TWI724185B - 靜電電容檢測用之檢測器及使用檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料之方法 - Google Patents

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TWI724185B
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Abstract

本發明提供一種靜電電容檢測用之檢測器。檢測器具備：基底基板，其具有圓盤形狀；複數個第1感測器，其等分別提供沿基底基板之邊緣排列之複數個側部電極；一個以上之第2感測器，其分別具有沿基底基板之底面設置之底部電極；及電路基板。電路基板構成為：向複數個側部電極及底部電極賦予高頻信號，根據複數個側部電極中之電壓振幅之各者產生表示靜電電容之複數個第1檢測值，並根據底部電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第2檢測值。

Description

靜電電容檢測用之檢測器及使用檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料之方法
本發明中之實施形態係關於一種靜電電容檢測用之檢測器及使用檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料之方法。
於半導體元件等電子元件之製造中，使用有對圓盤狀之被加工物進行處理之處理系統。處理系統具有用於搬送被加工物之搬送裝置、及用於處理被加工物之處理裝置。處理裝置通常具有腔室本體、及設置於該腔室本體內之載置台。載置台以支持載置於其上之被加工物之方式而構成。搬送裝置以將被加工物搬送至載置台上之方式而構成。 於處理裝置中之被加工物之處理中，載置台上之被加工物之位置較為重要。因此，於載置台上之被加工物之位置自特定位置偏移之情形時，需要調整搬送裝置。 作為調整搬送裝置之技術，已知有日本專利第4956328號說明書所記載之技術。於該文獻所記載之技術中，於載置台上形成有凹部。又，於該文獻所記載之技術中，利用具有與被加工物相同之圓盤形狀、且具有用於靜電電容檢測之電極的檢測器。於該文獻所記載之技術中，利用搬送裝置將檢測器搬送至載置台上，獲得取決於凹部與電極之相對位置關係的靜電電容之檢測值，且以基於該檢測值修正被加工物之搬送位置之方式調整搬送裝置。
作為上述處理系統之處理裝置，有使用電漿處理裝置之情況。電漿處理裝置與上述處理裝置同樣地具有腔室本體及載置台。又，於電漿處理裝置中，以包圍被加工物之邊緣之方式將聚焦環設置於載置台上。聚焦環為相對於中心軸線沿圓周方向延伸之環狀之板，例如，由矽所形成。 於使用電漿處理裝置之對被加工物之電漿處理中，聚焦環與被加工物之位置關係較為重要。例如，若圓盤狀之被加工物之位置相對於聚焦環偏移、聚焦環與被加工物之邊緣之間的間隙之大小在圓周方向上變動，則有電漿滲入產生較大之間隙之部分而使被加工物上產生微粒之情形。因此，需要獲得反映利用搬送裝置而搬送之被加工物與聚焦環之位置關係的可靠性較高之資料。 於一態樣中，本發明提供一種靜電電容檢測用之檢測器。該檢測器具備：基底基板、複數個第1感測器、一個以上之第2感測器、及電路基板。基底基板具有圓盤形狀。複數個第1感測器沿基底基板之邊緣排列，且分別提供複數個側部電極。一個以上之第2感測器分別具有沿基底基板之底面設置之底部電極。電路基板搭載於基底基板上，且與複數個第1感測器及一個以上之第2感測器之各者相連接。電路基板構成為，向複數個側部電極及底部電極賦予高頻信號，根據複數個側部電極之電壓振幅之各者產生表示靜電電容之複數個第1檢測值，並根據底部電極之電壓振幅產生表示靜電電容之第2檢測值。 於一態樣之檢測器中，由複數個第1感測器所提供之複數個側部電極沿基底基板之邊緣排列。於將該檢測器配置於由聚焦環所包圍之區域之狀態下，複數個側部電極與聚焦環之內緣相向。根據該等側部電極中之電壓振幅而產生之複數個第1檢測值表示反映複數個側部電極各者與聚焦環之間之距離的靜電電容。因此，根據該檢測器，獲得反映模擬被加工物之檢測器與聚焦環之相對位置關係的檢測資料。又，於該檢測器中，一個以上之第2感測器各自之底部電極沿基底基板之底面而配置。根據底部電極之電壓振幅而產生之第2檢測值表示底部電極與處於檢測器之下方之物體之間的靜電電容。即，第2檢測值反映出底部電極與處於檢測器之下方之物體的相對位置關係。因此，根據第2檢測值，可確認檢測器是否於載置台上配置在聚焦環所包圍之區域內。藉由使用該第2檢測值，可確認上述第1檢測值之可靠性。 於一實施形態中，一個以上之第2感測器各自之底部電極具有圓形狀。一個以上之第2感測器之各者進而具有以包圍底部電極之方式而配置之周邊電極。電路基板進而構成為，向周邊電極賦予高頻信號，並根據周邊電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第3檢測值。 於一實施形態中，一個以上之第2感測器為複數個第2感測器。複數個第2感測器沿共用基底基板之中心軸線之圓而配置。 於一實施形態中，一個以上之第2感測器之各者進而具有以自基底基板之上表面於該基底基板之板厚方向上延伸之方式設置於該基底基板的複數個電極。一個以上之第2感測器各自之底部電極由複數個電極之底面側之端面而構成。 於一實施形態中，一個以上之第2感測器之各者進而具有貫通基底基板之一個以上之貫通電極。一個以上之第2感測器各自之底部電極經由一個以上之貫通電極而與電路基板相連接。 於一實施形態中，一個以上之第2感測器為三個以上之第2感測器。三個以上之第2感測器之各者沿共用基底基板之中心軸線之圓而配置。三個以上之第2感測器各自之底部電極的邊緣之一部分具有圓弧形狀且於該圓上延伸。 於另一態樣中，提供一種使用上述檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料之方法。處理系統具備處理裝置及搬送裝置。處理裝置具有腔室本體及靜電吸盤。靜電吸盤設置於由腔室本體所提供之腔室內。靜電吸盤具有具備圓形之邊緣之載置區域。於載置區域上載置被加工物。搬送裝置基於搬送位置資料將被加工物搬送至載置區域上。該方法包括如下步驟：使用搬送裝置將檢測器搬送至根據搬送位置資料而特定出之載置區域上之位置；利用搬送至載置區域上之檢測器之三個以上之第2感測器，檢測三個以上之靜電電容；根據三個以上之靜電電容之檢測值，求出檢測器被搬送至之載置區域上之位置相對於載置區域上之特定之搬送位置的誤差；及利用該誤差來校正搬送位置資料。 於一實施形態中，底部電極之邊緣之上述一部分之曲率與載置區域之邊緣之曲率一致。
以下，參照圖式對各種實施形態進行詳細說明。再者，於各圖式中，對相同或相當之部分標附相同符號。 首先，對具有用於處理圓盤狀之被加工物之處理裝置、及用於將被處理體搬送至該處理裝置之搬送裝置的處理系統進行說明。圖1係例示處理系統之圖。處理系統1具備台2a～2d、容器4a～4d、裝載模組LM、對準器AN、加載互鎖真空模組LL1、LL2、製程模組PM1～PM6、轉移模組TF、及控制部MC。再者，台2a～2d之個數、容器4a～4d之個數、加載互鎖真空模組LL1、LL2之個數、及製程模組PM1～PM6之個數並無限定，可為一個以上之任意個數。 台2a～2d沿裝載模組LM之一邊緣排列。容器4a～4d分別搭載於台2a～2d上。容器4a～4d之各者為例如被稱為FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)之容器。容器4a～4d之各者以將被加工物W收容於其中之方式而構成。被加工物W如晶圓般具有大致圓盤形狀。 裝載模組LM具有將大氣壓狀態之搬送空間於其內部劃分形成之腔室壁。於該搬送空間內設置有搬送裝置TU1。搬送裝置TU1例如為多關節機器人，且由控制部MC控制。搬送裝置TU1構成為於容器4a～4d與對準器AN之間、於對準器AN與加載互鎖真空模組LL1～LL2之間、於加載互鎖真空模組LL1～LL2與容器4a～4d之間搬送被加工物W。 對準器AN與裝載模組LM相連接。對準器AN以進行被加工物W之位置之調整(位置之校正)之方式而構成。圖2係例示對準器之立體圖。對準器AN具有支持台6T、驅動裝置6D、及感測器6S。支持台6T為能夠以於鉛直方向延伸之軸線為中心旋轉之台，且以將被加工物W支持於其上之方式而構成。