JP2017084997A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

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輝幸 石原
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Hiroyuki Saka
浩之 坂
海櫻 梅
Haiying Mei
海櫻 梅
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Abstract

【課題】電気的な短絡を防止しつつ、配線の微細化を実現することができ、且つ反りの発生を抑制できるプリント配線板及びその製造方法を提供する。【解決手段】プリント配線板1は、第1主面11と該第1主面11とは反対側の第2主面12とを有する積層体10と、第1主面11上に形成されて第1導体パッド101a,101bを含む配線層101と、第2主面12側に形成されて第2導体パッド110及び第3導体パッド109を含む配線層113とを備える。第2導体パッド110は第2主面12の中央部、第3導体パッド109は第2主面12の外縁部に配置されている。第3導体パッド109の上には銅箔40が形成され、該銅箔40の上には導体ポスト30が立設されている。第2導体パッド110の上表面110aは第2主面12より凹んでいる。【選択図】図1

Description

本発明は、パッケージ−オン−パッケージ(POP: Package On Package)用のプリント配線板及びその製造方法に関する。
従来、このような分野の技術として、例えば下記特許文献に記載されるものがある。特許文献1には、下基板の導体パッドに形成された半田ボール(すなわち、半田バンプ)を介して、該下基板と上基板とを電気的に接続する方法が開示されている。
米国特許公開2010/0289134A1号公報
しかし、上述の特許文献1に開示された方法では、リフロー炉などで加熱する際に、半田ボールが溶融して周囲に流れやすく、且つ実装される上基板の荷重が半田ボールにかかるので、半田ボールは横方向に膨らむことが多い。このため、隣接する半田ボール間に電気的な短絡(ショート)が発生しやすくなると推測される。このような電気的な短絡を防止するためには、半田ボールを載せる実装パッド間の間隔をある程度大きく取ることが検討されるが、実装パッド間の間隔を大きく取ると、配線の微細化(ファインピッチ)を図り難くなる問題が新たに生じると考えられる。
上記課題を解決する本発明のプリント配線板は、第1主面と該第1主面とは反対側の第2主面とを有する積層体と、前記積層体の前記第1主面上に形成され、複数の第1導体パッドを含む第1配線層と、前記積層体の前記第2主面側に形成され、電子部品と接続するための第2導体パッド及び他の配線板と接続するための第3導体パッドをそれぞれ複数含む第2配線層と、前記積層体の内部に形成されると共に、前記第1主面から前記第2主面に向かって縮径される複数のビア導体と、前記第3導体パッドの上に形成された金属箔と、前記金属箔の上に形成され、めっき層からなる導体ポストと、を備え、前記第2導体パッドは、前記第2主面の中央部に位置すると共に、前記積層体に埋め込まれ、前記第3導体パッドは、前記第2主面の外縁部に位置すると共に、前記積層体に埋め込まれ、前記第2導体パッドの上表面は、外部に露出し、前記第2主面よりも凹んでいる。
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、第1ベース板にキャリア銅箔付きの金属箔を貼り付ける第1工程と、前記金属箔の中央部に電子部品と接続するための第2導体パッド、該金属箔の外縁部に他の配線板と接続するための第3導体パッドをそれぞれ複数形成するように、該第2導体パッド及び該第3導体パッドを含む第2配線層を形成する第2工程と、前記第2配線層及び前記金属箔の上に、第1主面と該第1主面とは反対側の第2主面とを有する積層体を、前記第2主面が前記金属箔側に向くように形成する第3工程と、前記積層体の前記第1主面上に、複数の第1導体パッドを含む第1配線層を形成する第4工程と、前記第1ベース板及び前記キャリア銅箔を剥離させることで前記金属箔を露出させる第5工程と、接着層が形成された第2ベース板を用意し、該第2ベース板を前記積層体の前記第1主面に貼り付ける状態で該第1主面上に形成された前記第1導体パッドを露出させるように、前記第2ベース板及び前記接着層に開口部を事前に形成する第6工程と、前記接着層を介して前記積層体の前記第1主面に前記第2ベース板を貼り付ける第7工程と、前記金属箔上であって前記第3導体パッドに接する位置に、導体ポストを形成する第8工程と、前記金属箔のうち、前記導体ポストに接する部分以外を除去する第9工程と、を含む。
本発明によれば、電気的な短絡を防止しつつ、配線の微細化を実現することができ、且つ反りの発生を抑制できる。
第1実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 図1に示す第2導体パッドの拡大断面図である。 第2導体パッド及び第3導体パッドの配置位置を示す部分平面図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板に電子部品を実装させることを説明するための概略断面図である。 プリント配線板に封止樹脂層を形成することを説明するための概略断面図である。 第2実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 第3実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 第4実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 プリント配線板を用いたPOP構造の半導体パッケージを示す概略断面図である。 プリント配線板を用いたPOP構造の半導体パッケージを示す概略断面図である。
以下、図面を参照して本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施形態について説明する。図面の説明において同一の要素には同一符号を付し、重複説明は省略する。
<第1実施形態>
図1は第1実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板1は、第1主面11と該第1主面11とは反対側の第2主面12を有する積層体10と、該積層体10の第1主面11に貼り付けられたベース板20と、第2主面12側に立設された複数の導体ポスト30とを備えている。
積層体10は、複数の配線層と絶縁層とを交互に積層してなるビルドアップ構造である。具体的には、積層体10は、第1主面11側から第2主面12側に向かって順に絶縁層100、絶縁層102及び絶縁層104を有している。すなわち、これらの絶縁層のうち、絶縁層100は最も下側、絶縁層104は最も上側、絶縁層102は絶縁層100と絶縁層104との間に配置されている。従って、絶縁層100の下表面は積層体10の第1主面11、絶縁層104の上表面は第2主面12を構成している。なお、絶縁層100,102,104は、例えば層間樹脂フィルムにより形成されている。
積層体10の第1主面11上には、第1導体パッド101aと第1導体パッド101bとをそれぞれ複数含む配線層101が形成されている。配線層101は、特許請求の範囲に記載の「第1配線層」に相当するものであり、例えば無電解めっき層111と電解めっき層112によって形成されている。なお、本実施形態における配線層は、電気回路を構成する導体層のことを指し、その配置位置によってパッドと配線等を含む場合もあれば、パッドのみを含む場合もある。図1では、パッドのみの場合が示されている。
第1導体パッド101aは、第1主面11の中央部に配置され、後述の第2導体パッド110と電気的に接続するための構造である。一方、第1導体パッド101bは、第1主面11の外縁部に配置され、後述の第3導体パッド109と電気的に接続するための構造である。本実施形態では、第1導体パッド101aと第1導体パッド101bとは、その配置ピッチ及び面積が同じであるが、これに限らない。例えば、必要に応じて中央部に配置される第1導体パッド101aよりも、外縁部に配置される第1導体パッド101bの配置ピッチ及び面積を大きくしても良く、又はその逆であっても良い。
絶縁層102の下表面には、配線層103a及び配線層103bが形成されている。配線層103aは、第2導体パッド110と電気的に接続するための構造であり、第1導体パッド101aの上方に配置されている。この配線層103aは、絶縁層100の内部に形成されたビア導体106aを介し、第1導体パッド101aと電気的に接続されている。一方、配線層103bは、第3導体パッド109と電気的に接続するための構造であり、第1導体パッド101bの上方に配置されている。配線層103bは、絶縁層100の内部に形成されたビア導体106bを介し、第1導体パッド101bと電気的に接続されている。
また、絶縁層104の下表面には、配線層105a及び配線層105bが形成されている。配線層105aは、第2導体パッド110と電気的に接続するための構造であり、配線層103aの上方に配置されている。この配線層105aは、絶縁層102の内部に形成されたビア導体107aを介し、配線層103aと電気的に接続されている。一方、配線層105bは、第3導体パッド109と電気的に接続するための構造であり、配線層103bの上方に配置されている。図1に示すように、配線層105bのうち、一部が絶縁層102の内部に形成されたビア導体107bを介して配線層103bと電気的に接続されているが、他の一部が配線層103bと電気的に接続されていない。なお、配線層103a、103b、105a、105bは、配線層101と同様に、無電解めっき層111と電解めっき層112によってそれぞれ形成されている。
