JP2017084872A - フォーカスリング及びセンサチップ - Google Patents
フォーカスリング及びセンサチップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017084872A JP2017084872A JP2015209002A JP2015209002A JP2017084872A JP 2017084872 A JP2017084872 A JP 2017084872A JP 2015209002 A JP2015209002 A JP 2015209002A JP 2015209002 A JP2015209002 A JP 2015209002A JP 2017084872 A JP2017084872 A JP 2017084872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- region
- focus ring
- surround
- extending
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 96
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60067—Aligning the bump connectors with the mounting substrate
- H01L2021/60075—Aligning the bump connectors with the mounting substrate involving active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. using alignment marks, sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】一実施形態のフォーカスリングは、フォーカスリング本体、及び、複数のセンサチップを含んでいる。フォーカスリング本体は、第1環状部及び第2環状部を有している。第1環状部は、中心軸線に対して周方向に延在する上面を提供する内側部分、及び、内側部分よりも外側で延在する外側部分を有する。第2環状部は、第1環状部の外側部分の上に設けられている。複数のセンサチップは、フォーカスリング本体の第1環状部の内側部分内に設けられており、且つ、中心軸線に対して周方向に配列されている。複数のセンサチップの各々は、第1電極を有している。第1電極は、中心軸線に交差する方向に延在している。
【選択図】図4
Description
Claims (8)
- プラズマ処理装置においてウエハのエッジを囲むように配置されるフォーカスリングであって、
フォーカスリング本体と、
前記フォーカスリング本体に設けられた複数のセンサチップと、
を備え、
前記フォーカスリング本体は、
中心軸線に対して周方向に延在する第1環状部であり、該中心軸線に対して周方向に延在する上面を提供する内側部分、及び、該内側部分よりも前記中心軸線に対して径方向の外側で周方向に延在する外側部分を含む、該第1環状部と、
前記外側部分に連続し、該外側部分の上で前記中心軸線に対して周方向に延在する第2環状部と、
を有し、
前記複数のセンサチップは、前記内側部分内に設けられており、且つ、前記中心軸線に対して周方向に配列されており、
前記複数のセンサチップの各々は、
前記中心軸線に交差する方向に延在する第1電極と、
前記第1電極から電気的に絶縁され、前記第1電極のエッジを囲むように延在する第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極から電気的に絶縁され、前記第2電極のエッジを囲むように延在する第3電極と、
を有する、
フォーカスリング。 - 前記フォーカスリング本体は、シリコンから形成されており、
前記複数のセンサチップの各々は、ベース部を更に有し、
前記ベース部は、
前記中心軸線に交差する方向に延在する下面であり、第1領域、該第1領域に対して間隔を有し該第1領域を囲むように延在する第2領域、及び、該第2領域に対して間隔を有し該第2領域を囲むように延在する第3領域を含む、該下面と、
前記第1領域を提供するシリコン製の第1部分と、
前記第2領域を提供するシリコン製の第2部分であり、前記第1部分を囲むように設けられた該第2部分と、
前記第3領域を提供するシリコン製の第3部分であり、前記第2部分を囲むように設けられた該第3部分と、
石英又はホウケイ酸ガラス製の第4部分であり、第1凹部、該第1凹部を囲む第2凹部、及び、該第2凹部を囲む第3凹部を提供しており、該第1凹部内に前記第1部分が設けられ、該第2凹部内に前記第2部分が設けられ、該第3凹部内に前記第3部分が設けられた、該第4部分と、
を有し、
前記第1電極は前記第1領域に沿って設けられており、前記第2電極は前記第2領域に沿って設けられており、前記第3電極は前記第3領域に沿って設けられており、
前記第1電極、前記第2電極、前記第3電極、前記第1部分、前記第2部分、及び、前記第3部分は、前記内側部分と前記第4部分との間に設けられている、
請求項1記載のフォーカスリング。 - 前記第1電極は、前記中心軸線に対して接線方向に延在する四角形の平面形状を有する、請求項1又は2に記載のフォーカスリング。
- 前記第1電極のエッジは、前記中心軸線に対して周方向に延在する該第1電極を画成する一対の円弧を含む、請求項1又は2に記載のフォーカスリング。
- プラズマ処理装置においてウエハのエッジを囲むように配置されるフォーカスリングに設けられる静電容量測定のためのセンサチップであって、
所定の平面に沿って延在する第1電極と、
前記第1電極から電気的に絶縁され、前記第1電極のエッジを囲むように延在する第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極から電気的に絶縁され、前記第2電極のエッジを囲むように延在する第3電極と、
を備えるセンサチップ。 - ベース部を更に備え、
前記ベース部は、
第1領域、該第1領域に対して間隔を有し該第1領域を囲むように延在する第2領域、及び、該第2領域に対して間隔を有し該第2領域を囲むように延在する第3領域を含む下面と、
前記第1領域を提供するシリコン製の第1部分と、
前記第2領域を提供するシリコン製の第2部分であり、前記第1部分を囲むように設けられた該第2部分と、
前記第3領域を提供するシリコン製の第3部分であり、前記第2部分を囲むように設けられた該第3部分と、
石英又はホウケイ酸ガラス製の第4部分であり、第1凹部、該第1凹部を囲む第2凹部、及び、該第2凹部を囲む第3凹部を提供しており、該第1凹部内に前記第1部分が設けられ、該第2凹部内に前記第2部分が設けられ、該第3凹部内に前記第3部分が設けられた、該第4部分と、
を有し、
前記第1電極は前記第1領域に沿って設けられており、前記第2電極は前記第2領域に沿って設けられており、前記第3電極は前記第3領域に沿って設けられている、
請求項5に記載のセンサチップ。 - 前記第1電極は、四角形の平面形状を有する、請求項5又は6に記載のセンサチップ。
- 前記第1電極のエッジは、中心点に対して周方向に延在する該第1電極を画成する一対の円弧を含む、請求項5又は6に記載のセンサチップ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209002A JP6502232B2 (ja) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | フォーカスリング及びセンサチップ |
KR1020160132639A KR102529337B1 (ko) | 2015-10-23 | 2016-10-13 | 포커스 링 및 센서 칩 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209002A JP6502232B2 (ja) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | フォーカスリング及びセンサチップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017084872A true JP2017084872A (ja) | 2017-05-18 |
JP6502232B2 JP6502232B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=58713196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209002A Active JP6502232B2 (ja) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | フォーカスリング及びセンサチップ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6502232B2 (ja) |