支持台6T藉由驅動裝置6D而旋轉。驅動裝置6D由控制部MC控制。若藉由來自驅動裝置6D之動力而使支持台6T旋轉，則載置於該支持台6T上之被加工物W亦旋轉。 感測器6S為光學感測器，於被加工物W旋轉期間，檢測被加工物W之邊緣。感測器6S根據邊緣之檢測結果，檢測被加工物W之凹口WN(或另一標記物)之角度位置相對於基準角度位置之偏移量、及被加工物W之中心位置相對於基準位置之偏移量。感測器6S將凹口WN之角度位置之偏移量及被加工物W之中心位置之偏移量輸出至控制部MC。控制部MC基於凹口WN之角度位置之偏移量，算出用於將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置的支持台6T之旋轉量。控制部MC以使支持台6T旋轉相當於該旋轉量之程度之方式控制驅動裝置6D。藉此，可將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置。又，控制部MC以被加工物W之中心位置與搬送裝置TU1之末端效應器(ende ffector)上之特定位置一致之方式，基於被加工物W之中心位置之偏移量，對自對準器AN接收被加工物W時之搬送裝置TU1之末端效應器之位置進行控制。 返回圖1，加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2分別設置於裝載模組LM與轉移模組TF之間。加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2分別提供預減壓室。 轉移模組TF經由閘閥而與加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2相連接。轉移模組TF提供可減壓之減壓室。於該減壓室設置有搬送裝置TU2。搬送裝置TU2例如為多關節機器人，且由控制部MC控制。搬送裝置TU2構成為，於加載互鎖真空模組LL1～LL2與製程模組PM1～PM6之間、及於製程模組PM1～PM6中任意兩個製程模組之間搬送被加工物W。 製程模組PM1～PM6經由閘閥而與轉移模組TF相連接。製程模組PM1～PM6之各者為以對被加工物W進行電漿處理等專用之處理之方式而構成之處理裝置。 於該處理系統1中進行被加工物W之處理時之一連串之動作如下述般例示。裝載模組LM之搬送裝置TU1自容器4a～4d之任一者中取出被加工物W，且將該被加工物W搬送至對準器AN。繼而，搬送裝置TU1自對準器AN中取出位置經調整之被加工物W，且將該被加工物W搬送至加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2中之一加載互鎖真空模組。繼而，一加載互鎖真空模組將預減壓室之壓力減壓至特定之壓力。繼而，轉移模組TF之搬送裝置TU2自一加載互鎖真空模組中取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至製程模組PM1～PM6中之任一者。繼而，製程模組PM1～PM6中一個以上之製程模組對被加工物W進行處理。然後，搬送裝置TU2將處理後之被加工物W自製程模組搬送至加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2中之一加載互鎖真空模組。繼而，搬送裝置TU1將被加工物W自一加載互鎖真空模組搬送至容器4a～4d中之任一者。 該處理系統1如上所述般具備控制部MC。控制部MC可為具備處理器、記憶體等記憶裝置、顯示裝置、輸入輸出裝置、通信裝置等之電腦。上述處理系統1之一連串之動作係藉由依據記憶裝置所記憶之程式的、控制部MC對處理系統1之各部之控制而實現。 圖3係表示可用作製程模組PM1～PM6中之任一者之電漿處理裝置之一例之圖。圖3所示之電漿處理裝置10為電容耦合型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具備大致圓筒形狀之腔室本體12。腔室本體12係例如由鋁所形成，且可對其內壁面實施陽極氧化處理。該腔室本體12接地。 於腔室本體12之底部上設置有大致圓筒形狀之支持部14。支持部14係例如由絕緣材料構成。支持部14設置於腔室本體12內，且自腔室本體12之底部向上方延伸。又，於由腔室本體12所提供之腔室S內設置有載置台PD。載置台PD由支持部14支持。 載置台PD具有下部電極LE及靜電吸盤ESC。下部電極LE包含第1平板18a及第2平板18b。第1平板18a及第2平板18b例如係由鋁等金屬構成，且呈大致圓盤形狀。第2平板18b設置於第1平板18a上，且與第1平板18a電性連接。 於第2平板18b上設置有靜電吸盤ESC。靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極配置於一對絕緣層或絕緣片之間之構造，且具有大致圓盤形狀。靜電吸盤ESC之電極經由開關23與直流電源22電性連接。該靜電吸盤ESC利用藉由來自直流電源22之直流電壓而產生之庫侖力等靜電力，將被加工物W吸引至該靜電吸盤ESC。藉此，靜電吸盤ESC能夠保持被加工物W。 於第2平板18b之周緣部上設置有聚焦環FR。該聚焦環FR以包圍被加工物W之邊緣及靜電吸盤ESC之方式而設置。聚焦環FR具有第1部分P1及第2部分P2(參照圖8)。第1部分P1及第2部分P2具有環狀板形狀。第2部分P2設置於第1部分P1上。第2部分P2之內緣P2i具有較第1部分P1之內緣P1i之直徑大的直徑。被加工物W以其邊緣區域位於聚焦環FR之第1部分P1上之方式載置於靜電吸盤ESC上。該聚焦環FR可由矽、碳化矽、氧化矽等各種材料中之任一者所形成。 於第2平板18b之內部設置有冷媒流路24。冷媒流路24構成調溫機構。冷媒自設置於腔室本體12之外部之冷卻單元經由配管26a供給至冷媒流路24。被供給至冷媒流路24之冷媒經由配管26b返回冷卻單元。如此，於冷媒流路24與冷卻單元之間，循環有冷媒。藉由控制該冷媒之溫度，而控制由靜電吸盤ESC支持之被加工物W之溫度。 於載置台PD形成有貫通該載置台PD之複數個(例如，三個)貫通孔25。複數根(例如，3根)頂起銷25a分別***至該等複數個貫通孔25。再者，於圖3中，繪製出***有一根頂起銷25a之一個貫通孔25。 圖4係表示構成載置台PD之靜電吸盤ESC之俯視圖。如圖4所示般，複數個頂起銷25a沿著與共用靜電吸盤ESC之中心軸線、即載置台PD之中心軸線之圓正交且於鉛直方向延伸之複數條直線而配置。複數個頂起銷25a可相對於該中心軸線於圓周方向上以等間隔配置。該等頂起銷25a例如支持於藉由致動器而升降之連桿。頂起銷25a於其前端向靜電吸盤ESC之上方突出之狀態下將被加工物W支持於該頂起銷25a之前端。之後，藉由頂起銷25a下降，將被加工物W載置於靜電吸盤ESC上。又，於被加工物W之電漿處理後，藉由頂起銷25a上升而使被加工物W自靜電吸盤ESC分離。即，頂起銷25a係用於被加工物W之裝載及卸載。 又，於電漿處理裝置10設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28將來自傳熱氣體供給機構之傳熱氣體，例如He氣體供給至靜電吸盤ESC之上表面與被加工物W之背面之間。 又，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30於載置台PD之上方以與該載置台PD相向之方式而配置。上部電極30經由絕緣性遮蔽構件32，支持於腔室本體12之上部。上部電極30可包含頂板34及支持體36。頂板34面向腔室S。於該頂板34設置有複數個氣體噴出孔34a。該頂板34可由矽或石英所形成。或者，頂板34可藉由在鋁製之母材之表面形成氧化釔等耐電漿性之膜而構成。 支持體36裝卸自如地支持頂板34。支持體36例如可由鋁等導電性材料而構成。該支持體36可具有水冷構造。於支持體36之內部，設置有氣體擴散室36a。與氣體噴出孔34a連通之複數個氣體通流孔36b，自該氣體擴散室36a向下方延伸。又，於支持體36，形成有向氣體擴散室36a引導處理氣體之氣體導入口36c。於該氣體導入口36c連接有氣體供給管38。 於氣體供給管38，經由閥群42及流量控制器群44連接有氣體源群40。氣體源群40包含複數種氣體用之複數個氣體源。閥群42包含複數個閥。流量控制器群44包含質量流量控制器等複數個流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源分別經由閥群42之對應之閥及流量控制器群44之對應之流量控制器而與氣體供給管38相連接。 