JP2003332207A - 電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置Info
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Abstract
ターンを露光することができる電子ビーム露光装置を提
供する。 【解決手段】 本発明に係る電子ビーム露光装置は、第
1の面に対して略垂直に入射された複数の電子ビーム
を、それぞれ第2の面に略垂直に入射する第1電磁レン
ズ系と、第2の面に対して略垂直に入射された複数の電
子ビームを、それぞれウェハに略垂直に入射する第2電
磁レンズ系と、第1電磁レンズ系及び/又は第2電磁レ
ンズ系による、複数の電子ビームの回転をそれぞれ補正
する複数の第1回転補正レンズとを備える。
Description
置及び電子ビーム処理装置に関する。特に本発明は、複
数の電子ビームにより精度よくウェハにパターンを露光
することができる電子ビーム露光装置に関する。
高解像度化かつ高スループット化を実現するため、様々
な電子ビーム露光装置が開発されている。例えば、特開
平11−176737号公報には、ウェハ上の転写位
置、ウェハの高さ、ビーム電流、及びパターンの散らば
り具合に応じて、電子ビームの偏向歪みを補正する分割
転写方式の電子ビーム露光装置が開示されている。ま
た、特開平9−245708号公報には、電子ビームが
縮小される際に発生する収差を予め補正する電子ビーム
露光装置が開示されている。また、特開2001−26
7221号公報には、電子ビームを分割することにより
形成された複数の電子ビームの歪曲収差を補正する電子
ビーム露光装置が開示されている。
11−176737号公報に開示された電子ビーム露光
装置では、複数の偏向器のそれぞれに、ウェハ上の転写
位置、ウェハの高さ、ビーム電流、及びパターンの散ら
ばり具合に応じて算出された補正データを供給するの
で、補正データを算出する関数が複雑になってしまうと
いう課題がある。また、特開平9−245708号公報
に開示された電子ビーム露光装置、及び特開2001−
267221号公報に開示された電子ビーム露光装置で
は、電子ビームが縮小される際に発生する電子ビームの
像の回転を補正することが困難であるという課題があ
る。
とのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
態によると、複数の電子ビームによりウェハを露光する
電子ビーム露光装置であって、第1の面に対して略垂直
に入射された複数の電子ビームを、それぞれ第2の面に
略垂直に入射する第1電磁レンズ系と、第2の面に対し
て略垂直に入射された複数の電子ビームを、それぞれウ
ェハに略垂直に入射する第2電磁レンズ系と、第1電磁
レンズ系及び/又は第2電磁レンズ系による、複数の電
子ビームの回転をそれぞれ補正する複数の第1回転補正
レンズとを備える。
射された複数の電子ビームをそれぞれ縮小して第2の面
に入射し、第2電磁レンズ系は、第2の面に対して入射
された複数の電子ビームをそれぞれ縮小して第3の面に
入射してもよい。
レンズを通過する電子ビームのウェハにおける照射位置
に基づいて、当該電子ビームの回転を補正してもよい。
第1回転補正レンズは、当該第1回転補正レンズを通過
する電子ビームの第1の面における通過位置に基づい
て、当該電子ビームの回転を補正してもよい。第1回転
補正レンズは、第1の面と第2の面との間に設けられて
もよい。
る複数の第1倍率補正レンズをさらに備えてもよい。第
1倍率補正レンズは、当該第1倍率補正レンズを通過す
る電子ビームのウェハにおける照射位置に基づいて、当
該電子ビームの倍率を補正してもよい。第1倍率補正レ
ンズは、当該第1倍率補正レンズを通過する電子ビーム
の第1の面における通過位置に基づいて、当該電子ビー
ムの倍率を補正してもよい。
レンズを通過する電子ビームが通過する回転補正レンズ
による、電子ビームの倍率を補正してもよい。第1倍率
補正レンズは、第1電磁レンズ系及び/又は第2電磁レ
ンズ系による、電子ビームの倍率を補正してもよい。第
1倍率補正レンズは、第1の面と第2の面との間に設け
られてもよい。
それぞれ通過する複数の第1レンズ開口部を有し、複数
の電子ビームを独立に集束する第1多軸電磁レンズと、
複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数の第2レンズ
開口部を有し、複数の電子ビームを独立に集束する第2
多軸電磁レンズとを有し、第2電磁レンズ系は、複数の
電子ビームがそれぞれ通過する複数の第3レンズ開口部
を有し、複数の電子ビームを独立に集束する第2多軸電
磁レンズ第3電磁レンズと、複数の電子ビームがそれぞ
れ通過する複数の第4レンズ開口部を有し、複数の電子
ビームを独立に集束する第2多軸電磁レンズ第4電磁レ
ンズとを有してもよい。
有し、第2多軸電磁レンズは、第2の焦点距離を有し、
第1多軸電磁レンズから、実質的に第1の焦点距離と第
2の焦点距離とを加算した距離隔てて設けられ、第3多
軸電磁レンズは、第3の焦点距離を有し、第4多軸電磁
レンズは、第4の焦点距離を有し、第3多軸電磁レンズ
から、実質的に第3の焦点距離と第4の焦点距離とを加
算した距離隔てて設けられてもよい。
を形成し、第2多軸電磁レンズは、第1の方向と略反対
の方向である第2の方向に磁界を形成し、第3の多軸電
磁レンズは、第2の方向に磁界を形成し、第4多軸電磁
レンズは、第1の方向に磁界を形成してもよい。
ズの第2レンズ開口部が形成する磁界内に設けられても
よい。第1回転補正レンズは、第2レンズ開口部が形成
する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を補正し
てもよい。第1回転補正レンズは、電子ビームの照射方
向において、第2多軸電磁レンズと略等しい位置に設け
られてもよい。
して設けられ、第1回転補正レンズによる電子ビームの
倍率を補正する第1倍率補正レンズをさらに備えてもよ
い。第1倍率補正レンズは、第2多軸電磁レンズの焦点
位置を略中心として設けられてもよい。
して設けられ、第1電磁レンズ系及び/又は第2電磁レ
ンズ系による、電子ビームの回転を補正する第2回転補
正レンズをさらに備えてもよい。第2回転補正レンズ
は、第1多軸電磁レンズの第1レンズ開口部が形成する
磁界内に設けられてもよい。第2回転補正レンズは、第
1レンズ開口部が形成する磁界の強度に基づいて、電子
ビームの回転を補正してもよい。第2回転補正レンズ
は、電子ビームの照射方向において第1多軸電磁レンズ
と略等しい位置に設けられてもよい。
して設けられ、第2回転補正レンズによる、電子ビーム
の倍率を補正する第2倍率補正レンズをさらに備えても
よい。第2倍率補正レンズは、第1多軸電磁レンズの第
1レンズ開口部が形成する磁界内に設けられてもよい。
第2回転補正レンズのレンズ軸を略中心として設けら
れ、第2回転補正レンズによる、電子ビームの倍率を補
正する第3倍率補正レンズをさらに備えてもよい。第2
倍率補正レンズと第3倍率補正レンズとは、第2回転補
正レンズを挟んで対向する位置に設けられてもよい。
ズの第2レンズ開口部が形成する磁界内に設けられても
よい。
ェハにおける複数の電子ビームを照射すべき位置に、複
数の電子ビームをそれぞれ偏向する偏向系をさらに備え
てもよい。複数の電子ビームをそれぞれ発生する複数の
電子銃と、複数の電子銃がそれぞれ発生した複数の電子
ビームを、第1の面に略垂直に入射する照射電子光学系
とをさらに備えてもよい。第1の面対して略垂直に入射
された複数の電子ビームのそれぞれを、さらに複数の電
子ビームに分割する複数の補正電子光学系をさらに備え
てもよい。
ビームによりウェハを露光する電子ビーム露光装置であ
って、第1の面に対して略垂直に入射された複数の電子
ビームを、それぞれ第2の面に略垂直に入射する第1電
