JP2017098429A - アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ビーム入射方向を変化させながら、荷電粒子ビームを成形アパーチャ30に照射し、検出器60を用いて、前記荷電粒子ビームの入射方向毎に、ブランキングアパーチャ40を通過したビームの電流量を検出する。前記入射方向と前記電流量とに基づいて電流量分布マップを作成する。前記電流量分布マップに基づいて成形アパーチャ30又はブランキングアパーチャ40を移動させ、成形アパーチャ30とブランキングアパーチャ40との位置合わせを行う。
【選択図】図1
Description
10A 電子鏡筒
10B 描画室
11 電子銃
12 照明レンズ
13 縮小レンズ
14 対物レンズ
15 XYステージ
16 試料
20 アライメントコイル
30 成形アパーチャ
40 ブランキングアパーチャ
50 アパーチャステージ
60 検出器
100 制御部
110 制御装置
120 入射方向制御部
150 ステージ制御部
160 電流量取得部
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第1開口部が形成された成形アパーチャと、
前記複数の第1開口部に対応した第2開口部が形成され、各第2開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、
前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させる入射方向制御部と、
前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャのアライメント方法であって、
前記入射方向制御部により前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射する工程と、
前記検出器を用いて、前記荷電粒子ビームの入射方向毎に、前記電流量を検出する工程と、
前記入射方向と前記電流量とに基づいて電流量分布マップを作成する工程と、
前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う工程と、
を備えることを特徴とするアパーチャのアライメント方法。 - 前記電流量分布マップは、入射方向に基づく位置の輝度を電流量に応じたものとした輝度分布画像であり、
前記電流量分布マップにおける高電流領域の位置に基づいて、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャの移動量を決定することを特徴とする請求項1に記載のアパーチャのアライメント方法。 - 入射方向毎の電流量の差が所定値以下の場合、前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを回転させることを特徴とする請求項1又は2に記載のアパーチャのアライメント方法。
- 前記入射方向制御部による前記ブランキングアパーチャ上でのビームの最大偏向量が、前記第2開口部の開口ピッチ以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のアパーチャのアライメント方法。
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の第1開口部が形成された成形アパーチャと、
前記複数の第1開口部に対応した第2開口部が形成され、各第2開口部に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対してブランキング偏向を行うブランカが配置されたブランキングアパーチャと、
前記放出部から放出された荷電粒子ビームを偏向し、前記成形アパーチャへの前記荷電粒子ビームの入射方向を変化させるアライメントコイルと、
前記ブランキングアパーチャを通過したマルチビームの電流量を検出する検出器と、
前記アライメントコイルにより前記入射方向を変化させながら、前記荷電粒子ビームを前記成形アパーチャに照射させ、前記入射方向と、入射方向毎に前記検出器が検出した電流量とに基づいて電流量分布マップを作成し、前記電流量分布マップに基づいて前記成形アパーチャ又は前記ブランキングアパーチャを移動させ、前記成形アパーチャと前記ブランキングアパーチャとの位置合わせを行う制御部と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
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---|---|---|---|
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US15/341,297 US10042261B2 (en) | 2015-11-25 | 2016-11-02 | Method of aperture alignment and multi charged particle beam writing apparatus |
TW105136174A TWI624857B (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-08 | Opening alignment method and multi-charged particle beam drawing device |
KR1020160154114A KR101877131B1 (ko) | 2015-11-25 | 2016-11-18 | 애퍼쳐의 얼라인먼트 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229833A JP6589597B2 (ja) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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TW (1) | TWI624857B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180132532A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 |
KR20180133792A (ko) * | 2017-06-07 | 2018-12-17 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법 |
JP2019121730A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US11574797B2 (en) | 2020-09-29 | 2023-02-07 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple-charged particle-beam irradiation apparatus and multiple-charged particle-beam irradiation method |
JP2023528742A (ja) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子装置用の交換可能モジュール |
KR20240089745A (ko) | 2021-11-18 | 2024-06-20 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 묘화 장치의 제어 방법 및 묘화 장치 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6665809B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2020-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 |
US20190066972A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
JP7074639B2 (ja) * | 2017-11-03 | 2022-05-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビームの個別ビーム検出器、マルチビーム照射装置、及びマルチビームの個別ビーム検出方法 |
KR102401179B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 장치의 어퍼처 시스템, 전자빔 노광 장치 및 전자빔 노광 장치 시스템 |
TWI719666B (zh) * | 2018-10-16 | 2021-02-21 | 美商卡爾蔡司Smt公司 | 在半導體物件上移動結構的方法及檢驗半導體物件的檢驗裝置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58106747A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線集束系の自動軸合せ装置 |
JP2000030647A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2000299267A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置および電子ビームのブランキング方法 |
JP2004128284A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Advantest Corp | 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09162096A (ja) | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 荷電ビーム成形用アパーチャおよび荷電ビーム露光装置 |
US6768125B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
JP3929459B2 (ja) | 2004-11-11 | 2007-06-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線露光装置 |
JP4789260B2 (ja) | 2006-08-23 | 2011-10-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法 |
EP2279515B1 (en) * | 2008-04-15 | 2011-11-30 | Mapper Lithography IP B.V. | Projection lens arrangement |
JP5963453B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
NL2007604C2 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
JP5859778B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5977550B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6087154B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-03-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6209369B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-10-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6293435B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US9105440B2 (en) * | 2013-08-30 | 2015-08-11 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens |
JP6262024B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2015
- 2015-11-25 JP JP2015229833A patent/JP6589597B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-02 US US15/341,297 patent/US10042261B2/en active Active
- 2016-11-08 TW TW105136174A patent/TWI624857B/zh active
- 2016-11-18 KR KR1020160154114A patent/KR101877131B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58106747A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線集束系の自動軸合せ装置 |
JP2000030647A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2000299267A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置および電子ビームのブランキング方法 |
JP2004128284A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Advantest Corp | 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180132532A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 |
JP2018206918A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US10388488B2 (en) | 2017-06-02 | 2019-08-20 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam drawing apparatus and multi charged particle beam drawing method |
KR102081734B1 (ko) * | 2017-06-02 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 |
KR20180133792A (ko) * | 2017-06-07 | 2018-12-17 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법 |
KR102153655B1 (ko) * | 2017-06-07 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법 |
US10636616B2 (en) | 2018-01-10 | 2020-04-28 | Nuflare Technology, Inc. | Aperture array alignment method and multi charged particle beam writing apparatus |
JP2019121730A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2023528742A (ja) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子装置用の交換可能モジュール |
JP7431349B2 (ja) | 2020-06-10 | 2024-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子装置用の交換可能モジュール |
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