KR (1) | KR102529337B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110246796A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 测定器和求出测定器的偏离量的方法 |
JP2020143353A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
KR20210019951A (ko) | 2019-08-13 | 2021-02-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템에서의 반송 방법 |
CN112470262A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-03-09 | 应用材料公司 | 用于测量工艺配件中心的方法和设备 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210002175A (ko) | 2019-06-26 | 2021-01-07 | 삼성전자주식회사 | 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144771A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP2006186171A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009117502A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 位置検出用治具 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4524011B2 (ja) | 1999-09-24 | 2010-08-11 | 株式会社フォトニクス | 距離測定装置 |
JP2006196716A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP4956328B2 (ja) | 2007-08-24 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具 |
-
2015
- 2015-10-23 JP JP2015209002A patent/JP6502232B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-13 KR KR1020160132639A patent/KR102529337B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144771A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP2006186171A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009117502A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 位置検出用治具 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110246796A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 测定器和求出测定器的偏离量的方法 |
JP2019160913A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定器及び測定器のずれ量を求める方法 |
JP7029983B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定器及び測定器のずれ量を求める方法 |
CN110246796B (zh) * | 2018-03-09 | 2024-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 测定器和求出测定器的偏离量的方法 |
CN112470262A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-03-09 | 应用材料公司 | 用于测量工艺配件中心的方法和设备 |
CN112470262B (zh) * | 2018-09-04 | 2024-06-11 | 应用材料公司 | 用于测量工艺配件中心的方法和设备 |
JP2020143353A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
JP7346044B2 (ja) | 2019-03-07 | 2023-09-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
KR20210019951A (ko) | 2019-08-13 | 2021-02-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템에서의 반송 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102529337B1 (ko) | 2023-05-04 |
KR20170048169A (ko) | 2017-05-08 |
JP6502232B2 (ja) | 2019-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10018484B2 (en) | Sensor chip for electrostatic capacitance measurement and measuring device having the same | |
KR102529337B1 (ko) | 포커스 링 및 센서 칩 | |
US9841395B2 (en) | System of inspecting focus ring and method of inspecting focus ring | |
TWI724185B (zh) | 靜電電容檢測用之檢測器及使用檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料之方法 | |
US10903100B2 (en) | Method of obtaining amount of deviation of a measuring device, and method of calibrating transfer position data in a processing system | |
TWI692636B (zh) | 靜電電容測量用之感應晶片及具備該感應晶片之測量器 | |
JP2009177199A (ja) | プラズマ処理装置及びフォーカスリング | |
US10861729B2 (en) | Transfer method and transfer system | |
US11164729B2 (en) | Measuring device and operation method of system for inspecting focus ring | |
US10948317B2 (en) | Measuring device and method for obtaining amount of deviation of measuring device | |
KR102465043B1 (ko) | 정전 용량 측정용 측정기 | |
KR20210120291A (ko) | 포커스 링 및 이를 구비하는 기판 고정용 척 어셈블리와 플라즈마 처리장치 | |
WO2023074876A1 (ja) | 測定方法及び測定システム | |
TW202232108A (zh) | 測定器及測定方法 | |
JP2023096688A (ja) | 測定器 | |
KR20230039870A (ko) | 플라즈마 식각 장치 및 반도체 공정 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6502232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |