JP5639626B2 - 半導体発光素子及び電極成膜方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
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Description
前記半導体積層構造上に形成される電極と、を備え、
前記電極は、
前記発光層が出射する光を反射する反射膜と、
前記反射膜の上方及び側面に形成されるバリア膜と、
前記バリア膜の上面のみに形成されるパッド膜と、を備えることを特徴とする半導体発光素子を提供する。
特に、前記バリア膜が、Pt、Mo及びWの少なくとも一つを含むと、好ましい。
前記反射膜が、前記接触膜の上面に形成されると、好ましい。
前記レジストが形成された面上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程よりも後にバリア膜を形成するバリア膜形成工程と、
前記バリア膜形成工程よりも後にパッド膜を形成するパッド膜形成工程と、
前記パッド膜形成工程よりも後に前記レジストを除去するリフトオフ工程と、を備え、
下地となる膜の側面における成膜速度を、当該下地となる膜の上面における成膜速度で除した値である側面カバレジが、
前記バリア膜形成工程の開始時点で15%以上になり、前記バリア膜形成工程の終了時点及び前記パッド膜形成工程で0%になることを特徴とする電極成膜方法を提供する。
前記接触膜形成工程における前記接触膜の成膜速度が、0nm/secよりも大きく0.05nm/sec以下であると、好ましい。
最初に、本発明の実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法の一例について、図1〜図3を参照して説明する。図1〜図3は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の一例を示す断面図である。図1は、各種半導体層の積層方法(半導体積層構造の形成方法)について例示したものである。また、図2は、図1の後の工程を示したものであり、電極の成膜方法について例示したものである。また、図3は、図2の後の工程を示したものであり、保護膜の形成方法について例示したものである。
次に、電極21,22を成す各膜2a〜2fの好適な条件について、図面を参照して説明する。
S=S0+Cs・EXP(−Eas/kT)・ln(t) ・・・(1)
X=Cx・EXP(−Eax/kT)・ln(t) ・・・(2)
上述した半導体発光素子1の構成は一例に過ぎず、適宜変更してもよい。例えば、半導体積層構造11〜14については、周知のどのような構造を採用してもよい。ただし、半導体発光素子が、発光層と、当該発光層に電力を供給するための電極と、を備えた構造であると、好ましい。
10 : 基板
11 : nクラッド層
12 : 発光層
13 : pクラッド層
14 : 透明電極
21 : p電極
22 : n電極
2a : 第1Ni膜(接触膜)
2b : Al膜(反射膜)
2c : 第2Ni膜
2d : Pt膜(バリア膜)
2e : Au膜(パッド膜)
2f : 第3Ni膜
30 : 保護膜
R : レジスト
RO : 開口部
Claims (11)
- 電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造と、
前記半導体積層構造上に形成される電極と、を備え、
前記電極は、
前記発光層が出射する光を反射する、Alから成る反射膜と、
前記反射膜の上方及び側面に形成されるPtから成るバリア膜と、
前記バリア膜の上面のみに形成される、Auから成るパッド膜と、
前記反射膜と前記バリア膜との間に形成されるNiから成る膜と、を備え、
前記バリア膜は、前記反射膜の上方における膜厚が200nm以上であって、前記反射膜の側面に形成される膜厚が20nm以上であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記反射膜の膜厚が、40nm以上かつ70nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記バリア膜の膜厚が、300nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記電極が、
前記半導体積層構造の上面に接触する接触膜を、さらに備え、
前記反射膜が、前記接触膜の上面に形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記接触膜がNiから成り、その膜厚が4nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記接触膜がNiから成り、その膜厚が2nm以上であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体発光素子
- 前記電極が、
前記パッド膜の上面に形成されるNiから成る膜を、さらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造上に、オーバーハング形状のレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストが形成された面上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程よりも後にバリア膜を形成するバリア膜形成工程と、
前記バリア膜形成工程よりも後にパッド膜を形成するパッド膜形成工程と、
前記パッド膜形成工程よりも後に前記レジストを除去するリフトオフ工程と、を備え、
下地となる膜の側面における成膜速度を、当該下地となる膜の上面における成膜速度で除した値である側面カバレジが、
前記バリア膜形成工程の開始時点で15%以上になり、前記バリア膜形成工程の終了時点及び前記パッド膜形成工程で0%になることを特徴とする電極成膜方法。 - 前記反射膜形成工程、前記バリア膜形成工程及び前記パッド膜形成工程が、連続成膜によって前記反射膜、前記バリア膜及び前記パッド膜を形成するものであることを特徴とする請求項8に記載の電極成膜方法。
- 前記バリア膜形成工程の終了時点における前記バリア膜の膜厚が、200nm以上であることを特徴とする請求項8または9に記載の電極成膜方法。
- 前記レジスト形成工程と前記反射膜形成工程との間に、前記半導体積層構造の上面に接触する接触膜を形成する接触膜形成工程をさらに備え、
前記接触膜形成工程における前記接触膜の成膜速度が、0nm/secよりも大きく0.05nm/sec以下であることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載の電極成膜方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012202199A JP5639626B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-09-14 | 半導体発光素子及び電極成膜方法 |
KR1020120148444A KR101437746B1 (ko) | 2012-01-13 | 2012-12-18 | 반도체 발광 소자 및 전극 성막 방법 |
TW101148498A TWI524558B (zh) | 2012-01-13 | 2012-12-19 | Semiconductor light emitting element and electrode film forming method |
CN201310006955.3A CN103208573B (zh) | 2012-01-13 | 2013-01-08 | 半导体发光元件及电极成膜方法 |
US13/739,944 US9065018B2 (en) | 2012-01-13 | 2013-01-11 | Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode |
US14/744,498 US9263644B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-06-19 | Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode |
US14/989,408 US9530938B2 (en) | 2012-01-13 | 2016-01-06 | Semiconductor light-emitting device and method of forming electrode |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012004669 | 2012-01-13 | ||
JP2012004669 | 2012-01-13 | ||