積層体10の第2主面12側には、複数の第2導体パッド110及び第3導体パッド109を含む配線層113が形成されている。配線層113は、特許請求の範囲に記載の「第2配線層」に相当するものであり、例えば銅めっき層によって形成されている。第2導体パッド110は、第2主面12の中央部12Aに位置し、絶縁層104に埋め込まれている。そして、第2導体パッド110の上表面110aは、外部に露出し、第2主面12より凹んでいる。図2は図1に示す第2導体パッドの拡大断面図である。図2に示すように、第2導体パッド110の上表面110aにおける第2主面12からの凹み量(すなわち、上表面110aから第2主面12までの距離)をDとしたときに、0<D<10μmであることが好ましい。このようにすれば、ファインピッチの第2導体パッド110においても、半田バンプが形成される際に、半田バンプ間のショート発生を抑制することができ、実装信頼性を向上することができる。
一方、第3導体パッド109は、左右両側から第2導体パッド110を挟むように、第2主面12の外縁部12Bに位置している。第3導体パッド109は、絶縁層104に埋め込まれ、その上表面が段差を有するように形成されている。また、その上表面の周縁部は、第2導体パッド110の上表面110aと同様に、第2主面12より凹んでいる。
図3は第2導体パッド及び第3導体パッドの配置位置を示す部分平面図であり、図3中のX−X線に沿う断面図は図1である。図3に示すように、第2導体パッド110は、所定のピッチP1で第2主面12の中央部12Aに配列されている。第3導体パッド109は、所定のピッチP2で第2主面12の外縁部12Bに配列されている。第2導体パッド110間のピッチP1は、第3導体パッド109間のピッチP2よりも小さく、第3導体パッド109間のピッチP2は導体ポスト30間のピッチと同じである。ここでのピッチとは、隣接するパッド又は隣接する導体ポストの中心の距離を意味している。
第2導体パッド110は、電子部品と接続するための構造であり、絶縁層104の内部に形成されたビア導体108aを介して配線層105aと電気的に接続されている。第3導体パッド109は、銅箔40及び導体ポスト30と共に、他の配線板と接続するための構造をなしている。この第3導体パッド109は、絶縁層104の内部に形成されたビア導体108bを介して配線層105bと電気的に接続されている。
ビア導体106a、106b、107a、107b、108a、108bは、それぞれ円錐台形状を呈し、第1主面11から第2主面12に向かって縮径されている。また、これらのビア導体106a,106b,107a,107b,108a,108bは、無電解めっき層111と電解めっき層112によって形成されている。
図1に示すように、第2導体パッド110と電気的に接続されるビア導体106a、107a、108aの一部は、絶縁層100、102、104の積層方向に沿って直線状に積み重ねられてスタック構造をなし、他の一部は積層方向に沿って位置をずらしながら積み重ねてオフセット構造をなしている。一方、第3導体パッド109と電気的に接続されるビア導体106b、107b、108bの一部は、積層方向に沿って直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。
第3導体パッド109の上には銅箔40が形成され、銅箔40の上には円柱状の導体ポスト30が立設されている。導体ポスト30は、例えば銅めっき層によって形成されている。導体ポスト30の高さ(すなわち、銅箔40の上表面から導体ポスト30の頂面30aまでの距離)をhとしたときに、50μm<h<200μmであることが好ましい。また、導体ポスト30の直径は、第3導体パッド109の直径よりも小さく、80〜150μmであることが好ましい。
ベース板20は、金属板やプリプレグ材のような一定の強度を有する材料によって形成され、接着層21を介して積層体10の第1主面11に貼り付けられている。ベース板20及び接着層21には、第1導体パッド101aを露出するための開口部20aと、第1導体パッド101bを露出させるための開口部20bが複数形成されている。
このように構成されたプリント配線板1では、積層体10の第2主面12側に導体ポスト30が立設され、この導体ポスト30を介して他の配線板と電気的に接続することができる。そして、導体ポスト30は、従来の半田ボールのように溶融時に横方向に膨らむことがないので、隣接する導体ポスト30間の電気的な短絡を防止しつつ、導体ポスト30間の間隔を小さくことができる。従って、プリント配線板1の配線の微細化を図り易くなる。
加えて、第2導体パッド110の上表面110aが外部に露出し、積層体10の第2主面12よりも凹んでいるので、第2主面12はソルダーレジスト層のような役割を果たし、第2導体パッド110の上表面110aを保護することができる。また、上表面110aが第2主面12より凹むことで、上表面110aと第2主面12との間に段差が形成される。そして、第2導体パッド110の上表面110aに半田バンプを形成する際に、この段差は半田バンプの周囲への流れを制限し、隣接する半田バンプ間に電気的な短絡の発生を防止することができる。