磁レンズ系と、第2の面に対して略垂直に入射された複
数の電子ビームを、それぞれウェハに略垂直に入射する
第2電磁レンズ系と、第1電磁レンズ系及び/又は第2
電磁レンズ系による、複数の電子ビームの倍率をそれぞ
れ補正する複数の第1倍率補正レンズとを備えることを
特徴とする電子ビーム露光装置。
対して略垂直に入射された複数の電子ビームを、それぞ
れ第2の面に略垂直に入射する第1電磁レンズ系と、第
2の面に対して略垂直に入射された複数の電子ビーム
を、それぞれ第3の面に略垂直に入射する第2電磁レン
ズ系と、第1電磁レンズ系及び/又は第2電磁レンズ系
による、複数の電子ビームの回転をそれぞれ補正する複
数の第1回転補正レンズとを備えることを特徴とする電
子ビーム処理装置。
対して略垂直に入射された複数の電子ビームを、それぞ
れ第2の面に略垂直に入射する第1電磁レンズ系と、第
2の面に対して略垂直に入射された複数の電子ビーム
を、それぞれ第3の面に略垂直に入射する第2電磁レン
ズ系と、第1電磁レンズ系及び/又は第2電磁レンズ系
による、複数の電子ビームの倍率をそれぞれ補正する複
数の第1回転補正レンズとを備えることを特徴とする電
子ビーム処理装置。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
ーム露光装置10の構成の一例を示す。電子ビーム露光
装置10は、電子ビームにより、ウェハ146に所定の
露光処理を施すための露光部100と、露光部100の
各構成の動作を制御する制御系200とを備える。な
お、図中の一点鎖線は、電子ビームの光軸Aを示し、点
線は、電子ビームの焦点面B1、焦点面B2、焦点面B
3、焦点面B4を示す。
ビームを発生し焦点面B1に対して入射する複数の電子
銃110と、焦点面B1に対して入射された複数の電子
ビームの断面をそれぞれ拡大し、複数の電子ビームをそ
れぞれ集束して焦点面B2に入射する照射電子光学系1
16と、複数の電子ビームをそれぞれ分割し、複数の分
割電子ビームを含む電子ビームを生成する複数の補正電
子光学系118と、焦点面B2から入射された複数の電
子ビームの断面をそれぞれ縮小し、複数の電子ビームを
それぞれ集束して焦点面B3に入射する複数の第1電磁
レンズ系124と、複数の電子ビームの回転及び/又は
倍率をそれぞれ補正する複数の回転・倍率補正レンズ系
125と、焦点面B3から入射された複数の電子ビーム
の断面をそれぞれ縮小し、複数の電子ビームをそれぞれ
集束して焦点面B4(即ちウェハ146の表面)に入射
する第2電磁レンズ系130と、ウェハ146における
電子ビームを照射すべき位置に複数の電子ビームをそれ
ぞれ偏向する複数の偏向系142と、焦点面B4(即ち
ウェハ146の表面)においてマークに照射された電子
ビームの反射電子を検出する反射電子検出部144と、
ウェハ146が載置されるウェハステージ148とを備
える。
ッド106と、アノード108とを有する。カソード1
04から放射された電子ビームは、グリッド106とア
ノード108との間でクロスオーバ像を形成する。グリ
ッド106に印加する電圧を変化させることによりクロ
スオーバ像の大きさを変化させる。
ンズ112及び第2多軸電磁レンズ114を有する。第
1多軸電磁レンズ112は、複数の電子ビームのそれぞ
れが通過する複数のレンズ開口部111を有する。ま
た、第2多軸電磁レンズ114は、複数の電子ビームの
それぞれが通過する複数のレンズ開口部113を有す
る。そして、照射電子光学系116は、第1多軸電磁レ
ンズ112及び第2多軸電磁レンズ114により、複数
の電子銃110がそれぞれ発生した複数の電子ビームを
それぞれ拡大し、焦点面B2に垂直に入射する。即ち、
照射電子光学系116は、複数の補正電子光学系118
のそれぞれにおける所望の領域に、複数の電子ビームを
それぞれ略垂直に入射する。
チャアレイ、ブランカアレイ、電磁レンズアレイ、スト
ッパアレイを有し、焦点面B2対して略垂直に入射され
た電子ビームを複数の電子ビームに分割し、複数の分割
電子ビームを含む電子ビームを生成する。そして、補正
電子光学系118は、複数の分割電子ビームの焦点位置
をそれぞれ調整する。
レンズ120及び第4多軸電磁レンズ122を有する。
第3多軸電磁レンズ120は、複数の電子ビームがそれ
ぞれ通過する複数のレンズ開口部119を有する。ま
た、第4多軸電磁レンズ122は、複数の電子ビームが
それぞれ通過するレンズ開口部121を有する。
レンズ120と第4多軸電磁レンズ122とが光軸Aの
方向に並んで設けられたダブレットである。言い換える
と、第1電磁レンズ系124は、第3多軸電磁レンズ1
20の複数のレンズ開口部119と、第4多軸電磁レン
ズ122の複数のレンズ開口部121とによって構成さ
れた複数のダブレットを有する。第3多軸電磁レンズ1
20の焦点距離(即ちレンズ開口部119の焦点距離)
がf1であり、第4多軸電磁レンズ122の焦点距離
(即ちレンズ開口部121の焦点距離)がf2である場
合、第3多軸電磁レンズ120と第4多軸電磁レンズ1
22とは、f1とf2とを加算した距離隔てて設けられ
る。第1電磁レンズ系124の物点は、第3多軸電磁レ
ンズ120の焦点位置(即ち焦点面B2)にあり、第1
電磁レンズ系124の像点は、第4多軸電磁レンズ12
2の焦点位置(即ち焦点面B3)にある。そして、第1
電磁レンズ系124は、複数の電子ビームの断面をそれ
ぞれf2/f1に縮小する。
軸電磁レンズ122とは、互いに逆方向に作用する磁界
を形成することが望ましい。第3多軸電磁レンズ120
及び第4多軸電磁レンズ122は、光軸Aを略中心とし
て巻かれたコイルを有する。そして、第3多軸電磁レン
ズ120のレンズ開口部119、及び第4多軸電磁レン
ズ122は、光軸Aに略平行な磁界を形成する。第3多
軸電磁レンズ120のレンズ開口部119が光軸Aに略
平行な第1の方向に磁界を形成する場合、第4多軸電磁
レンズ122のレンズ開口部121は、第1の方向と略
反対の方向である第2の方向光に磁界を形成することが
望ましい。第3多軸電磁レンズ120と第4多軸電磁レ
ンズ122とが逆方向に作用する磁界を形成することに
より、光学系により生じる電子ビームの収差を低減する
ことができる。特に、倍率に関する色収差、回転等を低
減することができる。
転・倍率補正レンズ125aと、第2回転・倍率補正レ
ンズ125bと、第3回転・倍率補正レンズ125c
と、第4回転・倍率補正レンズ125dと、第5回転・
倍率補正レンズ125eとを有する。第1回転・倍率補
正レンズ125a、第2回転・倍率補正レンズ125
b、第3回転・倍率補正レンズ125c、第4回転・倍
率補正レンズ125d、及び第5回転・倍率補正レンズ
125eは、静電レンズであることが望ましく、ユニポ
テンシャルレンズであることが好ましい。
回転・倍率補正レンズ125b、第3回転・倍率補正レ
ンズ125c、第4回転・倍率補正レンズ125d、及
び第5回転・倍率補正レンズ125eは、焦点面B2と
焦点面B3との間に設けられることが望ましい。また、
第1回転・倍率補正レンズ125aのレンズ軸と、第2
回転・倍率補正レンズ125bのレンズ軸と、第3回転
・倍率補正レンズ125cのレンズ軸と、第4回転・倍
率補正レンズ125dのレンズ軸と、及び第5回転・倍
率補正レンズ125eのレンズ軸とは、略同一直線上に
あることが好ましい。
1多軸電磁レンズ112、第2多軸電磁レンズ114、
第3多軸電磁レンズ120、第4多軸電磁レンズ12
2、第5多軸電磁レンズ126、及び第6多軸電磁レン
ズ128の少なくとも1つによる、電子ビームの光軸A
に対する電子ビームの回転を補正する。具体的には、第
2回転・倍率補正レンズ125bは、ウェハ146にお
ける電子ビームの像の回転量を補正する。
該第2回転・倍率補正レンズ125bを通過する電子ビ
ームのウェハ146(即ち焦点面B4)における照射位
置に基づいて、当該電子ビームの回転を補正する。ま
た、第2回転・倍率補正レンズ125bは、当該第2回
転・倍率補正レンズ125bを通過する電子ビームの焦
点面B2における通過位置に基づいて、当該電子ビーム
の回転を補正してもよい。また、第2回転・倍率補正レ
ンズ125bは、当該第2回転・倍率補正レンズ125
bを通過する電子ビームの第3多軸電磁レンズ120に
おける通過位置に基づいて、当該電子ビームの回転を補
正してもよい。また、第2回転・倍率補正レンズ125
bは、第3多軸電磁レンズ120のレンズ開口部119
が形成する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を
補正してもよい。
3多軸電磁レンズ120のレンズ開口部119が形成す
る磁界内に設けられることが好ましい。また、第2回転
・倍率補正レンズ125bは、電子ビームの照射方向に
おいて第3電磁レンズ120と略等しい位置に設けられ
ることが好ましい。即ち、第2回転・倍率補正レンズ1
25bは、第3多軸電磁レンズ120のレンズ開口部1
19のレンズ中心に設けられることが好ましい。第2回
転・倍率補正レンズ125bがレンズ開口部119のレ
ンズ中心に設けられることにより、ウェハ146におけ
る電子ビームの回転を効率よく補正することができる。
3回転・倍率補正レンズ125cは、第2回転・倍率補
正レンズ125bによる電子ビームの倍率(即ち縮小
率)を補正する。具体的には、第1回転・倍率補正レン
ズ125a及び第3回転・倍率補正レンズ125cは、
ウェハ146における電子ビームの像の大きさを補正す
る。また、第1回転・倍率補正レンズ125a及び第3
回転・倍率補正レンズ125cは、第1多軸電磁レンズ
112、第2多軸電磁レンズ114、第3多軸電磁レン
ズ120、第4多軸電磁レンズ122、第5多軸電磁レ
ンズ126、及び第6多軸電磁レンズ128の少なくと
も1つによる電子ビームの回転を補正してもよい。
該第1回転・倍率補正レンズ125aを通過する電子ビ
ームのウェハ146(即ち焦点面B4)における照射位
置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補正する。ま
た、第1回転・倍率補正レンズ125aは、当該第1回
転・倍率補正レンズ125aを通過する電子ビームの焦
点面B2における通過位置に基づいて、当該電子ビーム
の倍率を補正してもよい。また、第1回転・倍率補正レ
ンズ125aは、当該第1回転・倍率補正レンズ125
aを通過する電子ビームの第3多軸電磁レンズ120に
おける通過位置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補
正してもよい。また、第1回転・倍率補正レンズ125
aは、第3多軸電磁レンズ120のレンズ開口部119
が形成する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を
補正してもよい。
該第3回転・倍率補正レンズ125cを通過する電子ビ
ームのウェハ146(即ち焦点面B4)における照射位
置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補正する。ま
た、第3回転・倍率補正レンズ125cは、当該第3回
転・倍率補正レンズ125cを通過する電子ビームの焦
点面B2における通過位置に基づいて、当該電子ビーム
の倍率を補正してもよい。また、第3回転・倍率補正レ
ンズ125cは、当該第3回転・倍率補正レンズ125
cを通過する電子ビームの第3多軸電磁レンズ120に
おける通過位置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補
正してもよい。また、第3回転・倍率補正レンズ125
cは、第3多軸電磁レンズ120のレンズ開口部119
が形成する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を
補正してもよい。
3回転・倍率補正レンズ125cは、第3多軸電磁レン
ズ120のレンズ開口部119が形成する磁界内に設け
られることが好ましい。また、第1回転・倍率補正レン
ズ125a及び第3回転・倍率補正レンズ125cは、
第2回転・倍率補正レンズ125bのレンズ軸を略中心
として設けられることが好ましい。また、第1回転・倍
率補正レンズ125aと第3回転・倍率補正レンズ12
5cとは、第2回転・倍率補正レンズ125bを挟んで
対向する位置に設けられることが好ましい。
ズ125bが電子ビームの回転を補正し、第1回転・倍
率補正レンズ125a及び第3回転・倍率補正レンズ1
25cが電子ビームの倍率を補正するが、他の例におい
ては、第2回転・倍率補正レンズ125bが電子ビーム
の倍率を補正し、第1回転・倍率補正レンズ125a及
び第3回転・倍率補正レンズ125cが電子ビームの回
転を補正してもよい。
1多軸電磁レンズ112、第2多軸電磁レンズ114、
第3多軸電磁レンズ120、第4多軸電磁レンズ12
2、第5多軸電磁レンズ126、及び第6多軸電磁レン
ズ128の少なくとも1つによる、電子ビームの光軸A
に対する電子ビームの回転を補正する。具体的には、第
5回転・倍率補正レンズ125eは、ウェハ146にお
ける電子ビームの像の回転量を補正する。
該第5回転・倍率補正レンズ125eを通過する電子ビ
ームのウェハ146(即ち焦点面B4)における照射位
置に基づいて、当該電子ビームの回転を補正する。ま
た、第5回転・倍率補正レンズ125eは、当該第5回
転・倍率補正レンズ125eを通過する電子ビームの焦
点面B2における通過位置に基づいて、当該電子ビーム
の回転を補正してもよい。また、第5回転・倍率補正レ
ンズ125eは、当該第5回転・倍率補正レンズ125
eを通過する電子ビームの第4多軸電磁レンズ122に
おける通過位置に基づいて、当該電子ビームの回転を補
正してもよい。また、第5回転・倍率補正レンズ125
eは、第4多軸電磁レンズ122のレンズ開口部121
が形成する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を
補正してもよい。
4多軸電磁レンズ122のレンズ開口部121が形成す
る磁界内に設けられることが好ましい。また、第5回転
・倍率補正レンズ125eは、電子ビームの照射方向に
おいて第4電磁レンズ122と略等しい位置に設けられ
ることが好ましい。即ち、第5回転・倍率補正レンズ1
25eは、第4多軸電磁レンズ122のレンズ開口部1
21のレンズ中心に設けられることが好ましい。第5回
転・倍率補正レンズ125eがレンズ開口部121のレ
ンズ中心に設けられることにより、ウェハ146におけ
る電子ビームの回転を効率よく補正することができる。
該第4回転・倍率補正レンズ125dを通過する電子ビ
ームのウェハ146(即ち焦点面B4)における照射位
置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補正する。ま
た、第4回転・倍率補正レンズ125dは、当該第4回
転・倍率補正レンズ125dを通過する電子ビームの焦
点面B2における通過位置に基づいて、当該電子ビーム
の倍率を補正してもよい。また、第4回転・倍率補正レ
ンズ125dは、当該第4回転・倍率補正レンズ125
dを通過する電子ビームの第4多軸電磁レンズ122に
おける通過位置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補
正してもよい。また、第4回転・倍率補正レンズ125
dは、第4多軸電磁レンズ122のレンズ開口部119
が形成する磁界の強度に基づいて、電子ビームの回転を
補正してもよい。
4多軸電磁レンズ122の焦点位置C1(即ちレンズ開
口部119の焦点位置)、つまり当該第4回転・倍率補
正レンズ125dを通過する電子ビームの像のクロスオ
ーバ位置を略中心として設けられることが好ましい。ま
た、第4回転・倍率補正レンズ125dは、第5回転・
倍率補正レンズ125eのレンズ軸を略中心として設け
られることが好ましい。第4回転・倍率補正レンズ12
5dが電子ビームの像のクロスオーバ位置を略中心とし
て設けられることにより、ウェハ146における電子ビ
ームの倍率を効率よく補正することができる。
た第1回転・倍率補正レンズ125a、第2回転・倍率
補正レンズ125b、及び第3回転・倍率補正レンズ1
25cの配置と、第4電磁レンズ122付近に設けられ
た第4回転・倍率補正レンズ125d及び第5回転・倍
率補正レンズ125eの配置とを異ならせることによ
り、補正効果を打ち消し合いかねないダブレットにおい
ても、電子ビームの回転及び倍率を補正することができ
る。
ズ125eが電子ビームの回転を補正し、第4回転・倍
率補正レンズ125dが電子ビームの倍率を補正する
が、他の例においては、第5回転・倍率補正レンズ12
5eが電子ビームの倍率を補正し、第4回転・倍率補正
レンズ125dが電子ビームの回転を補正してもよい。
レンズ126及び第6多軸電磁レンズ128を有する。
第5多軸電磁レンズ126は、複数の電子ビームがそれ
ぞれ通過する複数のレンズ開口部123を有する。ま
た、第6多軸電磁レンズ128は、複数の電子ビームが
それぞれ通過するレンズ開口部127を有する。
レンズ126と第6多軸電磁レンズ128とが光軸Aの
方向に並んで設けられたダブレットである。言い換える
と、第2電磁レンズ系130は、第5多軸電磁レンズ1
26の複数のレンズ開口部123と、第6多軸電磁レン
ズ128の複数のレンズ開口部127とによって構成さ
れた複数のダブレットを有する。第5多軸電磁レンズ1
26の焦点距離(即ちレンズ開口部123の焦点距離)
がf3であり、第6多軸電磁レンズ128の焦点距離
(即ちレンズ開口部127の焦点距離)がf4である場
合、第5多軸電磁レンズ126と第6多軸電磁レンズ1
28とは、f3とf4とを加算した距離隔てて設けられ
る。第2電磁レンズ系130の物点は、第5多軸電磁レ
ンズ126の焦点位置(即ち焦点面B3)にあり、第2
電磁レンズ系130の像点は、第6多軸電磁レンズ12
8の焦点位置(即ち焦点面B4)にある。そして、第2
電磁レンズ系130は、複数の電子ビームの断面をそれ
ぞれf4/f3に縮小する。
軸電磁レンズ128とは、互いに逆方向に作用する磁界
を形成することが望ましい。第5多軸電磁レンズ126
及び第6多軸電磁レンズ128は、光軸Aを略中心とし
て巻かれたコイルを有する。そして、第5多軸電磁レン
ズ126のレンズ開口部123、及び第6多軸電磁レン
ズ127は、光軸Aに略平行な磁界を形成する。第3電
磁レンズ120のレンズ開口部119が第1の方向に磁
界を形成する場合、第5電磁レンズ126のレンズ開口
部123は、第2の方向に磁界を形成することが望まし
い。さらに、第5多軸電磁レンズ126のレンズ開口部
123が第2の方向に磁界を形成する場合、第6多軸電
磁レンズ128のレンズ開口部127は、第2の方向に
磁界を形成することが望ましい。第5多軸電磁レンズ1
26と第6多軸電磁レンズ128とが逆方向に作用する
磁界を形成することにより、光学系により生じる電子ビ
ームの収差を低減することができる。特に、倍率に関す
る色収差、回転等を低減することができる。
主偏向器138と、第2主偏向器140とを有する。第
1主偏向器138及び第2主偏向器は、1ショットの電
子ビームで照射可能な領域(ショット領域)を複数含む
サブフィールド間で電子ビームを偏向するために用いら
れる。また、副偏向器136は、第1主偏向器138及
び第2主偏向器140よりも偏向量が小さく、サブフィ
ールドにおけるショット領域間の偏向のために用いられ
る。副偏向器136、第1主偏向器138、及び第2主
偏向器140は、8極以上の電極を有する多極円筒電極
であることが望ましく、印加信号極性によってはユニポ
テンシャルレンズの効果を持つことが好ましい。
(即ちウェハ146の表面)との間に設けられることが
望ましい。また、第1主偏向器138は、第6多軸電磁
レンズ128の焦点位置C2(即ちレンズ開口部127
の焦点位置)、つまり当該第1主偏向器138を通過す
る電子ビームの像のクロスオーバ位置を略中心として設
けられることが好ましい。また、第1主偏向器138
は、電子ビームの非点補正を行い、第2主偏向器140
は、電子ビームの焦点補正を行ってもよい。
ハ146との間にあり、焦点面B3は、焦点面B2とウ
ェハ146との間にある。また、焦点面B1、焦点面B
2、焦点面B3、及び焦点面B4は、光軸Aと略垂直で
ある。
別制御部204を備える。統括制御部202は、例えば
ワークステーションであって、個別制御部204が有す
る各制御部を統括的に管理する。個別制御部204は、
照射電子光学系制御部206と、補正電子光学系制御部
208と、回転・倍率補正レンズ系制御部210と、電
磁レンズ系制御部212、偏向系制御部216と、反射
電子処理部218と、ウェハステージ制御部220とを
有する。
光学系116が有する第1多軸電磁レンズ112及び第
2多軸電磁レンズ114に供給する電力を制御する。照
射電子光学系制御部206は、第1多軸電磁レンズ11
2及び第2多軸電磁レンズ114のそれぞれに供給する
電力を個別に調整することにより、焦点面B2において
結像される複数の電子ビームの断面をそれぞれ拡大し、
さらに複数の電子ビームを補正電子光学系118に対し
てそれぞれ略垂直に入射させる。
ャアレイ、ブランカアレイ、電磁レンズアレイ、及びス
トッパアレイを有する複数の補正電子光学系118を制
御する。具体的には、補正電子光学系制御部208は、
ブランカアレイが有する複数のブランキング電極のそれ
ぞれに印加する電圧を制御する。また、補正電子光学系
制御部208は、電磁レンズアレイの複数の電磁レンズ
のそれぞれに供給する電力を制御する。
複数の第1回転・倍率補正レンズ125a、複数の第2
回転・倍率補正レンズ125b、複数の第3回転・倍率
補正レンズ125c、複数の第4回転・倍率補正レンズ
125d、及び複数の第5回転・倍率補正レンズ125
eに印加する電圧をそれぞれ制御する。回転・倍率補正
レンズ系制御部210は、複数の回転・倍率補正レンズ
系125を調整することにより、複数の電子ビームのそ
れぞれを、所望の向きかつ所望の大きさの断面形状を持
つようにウェハ146に照射させる。
磁レンズ112、第2多軸電磁レンズ114、第3多軸
電磁レンズ120、第4多軸電磁レンズ122、第5多
軸電磁レンズ126、及び第6多軸電磁レンズ128に
供給する電力を制御する。具体的には、電磁レンズ系制
御部212は、第3多軸電磁レンズ120と第4多軸電
磁レンズ122とがダブレットを構成するように、第3
多軸電磁レンズ120のコイル及び第4多軸電磁レンズ
122のコイルに供給する電流量を調整する。また、電
磁レンズ系制御部212は、第5多軸電磁レンズ126
と第6多軸電磁レンズ128とがダブレットを構成する
ように、第5多軸電磁レンズ126のコイル及び第6多
軸電磁レンズ128のコイルに供給する電流量を調整す
る。
36、複数の第1主偏向器138、及び複数の第2主偏
向器140のそれぞれによる複数の電子ビームの偏向量
をそれぞれ制御する。また、偏向系制御部216は、第
1主偏向器138が電子ビームの非点補正を行うよう
に、第1主偏向器138を制御してもよい。また、偏向
系制御部216は、第1主偏向器138が電子ビームの
非点補正を行うように、第1主偏向器138に印可する
電圧を制御してもよい。また、偏向系制御部216は、
第2主偏向器140が電子ビームの焦点補正を行うよう
に、第2主偏向器140に印可する電圧を制御してもよ
い。
144により検出された電気信号に基づいて電子量を示
すデジタルデータを検出し、統括制御部202に通知す
る。ウェハステージ制御部220は、ウェハステージ1