又，於電漿處理裝置10中，沿腔室本體12之內壁裝卸自如地設置有遮罩46。遮罩46亦設置於支持部14之外周。遮罩46防止蝕刻副產物附著於腔室本體12。遮罩46可藉由對鋁材被覆氧化釔等陶瓷而構成。 於腔室本體12之底部側、且支持部14與腔室本體12之側壁之間設置有排氣平板48。排氣平板48可藉由例如對鋁材被覆氧化釔等陶瓷而構成。於排氣平板48形成有於其板厚方向貫通之複數個孔。於該排氣平板48之下方、且於腔室本體12設置有排氣口12e。排氣口12e經由排氣管52與排氣裝置50相連接。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵，能夠將腔室本體12內之空間減壓至所需之真空度。又，於腔室本體12之側壁設置有用於被加工物W之搬入或搬出之開口12g。開口12g可藉由閘閥54開啟及關閉。 又，電漿處理裝置10進而具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62為產生出電漿產生用之第1高頻的電源，例如，產生具有27～100 MHz之頻率之高頻。第1高頻電源62經由整合器66而與上部電極30相連接。整合器66具有用於使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗整合的電路。再者，第1高頻電源62亦可經由整合器66而與下部電極LE相連接。 第2高頻電源64係產生用於將離子引入至被加工物W之第2高頻的電源，例如，產生400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率之高頻。第2高頻電源64經由整合器68而與下部電極LE相連接。整合器68具有用於將第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗整合的電路。 於該電漿處理裝置10中，將來自選自複數個氣體源中之一個以上之氣體源之氣體供給至腔室S。又，藉由排氣裝置50將腔室S之壓力設定為特定之壓力。進而，藉由來自第1高頻電源62之第1高頻，激發腔室S內之氣體。藉此產生電漿。然後，利用所產生之活性物質對被加工物W進行處理。再者，亦可視需要藉由基於第2高頻電源64之第2高頻之偏壓而將離子引入至被加工物W。 以下，對檢測器進行說明。圖5係例示檢測器之立體圖。圖6係表示自底面側觀察圖5所示之檢測器之俯視圖。圖5及圖6所示之檢測器100具備基底基板102。基底基板102例如由矽所形成，且具有與被加工物W之形狀相同之形狀、即大致圓盤形狀。基底基板102之直徑為與被加工物W之直徑相同之直徑，例如300 mm。檢測器100之形狀及尺寸係藉由該基底基板102之形狀及尺寸而界定。因此，檢測器100具有與被加工物W之形狀相同之形狀，且具有與被加工物W之尺寸相同之尺寸。又，於基底基板102之邊緣形成有凹口102N(或另一標記物)。 基底基板102具有下側部分102a及上側部分102b。下側部分102a係當檢測器100配置於靜電吸盤ESC之上方時位於較上側部分102b更靠近靜電吸盤ESC之部分。於基底基板102之下側部分102a，設置有靜電電容檢測用之複數個第1感測器104A～104D。再者，設置於檢測器100之第1感測器之個數可為三個以上之任意個數。複數個第1感測器104A～104D沿基底基板102之邊緣，例如於該邊緣之全周上等間隔地排列。具體而言，以複數個第1感測器104A～104D各自之前側端面104f沿基底基板102之下側部分102a之邊緣之方式而設置。 基底基板102之上側部分102b之上表面提供有凹部102r。凹部102r包含中央區域102c及複數個放射區域102h。中央區域102c為與中心軸線AX100交叉之區域。中心軸線AX100為於板厚方向通過基底基板102之中心之軸線。於中央區域102c設置有電路基板106。複數個放射區域102h係自中央區域102c相對於中心軸線AX100於放射方向上延伸至配置有複數個第1感測器104A～104D之區域之上方。於複數個放射區域102h設置有配線群108A～108D。配線群108A～108D將複數個第1感測器104A～104D與電路基板106分別電性連接。再者，複數個第1感測器104A～104D亦可設置於基底基板102之上側部分102b。 又，於基底基板102，設置有靜電電容檢測用之複數個第2感測器105A～105C。再者，設置於檢測器100之第2感測器之個數可為一個以上之任意個數。於一實施形態中，三個第2感測器105A～105C沿共用基底基板102之中心軸線AX100之圓，於圓周方向上以等間隔配置。再者，第2感測器105A～105C各自之下述底部電極與中心軸線AX100之間之距離可和載置台PD之中心軸線與頂起銷25a之各者之間之距離大致一致。 以下，對第1感測器進行詳細說明。圖7係表示感測器之一例之立體圖。圖8係沿圖7之VIII-VIII線而獲得之剖視圖，與感測器一起示出檢測器之基底基板及聚焦環。圖9係沿圖8之IX-IX線而獲得之剖視圖。圖7～圖9所示之第1感測器104係作為檢測器100之複數個第1感測器104A～104D而被利用之感測器，於一例中構成為晶片狀之零件。再者，於下述說明中，適當參照XYZ正交座標系統。X方向表示第1感測器104之前方向，Y方向表示與X方向正交之一方向且第1感測器104之寬度方向，Z方向表示與X方向及Y方向正交之方向且第1感測器104之上方向。 如圖7～圖9所示般，第1感測器104具有前側端面104f、上表面104t、下表面104b、一對側面104s、及後側端面104r。前側端面104f於X方向上構成第1感測器104之前側表面。第1感測器104以前側端面104f相對於中心軸線AX100朝向放射方向之方式搭載於檢測器100之基底基板102(參照圖5)。又，於第1感測器104搭載於基底基板102之狀態下，前側端面104f沿基底基板102之邊緣延伸。因此，於檢測器100配置於靜電吸盤ESC上之狀態下，前側端面104f與聚焦環FR之內緣相向。 後側端面104r於X方向上構成第1感測器104之後側表面。於第1感測器104搭載於基底基板102之狀態下，後側端面104r位於較前側端面104f更靠近中心軸線AX100。上表面104t於Z方向上構成第1感測器104之上側表面。下表面104b於Z方向上構成第1感測器104之下側表面。又，一對側面104s於Y方向上構成第1感測器104之表面。 第1感測器104具有電極(側部電極)143。第1感測器104亦可進而具有電極141及電極142。電極141由導體所形成。電極141具有第1部分141a。如圖7及圖8所示般，第1部分141a於X方向及Y方向上延伸。 電極142由導體所形成。電極142具有第2部分142a。第2部分142a於第1部分141a之上延伸。於第1感測器104內，電極142與電極141絕緣。如圖7及圖8所示般，第2部分142a於第1部分141a之上，於X方向及Y方向上延伸。 電極143係由導體所形成之感測器電極。電極143設置於電極141之第1部分141a及電極142之第2部分142a之上。電極143於第1感測器104內與電極141及電極142絕緣。電極143具有前表面143f。該前表面143f於與第1部分141a及第2部分142a交叉之方向上延伸。又，前表面143f沿第1感測器104之前側端面104f延伸。於一實施形態中，前表面143f構成第1感測器104之前側端面104f之一部分。或者，第1感測器104亦可於電極143之前表面143f之前側具有覆蓋該前表面143f之絕緣膜。 如圖7～圖9所示般，電極141及電極142亦可以朝配置有電極143之前表面143f之區域側(X方向)開口且包圍電極143之周圍之方式而延伸。即，電極141及電極142亦可以於電極143之上方、後方、及側方包圍該電極143之方式而延伸。 又，第1感測器104之前側端面104f可為具有特定之曲率之曲面。於此情形時，前側端面104f於該前側端面之任意之位置具有固定之曲率。前側端面104f之曲率可為檢測器100之中心軸線AX100與該前側端面104f之間之距離之倒數。該第1感測器104以前側端面104f之曲率中心與中心軸線AX100一致之方式，搭載於基底基板102。 又，第1感測器104可進而具有基板部144、絕緣區域146～148、焊墊151～153、及穿孔配線154。