JP2017041573A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017041573A JP2017041573A JP2015163357A JP2015163357A JP2017041573A JP 2017041573 A JP2017041573 A JP 2017041573A JP 2015163357 A JP2015163357 A JP 2015163357A JP 2015163357 A JP2015163357 A JP 2015163357A JP 2017041573 A JP2017041573 A JP 2017041573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor
- semiconductor region
- main surface
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 271
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 210000004754 hybrid cell Anatomy 0.000 description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- NGVDGCNFYWLIFO-UHFFFAOYSA-N pyridoxal 5'-phosphate Chemical compound CC1=NC=C(COP(O)(O)=O)C(C=O)=C1O NGVDGCNFYWLIFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
Description
負荷短絡時にIGBTにオン信号が入ると、コレクタとエミッタとの間に電源電圧がかかり、IGBTが流せる限界までの大電流が印加されて、IGBTが破壊する危険性がある。特に、Kirk効果によって、IGBTの基板裏面側の電界強度が高くなると、電界強度が臨界電界強度を超えてアバランシェ降伏が起こり、莫大なキャリアが基板裏面側で発生する。この現象は、コレクタ電流密度が顕著に起こりやすくなる傾向がある(図30参照)。これにより、基板裏面の寄生バイポーラがオンすると、ラッチアップによりIGBTが破壊する。Kirk効果とは、バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ電流が増加して注入レベルが高くなるにともない、ベース・コレクタ空乏層がコレクタ側へ押され、実効ベース幅が増加する現象であり、ベース押出し効果とも呼ばれる。
上記Kirk効果は、基板裏面側のPNダイオードから供給される正孔の量を増やして、電子を相殺し、電界強度のピーク位置を基板裏面側のPNダイオードから離すことにより抑制することができる。また、正孔の量を増やすためには、コレクタの濃度を高くすればよい(図32および図33参照)。しかし、コレクタの濃度を高くすると、IGBTのスイッチングオフ時の基板裏面側での残留キャリアが増えてしまう。このため、残留キャリアを空乏化によって吐き出すか、または再結合により消滅させなければならず、スイッチングオフ損失性能を劣化させる要因となる。つまり、負荷短絡耐量とスイッチングオフ損失性能とはトレードオフの関係にある。
トレンチゲートIGBTについて開示した先行技術としては、例えば特開2013−140885号公報(特許文献1)がある。(1)セル領域およびその周辺の平面構造、(2)狭アクティブセル型単位セルおよび交互配列方式、並びに(3)アクティブセル2次元間引き構造については特開2013−140885号公報(特許文献1)に開示されているので、それと重複する部分については、原則として繰り返さないこととする。
本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図1〜図5を用いて説明する。図1は、本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTを備える半導体装置(半導体チップ)の要部平面図である。図2は、本実施の形態1による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図3〜図5は、本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTの要部断面図であり、図3は、図2に示すA−A線に沿った要部断面図、図4は、図2に示すB−B線に沿った要部断面図、図5は、図2に示すC−C線に沿った要部断面図である。
本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTの効果について、図6および図7を用いて説明する。図6は、本実施の形態1による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図7は、本実施の形態1による線状アクティブセル領域の一部を拡大して示す要部断面図である。
本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTの製造方法を図8〜図21を用いて説明する。図8〜図21は、本実施の形態1によるトレンチゲートIGBTの製造工程を示す要部断面図である。以下では、セル形成領域を中心に説明するが、周辺部等については、必要に応じて前記図1を参照する。また、以下では、線状アクティブセル領域LCaおよび線状インアクティブセル領域LCiを含む第1線状単位セル領域LC1並びに線状ホールコレクタセル領域LCcおよび線状インアクティブセル領域LCiを含む第2線状単位セル領域LC2について具体的に説明する。
本実施の形態1の変形例1によるトレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図22を用いて説明する。図22は、本実施の形態1の変形例1による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図であり、前記図2にP++型第2コレクタ領域を重ねた平面図である。図22中、P++型第2コレクタ領域を網掛けのハッチングで示している。
本実施の形態1の変形例2によるトレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図23を用いて説明する。図23は、本実施の形態1の変形例2による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図であり、前記図2にP++型第2コレクタ領域を重ねた平面図である。図23中、P++型第2コレクタ領域を網掛けのハッチングで示している。