更に、導体ポスト30とビア導体108bとの間に第3導体パッド109及び銅箔40が介在されており、しかも、導体ポスト30の直径が第3導体パッド109の直径より小さいので、導体ポスト30の荷重が銅箔40及び第3導体パッド109によって分散される。このため、ビア導体108bへの応力を緩和することができるので、応力集中に起因するビア導体108bのクラックの発生を抑制することができ、接続信頼性を高める効果を期待できる。
また、積層体10の第1主面11に接着層21を介してベース板20が貼り付けられているので、このベース板20は、プリント配線板1の強度を高めることができ、反りの発生を抑制することができる。その結果、反りの有するプリント配線板と比べて、プリント配線板1の導通検査を容易に実施することができると共に、導通検査の精度を高める効果を奏する。更に、ベース板20及び接着層21には第1導体パッド101a,101bを露出するための開口部20a,20bが形成されているので、プリント配線板1の反り発生を防止しつつ、これらの開口部20a,20bを通して導通検査を容易に実施することができる。
なお、導体ポスト30と第1導体パッド101bとの間の導通検査を行う際には、例えば導通検査用メータの一方の端子を導体ポスト30の頂面30aに接触させ、他方の端子を開口部20bに差し込んで第1導体パッド101bに接触させて、これらの間の抵抗値を測定する。一方、第2導体パッド110と第1導体パッド101aとの間の導通検査を行う際には、導通検査用メータの一方の端子を第2導体パッド110の上表面110aに接触させ、他方の端子を開口部20aに差し込んで第1導体パッド101aに接触させて、これらの間の抵抗値を測定する。
<プリント配線板1の製造方法>
以下、図4A〜図5Hを参照しプリント配線板1の製造方法を説明する。以下に述べる各工程は、製造に用いられる第1ベース板60、第2ベース板20(すなわち、上述のベース板20)及び第3ベース板22の上下両側にそれぞれ実施されている。また、図4E及び図5Aにおいては、上側部分のみに符号を付しているが、下側部分の符号は上側部分と同じである。図5B〜図5Fにおいては、図面を見やすくするために、第3ベース板22の上側のみを示す。
<第1工程>
まず、第1ベース板60を用意する。第1ベース板60は、例えば、ガラス入りのプリプレグ材からなっている。次に、第1ベース板60の両側に、キャリア銅箔62付きの銅箔40を貼り付ける(図4A参照)。なお、図示しないが、キャリア銅箔62と銅箔40との間には、剥離層が塗布されている。
<第2工程>
次に、銅箔40の所定の場所に、第2導体パッド110及び第3導体パッド109をそれぞれ複数含む配線層113を形成する(図4B参照)。具体的には、まず、銅箔40の上に感光性レジスト層を塗布し、その後に露光現像処理を行うことにより、該感光性レジスト層の中央部及び外縁部に複数の開口部を有するレジストパターンを形成する。続いて、銅箔40を給電層として電解銅めっきを施すことで、中央部の開口部に第2導体パッド110、外縁部の開口部に第3導体パッド109を形成する。その後、例えばモノエタノールアミンを含む溶液でレジストパターンを除去する。これによって、銅箔40の上には、第2導体パッド110及び第3導体パッド109を含む配線層113のみが残される。
<第3工程>
次に、配線層113及び銅箔40の上に層間樹脂フィルム(味の素ファインテクノ(株)製、ABFシリーズ商品)を昇温しながら真空圧着ラミネートすることにより、絶縁層104を積層する。続いて、レーザ照射で絶縁層104の内部に、第2導体パッド110を露出させるビアホール104a、第3導体パッド109を露出させるビアホール104bを複数形成する。形成されるビアホール104a,104bは、それぞれ円錐台形状を呈し、その直径が第1ベース板60から離れる方向に沿って拡がっている(図4C参照)。
次に、セミアディティブ法(Semi Additive Process:SAP)でビアホール104a,104bの内部にビア導体108a,108bを形成すると共に、絶縁層104の上に配線層105a、105bを形成する(図4D参照)。具体的には、まず、絶縁層104の上表面ならびにビアホール104a,104bの内壁面及び底面にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に5〜60分間浸漬させることにより、厚さ0.1〜5μmの範囲で無電解めっき層111を形成する。続いて、無電解めっき層111の上に感光性レジスト層を積層し、露光現像処理でレジストパターンを形成する。
次に、無電解めっき層111を給電層として電解めっきを施すことにより、電解めっき層112を形成する。その後、レジストパターンを除去し、更にレジストパターンの除去によって露出された無電解めっき層111をエッチング処理で除去する。そして、絶縁層104の上表面に残された無電解めっき層111及び電解めっき層112は、配線層105a、105bを形成する。一方、ビアホール104a,104bの内部に充填された無電解めっき層111及び電解めっき層112は、ビア導体108a,108bを形成する。