基板部144具有本體部144m及表層部144f。本體部144m例如由矽所形成。表層部144f覆蓋本體部144m之表面。表層部144f由絕緣材料所形成。表層部144f例如為矽之熱氧化膜。 電極142之第2部分142a於基板部144之下方延伸。於基板部144與電極142之間，設置有絕緣區域146。絕緣區域146例如由SiO2 、SiN、Al2 O3 、或聚醯亞胺所形成。 電極141之第1部分141a於基板部144及電極142之第2部分142a之下方延伸。於電極141與電極142之間設置有絕緣區域147。絕緣區域147例如由SiO2 、SiN、Al2 O3 、或聚醯亞胺所形成。 絕緣區域148構成第1感測器104之上表面104t。絕緣區域148由例如SiO2 、SiN、Al2 O3 、或聚醯亞胺所形成。於該絕緣區域148形成有焊墊151～153。焊墊153由導體形成，且與電極143相連接。具體而言，藉由貫通絕緣區域146、電極142、絕緣區域147、及電極141之穿孔配線154，電極143與焊墊153相互連接。於穿孔配線154之周圍設置有絕緣體，該穿孔配線154與電極141及電極142絕緣。焊墊153經由設置於基底基板102內之穿孔配線123、及設置於凹部102r之放射區域102h之配線183，而與電路基板106相連接。焊墊151及焊墊152亦同樣地由導體所形成。焊墊151及焊墊152分別經由對應之穿孔配線而與電極141、電極142相連接。又，焊墊151及焊墊152經由設置於基底基板102之對應之穿孔配線及設置於凹部102r之放射區域102h之對應之配線，而與電路基板106相連接。 以下，對第2感測器進行詳細說明。圖10係沿圖6之X-X線而獲得之剖視圖。再者，於圖10中，示出藉由頂起銷25a支持檢測器100之狀態。以下參照圖5、圖6、及圖10。第2感測器105A～105C之各者包含底部電極161。於一實施形態中，第2感測器105A～105C之各者進而包含周邊電極162a～162d、及貫通電極165a～165e。底部電極161及周邊電極162a～162d沿基底基板102之底面而形成。貫通電極165a～165e貫通基底基板102。底部電極161、周邊電極162a～162d、及貫通電極165a～165e由導體所形成。 底部電極161可具有圓形狀。底部電極161之大小例如為與頂起銷25a之上端面之大小大致相同。周邊電極162a～162d排列於包圍底部電極161之圓上。周邊電極162a～162d之各者具有藉由共用底部電極161之中心且具有不同半徑之兩個圓弧而界定之平面形狀。又，周邊電極162a～162d相對於底部電極161之中心於圓周方向上排列。於基底基板102之底面形成有絕緣膜169。絕緣膜169覆蓋底部電極161及周邊電極162a～162d。該絕緣膜169由例如SiO2 、SiN、Al2 O3 、或聚醯亞胺所形成。 複數個貫通電極165a～165e之一端分別與周邊電極162a～162d及底部電極161相連接。又，複數個貫通電極165a～165e各自之另一端與電路基板106電性連接(參照圖5)。複數個貫通電極165a～165e可使用例如TSV(Through-Silicon Via，矽穿孔)技術而形成。 以下，對電路基板106之構成進行說明。圖11係例示檢測器之電路基板之構成之圖。如圖11所示般，電路基板106具有高頻振盪器171、複數個C/V轉換電路172A～172D、複數個C/V轉換電路180A～180O、A/D轉換器173、處理器174、記憶裝置175、通信裝置176、及電源177。 複數個第1感測器104A～104D之各者經由複數個配線群108A～108D中對應之配線群，而與電路基板106相連接。又，複數個第1感測器104A～104D之各者經由對應之配線群所包含之若干配線，而與複數個C/V轉換電路172A～172D中對應之C/V轉換電路相連接。又，複數個第2感測器105A～105C之各者經由複數條配線184，而與複數個C/V轉換電路180A～180O中對應之C/V轉換電路(於一實施形態中為五個C/V轉換電路)相連接。以下，對與複數個第1感測器104A～104D之各者相同構成的一個第1感測器104、與複數個配線群108A～108D之各者相同構成的一個配線群108、與複數個C/V轉換電路172A～172D之各者相同構成的一個C/V轉換電路172、與複數個第2感測器105A～105C之各者相同構成的一個第2感測器105、及與複數個C/V轉換電路180A～180O之各者相同構成的一個C/V轉換電路180進行說明。 配線群108包含配線181～183。配線181之一端與連接於電極141之焊墊151相連接。該配線181與連接於電路基板106之地線GC之接地電位線GL相連接。再者，配線181亦可經由開關SWG而與接地電位線GL相連接。又，配線182之一端與連接於電極142之焊墊152相連接，配線182之另一端與C/V轉換電路172相連接。又，配線183之一端與連接於電極143之焊墊153相連接，且配線183之另一端與C/V轉換電路172相連接。 第2感測器105之周邊電極162a～162d及底部電極161對電路基板106個別地連接。即，分別連接於周邊電極162a～162d之貫通電極165a～165d及連接於底部電極161之貫通電極165e經由個別之配線184，分別與複數個C/V轉換電路180(於一實施形態中為五個C/V轉換電路)相連接。 高頻振盪器171以與電池等電源177相連接、且接收來自該電源177之電力而產生高頻信號之方式而構成。再者，電源177亦與處理器174、記憶裝置175、及通信裝置176相連接。高頻振盪器171具有複數條輸出線。高頻振盪器171經由複數條輸出線，將所產生之高頻信號賦予至配線182、配線183、及配線184。因此，高頻振盪器171與第1感測器104之電極142及電極143電性連接，來自該高頻振盪器171之高頻信號被賦予至電極142及電極143。又，高頻振盪器171與第2感測器105之底部電極161及周邊電極162a～162d電性連接，來自該高頻振盪器171之高頻信號被賦予至底部電極161及周邊電極162a～162d。 於C/V轉換電路172之輸入連接有配線182及配線183。即，於C/V轉換電路172之輸入，連接有第1感測器104之電極142及電極143。又，於複數個C/V轉換電路180之輸入，分別連接有底部電極161及周邊電極162a～162d。C/V轉換電路172及C/V轉換電路180之各者根據其輸入中之電壓振幅產生電壓信號。電壓信號表示與該輸入相連接之電極之靜電電容。C/V轉換電路172及C/V轉換電路180之各者輸出該電壓信號。再者，與C/V轉換電路172相連接之電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路172所輸出之電壓信號之電壓之大小變得越大。同樣地，與C/V轉換電路180相連接之電極之靜電電容越大，該C/V轉換電路180所輸出之電壓信號之電壓之大小變得越大。 於A/D轉換器173之輸入，連接有複數個C/V轉換電路172A～172D及複數個C/V轉換電路180A～180O之輸出。又，A/D轉換器173與處理器174相連接。A/D轉換器173由來自處理器174之控制信號控制，而將複數個C/V轉換電路172A～172D之輸出信號(電壓信號)及複數個C/V轉換電路180A～180O之輸出信號(電壓信號)轉換為數位值。即，A/D轉換器173產生表示第1感測器104A～104D各自之電極143之靜電電容的第1檢測值。又，A/D轉換器173產生表示第2感測器105A～105C各自之底部電極161之靜電電容的第2檢測值，並且產生表示第2感測器105A～105C各自之周邊電極162a～162d各自之靜電電容的複數個第3檢測值。A/D轉換器173向處理器174輸出第1檢測值、第2檢測值、及第3檢測值。 於處理器174連接有記憶裝置175。記憶裝置175為揮發性記憶體等記憶裝置，以記憶下述之檢測資料之方式而構成。又，於處理器174連接有另一記憶裝置178。記憶裝置178為非揮發性記憶體等記憶裝置，記憶有利用處理器174而讀取並執行之程式。 通信裝置176為依據任意之無線通信標準之通信裝置。例如，通信裝置176係依據Bluetooth(註冊商標)。通信裝置176係以將記憶於記憶裝置175之檢測資料無線發送之方式而構成。 處理器174以藉由執行上述程式而控制檢測器100之各部之方式構成。