本実施の形態1の変形例3によるトレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図24および図25を用いて説明する。図24(a)および(b)はそれぞれ、本実施の形態1の変形例3による半導体装置を示す表面側および裏面側の要部平面図であり、図24(a)は、前記図1にP+型第1コレクタ領域を重ねた平面図、図24(b)は、半導体基板を裏面側からコレクタ電極を透過して見た平面図である。図24(a)および(b)中、P+型第1コレクタ領域を網掛けのハッチングで示している。図25は、本実施の形態1の変形例3による半導体装置の一部を拡大して示す要部断面の概略図である。
本実施の形態1の変形例4によるトレンチゲートIGBTを含む半導体装置について図26および図27を用いて説明する。図26は、本実施の形態1の変形例4による半導体装置を示す表面側の要部平面図であり、前記図1にP+型第1コレクタ領域を重ねた平面図である。図26中、P+型第1コレクタ領域を網掛けのハッチングで示している。図27は、本実施の形態1の変形例4による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図であり、前記図2にP++型第2コレクタ領域を重ねた平面図である。図27中、P++型第2コレクタ領域を網掛けのハッチングで示している。
本実施の形態2によるトレンチゲートIGBTを図28および図29を用いて説明する。図28は、本実施の形態2による半導体装置の活性部の一部を拡大して示す要部平面図である。図29は、図28に示すD−D線に沿った要部断面図である。
CR セル形成領域
CT コンタクト溝
DPS 多結晶シリコン膜
EE エミッタ電極
EP エミッタパッド
FP フィールドプレート
FPF ファイナルパッシベーション膜
GE ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
GL ゲート配線
GP ゲートパッド
GR ガードリング
GTG ゲート配線−トレンチゲート電極接続部
HM ハードマスク膜
IL 層間絶縁膜
LC 線状単位セル領域
LC1 第1線状単位セル領域
LC2 第2線状単位セル領域
LCa 線状アクティブセル領域
LCaa アクティブセクション
LCai インアクティブセクション
LCc 線状ホールコレクタセル領域
LCh 線状ハイブリッドセル領域
LCh1 第1線状ハイブリッドサブセル領域
LCh2 第2線状ハイブリッドサブセル領域
LCi 線状インアクティブセル領域
ND N−型ドリフト領域
NE N+型エミッタ領域
NHB N型ホールバリア領域
Ns N型フィールドストップ領域
PB P型ボディ領域
PBC,PBCp P+型ボディコンタクト領域
PC1 P+型第1コレクタ領域
PC2 P++型第2コレクタ領域
PF,PFp P型フローティング領域
PLP P+型ラッチアップ防止領域
R1 レジスト膜
Sa 表面
Sb 裏面
SC 半導体チップ
SS 半導体基板
T トレンチ
T1 第1トレンチ
T2 第2トレンチ
T3 第3トレンチ
T4 第4トレンチ
TG 線状トレンチゲート電極
TG1 第1線状トレンチゲート電極
TG2 第2線状トレンチゲート電極
TG3 第3線状トレンチゲート電極
TG4 第4線状トレンチゲート電極
TGc 連結トレンチゲート電極(エミッタ接続部)
TGp 端部トレンチゲート電極
TGx 接続用ゲート引き出しパッド(エミッタ接続部)
TGw ゲート引き出し部
TGz 端部連結トレンチゲート電極
Claims (15)
- 第1主面および前記第1主面と反対側の第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第1主面との間の前記半導体基板に設けられた前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第2主面との間の前記半導体基板に設けられた前記第2導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫通して、前記第1半導体領域まで到達する第1溝と、
前記第2半導体領域を貫通して、前記第1半導体領域まで到達し、前記第1溝と離間して設けられた第2溝と、
前記第2半導体領域内の前記第1主面側に、前記第1溝の第1側面に接して設けられた前記第1導電型の第4半導体領域と、
前記第1溝の内部に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1トレンチゲート電極と、
前記第2溝の内部に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた第2トレンチゲート電極と、
を有し、
前記第3半導体領域は、第1不純物濃度を有する第5半導体領域と、前記第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度を有する第6半導体領域とから構成され、
前記第6半導体領域は、平面視において前記第1溝と前記第4半導体領域との界面を含む、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第6半導体領域は、平面視において前記第4半導体領域を含む、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1不純物濃度は1×1016〜1×1017/cm3、前記第2不純物濃度は1×1017〜1×1018/cm3である、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体基板の厚さは、30〜200μm、前記第3半導体領域の前記第1主面からの深さは、0.25〜1.0μmである、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1トレンチゲート電極は第1電極と電気的に接続し、前記第2トレンチゲート電極、前記第1半導体領域および前記第4半導体領域は第2電極と電気的に接続し、前記第3半導体領域は第3電極と電気的に接続する、半導体装置。 - 第1主面および前記第1主面と反対側の第2主面を有する半導体基板と、
平面視において前記半導体基板の中央部に設けられた第1領域と、