48を所望の位置に移動させる。
ンズ112の上面図を示す。なお、電子ビーム露光装置
10に含まれる第2多軸電磁レンズ114、第3多軸電
磁レンズ120、第4多軸電磁レンズ122、第5多軸
電磁レンズ126、第6多軸電磁レンズ128も、第1
多軸電磁レンズ16と同様の構成を有することが好まし
い。
00及びレンズ部402を有する。レンズ部402は、
電子ビームが通過するレンズ開口部111、及びレンズ
開口部111が含まれる所定の領域であるレンズ領域4
06を有する。コイル部400は、レンズ部402の周
囲に設けられて磁界を発生する。そして、複数のレンズ
開口部111は、それぞれ磁界を生成しレンズを形成す
る。複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数のレンズ
開口部111は、複数の副偏向器136、複数の第1主
偏向器138、及び/又は複数の第2主偏向器140の
位置に対応して配置されるのが好ましい。また、レンズ
部402が、レンズ領域406の外周に、複数のレンズ
開口部111の形成される磁界を均一にするように、電
子ビームが通過しない複数のダミー開口部を有してもよ
い。
ンズ112の断面図を示す。なお、電子ビーム露光装置
10に含まれる第2多軸電磁レンズ114、第3多軸電
磁レンズ120、第4多軸電磁レンズ122、第5多軸
電磁レンズ126、第6多軸電磁レンズ128も、第1
多軸電磁レンズ16と同様の構成を有することが好まし
い。
イル部磁性導体部材401と、磁界を発生するコイル4
03と有する。また、レンズ部402は、磁性導体部材
である第1レンズ部磁性導体部材404及び第2レンズ
部時勢導体部材405を有する。そして、第1レンズ部
磁性導体部材404及び第2レンズ部磁性導体部材40
5の複数のレンズ開口部111が、電子ビームを通過さ
せるレンズを形成する。レンズ開口部111において、
第1レンズ部磁性導体部材404及び第2レンズ部磁性
導体部材405により磁界が形成される。複数のレンズ
開口部111にそれぞれ入射した電子ビームは、第1レ
ンズ部磁性導体部材404及び第2レンズ部磁性導体部
材405が発生する磁界の影響を受けて、それぞれ独立
に集束する。
118の構成の一例を示す。補正電子光学系118は、
アパーチャアレイ300、X方向ブランカアレイ30
2、Y方向ブアンカアレイ304、電磁レンズアレイ3
06、及びストッパアレイ308を有する。
ームの断面形状を規定する複数の開口部が形成されてお
り、補正電子光学系118に対して略垂直に入射された
電子ビームを複数の分割電子ビーム310a、310
b、310c・・・に分割する。X方向ブランカアレイ
302は、複数の個別偏向器を有し、アパーチャアレイ
300で分割された複数の分割電子ビームのそれぞれを
X方向に偏向する。Y方向ブランカアレイ304は、複
数の微小偏向器を有し、アパーチャアレイ300で分割
された複数の分割電子ビームのそれぞれをY方向に偏向
する。
ンズを有し、X方向ブランカアレイ302及びY方向ブ
ランカアレイ304を通過した複数の分割電子ビームの
それぞれを集束する。電磁レンズアレイ306は、複数
の分割電子ビームのそれぞれを独立に集束し、複数の分
割電子ビームのそれぞれの焦点位置を調整することによ
り、第1電磁レンズ系124及び/又は第2電磁レンズ
系130による歪曲収差を補正する。ストッパアレイ3
08は、基板に複数の開口部が形成されており、X方向
ブランカアレイ302及び/又はY方向ブランカアレイ
304によって偏向された分割電子ビームを遮断する。
分割電子ビーム310bのように、X方向ブランカアレ
イ302によってX方向に偏向された分割電子ビーム
は、ストッパアレイ308を通過せず、ウェハ146へ
の入射が遮断される。また、分割電子ビーム310a及
び310cのように、X方向ブランカアレイ302及び
Y方向ブランカアレイ304によって偏向されなかった
分割電子ビームは、ストッパアレイ308を通過し、ウ
ェハ146へ入射される。
して、本実施形態に係る電子ビーム露光装置10の動作
について説明する。ウェハステージ148には、露光処
理が施されるウェハ146が載置される。ウェハステー
ジ制御部220は、ウェハステージ148を移動させ
て、ウェハ146の露光されるべき領域が光軸A近傍に
位置するようにする。また、電子銃110は、露光処理
中において常に電子ビームを照射するので、露光開始前
において、電子ビームがウェハ146に照射されないよ
うに、X方向ブランカアレイ302及び/又はY方向ブ
ランカアレイ304が電子ビームを偏向する。
子ビームが補正電子光学系118の所望の領域にそれぞ
れ略垂直に入射されるように、第1多軸電磁レンズ11
2及び第2多軸電磁レンズ114を調整する。補正電子
光学系制御部208は、分割された複数の分割電子ビー
ムのそれぞれが所望の結像条件になるように、複数の補
正電子光学系118がそれぞれ有する電磁レンズアレイ
306の複数の静電レンズを調整する。回転・倍率補正
レンズ系制御部210は、複数の分割電子ビームを有す
る複数の電子ビームのそれぞれがウェハ146において
所望の向きかつ所望の大きさの断面形状を持つように、
複数の第1回転・倍率補正レンズ125a、複数の第2
回転・倍率補正レンズ125b、複数の第3回転・倍率
補正レンズ125c、複数の第4回転・倍率補正レンズ
125d、及び複数の第5回転・倍率補正レンズ125
eをそれぞれ調整する。電磁レンズ系制御部212は、
複数の電子ビームのそれぞれがウェハ146において所
望の向きかつ所望の大きさの断面形状を持つように、第
1多軸電磁レンズ120、第2多軸電磁レンズ122、
第3多軸電磁レンズ126、及び第4多軸電磁レンズ1
28を調整する。偏向系制御部216は、ウェハ146
の所望の領域に複数の電子ビームが照射されるように、
複数の副偏向器136、複数の第1主偏向器138、及
び複数の第2主偏向器140をそれぞれ調整する。
18、第1電磁レンズ系124、複数の回転・倍率補正
レンズ系125、第2電磁レンズ系130、及び複数の
偏向系142が調整された後、複数の補正電子光学系1
18のX方向ブランカアレイ302及び/又はY方向ブ
ランカアレイ304による電子ビームの偏向をそれぞれ
停止する。これにより、以下に示すように、複数の電子
ビームはウェハ146に照射される。
子銃110がそれぞれ発生した複数の電子ビームの断面
をそれぞれ拡大し、焦点位置を複数の補正電子光学系1
18にそれぞれ調整して、複数の補正電子光学系118
の所定の領域にそれぞれ略垂直に照射させる。そして、
複数の補正電子光学系118において、アパーチャアレ
イ300は、電子ビームを複数の分割電子ビームに分割
し、断面形状を矩形に形成する。そして、X方向ブラン
カアレイ302及び/又はY方向ブランカアレイ304
は、複数のブランキング電極のそれぞれに電圧を印加す
ることにより、ウェハ146に照射させるか否かを切り
替える。X方向ブランカアレイ302及び/又はY方向
ブランカアレイ304によって偏向されない分割電子ビ
ームは、電磁レンズアレイ306によって焦点が調整さ
れ、ストッパアレイ308の開口部を通過する。X方向
ブランカアレイ302及び/又はY方向ブランカアレイ
304よって偏向された分割電子ビームは、電磁レンズ
アレイ306によって焦点が調整された後、ストッパア
レイ308の開口部を通過できず、ストップアレイ30
8に遮断される。
補正電子光学系118をそれぞれ通過した、複数の分割
電子ビームを有する電子ビームをそれぞれ縮小する。ま
た、複数の回転・倍率補正レンズ系125は、第1電磁
レンズ系124及び第2電磁レンズ系130が複数の電
子ビームをそれぞれ回転及び縮小する際に発生する電子
ビームの光軸Aに対する回転、及び/又は電子ビームの
倍率(即ち縮小率)をそれぞれ補正する。
磁レンズ系124が縮小した複数の電子ビームをそれぞ
れ縮小し、ウェハ146に焦点が合うように調整する。
また、偏向系142は、副偏向器136、第1主偏向器
138、及び第2主偏向器140により電子ビームがウ
ェハ146上の所定のショット領域に照射されるように
偏向する。そして、複数の電子ビームは、ウェハ146
にそれぞれ照射され、ウェハ146上の所定のショット
領域にアパーチャアレイ300の開口部のパターン像が
転写される。以上のプロセスにより、ウェハ146上の
所定のショット領域に、アパーチャアレイ300の開口
部の形状を有するパターンが露光される。
によれば、複数の回転・補正レンズ(第1回転・倍率補
正レンズ125a、第2回転・倍率補正レンズ125
b、第3回転・倍率補正レンズ125c、第4回転・倍
率補正レンズ125d、及び第5回転・倍率補正レンズ
125e)により、第1電磁レンズ系124及び第2電
磁レンズ系130による電子ビームの回転、倍率等の静
的な誤差量を補正するので、電子ビームの回転、倍率、
収差等を精度よく補正することができる。また、電子ビ
ーム毎に回転・補正レンズ系125が設けられるため、
複数の電子ビームのそれぞれの回転、倍率、収差等を精
度よく補正することができる。
0は、可変矩形を用いた電子ビーム露光装置であっても
よく、ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイスを
用いた電子ビーム露光装置であってもよい。電子ビーム
露光装置10は、本発明に係る電子ビーム処理装置の一
例である。本発明に係る電子ビーム処理装置は、電子ビ
ーム露光装置の他、電子顕微鏡、電子ビームテスタ等で
あってもよい。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲
には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または
改良を加えることができる。そのような変更または改良
を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ること
が、特許請求の範囲の記載から明らかである。
よれば、複数の電子ビームにより精度よくウェハにパタ
ーンを露光する電子ビーム露光装置を提供することがで
きる。
置10の構成の一例を示す図である。
図である。
図である。
の一例を示す図である。
102・・・筐体、104・・・カソード、106・・
・グリッド、108・・・アノード、110・・・電子
銃、111・・・第1レンズ開口部、112・・・第1
多軸電磁レンズ、113・・・第2レンズ開口部、11
4・・・第2多軸電磁レンズ、116・・・照射電子光
学系、118・・・補正電子光学系、119・・・第3
レンズ開口部、120・・・第3多軸電磁レンズ、12
1・・・第4レンズ開口部、122・・・第4多軸電磁
レンズ、123・・・第5レンズ開口部、124・・・
第1電磁レンズ系、125・・・回転・倍率補正レンズ
系、125a・・・第1回転・倍率補正レンズ、125
b・・・第2回転・倍率補正レンズ、125c・・・第
3回転・倍率補正レンズ、125d・・・第4回転・倍
率補正レンズ、125e・・・第5回転・倍率補正レン
ズ、126・・・第5多軸電磁レンズ、127・・・第
6レンズ開口部、128・・・第6多軸電磁レンズ、1
30・・・第2電磁レンズ系、136・・・副偏向器、
138・・・第1主偏向器、140・・・第2主偏向
器、142・・・偏向系、144・・・反射電子検出
部、146・・・ウェハ、148・・・ウェハステー
ジ、200・・・制御系、202・・・統括制御部、2
04・・・個別制御部、206・・・照射電子光学系制
御部、208・・・補正電子光学系制御部、210・・
・回転・倍率補正レンズ系制御部、212・・・電磁レ
ンズ系制御部、216・・・偏向系制御部、218・・
・反射電子処理部、220・・・ウェハステージ制御
部、300・・・アパーチャアレイ、302・・・X方
向ブランカアレイ、304・・・Y方向ブランカアレ
イ、306・・・電磁レンズアレイ、308・・・スト
ッパアレイ、310a・・・分割電子ビーム、310b
・・・分割電子ビーム、310c・・・分割電子ビー
ム、400・・・コイル部、401・・・コイル部磁性
導体部材、402・・・レンズ部、403・・・コイ
ル、404・・・第1部磁性導体部材、405・・・第
2部磁性導体部材、406・・・レンズ領域
Claims (34)
- 【請求項1】 複数の電子ビームによりウェハを露光す
る電子ビーム露光装置であって、 第1の面に対して略垂直に入射された前記複数の電子ビ
ームを、それぞれ第2の面に略垂直に入射する第1電磁
レンズ系と、 前記第2の面に対して略垂直に入射された前記複数の電
子ビームを、それぞれ前記ウェハに略垂直に入射する第
2電磁レンズ系と、 前記第1電磁レンズ系及び/又は前記第2電磁レンズ系
による、前記複数の電子ビームの回転をそれぞれ補正す
る複数の第1回転補正レンズとを備えることを特徴とす
る電子ビーム露光装置。 - 【請求項2】 前記第1電磁レンズ系は、前記第1の面
に対して入射された前記複数の電子ビームをそれぞれ縮
小して前記第2の面に入射し、 前記第2電磁レンズ系は、前記第2の面に対して入射さ
れた前記複数の電子ビームをそれぞれ縮小して前記第3
の面に入射することを特徴とする請求項1に記載の電子
ビーム露光装置。 - 【請求項3】 前記第1回転補正レンズは、当該第1回
転補正レンズを通過する電子ビームの前記ウェハにおけ
る照射位置に基づいて、当該電子ビームの回転を補正す
ることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項4】 前記第1回転補正レンズは、当該第1回
転補正レンズを通過する電子ビームの前記第1の面にお
ける通過位置に基づいて、当該電子ビームの回転を補正
することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光
装置。 - 【請求項5】 前記第1回転補正レンズは、前記第1の
面と前記第2の面との間に設けられることを特徴とする
請求項1に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項6】 前記複数の電子ビームの倍率をそれぞれ
補正する複数の第1倍率補正レンズをさらに備えること
を特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項7】 前記第1倍率補正レンズは、当該第1倍
率補正レンズを通過する電子ビームの前記ウェハにおけ
る照射位置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補正す
ることを特徴とする請求項6に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項8】 前記第1倍率補正レンズは、当該第1倍
率補正レンズを通過する電子ビームの前記第1の面にお
ける通過位置に基づいて、当該電子ビームの倍率を補正
することを特徴とする請求項6に記載の電子ビーム露光
装置。 - 【請求項9】 前記第1倍率補正レンズは、当該第1倍
率補正レンズを通過する前記電子ビームが通過する前記
回転補正レンズによる、前記電子ビームの倍率を補正す
ることを特徴とする請求項6に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項10】 前記第1倍率補正レンズは、前記第1
電磁レンズ系及び/又は前記第2電磁レンズ系による、
前記電子ビームの倍率を補正することを特徴とする請求
項6に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項11】 前記第1倍率補正レンズは、前記第1
の面と前記第2の面との間に設けられることを特徴とす
る請求項6に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項12】 前記第1電磁レンズ系は、 前記複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数の第1レ
ンズ開口部を有し、前記複数の電子ビームを独立に集束
する第1多軸電磁レンズと、 前記複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数の第2レ
ンズ開口部を有し、前記複数の電子ビームを独立に集束
する第2多軸電磁レンズとを有し、 前記第2電磁レンズ系は、 前記複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数の第3レ
ンズ開口部を有し、前記複数の電子ビームを独立に集束
する第2多軸電磁レンズ第3電磁レンズと、 前記複数の電子ビームがそれぞれ通過する複数の第4レ
ンズ開口部を有し、前記複数の電子ビームを独立に集束
する第2多軸電磁レンズ第4電磁レンズとを有すること
を特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項13】 前記第1多軸電磁レンズは、第1の焦
点距離を有し、 前記第2多軸電磁レンズは、第2の焦点距離を有し、前
記第1多軸電磁レンズから、実質的に前記第1の焦点距
離と前記第2の焦点距離とを加算した距離隔てて設けら
れ、 前記第3多軸電磁レンズは、第3の焦点距離を有し、 前記第4多軸電磁レンズは、第4の焦点距離を有し、前
記第3多軸電磁レンズから、実質的に前記第3の焦点距
離と前記第4の焦点距離とを加算した距離隔てて設けら
れることを特徴とする請求項12に記載の電子ビーム露
光装置。 - 【請求項14】 前記第1多軸電磁レンズは、第1の方
向に磁界を形成し、 前記第2多軸電磁レンズは、前記第1の方向と略反対の
方向である第2の方向に磁界を形成し、 前記第3の多軸電磁レンズは、前記第2の方向に磁界を
形成し、 前記第4多軸電磁レンズは、前記第1の方向に磁界を形
成することを特徴とする請求項12に記載の電子ビーム
露光装置。 - 【請求項15】 前記第1回転補正レンズは、前記第2
多軸電磁レンズの前記第2レンズ開口部が形成する磁界
内に設けられることを特徴とする請求項12に記載の電
子ビーム露光装置。 - 【請求項16】 前記第1回転補正レンズは、前記第2
レンズ開口部が形成する磁界の強度に基づいて、前記電
子ビームの回転を補正することを特徴とする請求項15
に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項17】 前記第1回転補正レンズは、前記電子
ビームの照射方向において、前記第2多軸電磁レンズと
略等しい位置に設けられることを特徴とする請求項12
に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項18】 前記第1回転補正レンズのレンズ軸を
略中心として設けられ、前記第1回転補正レンズによる
前記電子ビームの倍率を補正する第1倍率補正レンズを
さらに備えることを特徴とする請求項12に記載の電子
ビーム露光装置。 - 【請求項19】 前記第1倍率補正レンズは、前記第2
多軸電磁レンズの焦点位置を略中心として設けられるこ
とを特徴とする請求項18に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項20】 前記第1回転補正レンズのレンズ軸を
略中心として設けられ、前記第1電磁レンズ系及び/又
は前記第2電磁レンズ系による、前記電子ビームの回転
を補正する前記第2回転補正レンズをさらに備えること
を特徴とする請求項12に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項21】 前記第2回転補正レンズは、前記第1
多軸電磁レンズの前記第1レンズ開口部が形成する磁界
内に設けられることを特徴とする請求項20に記載の電
子ビーム露光装置。 - 【請求項22】 前記第2回転補正レンズは、前記第1
レンズ開口部が形成する磁界の強度に基づいて、前記電
子ビームの回転を補正することを特徴とする請求項21
に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項23】 前記第2回転補正レンズは、前記電子
ビームの照射方向において前記第1多軸電磁レンズと略
等しい位置に設けられることを特徴とする請求項20に
記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項24】 前記第2回転補正レンズのレンズ軸を
略中心として設けられ、前記第2回転補正レンズによ
る、前記電子ビームの倍率を補正する第2倍率補正レン
ズをさらに備えることを特徴とする請求項20に記載の
電子ビーム露光装置。 - 【請求項25】 前記第2倍率補正レンズは、前記第1
多軸電磁レンズの前記第1レンズ開口部が形成する磁界
内に設けられることを特徴とする請求項24に記載の電
子ビーム露光装置。 - 【請求項26】 前記第2回転補正レンズのレンズ軸を
略中心として設けられ、前記第2回転補正レンズによ
る、前記電子ビームの倍率を補正する第3倍率補正レン
ズをさらに備えることを特徴とする請求項24に記載の
電子ビーム露光装置。 - 【請求項27】 前記第2倍率補正レンズと前記第3倍
率補正レンズとは、前記第2回転補正レンズを挟んで対
向する位置に設けられることを特徴とする請求項26に
記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項28】 前記第1回転補正レンズは、前記第2
多軸電磁レンズの前記第2レンズ開口部が形成する磁界
内に設けられることを特徴とする請求項12に記載の電
子ビーム露光装置。 - 【請求項29】 前記第2の面と前記第3の面との間に
設けられ、前記ウェハにおける前記複数の電子ビームを
照射すべき位置に、前記複数の電子ビームをそれぞれ偏
向する偏向系をさらに備えることを特徴とする請求項1
に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項30】 前記複数の電子ビームをそれぞれ発生
する複数の電子銃と、 前記複数の電子銃がそれぞれ発生した前記複数の電子ビ
ームを、前記第1の面に略垂直に入射する照射電子光学
系とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の
電子ビーム露光装置。 - 【請求項31】 前記第1の面対して略垂直に入射され
た前記複数の電子ビームのそれぞれを、さらに複数の電
子ビームに分割する複数の補正電子光学系をさらに備え
ることを特徴とする請求項30に記載の電子ビーム露光
装置。 - 【請求項32】 複数の電子ビームによりウェハを露光
する電子ビーム露光装置であって、 第1の面に対して略垂直に入射された前記複数の電子ビ
ームを、それぞれ第2の面に略垂直に入射する第1電磁
レンズ系と、 前記第2の面に対して略垂直に入射された前記複数の電
子ビームを、それぞれ前記ウェハに略垂直に入射する第
2電磁レンズ系と、 前記第1電磁レンズ系及び/又は前記第2電磁レンズ系
による、前記複数の電子ビームの倍率をそれぞれ補正す
る複数の第1倍率補正レンズとを備えることを特徴とす
る電子ビーム露光装置。 - 【請求項33】 第1の面に対して略垂直に入射された
前記複数の電子ビームを、それぞれ第2の面に略垂直に
入射する第1電磁レンズ系と、 前記第2の面に対して略垂直に入射された前記複数の電
子ビームを、それぞれ第3の面に略垂直に入射する第2
電磁レンズ系と、 前記第1電磁レンズ系及び/又は前記第2電磁レンズ系
による、前記複数の電子ビームの回転をそれぞれ補正す
る複数の第1回転補正レンズとを備えることを特徴とす
る電子ビーム処理装置。 - 【請求項34】 第1の面に対して略垂直に入射された