例如，處理器174控制自高頻振盪器171對電極142、電極143、底部電極161、及周邊電極162a～162d之高頻信號之供給、自電源177對記憶裝置175之電力供給、及自電源177對通信裝置176之電力供給等。進而，處理器174藉由執行上述程式，而執行第1～第3檢測值之獲得、第1～第3檢測值於記憶裝置175中之記憶、及第1～第3檢測值之發送等。 於以上所說明之檢測器100中，藉由第1感測器104A～104D所提供之複數個電極143(側部電極)，係沿基底基板102之邊緣而排列。於檢測器100配置於由聚焦環FR所包圍之區域之狀態下，複數個電極143與聚焦環FR之內緣相向。根據該等電極143中之電壓振幅而產生之複數個第1檢測值，表示反映複數個電極143分別與聚焦環之間之距離的靜電電容。再者，靜電電容C以C＝εS/d表示。ε為電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間之介質之介電常數，S為電極143之前表面143f之面積，d可視為電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間之距離。因此，根據檢測器100，可獲得反映模擬被加工物W之該檢測器100與聚焦環FR之相對位置關係的檢測資料。例如，電極143之前表面143f與聚焦環FR之內緣之間之距離越大，藉由檢測器100而獲得之複數個第1檢測值變得越小。 又，於檢測器100中，第2感測器105A～105C各自之底部電極161沿基底基板102之底面配置。根據底部電極161中之電壓振幅而產生之第2檢測值表示底部電極161與位於檢測器100之下方之物體之間的靜電電容。即，第2檢測值反映出底部電極161與處於檢測器100之下方之物體的相對位置關係。於一實施形態中，第2檢測值反映出底部電極161與作為處於檢測器100之下方之物體之頂起銷25a的相對位置關係。具體而言，於底部電極161與頂起銷25a之前端相向時，第2檢測值變大。另一方面，於底部電極161之位置自頂起銷25a之前端位置偏離之情形時，第2檢測值變小。如上所述般，第2感測器105A～105C各自之底部電極161與檢測器100之中心軸線AX100之間之位置關係和頂起銷25a之各者與載置台PD之中心軸線之位置關係大致一致。因此，於第2檢測值為特定值以上之值之情形時，可確認，藉由頂起銷25a之下降，檢測器100配置於由聚焦環FR所包圍之區域。因此，根據第2檢測值，可確認檢測器100是否於載置台PD上配置在由聚焦環FR所包圍之區域內。藉由使用該第2檢測值，可確認上述第1檢測值之可靠性。因此，根據檢測器100，能夠獲得反映模擬被加工物W之該檢測器100與聚焦環FR之位置關係的可靠性較高之資料。 又，於第2感測器105A～105C之各者，以包圍底部電極161之方式設置有周邊電極162a～162d。藉由將根據該等周邊電極162a～162d之各者中之電壓振幅而求出之複數個第3檢測值與第2檢測值一起使用，可更準確地確認檢測器100是否於載置台PD上配置在由聚焦環FR所包圍之區域內。 又，如上所述般，於搭載於檢測器100之第1感測器104中，電極143(感測器電極)設置於電極141之上，且於電極141與電極143之間介置有電極142之第2部分。於利用該第1感測器104時，開關SWG關閉，將電極141之電位設置為接地電位。然後，向電極142及電極143供給高頻信號。此時，電極143之電壓振幅成為如下之電壓振幅：未受到來自相對於該電極143設置有電極141之方向、即第1感測器104之下方的靜電電容之影響，而是反映出特定方向、即電極143之前表面143f所朝向之方向(X方向)上之靜電電容。因此，根據第1感測器104，可對特定方向具有較高之指向性地檢測靜電電容。 又，電極141及電極142以於配置有電極143之前表面之區域側(X方向)開口、且包圍電極143之周圍之方式而延伸。因此，藉由電極141及電極142，電極143對除特定方向以外之方向遮蔽。因此，於靜電電容之檢測中，進一步提高第1感測器104對特定方向之指向性。 又，第1感測器104之前側端面104f係作為具有特定之曲率之曲面而構成，電極143之前表面143f沿前側端面104f延伸。因此，可將電極143之前表面143f之各位置與聚焦環FR之內緣之間的徑向之距離設定為大致等距離。因此，進一步提高靜電電容之檢測之精度。 以下，對能夠搭載於檢測器100之第1感測器之其他例進行說明。圖12係表示第1感測器之其他例之縱剖視圖。於圖12中，示出第1感測器204之縱剖視圖，又，與第1感測器204一起示出聚焦環FR。 第1感測器204具有電極241、電極242、及電極243。第1感測器204可進而具有基板部244及絕緣區域247。基板部244具有本體部244m及表層部244f。本體部244m例如由矽所形成。表層部244f覆蓋本體部244m之表面。表層部244f由絕緣材料所形成。表層部244f例如為矽之熱氧化膜。 基板部244具有上表面244a、下表面244b、及前側端面244c。電極242設置於基板部244之下表面244b之下方，且於X方向及Y方向上延伸。又，電極241經由絕緣區域247而設置於電極242之下方，且於X方向及Y方向上延伸。 基板部244之前側端面244c呈階狀地形成。前側端面244c之下側部分244d較該前側端面244c之上側部分244u更朝向聚焦環FR側突出。電極243沿前側端面244c之上側部分244u延伸。 於使用該第1感測器204作為檢測器100之感測器之情形時，電極241與配線181相連接，電極242與配線182相連接，電極243與配線183相連接。 於第1感測器204中，作為感測器電極之電極243藉由電極241及電極242而對第1感測器204之下方遮蔽。因此，根據該第1感測器204，能夠對特定方向、即電極243之前表面243f所朝向之方向(X方向)具有較高之指向性地檢測靜電電容。 以下，對能夠代替第2感測器105A～105C而搭載於檢測器100之第2感測器之其他例進行說明。圖13之(a)係自檢測器之底面側觀察表示其他例之第2感測器之複數個電極之俯視圖，圖13之(b)係自檢測器之上表面側觀察表示第2感測器之俯視圖。又，圖14係沿圖13之(b)之XIV-XIV線而獲得之剖視圖。再者，於圖14中，示出藉由頂起銷25a支持檢測器100之狀態。 第2感測器305包含複數個電極365。複數個電極365以自基底基板102之上表面向該基底基板102之板厚方向延伸之方式設置於基底基板102。於第2感測器305中，複數個電極365貫通基底基板102。複數個電極365之各者向基底基板102之底面側提供端面365a。複數個電極365之端面365a構成底部電極及複數個周邊電極。具體而言，如圖13之(a)所示般，於複數個電極365之端面365a之中，存在於中央之圓形之區域361內之若干個電極365之端面365a構成底部電極。又，存在於包圍區域361之周邊區域362a～362d之各者的若干個電極365之端面365a構成周邊電極。再者，於圖13所示之例中，周邊區域之個數為四個。該等周邊區域362a～362d藉由具有不同之半徑之二個圓弧而界定，且相對於區域361之中心於圓周方向上排列。如圖14所示般，於基底基板102之底面形成有絕緣膜169。該絕緣膜169覆蓋複數個電極365之端面365a。 於基底基板102之上表面，形成有分別與周邊區域362a～362d及區域361對向且分別具有與周邊區域362a～362d及區域361大致相同形狀之圖案電極366a～366e。於周邊區域362a中提供端面365a之電極365與圖案電極366a相連接。於周邊區域362b中提供端面365a之電極365與圖案電極366b相連接。於周邊區域362c中提供端面365a之電極365與圖案電極366c相連接。於周邊區域362d中提供端面365a之電極365與圖案電極366d相連接。又，於區域361中提供端面365a之電極365與圖案電極366e相連接。於上述第2感測器105A～105C各自之製作中，需要與貫通電極165a～165e分開地另外形成底部電極及周邊電極之步驟。另一方面，第2感測器305中，與貫通電極165a～165e同樣地於基底基板102之板厚方向上延伸之複數個電極365提供底部電極及周邊電極，故於第2感測器305之製作中，無需進行形成底部電極及周邊電極之另外之步驟。 