JP2012202199A JP5639626B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-09-14 | 半導体発光素子及び電極成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165252A JP2013165252A (ja) | 2013-08-22 |
JP5639626B2 true JP5639626B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=48755726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012202199A Active JP5639626B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-09-14 | 半導体発光素子及び電極成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9065018B2 (ja) |
JP (1) | JP5639626B2 (ja) |
KR (1) | KR101437746B1 (ja) |
CN (1) | CN103208573B (ja) |
TW (1) | TWI524558B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594596B (zh) * | 2013-10-22 | 2016-03-02 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种叠层电极的制备方法 |
JP6252123B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2017-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
KR101534304B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2015-07-07 | 한국광기술원 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
JP6217528B2 (ja) | 2014-05-27 | 2017-10-25 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
TWI583019B (zh) * | 2015-02-17 | 2017-05-11 | 新世紀光電股份有限公司 | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
CN106129214B (zh) * | 2016-07-15 | 2018-08-14 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片的p电极结构、led芯片结构及其制造方法 |
CN109585625B (zh) * | 2018-12-05 | 2020-07-28 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的led芯片 |
JP6844630B2 (ja) | 2019-01-29 | 2021-03-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
CN110429166B (zh) * | 2019-08-23 | 2020-12-04 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片 |
CN112054104B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-10-08 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 发光二极管芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270753A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子および表示装置 |
JP2002033511A (ja) * | 2000-05-10 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP4024994B2 (ja) | 2000-06-30 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
TWI243488B (en) | 2003-02-26 | 2005-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method |
CN100590898C (zh) * | 2004-07-29 | 2010-02-17 | 昭和电工株式会社 | 用于半导体发光器件的正电极 |
JP2006080469A (ja) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP4457826B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-04-28 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
TWI257714B (en) * | 2004-10-20 | 2006-07-01 | Arima Optoelectronics Corp | Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode |
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JP2008041866A (ja) | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
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TWI412159B (zh) | 2008-06-16 | 2013-10-11 | Toyoda Gosei Kk | 半導體發光元件、其電極以及製造方法、及燈 |
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-
2012
- 2012-09-14 JP JP2012202199A patent/JP5639626B2/ja active Active
- 2012-12-18 KR KR1020120148444A patent/KR101437746B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-19 TW TW101148498A patent/TWI524558B/zh active
-
2013
- 2013-01-08 CN CN201310006955.3A patent/CN103208573B/zh active Active
- 2013-01-11 US US13/739,944 patent/US9065018B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-19 US US14/744,498 patent/US9263644B2/en active Active
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2016
- 2016-01-06 US US14/989,408 patent/US9530938B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI524558B (zh) | 2016-03-01 |
TW201334223A (zh) | 2013-08-16 |
US9263644B2 (en) | 2016-02-16 |
JP2013165252A (ja) | 2013-08-22 |
US20130181244A1 (en) | 2013-07-18 |
US20150287887A1 (en) | 2015-10-08 |
US9530938B2 (en) | 2016-12-27 |
KR101437746B1 (ko) | 2014-09-03 |
US9065018B2 (en) | 2015-06-23 |
KR20130083816A (ko) | 2013-07-23 |
US20160118544A1 (en) | 2016-04-28 |
CN103208573B (zh) | 2016-02-10 |
CN103208573A (zh) | 2013-07-17 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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