JP2017163111A - 半導体光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
半導体光デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017163111A JP2017163111A JP2016048820A JP2016048820A JP2017163111A JP 2017163111 A JP2017163111 A JP 2017163111A JP 2016048820 A JP2016048820 A JP 2016048820A JP 2016048820 A JP2016048820 A JP 2016048820A JP 2017163111 A JP2017163111 A JP 2017163111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring electrode
- layer
- semiconductor layer
- semiconductor
- electrode portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 252
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 238
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
(1)発光面または受光面となる半導体層の表面に配線電極部が設けられた半導体光デバイスであって、
前記配線電極部の線幅が2μm以上5μm以下であり、
前記配線電極部は、前記半導体層上の金属層と、該金属層上の導電性硬質膜とを有し、
前記導電性硬質膜は前記金属層よりも硬度が高いことを特徴とする半導体光デバイス。
前記半導体層の表面と前記配線電極部との接合中心部での前記表面は前記平坦面領域であるとともに、前記空隙が前記粗面領域により構成される、前記(2)に記載の半導体光デバイス。
前記配線電極部の線幅が2μm以上5μm以下であり、
前記配線電極部形成工程は、前記半導体層の表面上に金属層を形成する第1工程と、該金属層上に導電性硬質膜を形成する第2工程とを含むことを特徴とする半導体光デバイスの製造方法。
図1に示すように、本発明の第1実施形態に従う半導体光デバイス100は、発光面または受光面となる半導体層110の表面に配線電極部120が設けられている。ここで、配線電極部120の線幅W1が2μm以上5μm以下であり、この配線電極部120は、半導体層110上の金属層121と、金属層121上の導電性硬質膜122とを有する。そして、導電性硬質膜122は金属層121よりも硬度が高い。このような構成を採用することにより、線幅W1を2μm以上5μm以下と、従来用いられている線幅よりも小さくした場合でも、半導体層110の表面からの配線電極部120の剥離を抑制することができる。
次に、半導体光デバイス100の一具体的な態様として、図4を参照して、本発明の第2実施形態に従う半導体発光素子300を具体的に説明する。なお、図4(a)は、図4(b)のI−I断面図である。また、半導体光デバイス200に既述のとおり、半導体層110の表面を粗面化することが発光効率向上の点で好ましいが、図面の簡略化のため図4では粗面領域Rの図示を省略する。
次に、第3実施形態による半導体発光素子400の製造方法の一例を、図5を用いて説明する。まず、図5(a)に示すように、GaAs基板などの成長用基板G上に半導体層110を形成する。半導体層110は、既述のような材料からなるn型半導体層111、発光層112およびp型半導体層113をこの順に、例えばMOCVD法などによりエピタキシャル成長させて形成する。
図5に示す方法で本発明に従う半導体光デバイスとしての半導体発光素子を作製した。まず、GaAs材料からなる成長用基板上に、MOCVD法により、n型半導体層(厚さ:7.5μm、AlGaAs材料)、発光層(総厚:50nm、AlGaInAs材料)およびp型半導体層(厚さ:2μm、AlGaAs材料)からなる半導体層を形成した。次に、p型半導体層上にAuZn(厚さ:200nm)を抵抗加熱による蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィーによりパターニングし、420℃でコンタクトアニールを行い、オーミック電極を形成した。その後、プラズマCVD法によりオーミック電極が形成されないp型半導体層上にSiO2からなる透明絶縁膜を形成した。その後、反射層(厚さ:750nm、Au材料)を電子ビーム蒸着法により形成した。さらに、半導体層側接合層として、Ti/Au(厚さ:100nm/1μm)を蒸着により形成した。
発明例1における導電性硬質膜の厚みを、0.9μmから0.5μmに変えた以外は、発明例1と同様にして発明例2に係る半導体発光素子を作製した。
発明例1における導電性硬質膜の厚みを、0.9μmから1.5μmに変えた以外は、発明例1と同様にして発明例3に係る半導体発光素子を作製した。
発明例1における導電性硬質膜の厚みを、0.9μmから1.9μmに変えた以外は、発明例1と同様にして比較例1に係る半導体発光素子を作製した。
発明例1において形成した導電性硬質膜を形成しなかった以外は、発明例1と同様にして比較例3に係る半導体発光素子を作製した。
比較例1における配線電極部の線幅W1を4.0μmから8.0μmに変え、さらに、平坦面領域の線幅W2を1.0〜3.0μmから10.0〜14.0μmに変えた以外は、比較例1と同様にして従来例1に係る半導体発光素子を作製した。なお、従来例1では、配線電極部の線幅W1よりも、平坦面領域の線幅W2の方が大きい。
従来例1における平坦面領域の線幅W2を10.0〜14.0μmから5.0〜7.0μmに変えた以外は、従来例1と同様にして従来例2に係る半導体発光素子を作製した。
実施例1〜3、比較例1,2および従来例1,2から得られた半導体発光素子に定電流電圧電源を用いて20mAの電流を流したときの順方向電圧Vfおよび積分球による発光出力Poを測定し、それぞれ10個の試料の測定結果の中間値の結果を表1に示した。
実施例1〜3、比較例1,2および従来例1,2について、配線電極部の剥がれやすさの指標を測定するために、以下の条件で負荷試験を行った。まず、実施例1〜3、比較例1,2および従来例1,2の半導体発光素子に粘着テープ(V−8S:粘着力0.6N/20mm,180°剥がし方向)を用いて配線電極部に負荷を与えた。次いで、光学顕微鏡(400倍)により外観検査を実施し、配線電極部に剥離がわずかでも観察されれば「剥離有り」と判定し、これを1枚のウェーハから得られた半導体発光素子に対して全数検査を行い、母数に対して、「剥離有り」と判定された個数の割合を「配線電極部の剥離率」として求めた。代表例として、実施例1の半導体発光素子のうち、剥離なしと判定されたものの顕微鏡写真を図6に示す。
表1から以下のことが確認できる。配線電極部の線幅W1を、従来例1,2の半分である4.0μm以下とした実施例1〜3および比較例1,2では、いずれも発光出力の大幅な改善が認められる。発光出力改善の観点だけであれば、比較例1が最も好ましい。従来例1と従来例2を対比すると、平坦面領域Fの線幅W2を小さくした従来例2の方が発光出力の改善が僅かに認められるが、この改善効果に比べて、配線電極部の線幅W1を小さく効果が極めて優れていることが確認できる。これは、半導体層表面における発光面積の単純な増大は勿論のこと、最も電流が集中すると想定される配線電極周辺での発光面積が増大するためであると考えられる。
300、400 半導体発光素子
110 半導体層
111 n型半導体層
112 発光層
113 p型半導体層
120 配線電極部
121 金属層
122 導電性硬質膜
130 パッド電極
140 オーミック電極
150 絶縁膜
160 反射層
170 金属接合層
180 支持基板
190 下部電極
G 成長用基板
F 平坦面領域
R 粗面領域
Claims (11)
- 発光面または受光面となる半導体層の表面に配線電極部が設けられた半導体光デバイスであって、
前記配線電極部の線幅が2μm以上5μm以下であり、
前記配線電極部は、前記半導体層上の金属層と、該金属層上の導電性硬質膜とを有し、
前記導電性硬質膜は前記金属層よりも硬度が高いことを特徴とする半導体光デバイス。 - 前記配線電極部の周縁部の下方と、前記半導体層との間に空隙が存在する、請求項1に記載の半導体光デバイス。
- 前記半導体層の表面が平坦面領域と、粗面領域とを含み、
前記半導体層の表面と前記配線電極部との接合中心部での前記半導体層の表面は前記平坦面領域であるとともに、前記空隙が前記粗面領域により構成される、請求項2に記載の半導体光デバイス。 - 前記接合中心部における前記平坦面領域の線幅が1.0μm以上である、請求項3に記載の半導体光デバイス。