以下，對能夠代替第2感測器105A～105C而搭載於檢測器100之第2感測器之進而其他例進行說明。圖15係表示第2感測器之進而其他例之剖視圖。 圖15所示之第2感測器405具有複數個電極465。複數個電極465以自基底基板102之上表面向該基底基板102之板厚方向延伸之方式設置於基底基板102。於第2感測器405中，複數個電極465於基底基板102之上表面與底面之間之中途提供端面465a。與第2感測器305之複數個電極365之端面365a同樣地，複數個電極465之端面465a構成底部電極及複數個周邊電極。於搭載第2感測器405之檢測器100中，基底基板102例如可為玻璃基板。於第2感測器405之製作中，亦無需進行另外形成底部電極及複數個周邊電極之步驟。 以下，對能夠代替第2感測器105A～105C而搭載於檢測器100之第2感測器之進而其他例進行說明。圖16係表示第2感測器之進而其他例之剖視圖。 圖16所示之第2感測器505與第2感測器305同樣地，具有配置於區域361及周邊區域362a～362d之各者之複數個電極365。而且，第2感測器505進而具有包圍電極370a～370e。包圍電極370a～370e由導體所形成，且於第2感測器505內與電極365絕緣。包圍電極370a以總括地包圍配置於周邊區域362a內之一群電極365之端面365a之方式沿基底基板之底面形成。於包圍電極370a連接有貫通基底基板之穿孔電極371a。又，包圍電極370b以總括地包圍配置於周邊區域362b內之一群電極365之端面365a之方式沿基底基板之底面形成。於包圍電極370b連接有貫通基底基板之穿孔電極371b。又，包圍電極370c以總括地包圍配置於周邊區域362c內之一群電極365之端面365a之方式沿基底基板之底面形成。於包圍電極370c連接有貫通基底基板之穿孔電極371c。又，包圍電極370d以總括地包圍配置於周邊區域362d內之一群電極365之端面365a之方式沿基底基板之底面形成。於包圍電極370d連接有貫通基底基板之穿孔電極371d。又，包圍電極370e以總括地包圍配置於區域361內之一群電極365之端面365a之方式沿基底基板之底面形成。於包圍電極370e連接有貫通基底基板之穿孔電極371e。於穿孔電極371a～371e之各者，電性連接有高頻振盪器171，且向包圍電極370a～370e之各者賦予高頻信號。於第2感測器505中，一群電極365之端面365a藉由包圍電極370a～370e中之包圍該一群電極365之端面365a之包圍電極，而對該包圍電極之外側遮蔽。因此，於靜電電容之檢測中，提高第2感測器505之指向性。 以上，對各種實施形態進行了說明，但並不限定於上述實施形態，而可構成各種變化態樣。例如，作為製程模組PM1～PM6之例，例示出電漿處理裝置，但製程模組PM1～PM6只要為利用靜電吸盤及聚焦環者，則可為任意之處理裝置。又，上述電漿處理裝置10為電容耦合型之電漿處理裝置，但可用作製程模組PM1～PM6之電漿處理裝置可為如感應耦合型之電漿處理裝置、利用微波等表面波之電漿處理裝置般任意之電漿處理裝置。 又，於上述實施形態中，複數個第2感測器之底部電極與檢測器100之中心軸線AX100之位置關係和載置台PD之中心軸線與頂起銷25a之位置關係大致一致，但複數個第2感測器之底部電極與檢測器100之中心軸線AX100之位置關係並不限定於此。例如，複數個第2感測器之底部電極之各者與檢測器100之中心軸線AX100之間之距離亦可和載置台PD之中心軸線與靜電吸盤之邊緣之間之距離大致一致。 以下，對此種另一實施形態之檢測器進行說明。即，對複數個第2感測器之底部電極之各者與檢測器之中心軸線AX100之間之距離和載置台PD之中心軸線與靜電吸盤之邊緣之間之距離大致一致之檢測器進行說明。再者，該另一實施形態之檢測器亦可於圖1所示之處理系統中使用。圖17係自底面側觀察表示檢測器之俯視圖。圖17所示之檢測器600具備基底基板102。於基底基板102之下側部分102a，設置有靜電電容檢測用之四個第1感測器104A～104D。又，於基底基板102之下側部分102a，代替圖6所示之第2感測器105A～105C，設置有四個第2感測器605A～605D。再者，設置於檢測器600之第2感測器之個數可為三個以上之任意個數。第2感測器605A～605D沿共用基底基板102之中心軸線AX100之圓，於圓周方向上以等間隔配置。又，第2感測器605A～605D及第1感測器104A～104D於圓周方向上交替地配置。四個第2感測器605A～605D之各者具有沿基底基板102之底面設置之底部電極606。 圖18係靜電吸盤之剖視圖，表示於靜電吸盤載置有被加工物之狀態。於一實施形態中，靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極E配置於一對絕緣層或絕緣片間之構造，且具有大致圓盤形狀。靜電吸盤ESC具有供被加工物W及檢測器600載置於其上之載置區域R。載置區域R具有圓形之邊緣。被加工物W及檢測器600具有較載置區域R之外徑大的外徑。 圖19係圖17之局部放大圖，表示一個第2感測器。底部電極606之邊緣局部地呈圓弧形狀。即，底部電極606具有藉由以中心軸線AX100為中心且具有不同半徑之二個圓弧606a、606b而界定之平面形狀。複數個第2感測器605A～605D各自之底部電極606中之徑向外側的圓弧606b於共同之圓上延伸。又，複數個第2感測器605A～605D各自之底部電極606中之徑向內側的圓弧606a於其他共同之圓上延伸。底部電極606之邊緣之一部分之曲率與靜電吸盤ESC(載置區域R)之邊緣之曲率一致。於一實施形態中，形成底部電極606中之徑向外側之邊緣的圓弧606b之曲率與靜電吸盤ESC之載置區域R之邊緣之曲率一致。再者，圓弧606b之曲率中心、即圓弧606b於其上延伸之圓之中心共用中心軸線AX100。 於一實施形態中，第2感測器605A～605D之各者進而包含包圍底部電極606之電極607。電極607呈框狀，且遍及底部電極606之全周地包圍底部電極606。電極607與底部電極606以於其等之間介置絕緣區域608之方式相互隔開。又，於一實施形態中，第2感測器605A～605D之各者於電極607之外側進而包含包圍該電極607之電極609。電極609呈框狀，且遍及電極607之全周地包圍電極607。電極607與電極609以於該等之間介置絕緣區域610之方式相互隔開。 圖20係例示檢測器之電路基板的構成之圖。檢測器600具有電路基板106A。電路基板106A相當於檢測器100中之電路基板106。如圖20所示般，電路基板106A具有高頻振盪器171、複數個C/V轉換電路172A～172D、複數個C/V轉換電路680A～680D、A/D轉換器173、處理器174、記憶裝置175、通信裝置176、電源177、及記憶裝置178。 第2感測器605A～605D之底部電極606經由對應之配線681，與C/V轉換電路680A～680D中對應之C/V轉換電路相連接。又，第2感測器605A～605D各自之電極607經由對應之配線682，與C/V轉換電路680A～680D中對應之C/V轉換電路相連接。第2感測器605A～605D各自之底部電極606及電極607以向其等賦予來自高頻振盪器171之高頻信號之方式，與高頻振盪器171電性連接。C/V轉換電路680A～680D之各者構成為，根據其輸入中之電壓振幅產生表示連接於該輸入之電極之靜電電容的電壓信號，且輸出該電壓信號。又，第2感測器605A～605D各自之電極609經由對應之配線683，與接地電位線GL相連接。再者，配線683亦可經由開關SWG，與接地電位線GL相連接。 於A/D轉換器173之輸入，連接有複數個C/V轉換電路680A～680D之輸出。藉此，A/D轉換器173產生表示底部電極606之靜電電容之數位值(檢測值)。A/D轉換器173將所產生之數位值輸出至處理器174。 以下，對使用檢測器600來校正處理系統1中之搬送位置資料之方法進行說明。再者，如上所述，處理系統1中之搬送裝置TU2由控制部MC控制。於一實施形態中，搬送裝置TU2可基於自控制部MC發送之搬送位置資料，將被加工物W及檢測器600搬送至靜電吸盤ESC之載置區域R上。圖21係表示一實施形態之處理系統之搬送裝置之校正方法的流程圖。 於圖21所示之方法MT中，首先執行步驟ST1。於步驟ST1中，利用搬送裝置TU2，將檢測器600搬送至根據搬送位置資料而特定出之載置區域R上之位置。