条件を厳密に制御することで、ターゲットを構成する酸化物がIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。
【選択図】図1
Description
特に、IZOに関しては、安定した非晶質の膜が得られるため、エッチング特性が良く、膜表面の平坦度も高いなどの特性を有している。透明導電性薄膜の形成方法としては、これらの酸化物焼結体から製造されたスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法が広く行われている。
例えば、下記特許文献1には、ITOに亜鉛等の金属元素を添加することで、高密度のITO焼結体が得られることが示されている。しかしながら、この技術はあくまで、酸化インジウムと酸化スズが基本成分であり、その重量比が約90:10と、錫が酸化物焼結体中に高濃度に添加されているITOについての焼結密度の向上に関する技術である。
1)酸化インジウム−酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体ターゲットであって、ターゲットを構成する酸化物がIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。
2)ターゲットに存在する50〜300nmのマイクロポアの数が10個以下であることと特徴とする上記1)に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
3)ZnとInの原子比Zn/(In+Zn)が0.1〜0.2の範囲にあることを特徴とする上記1)又は2)に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
4)ターゲットの体積抵抗率が5.0mΩ・cm以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
5)ターゲットの明度が分光色差計におる測定値L*が35以下であることを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
6)酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼した仮焼粉を、成形、焼結して製造されるIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、1150℃以上1300℃以下、5〜20時間で仮焼すると共に、仮焼途中、相変化する温度域で3時間以上保持することを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
7)仮焼粉の酸化物構造をIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4)の複合酸化物とすることを特徴とする上記6)記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
8)仮焼粉を、比表面積を1.0〜10.0m2/g、平均粒子径を1.0〜2.0μmの範囲に調整することを特徴とすることを特徴とする上記6)又は7)に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
9)焼結温度を1400℃以上1500℃以下とすることを特徴とする上記6)〜8)のいずれか一に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
本発明の酸化物焼結体は、各原料粉の混合、仮焼、粉砕、成型、焼結のプロセスによって作製することができる。原料粉としては、酸化インジウム粉、および酸化亜鉛粉であって、比表面積が3〜10m2/gのものを使用する。比表面積が同じ方が効率的な混合等に有利である場合もあるが、仮焼を実施する場合は、比表面積の差がある程度あったほうが、より良く仮焼が進む場合もある。
ここで、複合酸化物のZnkIn2Ok+1について、k=5、4、3の順に緩やかに相変化させることが重要ある。k=5は1100℃付近、k=4は1200℃付近、k=3は1260℃付近で相変化が生じるため、各々の温度域(1100℃〜1110℃、1200℃〜1210℃、1260℃〜1270℃)で、それぞれ3時間以上保持することにより、kの値が小さい、均質な仮焼粉を得ることが可能となる。なお、例えば、仮焼の最高温度が1150℃の場合は、当然ながら、1200℃付近や1260℃付近の途中保持は不要である。
この仮焼粉は本発明のIZO焼結体スパッタリングターゲットを特徴付けるものであり、結晶粒界に残存する微細な穴(マイクロポア)を低減させたIZO焼結体を、高密度で製造できる好適な条件である。なお、1300℃を超える温度では生産性が劣るものの、仮焼粉としての特性を損なうものではない。
(酸化物の同定)
ターゲットを構成する酸化物の同定は、BRUKER製の全自動多目的X線回折装置(型式:D8−ADVANCE)を用いて行う。まず、測定試料を100μm以下の粉末状にし、粉末X線回折法を用いて、X線回折プロファイルを得る。次に、得られたX線回折プロファイルをバックグラウンド除去、Kα2除去などのデータ処理を施した後、ICDD(International Centre for Diffraction Data)のPDF(Powder Diffraction File)を用いて、kの相の同定を行う。
体積抵抗率は、エヌピイエス株式会社製、型式:Σ−5+を用いて測定する。まず、測定試料の表面に金属製の探針を4本一直線上に立て、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し抵抗を求める。次に、求めた抵抗に試料厚さ、補正係数RCF(Resistivity Correction Factor)をかけて、体積抵抗率を算出する。
ターゲットの明度は、日本電色工業株式会社製、型式:NF333を用いて測定する。まず、試料表面を#400程度の表面粗さとし、下記の測定条件等で測定を実施する。次に、L*a*b*表色系を用いて、ターゲットの明度をL*、色度をa*、b*で表す。
照明・受光条件 :0°:45c(0°照明:45°円周受光)
測定方法:ダブルビーム方式,先分光方式
測定波長:400nm〜700nm、20nm間隔出力
測定光源:A,B,C,D50,D55,D65,D75,F2,F6,F2,F6,F7,F8,F10,F11,F12
観察条件:各測定光源の2°および10°視野
酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉を所定の比率で混合した後、この混合粉を大気雰囲気中、1300℃、10時間仮焼した。また、仮焼途中、1100℃、1200℃、1260℃において一定時間保持した。該仮焼粉の酸化物構造はIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3)の複合酸化物であった。この仮焼粉を、ジェットミル粉砕機と湿式媒体攪拌ミルを用いて微粉砕し、さらに造粒を行い、比表面積が2.22m2/g、平均粒子径が1.71μmである粒子を得た。そして、これを成型して、IZO組成の成型体を作製した。
実施例2−16では、表1に示す通り、仮焼条件(仮焼温度、仮焼時間、仮焼時途中保持温度、仮焼時途中保持時間)、仮焼粉の粉砕条件、焼結条件(焼結温度、焼結時間)、焼結体の組成比(原料の混合比など)の条件を、それぞれ変化させた。その結果、表1に示す通り、相対密度が高く、明度が低いという理想的なIZO焼結体スパッタリングターゲットを製造することができた。このスパッタリングターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、長時間のスパッタリング後においても、ターゲット表面のノジュールの発生を抑制し、またアーキングの発生を抑制することができ、スパッタ時の異常放電や膜へのパーティクル発生等の防止効果が認められた。そして、安定した薄膜特性(膜の均一性)が得られた。
比較例1−12では、表1に示す通り、仮焼条件(仮焼なし、仮焼温度、仮焼時間、仮焼時途中保持なし、仮焼時途中保持温度、仮焼時途中保持時間)、仮焼粉の粉砕条件、焼結条件(焼結温度、焼結時間)、焼結体の組成比(原料の混合比など)の条件をそれぞれ変化させた。その結果、表1に示す通り、いずれの場合も相対密度98.4%を達成することができていなかった。また、マイクロポアの数も比較的多いものとなっていた。これらのスパッタリングターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、長時間のスパッタリング後において、パーティクルの増加がみられた。
Claims (9)
- 酸化インジウム−酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体ターゲットであって、ターゲットを構成する酸化物がIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。
- ターゲットに存在する50〜300nmのマイクロポアの数が10個以下であることと特徴とする請求項1に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
- ZnとInの原子比Zn/(In+Zn)が0.1〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項1又は2に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
- ターゲットの体積抵抗率が5.0mΩ・cm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
- ターゲットの明度が分光色差計におる測定値(L*)が35以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲット。
- 酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼した仮焼粉を、成形、焼結して製造されるIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、1150℃以上1300℃以下、5〜20時間で仮焼すると共に、仮焼途中、相変化する温度域で3時間以上保持することを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- 仮焼粉の酸化物構造をIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4)の複合酸化物とすることを特徴とする請求項6に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- 仮焼粉を、比表面積を1.0〜10.0m2/g、平均粒子径を1.0〜2.0μmの範囲に調整することを特徴とすることを特徴とする請求項6又は7に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- 焼結温度を1400℃以上1500℃以下とすることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載のIZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016071397A JP6078189B1 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
PCT/JP2016/080086 WO2017168797A1 (ja) | 2016-03-31 | 2016-10-11 | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN201680023954.1A CN107614741B (zh) | 2016-03-31 | 2016-10-11 | Izo烧结体溅射靶及其制造方法 |
KR1020177029392A KR102045661B1 (ko) | 2016-03-31 | 2016-10-11 | Izo 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
TW105133673A TWI644866B (zh) | 2016-03-31 | 2016-10-19 | Izo燒結體濺鍍靶及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016071397A JP6078189B1 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6078189B1 JP6078189B1 (ja) | 2017-02-08 |
JP2017179537A true JP2017179537A (ja) | 2017-10-05 |
Family
ID=57981511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016071397A Active JP6078189B1 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6078189B1 (ja) |
KR (1) | KR102045661B1 (ja) |
CN (1) | CN107614741B (ja) |
TW (1) | TWI644866B (ja) |
WO (1) | WO2017168797A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108431293A (zh) * | 2016-01-28 | 2018-08-21 | Jx金属株式会社 | 圆筒形陶瓷溅射靶材及在背衬管上接合一个或多个圆筒形陶瓷溅射靶材构成的圆筒形陶瓷溅射靶 |
WO2018211724A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法 |
JP6397593B1 (ja) * | 2017-10-02 | 2018-09-26 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP6523510B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-06-05 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
TWI818210B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-10-11 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 氧化銦鋅錫濺鍍靶材及其導電膜 |
CN113402261B (zh) * | 2021-06-04 | 2022-06-21 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种izo靶材前驱体及其制备方法与应用 |
CN116162908A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-05-26 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种氧化铟锌靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3827334B2 (ja) | 1993-08-11 | 2006-09-27 | 東ソー株式会社 | Ito焼結体及びスパッタリングターゲット |
JP3746094B2 (ja) * | 1995-06-28 | 2006-02-15 | 出光興産株式会社 | ターゲットおよびその製造方法 |
JP3734540B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2006-01-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法 |
JP3721080B2 (ja) | 1999-05-10 | 2005-11-30 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US6669830B1 (en) * | 1999-11-25 | 2003-12-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive oxide, and process for producing the sputtering target |
JP4961672B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2012-06-27 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット並びにセラミックス焼結体及びその製造方法 |
WO2007004473A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Izoスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4755453B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-08-24 | 出光興産株式会社 | Izoスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4758697B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | Izoスパッタリングターゲットの製造方法 |
KR20080076935A (ko) * | 2005-12-13 | 2008-08-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 진공 증착용 소결체 |
JP4762062B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4807331B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2011-11-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法 |
KR20110027805A (ko) * | 2008-06-27 | 2011-03-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | InGaO3(ZnO) 결정상을 포함하는 산화물 반도체용 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
JP5096250B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-12-12 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 |
JPWO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2012-05-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
JP5149262B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2013-02-20 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲット及びその製造法 |
JP4891381B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2012-03-07 | 出光興産株式会社 | In−Ga−Zn系焼結体、及びスパッタリングターゲット |
JP5337224B2 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-11-06 | 株式会社コベルコ科研 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
JP5993700B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2016-09-14 | 住友化学株式会社 | 酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
JP2016065311A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットセット |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016071397A patent/JP6078189B1/ja active Active
- 2016-10-11 CN CN201680023954.1A patent/CN107614741B/zh active Active
- 2016-10-11 WO PCT/JP2016/080086 patent/WO2017168797A1/ja active Application Filing
- 2016-10-11 KR KR1020177029392A patent/KR102045661B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-19 TW TW105133673A patent/TWI644866B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201802030A (zh) | 2018-01-16 |
TWI644866B (zh) | 2018-12-21 |
JP6078189B1 (ja) | 2017-02-08 |
WO2017168797A1 (ja) | 2017-10-05 |
CN107614741B (zh) | 2020-04-21 |
KR20170128479A (ko) | 2017-11-22 |
KR102045661B1 (ko) | 2019-11-15 |
CN107614741A (zh) | 2018-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6078189B1 (ja) | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR102322184B1 (ko) | 산화인듐-산화아연계 (izo) 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
JP5349587B2 (ja) | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 | |
JP6291593B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜の製造方法 | |
JP2012126937A (ja) | Itoスパッタリングターゲットとその製造方法 | |
WO2014125122A1 (en) | Zno-al2o3-mgo sputtering target and method for the production thereof | |
JP6582698B2 (ja) | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット | |
JP6885038B2 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット | |
KR102404834B1 (ko) | 산화물 소결체, 그 제조 방법 및 스퍼터링 타깃 | |
JP6155919B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6637948B2 (ja) | Izoターゲット及びその製造方法 | |
JP5967016B2 (ja) | 蒸着用タブレットとその製造方法 | |
TWI697458B (zh) | 濺鍍靶 | |
JP2013256425A (ja) | Itoスパッタリングターゲット用酸化スズ粉末、itoスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法、および、itoスパッタリングターゲット用焼結体 | |
TWI575094B (zh) | In-Ce-O系濺鍍靶材及其製造方法 | |
WO2013042747A1 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜 | |
WO2017119381A1 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6078189 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |