JP2017098429A - アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017098429A
JP2017098429A JP2015229833A JP2015229833A JP2017098429A JP 2017098429 A JP2017098429 A JP 2017098429A JP 2015229833 A JP2015229833 A JP 2015229833A JP 2015229833 A JP2015229833 A JP 2015229833A JP 2017098429 A JP2017098429 A JP 2017098429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aperture
incident direction
blanking
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015229833A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6589597B2 (ja
Inventor
翼 七尾
Tsubasa Nanao
翼 七尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2015229833A priority Critical patent/JP6589597B2/ja
Priority to US15/341,297 priority patent/US10042261B2/en
Priority to TW105136174A priority patent/TWI624857B/zh
Priority to KR1020160154114A priority patent/KR101877131B1/ko
Publication of JP2017098429A publication Critical patent/JP2017098429A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6589597B2 publication Critical patent/JP6589597B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0456—Supports
    • H01J2237/0458—Supports movable, i.e. for changing between differently sized apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/1501—Beam alignment means or procedures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】成形アパーチャとブランキングアパーチャのアライメントを速やかに行うことができるアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ビーム入射方向を変化させながら、荷電粒子ビームを成形アパーチャ３０に照射し、検出器６０を用いて、前記荷電粒子ビームの入射方向毎に、ブランキングアパーチャ４０を通過したビームの電流量を検出する。前記入射方向と前記電流量とに基づいて電流量分布マップを作成する。前記電流量分布マップに基づいて成形アパーチャ３０又はブランキングアパーチャ４０を移動させ、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置合わせを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に関する。
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。このようなマルチビーム描画装置は、例えば、電子銃から放出された電子ビームを、複数の穴を持った成形アパーチャに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。成形アパーチャの下方にはブランキングアパーチャが設けられている。このブランキングアパーチャには、成形アパーチャの各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔にはブランカが設けられている。各ブランカは、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
マルチビーム描画装置では、成形アパーチャの穴を通過したビームが、ブランキングアパーチャの通過孔を通過するように、２枚のアパーチャのアライメント（位置合わせ）を行う必要がある。
従来、２枚のアパーチャの開口にビームを通過させるために、アパーチャ間に設置したコイルや偏向器を用いてアパーチャ中心位置や回転量を測定し、その測定値を元にアライメントを行っていた。しかし、マルチビーム描画装置では、成形アパーチャとブランキングアパーチャとが近接して設置されているため、これらの間にビームを偏向させる機構を設けることが困難であった。
アパーチャを載置するステージの移動や回転を繰り返すことでアライメントを行うことは可能であるが、このようなステージ移動を繰り返す手法はアライメントに長時間を要する。
特開２０００−３０６４７号公報 特開２００６−１４０２６７号公報 特開２００９−１１１４０５号公報 特開２００８−５３００２号公報 特開平９−１６２０９６号公報
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、成形アパーチャとブランキングアパーチャのアライメントを速やかに行うことができるアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるアライメント方法は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第１開口部が形成された成形アパーチャと、前記複数の第１開口部に対応した第２開口部が形成され、各第２開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させる入射方向制御部と、前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャのアライメント方法であって、前記入射方向制御部により前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射する工程と、前記検出器を用いて、前記荷電粒子ビームの入射方向毎に、前記電流量を検出する工程と、前記入射方向と前記電流量とに基づいて電流量分布マップを作成する工程と、前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う工程と、を備えることを特徴とするものである。
本発明の一態様によるアライメント方法において、前記電流量分布マップは、入射方向に基づく位置の輝度を電流量に応じたものとした輝度分布画像であり、前記電流量分布マップにおける高電流領域の位置に基づいて、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャの移動量を決定する。