- 前記接合中心部において、前記平坦面領域の線幅が前記配線電極部の線幅よりも0.5μm以上小さい、請求項3または4に記載の半導体光デバイス。
- 前記導電性硬質膜の厚みが0.4μm以上1.7μm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体光デバイス。
- 前記導電性硬質膜が、Ti,Ta,Cr,W,Mo,Vからなる群より選択される1種または2種以上の金属元素の窒化物である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体光デバイス。
- 前記半導体層がn型半導体層と、発光層と、p型半導体層とを含み、前記表面は前記n型半導体層または前記p型半導体層のいずれかの表面である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体光デバイス。
- 発光面または受光面となる半導体層の表面に配線電極部を形成する配線電極部形成工程を含む半導体光デバイスの製造方法であって、
前記配線電極部の線幅が2μm以上5μm以下であり、
前記配線電極部形成工程は、前記半導体層の表面上に金属層を形成する第1工程と、該金属層上に導電性硬質膜を形成する第2工程とを含むことを特徴とする半導体光デバイスの製造方法。 - 前記配線電極部形成工程の後、前記配線電極部の周縁部の下方と、前記半導体層との間に空隙を形成する空隙形成工程を含む、請求項9に記載の製造方法。
- 前記空隙形成工程において、前記半導体層の表面をウェットエッチングして、前記配線電極部の周縁部の下方に位置する前記半導体層の表面を粗面化するとともに、前記空隙を形成する、請求項10に記載の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048820A JP6738169B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
US16/080,395 US10658543B2 (en) | 2016-03-11 | 2017-01-30 | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
CN201780016697.3A CN108780824B (zh) | 2016-03-11 | 2017-01-30 | 半导体光器件和其制造方法 |
PCT/JP2017/003190 WO2017154404A1 (ja) | 2016-03-11 | 2017-01-30 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048820A JP6738169B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017163111A true JP2017163111A (ja) | 2017-09-14 |
JP6738169B2 JP6738169B2 (ja) | 2020-08-12 |
Family
ID=59789160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048820A Active JP6738169B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658543B2 (ja) |
JP (1) | JP6738169B2 (ja) |
CN (1) | CN108780824B (ja) |
WO (1) | WO2017154404A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075547A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10135518A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10200163A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2000196183A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 化合物半導体装置の電極構造 |
JP2003008055A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Daido Steel Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2004274042A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2006173386A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置、それを備える半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法。 |
JP2006245379A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006253298A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2007220902A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2008235728A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
JP2008288548A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2010532927A (ja) * | 2007-07-10 | 2010-10-14 | ドイチェ セル ゲーエムベーハー | 半導体素子のためのコンタクト構造とその製造方法 |
WO2012120894A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US20130298972A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
JP2015204333A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997001863A1 (fr) * | 1995-06-26 | 1997-01-16 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation de film semi-conducteur cristallin, procede de production de transistor a couche mince, procede de production de cellules solaires et dispositif cristal liquide a matrice active |
JP3654059B2 (ja) | 1999-06-25 | 2005-06-02 | 松下電工株式会社 | 赤外線センサーの製造方法 |
JP2007258326A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JP5310564B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2011100829A (ja) | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Toshiba Corp | 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置 |
KR101014155B1 (ko) * | 2010-03-10 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
JP5095785B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
DE112011103819T5 (de) * | 2010-11-18 | 2013-08-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld |
JP2011066453A (ja) * | 2010-12-27 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP4989773B1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