次に、上述の方法を繰り返して行うことにより、積層体10を形成する。ここでは、絶縁層104の下表面が積層体10の第2主面12、絶縁層100の上表面が積層体10の第1主面11を構成する。そして、第1主面11及び第2主面12のうち、第2主面12は銅箔40側に向いている(すなわち、銅箔40に最も近い)。
<第4工程>
続いて、上述の方法で絶縁層100の内部にビア導体106a,106bを形成すると共に、絶縁層100の上表面(すなわち、積層体10の第1主面11)の上に複数の第1導体パッド101a,101bを含む配線層101を形成する(図4E参照)。
<第5工程>
次に、図4Eの矢印Fに沿って第1ベース板60に形成された積層体10の外周を切断することで、第1ベース板60及びキャリア銅箔62を剥離させる。その剥離によって、銅箔40が露出する。
<第6工程>
次に、接着層21が形成された第2ベース板20を用意する。第2ベース板20には、例えば、金属板やプリプレグ材のような一定の強度を有する材料が用いられる。続いて、この第2ベース板20を積層体10の第1主面11に貼り付ける状態で該第1主面11上に形成された第1導体パッド101a,101bを露出させるように、第2ベース板20及び接着層21に開口部20a,20bを事前に形成する(図4F参照)。なお、図4Fに示す第2ベース板20及び接着層21が開口部20a,20bによって分断されるように見えるが、実際には繋がっている状態である。また、開口部20a,20bの開口サイズは、第1導体パッド101a,101bのサイズに応じて調整することが可能である。
<第7工程>
次に、接着層21を介して第2ベース板20を積層体10の第1主面11に貼り付ける。そして、第2ベース板20が第1主面11に貼り付けられた状態では、第1導体パッド101aは第2ベース板20及び接着層21に形成された開口部20aから露出し、一方、第1導体パッド101bは開口部20bから露出する。
続いて、両面に接着層23が形成された第3ベース板22を用意する。第3ベース板22には、第2ベース板20と同様に、金属板やプリプレグ材のような一定の強度を有する材料が用いられる。次に、積層体10の第1主面11に貼り付けられた状態の第2ベース板20を、接着層23を介して第3ベース板22に固定させる。このとき、銅箔40は、第3ベース板22から最も離れる側に位置することになる(図5A参照)。
<第8工程>
次に、銅箔40上であって第3導体パッド109に接する位置に導体ポスト30を形成する。具体的には、まず、銅箔40の上に感光性レジスト層41を塗布する。その後、感光性レジスト層41の第3導体パッド109に接する位置に、露光現像処理で開口部41aを形成する(図5B参照)。このとき、形成される開口部41aの直径を、第3導体パッド109の直径より小さくする。続いて、銅箔40を給電層として電解銅めっきを施すことにより、開口部41aの内部に導体ポスト30を形成する。その後、導体ポスト30を研磨することにより、導体ポスト30の高さを調整する(図5C参照)。
<第9工程>
次に、例えばモノエタノールアミンを含む溶液を用いて、残った感光性レジスト層41を除去する(図5D参照)。その後、露出された銅箔40のうち、導体ポスト30に接する部分以外を選択エッチングで除去する(図5E参照)。ここで、導体ポスト30に接する部分とは、平面視で銅箔40の導体ポスト30と重なる部分である。
<第10工程>
次に、上記第9工程の継続エッチング処理で第2導体パッド110の上表面110aと、第3導体パッド109の外部に露出した上表面とを第2主面12より凹ませる(図5F)。このとき、第2導体パッド110の上表面110aにおける第2主面12からの凹み量Dを、0<D<10μmの関係に満たすように、エッチング処理を制御する。続いて、接着層23を除去することにより、第3ベース板22を取り外す。以上により、プリント配線板1が作製される。
次に、上述したように、導体ポスト30と第1導体パッド101bとの間の導通検査、第2導体パッド110と第1導体パッド101aとの間の導通検査をそれぞれ行う。続いて、導通検査に合格したプリント配線板1に対し、半田バンプ53を介して電子部品51の端子52と第2導体パッド110とを電気的に接続させることにより、該電子部品51を第2導体パッド110と実装させる(図5G参照)。次に、実装された電子部品51及び導体ポスト30を封止樹脂層54で封止する。具体的には、電子部品51、半田バンプ53、銅箔40及び導体ポスト30等を覆うように積層体10の第2主面12にモールド樹脂を塗布し、封止樹脂層54を形成する(図5H参照)。
封止樹脂層54の形成時に、その上表面54aを導体ポスト30の頂面30aと同一平面上に揃えるように封止樹脂層54を形成すれば良い。或いは、導体ポスト30の頂面30aを覆うまでに封止樹脂層54を形成し、その後、封止樹脂層54の上表面54aと導体ポスト30の頂面30aとを同一平面上に揃えるように、封止樹脂層54と導体ポスト30とを研磨しても良い。