本発明の一態様によるアライメント方法において、入射方向毎の電流量の差が所定値以下の場合、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを回転させる。
本発明の一態様によるアライメント方法は、前記入射方向制御部による前記ブランキングアパーチャ上でのビームの最大偏向量が、前記第２開口部の開口ピッチ以上である。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第１開口部が形成された成形アパーチャと、前記複数の第１開口部に対応した第２開口部が形成され、各第２開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させるアライメントコイルと、前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、前記アライメントコイルにより前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射させ、前記入射方向と、入射方向毎に前記検出器が検出した電流量とに基づいて電流量分布マップを作成し、前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う制御部と、を備えるものである。
本発明によれば、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の成形アパーチャとブランキングアパーチャとのアライメントを速やかに行うことができる。
本発明の実施形態に係る描画装置の概略図である。 アパーチャステージの概略図である。 （ａ）は成形アパーチャの概略図であり、（ｂ）はブランキングアパーチャの概略図である。 （ａ）（ｂ）はアパーチャの位置ずれの例を示す図である。 （ａ）はビームがブランキングアパーチャを通過しない例を示す図であり、（ｂ）は偏向したビームがブランキングアパーチャを通過する例を示す図である。 電流量分布マップの作成方法を示す図である。 電流量分布マップの例を示す図である。 （ａ）はアパーチャの位置ずれの例を示す図であり、（ｂ）は電流量分布マップの例を示す図である。 （ａ）はアパーチャの位置ずれの例を示す図であり、（ｂ）は電流量分布マップの例を示す図である。 （ａ）（ｂ）はブランキングアパーチャを通過するビームと通過しないビームとを示す図であり、（ｃ）は電流量分布マップの例を示す図である。 本実施形態に係るアパーチャのアライメント方法を説明するフローチャートである。 （ａ）（ｂ）はビームの偏向領域と、ブランキングアパーチャの通過孔の開口ピッチとを示す図である。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。
図１は、本発明の実施形態に係る描画装置の概略構成図である。図１に示す描画装置は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置は、描画部１０と、制御部１００とを備えている。制御部１００は、制御装置１１０、入射方向制御部１２０、ステージ制御部１５０、電流量取得部１６０等を有する。描画部１０は、電子鏡筒１０Ａ及び描画室１０Ｂを有する。電子鏡筒１０Ａ内には、電子銃１１、照明レンズ１２、縮小レンズ１３、対物レンズ１４、アライメントコイル２０、成形アパーチャ３０、ブランキングアパーチャ４０、アパーチャステージ５０、検出器６０等が配置されている。
描画室１０Ｂ内には、ＸＹステージ１５が配置される。ＸＹステージ１５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１６が配置される。試料１６には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１６には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
図３（ａ）に示すように、成形アパーチャ３０には、縦ｍ列×横ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴３２（第１開口部）が所定の配列ピッチで形成されている。各穴３２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。穴３２の形状は、円形であっても構わない。
電子銃１１（放出部）から放出された電子ビーム７０は、照明レンズ１２によりほぼ垂直に成形アパーチャ部材３０全体を照明する。電子ビーム７０は、すべての穴３２が含まれる領域を照明する。これらの複数の穴３２を電子ビーム７０の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム７０ａ〜７０ｄが形成されることになる。
図３（ｂ）に示すように、ブランキングアパーチャ４０には、成形アパーチャ３０の各穴３２の配置位置に合わせて通過孔４２（第２開口部）が形成され、各通過孔４２には、対となる２つの電極の組（ブランカ、図示略）が、それぞれ配置される。各通過孔４２を通過する電子ビームは、対となる２つの電極に印加される電圧によってそれぞれ独立に偏向される。このように、複数のブランカが、成形アパーチャ３０の複数の穴３２を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
ブランキングアパーチャ４０の通過孔４２は、成形アパーチャ３０の穴３２より大きくなっており、ビームが通過孔４２を通過しやすくなっている。
検出器６０は、中心に穴が形成されたアパーチャ部材である。ブランキングアパーチャ４０を通過したマルチビーム７０ａ〜７０ｄは、縮小レンズ１３によって縮小され、検出器６０の中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャ４０のブランカによって偏向された電子ビームは、検出器６０の中心の穴から位置がはずれ、検出器６０によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャ４０のブランカによって偏向されなかった電子ビームは、検出器６０の中心の穴を通過する。ブランカのオン／オフによって、ブランキング制御が行われ、ビームのオン／オフが制御される。
このように、検出器６０は、ブランカによってビームオフの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームオンになってからビームオフになるまでに検出器６０を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。
検出器６０を通過したマルチビームは、対物レンズ１４により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、各ビームの試料１６上のそれぞれの照射位置に照射される。一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャ３０の複数の穴３２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。