CN104685592B (zh) * | 2012-09-25 | 2018-01-16 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 图案的形成方法 |
JP6330125B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2018-05-30 | 株式会社ムラカミ | 太陽電池の製造方法 |
TWI710144B (zh) * | 2015-02-17 | 2020-11-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 具布拉格反射鏡之發光二極體及其製造方法 |
-
2016
- 2016-03-11 JP JP2016048820A patent/JP6738169B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-30 US US16/080,395 patent/US10658543B2/en active Active
- 2017-01-30 CN CN201780016697.3A patent/CN108780824B/zh active Active
- 2017-01-30 WO PCT/JP2017/003190 patent/WO2017154404A1/ja active Application Filing
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10135518A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10200163A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2000196183A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 化合物半導体装置の電極構造 |
JP2003008055A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Daido Steel Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2004274042A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2006173386A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置、それを備える半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法。 |
JP2006245379A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006253298A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2007220902A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2008235728A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
JP2008288548A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2010532927A (ja) * | 2007-07-10 | 2010-10-14 | ドイチェ セル ゲーエムベーハー | 半導体素子のためのコンタクト構造とその製造方法 |
WO2012120894A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US20130298972A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
JP2015204333A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075547A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP7138517B2 (ja) | 2017-10-18 | 2022-09-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108780824B (zh) | 2021-09-24 |
WO2017154404A1 (ja) | 2017-09-14 |
JP6738169B2 (ja) | 2020-08-12 |
US20190273182A1 (en) | 2019-09-05 |
US10658543B2 (en) | 2020-05-19 |
CN108780824A (zh) | 2018-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101527669B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP5883118B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップ | |
JP4886766B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
EP1821346A2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP5630384B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5639626B2 (ja) | 半導体発光素子及び電極成膜方法 | |
TWI488330B (zh) | Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof | |
WO2010071113A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2019207925A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2005123489A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
TWI222759B (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
JP2004207508A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2016134422A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5471485B2 (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子のパッド電極の製造方法 | |
WO2005109530A1 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
WO2017154404A1 (ja) | 半導体光デバイスおよびその製造方法 | |
JP2012084779A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2010238802A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 | |
JP6119906B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2009094108A (ja) | GaN系LED素子の製造方法 | |
JP5196111B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2012510724A (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP2011129724A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2012104730A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2010141262A (ja) | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200717 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6738169 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |