JP2017168636A - レーザ光源装置 - Google Patents
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Abstract
Description
許容下限温度から許容上限温度までの温度において、所定の波長帯のレーザ光を射出する半導体レーザ素子を含んでなる光源部と、
前記光源部に連結された冷却部と、
前記半導体レーザ素子の温度である素子温度を測定する素子温度測定部と、
前記冷却部の温度であって、前記素子温度とは離れた箇所における温度である冷却部温度を測定する冷却部温度測定部と、
前記冷却部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記冷却部温度を設定温度に近付けるように、前記冷却部を制御する構成であり、
前記素子温度が前記許容上限温度を超えた場合に、前記設定温度を引き下げ、
前記素子温度が前記許容下限温度を下回った場合に、前記設定温度を引き上げることを特徴とする。
前記制御部は、
前記素子温度が一定時間、前記許容上限温度を超えた場合に、前記設定温度を引き下げ、
前記素子温度が一定時間、前記許容上限温度を超えない場合に、前記設定温度を維持するものとしても構わない。
前記制御部は、
前記素子温度が一定時間、前記許容下限温度を下回った場合に、前記設定温度を引き上げ、
前記素子温度が一定時間、前記許容下限温度を下回らない場合に、前記設定温度を維持するものとしても構わない。
前記制御部は、前記素子温度が前記許容上限温度を超えた場合において、
前記設定温度が下限値を超えているとき、前記設定温度を引き下げ、
前記設定温度が前記下限値を超えていないとき、前記設定温度を維持するものとしても構わない。
前記制御部は、前記素子温度が前記許容下限温度を下回った場合において、
前記設定温度が上限値を下回っているとき、前記設定温度を引き上げ、
前記設定温度が前記上限値を下回っていないとき、前記設定温度を維持するものとしても構わない。
前記制御部は、
前記許容上限温度及び前記許容下限温度を記憶する記憶部と、
前記素子温度測定部により測定された前記素子温度と、前記許容上限温度及び前記許容下限温度のうちの少なくとも一方とを比較して、前記設定温度を決定する設定温度決定部と、
決定された前記設定温度と、前記冷却部温度測定部により測定された前記冷却部温度との差に基づいて、前記冷却部に供給する電流値を決定する電流値決定部と、を有し、
前記冷却部は、前記電流値の電流に応じて前記光源部を冷却するものとしても構わない。
[構成]
以下、実施形態におけるレーザ光源装置1の構成について図1を参照して説明する。図1(a)に示すように、レーザ光源装置1は、光源部3、ペルチェ素子5、素子温度測定部6、冷却部温度測定部7、制御部8、ヒートシンク11、及びファン13を有する。
続いて、制御部8の処理について図2を参照して説明する。図2は、制御部8の電流値決定部85が実行する温度制御処理を示すフローチャートである。
続いて、図3を参照して設定温度決定処理について説明する。図3は、制御部8の設定温度決定部83が実行する設定温度決定処理を示すフローチャートである。
続いて、本実施形態のレーザ光源装置1の作用効果を説明するために、参考例のレーザ光源装置の構成、及び参考例のレーザ光源装置において生じた現象について説明する。
以下、本実施形態のレーザ光源装置1による作用効果について説明する。
なお、レーザ光源装置は、上記の実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、以下の別実施形態に係る構成を任意に選択して、上記の実施形態に係る構成に採用してもよいことは勿論である。
3 : 制御部
31 : 半導体レーザ素子
33 : 伝熱部
5 : ペルチェ素子
6 : 素子温度測定部
7 : 冷却部温度測定部
8 : 制御部
81 : 記憶部
83 : 設定温度決定部
85 : 電流値決定部
Claims (5)
- 許容下限温度から許容上限温度までの温度において、所定の波長帯のレーザ光を射出する半導体レーザ素子を含んでなる光源部と、
前記光源部に連結された冷却部と、
前記半導体レーザ素子の温度である素子温度を測定する素子温度測定部と、
前記冷却部の温度であって、前記素子温度とは離れた箇所における温度である冷却部温度を測定する冷却部温度測定部と、
前記冷却部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記冷却部温度を設定温度に近付けるように、前記冷却部を制御する構成であり、
前記素子温度が前記許容上限温度を超えた場合に、前記設定温度を引き下げ、
前記素子温度が前記許容下限温度を下回った場合に、前記設定温度を引き上げることを特徴とするレーザ光源装置。 - 前記制御部は、
前記素子温度が一定時間、前記許容上限温度を超えた場合に、前記設定温度を引き下げ、
前記素子温度が一定時間、前記許容上限温度を超えない場合に、前記設定温度を維持することを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。 - 前記制御部は、
前記素子温度が一定時間、前記許容下限温度を下回った場合に、前記設定温度を引き上げ、
前記素子温度が一定時間、前記許容下限温度を下回らない場合に、前記設定温度を維持することを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ光源装置。 - 前記制御部は、前記素子温度が前記許容上限温度を超えた場合において、
前記設定温度が下限値を超えているとき、前記設定温度を引き下げ、
前記設定温度が前記下限値を超えていないとき、前記設定温度を維持することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ光源装置。 - 前記制御部は、
前記許容上限温度及び前記許容下限温度を記憶する記憶部と、
前記素子温度測定部により測定された前記素子温度と、前記許容上限温度及び前記許容下限温度のうちの少なくとも一方とを比較して、前記設定温度を決定する設定温度決定部と、
決定された前記設定温度と、前記冷却部温度測定部により測定された前記冷却部温度との差に基づいて、前記冷却部に供給する電流値を決定する電流値決定部と、を有し、
前記冷却部は、前記電流値の電流に応じて前記光源部を冷却することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ光源装置。
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