検出器６０は、遮蔽した電子ビームの電流量を検出することができる。電流量取得部１６０は、検出器６０で検出した電流量を取得し、制御装置１１０に転送する。成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０とのアライメント（位置合わせ）を行う場合は、ブランキングアパーチャ４０を通過した全てのビームが検出器６０で遮蔽され、検出器６０でビーム電流が測定されるように、ブランカによって偏向を行う。
アライメントコイル２０は、成形アパーチャ３０の上方に設けられている。アライメントコイル２０で発生する磁場により、照明レンズ１２を通過した電子ビーム７０が成形アパーチャ３０へ入射する入射方向（方向及び角度）を調整することができる。入射方向制御部１２０は、制御装置１１０から、成形アパーチャ３０への電子ビーム７０の入射方向の指示を受け付け、指示された入射方向となるように、アライメントコイル２０を流れる電流量を制御する。
アパーチャステージ５０は、成形アパーチャ３０及びブランキングアパーチャ４０を載置すると共に、成形アパーチャ３０をＸ方向、Ｙ方向に移動させたり、回転させたりすることができる。
図２に示すように、アパーチャステージ５０は、台座５１、支柱５２及び駆動部５３を有する。台座５１の周縁部から複数の支柱５２が立設しており、支柱５２の上端に駆動部５３が取り付けられている。支柱５２が動くことで、駆動部５３が平行移動したり、回転移動したりするようになっている。支柱５２の動作はステージ制御部１５０により制御される。
駆動部５３上には台座５４が設けられ、この台座５４上に成形アパーチャ３０が載置される。駆動部５３の移動に伴い、成形アパーチャ３０がＸ方向、Ｙ方向に移動したり、回転移動したりする。
台座５１の支柱５２より内周側から複数の支柱５５が立設しており、支柱５５の上端に台座５６が取り付けられている。台座５６上にブランキングアパーチャ４０が載置される。支柱５５は動かず、台座５６上のブランキングアパーチャ４０の位置は固定されている。
台座５４上の成形アパーチャ３０と、台座５６上のブランキングアパーチャ４０との位置が合っており、ブランキングアパーチャ４０の通過孔４２の上方に成形アパーチャ３０の穴３２が位置している場合は、穴３２を通過して形成されたマルチビーム７０ａ〜７０ｄは、それぞれ通過孔４２を通過する。
しかし、図４（ａ）に示すように、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０とのＸ方向、Ｙ方向の位置がずれていたり、図４（ｂ）に示すように回転位相がずれていたりすることがある。このような位置ずれが生じている場合、図５（ａ）に示すように、穴３２を通過したビーム７０は、通過孔４２を通過しない。
電子ビームが通過孔４２を通過しないと、ブランキングアパーチャ４０の下方に設けられた検出器６０でビーム電流が検出できず、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０とがどのような位置ずれを起こしているのか判断できなくなり、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０とのアライメントに長時間を要する。
そこで、本実施形態では、アライメントコイル２０を用いて、電子ビーム７０が成形アパーチャ３０へ入射する入射方向を振る（変化させる）。これにより、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置が合っていない場合でも、図５（ｂ）に示すように、ある入射方向では、穴３２を通過したビーム７０が、通過孔４２を通過する。これにより、検出器６０でビーム電流が検出できる。本実施形態では、検出された電流量と、その時のビーム入射方向から、どのような位置ずれを起こしているのか判断する。
制御装置１１０は、電子ビームの入射方向を振るように入射方向制御部１２０に指示を行い、電子ビーム入射方向と、電流量取得部１６０から通知された電流量とから、電流量分布マップを作成する。図６は、電流量分布マップの作成方法を説明する図である。図７は、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置が合っている場合の電流量分布マップの例を示す。電流量分布マップは、電流値が高いほど輝度を高く表示した輝度分布画像である。
図６に示すように、電子ビームが−Ｘ方向に偏向するような入射方向（I）とした時の電流量は、電流量分布マップの左側に表示される。電子ビームが＋Ｘ方向に偏向するような入射方向（II）とした時の電流量は、電流量分布マップの右側に表示される。電子ビームが＋Ｙ方向に偏向するような入射方向（III）とした時の電流量は、電流量分布マップの上側に表示される。電子ビームが−Ｙ方向に偏向するような入射方向（IV）とした時の電流量は、電流量分布マップの下側に表示される。
電子ビームが＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に偏向するような入射方向（V）とした時の電流量は、電流量分布マップの右上側に表示される。電子ビームが＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に偏向するような入射方向（VI）とした時の電流量は、電流量分布マップの右下側に表示される。電子ビームが−Ｘ方向及び＋Ｙ方向に偏向するような入射方向（VII）とした時の電流量は、電流量分布マップの左上側に表示される。電子ビームが−Ｘ方向及び−Ｙ方向に偏向するような入射方向（VIII）とした時の電流量は、電流量分布マップの左下側に表示される。
電子ビームの入射角が大きい程、電流量は電流量分布マップの周縁側に表示される。一方、電子ビームの入射角が小さい程、電流量は電流量分布マップの中心側に表示される。入射角が０°、すなわち電子ビームが鉛直下向きに進む時の電流量は、電流量分布マップの中心に表示される。
成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置が合っている場合、電子ビームの入射角が小さい程、すなわち電子ビームがより鉛直方向に進むほど、検出される電流量は高くなる。一方、電子ビームの入射角を大きくすると、穴３２を通過したビームが通過孔４２を通過しなくなり、検出される電流量は低くなる。そのため、図７に示すように、電流量分布マップの中心側は、輝度が高くなって明るく（白く）なり、周縁側は、輝度が低くなって暗く（黒く）なる。
図８（ａ）に示すように、成形アパーチャ３０がブランキングアパーチャ４０に対して＋Ｘ方向にずれている場合、−Ｘ方向に偏向するような入射方向とした時の電子ビームが、ブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過する。電流量分布マップは、図８（ｂ）に示すように、高輝度領域が−Ｘ側（左側）に位置するようなものとなる。
図９（ａ）に示すように、成形アパーチャ３０が−Ｘ方向及び＋Ｙ方向にずれている場合、＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に偏向するような入射方向とした時の電子ビームが、ブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過する。電流量分布マップは、図９（ｂ）に示すように、高輝度領域が＋Ｘ側かつ−Ｙ側（右下側）に位置するようなものとなる。
図４（ｂ）に示すように、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相がずれている場合は、全てのビームがブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過するような入射方向がない。図１０（ａ）（ｂ）は、ブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過するビームの例を示している。図１０（ａ）（ｂ）では、通過孔４２を通過するビームを実線矢印、通過しないビームを破線矢印で示している。このように、回転位相がずれている場合は、入射方向を変えると、ビームが通過する領域が変わり、通過するビームの本数はあまり変わらず、入射方向毎の電流量の差は小さい。そのため、電流量分布マップは、図１０（ｃ）に示すように、全体的にわずかに明るいものとなる。
本実施形態では、電流量分布マップの特徴に基づいて、２つのアパーチャ間にどのような位置ずれが生じているかを求め、位置ずれを補正する。
図１１に示すフローチャートを用いて、本実施形態によるアパーチャのアライメント方法を説明する。まず、アライメントコイル２０に流れる電流を制御して、電子ビームの入射方向を振り、ビームをスキャンする（ステップＳ１０１）。検出器６０が、ブランキングアパーチャ４０を通過した電子ビームのビーム電流を検出する。制御装置１１０は、検出された電流量と、電子ビーム入射方向とから、電流量分布マップを作成する（ステップＳ１０２）。
入射方向毎の電流量の差が所定値以下であり、電流量分布マップが、図１０（ｃ）に示すような、高輝度領域が無く全体的にわずかに明るいものである場合（ステップＳ１０３＿Ｎｏ）、制御装置１１０は、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相が合っていないと判定し、成形アパーチャ３０を回転させるようにステージ制御部１５０に指示する。ステージ制御部１５０は、成形アパーチャ３０が回転するように、アパーチャステージ５０の支柱５２の動作を制御する（ステップＳ１０４）。
電流量分布マップに高輝度領域が現れるまで、成形アパーチャ３０の回転、ビームのスキャン、電流量分布マップの作成を繰り返す。成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相が合うと、入射方向毎の電流量の差の最大値が所定値以上となり、電流量分布マップに高輝度領域が現れる。
電流量分布マップに高輝度領域があり（ステップＳ１０３＿Ｙｅｓ）、この高輝度領域が電流量分布マップの中心に位置していない場合（ステップＳ１０５＿Ｎｏ）、制御装置１１０は、高輝度領域の位置から成形アパーチャ３０の位置ずれ量を検出し、位置ずれ補正量をステージ制御部１５０に指示する。ステージ制御部１５０は、指示された位置ずれ補正量だけ成形アパーチャ３０が移動するように、アパーチャステージ５０の支柱５２の動作を制御する（ステップＳ１０６）。
例えば、作成された電流量分布マップが図８（ｂ）に示すようなものであった場合、制御装置１１０は、成形アパーチャ３０を−Ｘ方向に平行移動するようにステージ制御部１５０に指示する。成形アパーチャ３０の移動量は、電流量分布マップにおいて高輝度領域が中心からどの程度離れているかで決定する。高輝度領域が中心から離れている程、移動量は大きくなる。
作成された電流量分布マップが図９（ｂ）に示すようなものであった場合、制御装置１１０は、成形アパーチャ３０を＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に平行移動するようにステージ制御部１５０に指示する。
成形アパーチャ３０の移動後、制御装置１１０は、電子ビームの入射方向を振って電流量分布マップを再作成する。図７に示すような高輝度領域が中心に位置する電流量分布マップとなっている場合（ステップＳ１０５＿Ｙｅｓ）、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置が合っていると判定し、アライメント処理を終了する。
このように、本実施形態によれば、アライメントコイル２０を用いて、成形アパーチャ３０への電子ビーム７０の入射方向を振ってビームをスキャンする。そのため、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置がずれている場合でも、いずれかの入射方向においてはビームがブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過して、検出器６０でビーム電流を検出することができる。
そして、電子ビーム入射方向と、検出器６０が検出した電流量とから、電流量分布マップを作成し、電流量分布マップ内の高輝度領域の位置に基づいて、成形アパーチャ３０の位置ずれ量が求まる。ステージ制御部１５０が、位置ずれ補正量だけ成形アパーチャ３０を移動させることで、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との位置合わせを速やかに行うことができる。
また、電流量分布マップが全体的にわずかに明るく、高輝度領域の無いものであった場合は、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相がずれていることが分かる。電流量分布マップに高輝度領域（高電流領域）が現れるように成形アパーチャ３０を回転させることで、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相を容易に合わせることができる。
上記実施の形態において、アライメントコイル２０による電子ビーム７０の入射方向の偏向量は、図１２（ａ）に示すように、ブランキングアパーチャ４０における通過孔４２の開口ピッチＰ以上であることが好ましい。
アライメントコイル２０による電子ビーム７０の最大偏向量が開口ピッチＰより小さいと、図１２（ｂ）に示すように、成形アパーチャ３０とブランキングアパーチャ４０との回転位相が合っていても、成形アパーチャ３０の穴３２を通過したビームがブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過せず、検出器６０でビーム電流が検出できなくなる場合がある。
アライメントコイル２０による電子ビーム７０の偏向量が開口ピッチＰ以上であれば、電子ビーム７０の入射方向を振ってビームをスキャンした際に、いずれかの入射方向においてはビームが通過孔４２を通過して、検出器６０でビーム電流を検出することができる。
上記実施形態では、ブランキングアパーチャ４０の位置を固定とし、成形アパーチャ３０の位置を移動させる例について説明したが、成形アパーチャ３０の位置を固定とし、ブランキングアパーチャ４０の位置を移動（回転）するようにしてもよいし、成形アパーチャ３０及びブランキングアパーチャ４０の両方を移動（回転）できるようにしてもよい。
上記実施形態では、電流量分布マップは、電流値が高いほど輝度を高く表示していたが電流値が高い領域、すなわちブランキングアパーチャ４０の通過孔４２を通過するビームが多い入射方向が分かればよく、電流値が高いほど輝度を低く表示してもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１０ 描画部
１０Ａ 電子鏡筒
１０Ｂ 描画室
１１ 電子銃
１２ 照明レンズ
１３ 縮小レンズ
１４ 対物レンズ
１５ ＸＹステージ
１６ 試料
２０ アライメントコイル
３０ 成形アパーチャ
４０ ブランキングアパーチャ
５０ アパーチャステージ
６０ 検出器
１００ 制御部
１１０ 制御装置
１２０ 入射方向制御部
１５０ ステージ制御部
１６０ 電流量取得部

Claims (5)

  1. 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
    前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第１開口部が形成された成形アパーチャと、
    前記複数の第１開口部に対応した第２開口部が形成され、各第２開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、
    前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させる入射方向制御部と、
    前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、
    を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャのアライメント方法であって、
    前記入射方向制御部により前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射する工程と、
    前記検出器を用いて、前記荷電粒子ビームの入射方向毎に、前記電流量を検出する工程と、
    前記入射方向と前記電流量とに基づいて電流量分布マップを作成する工程と、
    前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う工程と、
    を備えることを特徴とするアパーチャのアライメント方法。
  2. 前記電流量分布マップは、入射方向に基づく位置の輝度を電流量に応じたものとした輝度分布画像であり、
    前記電流量分布マップにおける高電流領域の位置に基づいて、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャの移動量を決定することを特徴とする請求項１に記載のアパーチャのアライメント方法。
  3. 入射方向毎の電流量の差が所定値以下の場合、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを回転させることを特徴とする請求項１又は２に記載のアパーチャのアライメント方法。
  4. 前記入射方向制御部による前記ブランキングアパーチャ上でのビームの最大偏向量が、前記第２開口部の開口ピッチ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のアパーチャのアライメント方法。
  5. 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
    前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第１開口部が形成された成形アパーチャと、
    前記複数の第１開口部に対応した第２開口部が形成され、各第２開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、
    前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させるアライメントコイルと、
    前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、
    前記アライメントコイルにより前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射させ、前記入射方向と、入射方向毎に前記検出器が検出した電流量とに基づいて電流量分布マップを作成し、前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う制御部と、
    を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
JP2015229833A 2015-11-25 2015-11-25 アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 Active JP6589597B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015229833A JP6589597B2 (ja) 2015-11-25 2015-11-25 アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US15/341,297 US10042261B2 (en) 2015-11-25 2016-11-02 Method of aperture alignment and multi charged particle beam writing apparatus
TW105136174A TWI624857B (zh) 2015-11-25 2016-11-08 Opening alignment method and multi-charged particle beam drawing device
KR1020160154114A KR101877131B1 (ko) 2015-11-25 2016-11-18 애퍼쳐의 얼라인먼트 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015229833A JP6589597B2 (ja) 2015-11-25 2015-11-25 アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017098429A true JP2017098429A (ja) 2017-06-01
JP6589597B2 JP6589597B2 (ja) 2019-10-16

Family

ID=58720954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015229833A Active JP6589597B2 (ja) 2015-11-25 2015-11-25 アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10042261B2 (ja)
JP (1) JP6589597B2 (ja)
KR (1) KR101877131B1 (ja)