<第11工程>
次に、接着層21を除去することにより、第2ベース板20を取り外す。
上述の製造方法では、製造の段階に合わせて一定の強度を有する第1ベース板60、第2ベース板20及び第3ベース板22を用いるので、材料の熱膨張係数の違い等による反りの発生を抑制することができる。また、第2ベース板20に第1導体パッド101a,101bを露出するための開口部20a,20bが形成されているので、プリント配線板1の反り発生を防止しつつ、第2ベース板20の貼り付けによる導通検査への影響を低減することができる。更に、電子部品51の実装及び封止樹脂層54の形成の際に、ベース板20を積層体10の第1主面11に貼り付けた状態で行うので、反りの発生を抑制でき、実装性を向上する効果も期待できる。
<第2実施形態>
図6は第2実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板2と第1実施形態との相違点は、第2導体パッド110及び第3導体パッド109の一部が電気的に接続されることである。
図6に示すように、第2主面12側に配置された複数の第2導体パッド110及び第3導体パッド109のうち、右側で隣接する第2導体パッド110と第3導体パッド109は、これらの間に形成された配線層113の一部である配線層114によって互いに電気的に接続されている。本実施形態に係るプリント配線板2は、第1実施形態と同様な効果を得られるほか、第2導体パッド110及び第3導体パッド109の一部が電気的に接続されるので、信号遅延を抑制しつつ、ノイズを低減する効果を更に奏する。
<第3実施形態>
図7は第3実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板3と第1実施形態との相違点は、ベース板20を有しないことである。本実施形態に係るプリント配線板3は、例えば上述の第10工程に示すようにプリント配線板1を作製した後に、電子部品51の実装及び封止樹脂層54の形成を行わずに、接着層21及びベース板20を除去することにより作製される。
<第4実施形態>
図8は第4実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板4と第3実施形態との相違点は、積層体10が絶縁層104を一層のみ有することである。この場合には、絶縁層104の下表面は積層体10の第1主面11、その上表面は第2主面12を構成する。配線層105a、105bは、特許請求の範囲に記載の「第1導体パッド」に相当するものになる。
以下、図9及び図10を参照して、第3実施形態のプリント配線板3を用いたPOP構造の半導体パッケージを説明する。
図9に示す例では、積層体10の第2主面12側に電子部品51が実装されている。電子部品51の端子52は、半田バンプ53を介して第2導体パッド110と電気的に接続されている。更に、積層体10の第2主面12の上には、封止樹脂層54が設けられている。そして、電子部品51、半田バンプ53及び銅箔40は、封止樹脂層54の内部に封止されている。一方、導体ポスト30は、頂面30aを除き封止樹脂層54によって封止されている。頂面30aは、封止樹脂層54の上表面54aと同一平面上に位置し、外部に露出している。
このように構成された半導体パッケージ5では、導体ポスト30及び電子部品51等は、封止樹脂層54によって保護されるので、振動や衝撃等から守られる。また、導体ポスト30の頂面30aが封止樹脂層54の上表面54aと同一平面上に位置し外部に露出するので、導体ポスト30と他の配線板との実装を容易に行える。なお、半導体パッケージ5は、例えば上述の図5G、図5Hに示す方法で作製し後に第2ベース板20を取り外すことによって、作製される。
図10に示す例では、積層体10の第2主面12に電子部品51が実装され、電子部品51、半田バンプ53、銅箔40及び導体ポスト30は、封止樹脂層55の内部に封止されている。封止樹脂層55には、導体ポスト30の頂面30aと側面の一部とを露出させる開口部55bが形成されている。
このように構成された半導体パッケージ6では、導体ポスト30と第2導体パッドに実装された電子部品51とが封止樹脂層55によって封止されるので、導体ポスト30及び電子部品51は封止樹脂層55に保護され、外部の衝撃等から守られる。また、導体ポスト30の頂面30aも外部に露出しているので、封止樹脂層55に保護されると共に、導体ポスト30と他の配線板との実装を容易に行える。
なお、半導体パッケージ6は、例えば以下の方法で作製される。すなわち、まず、半田バンプ53を介して電子部品51を第2導体パッド110と実装させる。次に、電子部品51及び導体ポスト30等を封止樹脂層55で封止した後に、レーザ加工で開口部55bを形成し、導体ポスト33の先端と側面の一部とを外部に露出させる。最後に第2ベース板20を取り外す。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、上述したプリント配線板1の製造方法では、接着層21及び第2ベース板20に第1導体パッド101a,101bを露出させる開口部20a,20bを形成した後に、該第2ベース板20を積層体10に貼り付けることについて説明したが、開口部を形成せずに第2ベース板を積層体10に貼り付けて、導通検査前にレーザ加工でこれらの開口部を形成しても良い。
1,2,3,4 プリント配線板
5,6 半導体パッケージ
10 積層体
11 第1主面
12 第2主面
12A 中央部
12B 外縁部
20 ベース板(第2ベース板)
20a,20b 開口部
21 接着層
30 導体ポスト
40 銅箔
51 電子部品
60 第1ベース板
62 キャリア銅箔
100 絶縁層
101 配線層(第1配線層)
101a,101b 第1導体パッド
102 絶縁層
103a,103b,105a,105b 配線層
104 絶縁層
106a,106b,107a,107b,108a,108b ビア導体
109 第3導体パッド
110 第2導体パッド
110a 上表面
113 配線層(第2配線層)
114 配線層

Claims (12)

  1. プリント配線板であって、
    第1主面と該第1主面とは反対側の第2主面とを有する積層体と、
    前記積層体の前記第1主面上に形成され、複数の第1導体パッドを含む第1配線層と、
    前記積層体の前記第2主面側に形成され、電子部品と接続するための第2導体パッド及び他の配線板と接続するための第3導体パッドをそれぞれ複数含む第2配線層と、
    前記積層体の内部に形成されると共に、前記第1主面から前記第2主面に向かって縮径される複数のビア導体と、
    前記第3導体パッドの上に形成された金属箔と、
    前記金属箔の上に形成され、めっき層からなる導体ポストと、
    を備え、
    前記第2導体パッドは、前記第2主面の中央部に位置すると共に、前記積層体に埋め込まれ、
    前記第3導体パッドは、前記第2主面の外縁部に位置すると共に、前記積層体に埋め込まれ、
    前記第2導体パッドの上表面は、外部に露出し、前記第2主面よりも凹んでいる。
  2. 請求項1に記載のプリント配線板において、
    前記第2導体パッド及び前記第3導体パッドの一部は、前記第2配線層を介して互いに電気的に接続されている。
  3. 請求項1又は2に記載のプリント配線板において、
    前記積層体の前記第1主面には、接着層を介してベース板が貼り付けられ、
    前記ベース板及び前記接着層には、前記第1導体パッドを露出させるための開口部が複数形成されている。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記第2導体パッドの上表面における前記第2主面からの凹み量をDとしたときに、0<D<10μmである。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記第2導体パッド間のピッチは、前記第3導体パッド間のピッチよりも小さく、且つ、前記第3導体パッド間のピッチは前記導体ポスト間のピッチと同じである。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記導体ポストの高さをhとしたときに、50μm<h<200μmである。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記導体ポストの直径は、前記第3導体パッドの直径よりも小さい。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記積層体は、絶縁層を一層のみ有する。
  9. 第1ベース板にキャリア銅箔付きの金属箔を貼り付ける第1工程と、
    前記金属箔の中央部に電子部品と接続するための第2導体パッド、該金属箔の外縁部に他の配線板と接続するための第3導体パッドをそれぞれ複数形成するように、該第2導体パッド及び該第3導体パッドを含む第2配線層を形成する第2工程と、
    前記第2配線層及び前記金属箔の上に、第1主面と該第1主面とは反対側の第2主面とを有する積層体を、前記第2主面が前記金属箔側に向くように形成する第3工程と、
    前記積層体の前記第1主面上に、複数の第1導体パッドを含む第1配線層を形成する第4工程と、
    前記第1ベース板及び前記キャリア銅箔を剥離させることで前記金属箔を露出させる第5工程と、
    接着層が形成された第2ベース板を用意し、該第2ベース板を前記積層体の前記第1主面に貼り付ける状態で該第1主面上に形成された前記第1導体パッドを露出させるように、前記第2ベース板及び前記接着層に開口部を事前に形成する第6工程と、
    前記接着層を介して前記積層体の前記第1主面に前記第2ベース板を貼り付ける第7工程と、
    前記金属箔上であって前記第3導体パッドに接する位置に、導体ポストを形成する第8工程と、
    前記金属箔のうち、前記導体ポストに接する部分以外を除去する第9工程と、
    を含むプリント配線板の製造方法。
  10. 請求項9に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記第9工程の後に、エッチング処理で前記第2導体パッドの上表面を前記積層体の前記第2主面より凹ませる第10工程を含む。
  11. 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記第10工程は、前記第2導体パッドの上表面を凹ませた後に、バンプを介して電子部品を前記第2導体パッドと実装させ、実装された電子部品及び導体ポストを封止樹脂層で封止することを更に含む。
  12. 請求項10又は11に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記第10工程の後に、前記第2ベース板を取り外す第11工程を更に含む。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10080290B2 (en) * 2015-11-17 2018-09-18 Intel Corporation Stretchable embedded electronic package
JP2018006386A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 イビデン株式会社 配線板の製造方法
JP6810617B2 (ja) * 2017-01-16 2021-01-06 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
US10256198B2 (en) * 2017-03-23 2019-04-09 Intel Corporation Warpage control for microelectronics packages
US11769719B2 (en) * 2018-06-25 2023-09-26 Intel Corporation Dual trace thickness for single layer routing
KR20200070773A (ko) * 2018-12-10 2020-06-18 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
TWI701979B (zh) * 2019-05-17 2020-08-11 欣興電子股份有限公司 線路板及其製作方法
KR20200142730A (ko) * 2019-06-13 2020-12-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5356876B2 (ja) * 2008-03-28 2013-12-04 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
KR20100065691A (ko) * 2008-12-08 2010-06-17 삼성전기주식회사 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5026400B2 (ja) * 2008-12-12 2012-09-12 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8604602B2 (en) 2009-05-15 2013-12-10 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with reinforced encapsulant having embedded interconnect and method of manufacture thereof
US8349658B2 (en) * 2010-05-26 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming conductive posts and heat sink over semiconductor die using leadframe
JP5675443B2 (ja) * 2011-03-04 2015-02-25 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP5649490B2 (ja) * 2011-03-16 2015-01-07 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2018032657A (ja) * 2016-08-22 2018-03-01 イビデン株式会社 プリント配線板およびプリント配線板の製造方法

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