前記複数の電子ビームを、それぞれ第2の面に略垂直に
入射する第1電磁レンズ系と、 前記第2の面に対して略垂直に入射された前記複数の電
子ビームを、それぞれ第3の面に略垂直に入射する第2
電磁レンズ系と、 前記第1電磁レンズ系及び/又は前記第2電磁レンズ系
による、前記複数の電子ビームの倍率をそれぞれ補正す
る複数の第1回転補正レンズとを備えることを特徴とす
る電子ビーム処理装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129944A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Ims Nanofabrication Gmbh | 帯電粒子マルチビーム露光装置 |
JP4856073B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2012-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子ビーム露光システム |
JP2012243803A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
JP2012243802A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
JP5363480B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-12-11 | 株式会社アドバンテスト | マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置 |
JP2014049545A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014127568A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014127569A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
WO2014136381A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 株式会社クレステック | 電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、調整方法、および電子ビーム露光装置 |
US9159528B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam apparatus |
US10886102B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-01-05 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beam irradiation apparatus, multiple electron beam irradiation method, and multiple electron beam inspection apparatus |
JP2022536722A (ja) * | 2019-06-13 | 2022-08-18 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002135892A patent/JP4156862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129944A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Ims Nanofabrication Gmbh | 帯電粒子マルチビーム露光装置 |
JP4856073B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2012-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子ビーム露光システム |
JP5363480B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-12-11 | 株式会社アドバンテスト | マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置 |
JP2012243803A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
JP2012243802A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
US9343266B2 (en) | 2012-08-30 | 2016-05-17 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam pattern writing method and charged particle beam writing apparatus that corrects beam rotation utilizing a correlation table |
JP2014049545A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014127568A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014127569A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US8835868B2 (en) | 2012-12-26 | 2014-09-16 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus |
US8884254B2 (en) | 2012-12-26 | 2014-11-11 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus |
WO2014136381A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 株式会社クレステック | 電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、調整方法、および電子ビーム露光装置 |
US9159528B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam apparatus |
US10886102B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-01-05 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beam irradiation apparatus, multiple electron beam irradiation method, and multiple electron beam inspection apparatus |
JP2022536722A (ja) * | 2019-06-13 | 2022-08-18 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
JP7398481B2 (ja) | 2019-06-13 | 2023-12-14 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
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