TW (1) TWI624857B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132532A (ko) * 2017-06-02 2018-12-12 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
KR20180133792A (ko) * 2017-06-07 2018-12-17 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법
JP2019121730A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US11574797B2 (en) 2020-09-29 2023-02-07 Nuflare Technology, Inc. Multiple-charged particle-beam irradiation apparatus and multiple-charged particle-beam irradiation method
JP2023528742A (ja) * 2020-06-10 2023-07-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子装置用の交換可能モジュール
KR20240089745A (ko) 2021-11-18 2024-06-20 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 묘화 장치의 제어 방법 및 묘화 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6665809B2 (ja) * 2017-02-24 2020-03-13 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
JP7074639B2 (ja) * 2017-11-03 2022-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビームの個別ビーム検出器、マルチビーム照射装置、及びマルチビームの個別ビーム検出方法
KR102401179B1 (ko) * 2017-12-12 2022-05-24 삼성전자주식회사 전자빔 장치의 어퍼처 시스템, 전자빔 노광 장치 및 전자빔 노광 장치 시스템
TWI719666B (zh) * 2018-10-16 2021-02-21 美商卡爾蔡司Ｓｍｔ公司 在半導體物件上移動結構的方法及檢驗半導體物件的檢驗裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106747A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Hitachi Ltd 荷電粒子線集束系の自動軸合せ装置
JP2000030647A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光装置
JP2000299267A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置および電子ビームのブランキング方法
JP2004128284A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Advantest Corp 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162096A (ja) 1995-12-05 1997-06-20 Toshiba Corp 荷電ビーム成形用アパーチャおよび荷電ビーム露光装置
US6768125B2 (en) 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
JP3929459B2 (ja) 2004-11-11 2007-06-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線露光装置
JP4789260B2 (ja) 2006-08-23 2011-10-12 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法
EP2279515B1 (en) * 2008-04-15 2011-11-30 Mapper Lithography IP B.V. Projection lens arrangement
JP5963453B2 (ja) * 2011-03-15 2016-08-03 株式会社荏原製作所 検査装置
NL2007604C2 (en) * 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
JP5859778B2 (ja) * 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5977550B2 (ja) 2012-03-22 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6087154B2 (ja) 2013-01-18 2017-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法
JP6209369B2 (ja) * 2013-06-13 2017-10-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US9105440B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
JP6262024B2 (ja) * 2014-03-04 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106747A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Hitachi Ltd 荷電粒子線集束系の自動軸合せ装置
JP2000030647A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光装置
JP2000299267A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置および電子ビームのブランキング方法
JP2004128284A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Advantest Corp 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132532A (ko) * 2017-06-02 2018-12-12 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
JP2018206918A (ja) * 2017-06-02 2018-12-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US10388488B2 (en) 2017-06-02 2019-08-20 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam drawing apparatus and multi charged particle beam drawing method