具體而言，搬送裝置TU1將檢測器600搬送至加載互鎖真空模組LL1及加載互鎖真空模組LL2中之一加載互鎖真空模組。然後，搬送裝置TU2基於搬送位置資料，將檢測器600自一加載互鎖真空模組搬送至製程模組PM1～PM6中之任一者，且將該檢測器600載置於靜電吸盤ESC之載置區域R上。搬送位置資料為例如以檢測器600之中心軸線AX100之位置與載置區域R之中心位置一致之方式而預先設定之座標資料。 於接下來之步驟ST2中，檢測器600進行靜電電容之檢測。具體而言，檢測器600獲得和靜電吸盤ESC之載置區域R與第2感測器605A～605D各自之底部電極606之間的靜電電容之大小對應之複數個數位值(檢測值)，且將該複數個數位值記憶於記憶裝置175。再者，複數個數位值可於處理器174之控制下，於預先設定之時點獲得。於一實施形態中，亦可在藉由第2感測器605A～605D而進行之靜電電容之檢測的時點，執行藉由第1感測器104A～104D而進行之靜電電容之檢測。 於接下來之步驟ST3中，將檢測器600自製程模組搬出，返回至轉移模組TF、加載互鎖真空模組LL1、LL2、裝載模組LM及容器4a～4d中之任一者。於接下來之步驟ST4中，將檢測器600被搬送至之載置區域R上之位置與載置區域R上之特定之搬送位置的誤差導出。再者，特定之搬送位置可為載置區域R之中心位置。於一實施形態之步驟ST4中，首先，將記憶裝置175所記憶之複數個數位值發送至控制部MC。複數個數位值可根據來自控制部MC之指令而自通信裝置176發送至控制部MC，或亦可藉由基於設置於電路基板106A之計時器之計數的處理器174之控制，於特定之時點發送至控制部MC。繼而，控制部MC基於所接收之複數個數位值，導出檢測器600之搬送位置之誤差。於一實施形態中，控制部MC具有表示載置區域R上之檢測器600之搬送位置與藉由第2感測器605A～605D而獲得之數位值的關係之資料表。該資料表中登錄有例如載置區域R之各徑向上之底部電極606之位置與表示該位置處之底部電極606之靜電電容之數位值的關係。 圖22係表示檢測器相對於靜電吸盤之載置區域的搬送位置之圖。圖22之(a)表示於將檢測器600搬送至特定之搬送位置之情形時載置區域R與一個底部電極606之位置關係。圖22之(b)、(c)表示於將檢測器600搬送至偏離特定之搬送位置之情形時載置區域R與一個底部電極606之位置關係。如圖22之(b)所示般，於底部電極606相對於載置區域R向載置區域R之徑向之外側偏離之情形時，藉由底部電極606而檢測之靜電電容與將檢測器600搬送至特定之搬送位置之情形(圖22之(a))時之靜電電容相比變小。如圖22之(c)所示般，於底部電極606相對於載置區域R向載置區域R之徑向之內側偏離之情形時，由於電極E之影響，藉由底部電極606而檢測之靜電電容與將檢測器600搬送至特定之搬送位置之情形(圖22之(a))時之靜電電容相比變大。因此，藉由使用表示第2感測器605A～605D各自之底部電極606之靜電電容的數位值並參照資料表，能夠求出載置區域R之各徑向上之各底部電極606之偏移量。然後，能夠根據各徑向上之第2感測器605A～605D各自之底部電極606之偏移量，求出檢測器600之搬送位置之誤差。 於檢測器600之搬送位置之誤差大於特定之閾值之情形時，於接下來之步驟ST5中判定需要進行搬送位置資料之校正。於此情形時，於步驟ST6中，以去除誤差之方式藉由控制部MC來修正搬送位置資料。然後，於步驟ST7中，再次將檢測器600搬送至與之前檢測器600曾被搬送至之製程模組相同之製程模組，並再次執行步驟ST2～步驟ST5。另一方面，於檢測器600之搬送位置之誤差小於特定之閾值之情形時，於步驟ST5中判定無需進行搬送位置資料之校正。於此情形時，於步驟ST8中，判定是否向接下來檢測器600應被搬送至之另一製程模組搬送檢測器600。於剩餘有接下來檢測器600應被搬送至之另一製程模組之情形時，於接下來之步驟ST9中，將檢測器600搬送至該另一製程模組，並執行步驟ST2～步驟ST5。另一方面，於未剩餘有接下來檢測器600應被搬送至之另一製程模組之情形時，方法MT結束。 根據以如此之方式使用檢測器600之方法MT，在用於藉由搬送裝置TU2所進行之搬送之搬送位置資料之校正中可利用的複數個數位值由檢測器600提供。藉由使用該複數個數位值，可視需要校正搬送位置資料。藉由將以如此之方式校正之搬送位置資料使用於利用搬送裝置TU2所進行之被加工物W之搬送，可將被加工物W搬送至特定之搬送位置。 又，於一實施形態中，第2感測器605A～605D各自之底部電極606沿共用基底基板102之中心軸線AX100之圓而配置。於以基底基板102之中心軸線AX100與作為特定之搬送位置的載置區域R之中心一致之方式搬送檢測器600之情形時，表示第2感測器605A～605D各自之底部電極606之靜電電容的數位值理想上相同。因此，能夠容易地求出檢測器600之搬送位置之誤差。 又，第2感測器605A～605D各自之底部電極606的邊緣之一部分具有圓弧形狀，且於具有與載置區域R之直徑大致一致之直徑的圓上延伸。又，底部電極606之邊緣之該一部分之曲率與載置區域R之邊緣之曲率一致。因此，能夠精度良好地檢測出檢測器600之搬送位置與特定之搬送位置之間的各徑向上之偏移量。
1‧‧‧處理系統 2a～2d‧‧‧台 4a～4d‧‧‧容器 6D‧‧‧驅動裝置 6S‧‧‧感測器 6T‧‧‧支持台 10‧‧‧電漿處理裝置 12‧‧‧腔室本體 12e‧‧‧排氣口 12g‧‧‧開口 14‧‧‧支持部 18a‧‧‧第1平板 18b‧‧‧第2平板 22‧‧‧直流電源 23‧‧‧開關 24‧‧‧冷媒流路 25‧‧‧貫通孔 25a‧‧‧頂起銷 26a‧‧‧配管 26b‧‧‧配管 28‧‧‧氣體供給管線 30‧‧‧上部電極 32‧‧‧絕緣性遮蔽構件 34‧‧‧頂板 34a‧‧‧氣體噴出孔 36‧‧‧支持體 36a‧‧‧氣體擴散室 36b‧‧‧氣體通流孔 36c‧‧‧氣體導入口 38‧‧‧氣體供給管 40‧‧‧氣體源群 42‧‧‧閥群 44‧‧‧流量控制器群 46‧‧‧遮罩 48‧‧‧排氣平板 50‧‧‧排氣裝置 52‧‧‧排氣管 54‧‧‧閘閥 62‧‧‧第1高頻電源 64‧‧‧第2高頻電源 66‧‧‧整合器 68‧‧‧整合器 100‧‧‧檢測器 102‧‧‧基底基板 102a‧‧‧下側部分 102b‧‧‧上側部分 102c‧‧‧中央區域 102h‧‧‧放射區域 102N‧‧‧凹口 102r‧‧‧凹部 104‧‧‧第1感測器 104A～104D‧‧‧第1感測器 104b‧‧‧下表面 104f‧‧‧前側端面 104r‧‧‧後側端面 104s‧‧‧一對側面 104t‧‧‧上表面 105‧‧‧第2感測器 105A～105C‧‧‧第2感測器 106‧‧‧電路基板 106A‧‧‧電路基板 108‧‧‧配線群 108A～108D‧‧‧配線群 123‧‧‧穿孔配線 141‧‧‧電極 141a‧‧‧第1部分 142‧‧‧電極 142a‧‧‧第2部分 143‧‧‧電極 143f‧‧‧前表面 144‧‧‧基板部 144f‧‧‧表層部 144m‧‧‧本體部 146‧‧‧絕緣區域 147‧‧‧絕緣區域 148‧‧‧絕緣區域 151‧‧‧焊墊 152‧‧‧焊墊 153‧‧‧焊墊 154‧‧‧穿孔配線 161‧‧‧底部電極 162a～162d‧‧‧周邊電極 165a～165e‧‧‧貫通電極 169‧‧‧絕緣膜 171‧‧‧高頻振盪器 172‧‧‧C/V轉換電路 172A～172D‧‧‧C/V轉換電路 173‧‧‧A/D轉換器 174‧‧‧處理器 175‧‧‧記憶裝置 176‧‧‧通信裝置 177‧‧‧電源 178‧‧‧記憶裝置 180‧‧‧C/V轉換電路 180A～180O‧‧‧C/V轉換電路 181‧‧‧配線 182‧‧‧配線 183‧‧‧配線 184‧‧‧配線 204‧‧‧第1感測器 241‧‧‧電極 242‧‧‧電極 243‧‧‧電極 243f‧‧‧前表面 244‧‧‧基板部 244a‧‧‧上表面 244b‧‧‧下表面 244c‧‧‧前側端面 244d‧‧‧下側部分 244f‧‧‧表層部 244m‧‧‧本體部 244u‧‧‧上側部分 247‧‧‧絕緣區域 305‧‧‧第2感測器 361‧‧‧區域 362a‧‧‧周邊區域 362b‧‧‧周邊區域 362c‧‧‧周邊區域 362d‧‧‧周邊區域 365‧‧‧電極 365a‧‧‧端面 366a‧‧‧圖案電極 366b‧‧‧圖案電極 366c‧‧‧圖案電極 