KR102081734B1 (ko) * 2017-06-02 2020-02-26 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
KR20180133792A (ko) * 2017-06-07 2018-12-17 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법
KR102153655B1 (ko) * 2017-06-07 2020-09-08 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법
US10636616B2 (en) 2018-01-10 2020-04-28 Nuflare Technology, Inc. Aperture array alignment method and multi charged particle beam writing apparatus
JP2019121730A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2023528742A (ja) * 2020-06-10 2023-07-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子装置用の交換可能モジュール
JP7431349B2 (ja) 2020-06-10 2024-02-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子装置用の交換可能モジュール
US11961698B2 (en) 2020-06-10 2024-04-16 Asml Netherlands B.V. Replaceable module for a charged particle apparatus
US11574797B2 (en) 2020-09-29 2023-02-07 Nuflare Technology, Inc. Multiple-charged particle-beam irradiation apparatus and multiple-charged particle-beam irradiation method
KR20240089745A (ko) 2021-11-18 2024-06-20 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 묘화 장치의 제어 방법 및 묘화 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6589597B2 (ja) 2019-10-16
TWI624857B (zh) 2018-05-21
KR20170061069A (ko) 2017-06-02
KR101877131B1 (ko) 2018-07-10
US10042261B2 (en) 2018-08-07
TW201719707A (zh) 2017-06-01
US20170146910A1 (en) 2017-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6589597B2 (ja) アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US8258488B2 (en) Compensation of dose inhomogeneity and image distortion
JP5970213B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6013089B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2013128032A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6665809B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
KR101925692B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치
CN115113490A (zh) 多带电粒子射束描绘装置及其调整方法
JP2003332207A (ja) 電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置
JP7275647B2 (ja) マルチビーム用アパーチャ基板セット及びマルチ荷電粒子ビーム装置
US10636616B2 (en) Aperture array alignment method and multi charged particle beam writing apparatus
JP3800343B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
JP2006024624A (ja) 荷電ビーム描画装置およびアパーチャ調整方法
JP2020035871A (ja) マルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6948765B2 (ja) 斜めに配された露光ストライプを用いるマルチビーム描画
JP2003332206A (ja) 電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置
JP2018026516A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
WO2024154182A1 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2019054050A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及びブランキング回路の故障診断方法
JP7192254B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
JP2024080618A (ja) 電子ビーム装置の調整方法、装置及びプログラム
JP2007258616A (ja) 荷電粒子ビーム描画システム及び荷電粒子ビーム照射装置の調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180502

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190820

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190902

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6589597

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250