366d‧‧‧圖案電極 366e‧‧‧圖案電極 370a‧‧‧包圍電極 370b‧‧‧包圍電極 370c‧‧‧包圍電極 370d‧‧‧包圍電極 370e‧‧‧包圍電極 371a‧‧‧穿孔電極 371b‧‧‧穿孔電極 371c‧‧‧穿孔電極 371d‧‧‧穿孔電極 371e‧‧‧穿孔電極 405‧‧‧第2感測器 465‧‧‧電極 465a‧‧‧端面 505‧‧‧第2感測器 600‧‧‧檢測器 605A～605D‧‧‧第2感測器 606‧‧‧底部電極 606a‧‧‧圓弧 606b‧‧‧圓弧 607‧‧‧電極 608‧‧‧絕緣區域 609‧‧‧電極 610‧‧‧絕緣區域 680A～680D‧‧‧C/V轉換電路 681‧‧‧配線 682‧‧‧配線 683‧‧‧配線 AN‧‧‧對準器 AX100‧‧‧中心軸線 E‧‧‧電極 ESC‧‧‧靜電吸盤 FR‧‧‧聚焦環 GC‧‧‧地線 GL‧‧‧接地電位線 He‧‧‧He氣體 LE‧‧‧下部電極 LL1‧‧‧加載互鎖真空模組 LL2‧‧‧加載互鎖真空模組 LM‧‧‧裝載模組 MC‧‧‧控制部 MT‧‧‧方法 P1‧‧‧第1部分 P1i‧‧‧內緣 P2‧‧‧第2部分 P2i‧‧‧內緣 PD‧‧‧載置台 PM1～PM6‧‧‧製程模組 R‧‧‧載置區域 S‧‧‧腔室 ST1‧‧‧步驟 ST2‧‧‧步驟 ST3‧‧‧步驟 ST4‧‧‧步驟 ST5‧‧‧步驟 ST6‧‧‧步驟 ST7‧‧‧步驟 ST8‧‧‧步驟 ST9‧‧‧步驟 SWG‧‧‧開關 TF‧‧‧轉移模組 TU2‧‧‧搬送裝置 W‧‧‧被加工物 WN‧‧‧凹口
圖1係例示處理系統之圖。 圖2係例示對準器之立體圖。 圖3係表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖4係表示靜電吸盤之俯視圖。 圖5係例示檢測器之立體圖。 圖6係表示自底面側觀察圖5所示之檢測器之俯視圖。 圖7係表示第1感測器之一例之立體圖。 圖8係沿圖7之VIII-VIII線而獲得之剖視圖。 圖9係沿圖8之IX-IX線而獲得之剖視圖。 圖10係沿圖6之X-X線而獲得之剖視圖。 圖11係例示檢測器之電路基板之構成之圖。 圖12係表示第1感測器之其他例之縱剖視圖。 圖13(a)、(b)係表示第2感測器之其他例之圖。 圖14係沿圖13之(b)之XIV-XIV線而獲得之剖視圖。 圖15係表示第2感測器之進而其他例之圖。 圖16係表示第2感測器之進而其他例之圖。 圖17係表示檢測器之其他例之圖。 圖18係模式性地表示靜電吸盤之剖視圖。 圖19係圖17之檢測器之放大圖。 圖20係例示圖17之檢測器之電路基板的構成之圖。 圖21係表示校正處理系統中之搬送位置資料之方法的一實施形態之流程圖。 圖22(a)～(c)係表示檢測器相對於靜電吸盤之搬送位置之圖。
100‧‧‧檢測器
102‧‧‧基底基板
102a‧‧‧下側部分
102b‧‧‧上側部分
102c‧‧‧中央區域
102h‧‧‧放射區域
102N‧‧‧凹口
102r‧‧‧凹部
104A~104D‧‧‧第1感測器
104f‧‧‧前側端面
105‧‧‧第2感測器
105A~105C‧‧‧第2感測器
106‧‧‧電路基板
108A~108D‧‧‧配線群
165a~165e‧‧‧貫通電極
184‧‧‧配線
AX100‧‧‧中心軸線

Claims (9)

  1. 一種靜電電容檢測用之檢測器，其包含：基底基板，其具有圓盤形狀；複數個第1感測器，其等沿上述基底基板之邊緣排列，且分別提供複數個側部電極；一個以上之第2感測器，其分別具有沿上述基底基板之底面設置之底部電極；及電路基板，其係搭載於上述基底基板上，且與上述複數個第1感測器及上述一個以上之第2感測器之各者相連接者，且構成為：向上述複數個側部電極及上述底部電極賦予高頻信號，根據上述複數個側部電極中之電壓振幅之各者產生表示靜電電容之複數個第1檢測值，並根據上述底部電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第2檢測值；且上述一個以上之第2感測器之各者進而包含以自上述基底基板之上表面於該基底基板之板厚方向延伸之方式設置於該基底基板的複數個電極；且上述一個以上之第2感測器各自之上述底部電極，係由上述複數個電極之上述底面側之端面構成。
  2. 如請求項1之靜電電容檢測用之檢測器，其中上述一個以上之第2感測器各自之上述底部電極具有圓形狀；上述一個以上之第2感測器之各者，進而具有以包圍上述底部電極之方式而配置之周邊電極；上述電路基板進而構成為：向上述周邊電極賦予上述高頻信號，並 根據上述周邊電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第3檢測值。
  3. 如請求項1之靜電電容檢測用之檢測器，其中上述一個以上之第2感測器為複數個第2感測器；上述複數個第2感測器係沿共用上述基底基板之中心軸線之圓配置。
  4. 一種靜電電容檢測用之檢測器，其包含：基底基板，其具有圓盤形狀；複數個第1感測器，其等沿上述基底基板之邊緣排列，且分別提供複數個側部電極；一個以上之第2感測器，其分別具有沿上述基底基板之底面設置之底部電極；及電路基板，其係搭載於上述基底基板上，且與上述複數個第1感測器及上述一個以上之第2感測器之各者相連接者，且構成為：向上述複數個側部電極及上述底部電極賦予高頻信號，根據上述複數個側部電極中之電壓振幅之各者產生表示靜電電容之複數個第1檢測值，並根據上述底部電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第2檢測值；且上述一個以上之第2感測器之各者，進而包含貫通上述基底基板之一個以上之貫通電極；且上述一個以上之第2感測器各自之上述底部電極，經由上述一個以上之貫通電極而與上述電路基板相連接。
  5. 如請求項4之靜電電容檢測用之檢測器，其中 上述一個以上之第2感測器各自之上述底部電極具有圓形狀；上述一個以上之第2感測器之各者，進而具有以包圍上述底部電極之方式而配置之周邊電極；上述電路基板進而構成為：向上述周邊電極賦予上述高頻信號，並根據上述周邊電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第3檢測值。
  6. 如請求項4之靜電電容檢測用之檢測器，其中上述一個以上之第2感測器為複數個第2感測器；上述複數個第2感測器係沿共用上述基底基板之中心軸線之圓配置。
  7. 一種靜電電容檢測用之檢測器，其包含：基底基板，其具有圓盤形狀；複數個第1感測器，其等沿上述基底基板之邊緣排列，且分別提供複數個側部電極；一個以上之第2感測器，其分別具有沿上述基底基板之底面設置之底部電極；及電路基板，其係搭載於上述基底基板上，且與上述複數個第1感測器及上述一個以上之第2感測器之各者相連接者，且構成為：向上述複數個側部電極及上述底部電極賦予高頻信號，根據上述複數個側部電極中之電壓振幅之各者產生表示靜電電容之複數個第1檢測值，並根據上述底部電極中之電壓振幅產生表示靜電電容之第2檢測值；且上述一個以上之第2感測器為三個以上之第2感測器；上述三個以上之第2感測器之各者，包含沿上述基底基板之底面設置 之底部電極，且沿共用上述基底基板之中心軸線之圓而配置；且上述三個以上之第2感測器各自之上述底部電極的邊緣之一部分，具有圓弧形狀且於上述圓上延伸。
  8. 一種校正搬送位置資料之方法，其係使用如請求項7之檢測器來校正處理系統中之搬送位置資料者；上述處理系統包含：處理裝置，其包含腔室本體及靜電吸盤，該靜電吸盤設置於由該腔室本體所提供之腔室內，包含具有圓形之邊緣之載置區域，且於該載置區域上載置被加工物；及搬送裝置，其基於搬送位置資料將上述被加工物搬送至上述載置區域上；該方法包括如下步驟：使用上述搬送裝置將上述檢測器搬送至根據上述搬送位置資料而特定出之上述載置區域上之位置；利用搬送至上述載置區域上之上述檢測器之上述三個以上之第2感測器，檢測三個以上之靜電電容；根據上述三個以上之靜電電容之檢測值，求出上述檢測器被搬送至之上述載置區域上之位置相對於上述載置區域上之特定之搬送位置的誤差；及利用上述誤差來校正上述搬送位置資料。
  9. 如請求項8之校正搬送位置資料之方法，其中上述底部電極之邊緣之上述一部分之曲率，與上述載置區域之邊緣之曲率一致。
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