平面視において前記第1領域の外側に設けられた第2領域と、
を備える半導体装置であって、
前記第1領域に、
前記半導体基板に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第1主面との間の前記半導体基板に設けられた前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第2主面との間の前記半導体基板に設けられた前記第2導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫通して、前記第1半導体領域まで到達する第1溝と、
前記第2半導体領域を貫通して、前記第1半導体領域まで到達し、前記第1溝と離間して設けられた第2溝と、
前記第2半導体領域内の前記第1主面側に、前記第1溝の第1側面に接して設けられた前記第1導電型の第4半導体領域と、
前記第1溝の内部に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1トレンチゲート電極と、
前記第2溝の内部に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた第2トレンチゲート電極と、
を有し、
前記第1領域の前記第2主面には、前記第3半導体領域が露出し、前記第2領域の前記第2主面には、前記第1半導体領域が露出する、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第3半導体領域は、第1不純物濃度を有する第5半導体領域と、前記第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度を有する第6半導体領域とから構成され、
前記第6半導体領域は、平面視において前記第1溝と前記第4半導体領域との界面を含む、半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記第6半導体領域は、平面視において前記第4半導体領域を含む、半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記第1不純物濃度は1×1016〜1×1017/cm3、前記第2不純物濃度は1×1017〜1×1018/cm3である、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記半導体基板の厚さは、30〜200μm、前記第3半導体領域の前記第1主面からの深さは、0.25〜1.0μmである、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第1トレンチゲート電極は第1電極と電気的に接続し、前記第2トレンチゲート電極、前記第2半導体領域および前記第4半導体領域は第2電極と電気的に接続し、前記第3半導体領域は第3電極と電気的に接続する、半導体装置。 - (a)第1主面および前記第1主面と反対側の第2主面を有する第1導電型の半導体基板を準備する工程、
(b)前記半導体基板の前記第1主面から第1深さを有する第1溝および第2溝を、互いに離間して形成する工程、
(c)前記第1溝の内部に第1絶縁膜からなる第1ゲート絶縁膜を介して第1導電膜からなる第1トレンチゲート電極を形成し、前記第2溝の内部に前記第1絶縁膜からなる第2ゲート絶縁膜を介して前記第1導電膜からなる第2トレンチゲート電極を形成する工程、
(d)前記半導体基板の前記第1主面から前記第1深さよりも浅い第2深さを有する前記第1導電型と異なる第2導電型の第1半導体領域を形成する工程、
(e)前記第1半導体領域内に、前記半導体基板の前記第1主面から前記第2深さよりも浅い第3深さを有する前記第1導電型の第2半導体領域を、前記第1溝の第1側面に接するように形成する工程、
(f)前記半導体基板の前記第1主面上に層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜上に前記第1トレンチゲート電極と電気的に接続する第1電極並びに前記第2トレンチゲート電極、前記第1半導体領域および前記第2半導体領域と電気的に接続する第2電極を形成する工程、
(g)前記半導体基板を前記第2主面側から研削する工程、
(h)前記半導体基板の前記第2主面に前記第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2主面側に第3半導体領域を形成する工程、
(i)前記半導体基板の前記第2主面上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜をパターニングする工程、
(j)パターニングされた前記レジスト膜をマスクとして、前記半導体基板の前記第2主面に前記第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2主面側に第4半導体領域を形成する工程、
(k)前記半導体基板の前記第2主面上に、前記第3半導体領域および前記第4半導体領域と電気的に接続する第3電極を形成する工程、
を含み、
前記第4半導体領域は、平面視において前記第1溝と前記第2半導体領域との界面を含む領域に形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記第4半導体領域は、平面視において前記第2半導体領域を含む領域に形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3半導体領域の不純物濃度は1×1016〜1×1017/cm3、前記第4半導体領域の不純物濃度は1×1017〜1×1018/cm3である、半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記(g)工程の研削によって、前記半導体基板の厚さを30〜200μmとする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015163357A JP6633867B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
US15/180,988 US9941396B2 (en) | 2015-08-21 | 2016-06-13 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
CN201610585246.9A CN106469751B (zh) | 2015-08-21 | 2016-07-22 | 半导体器件及其制作方法 |
US15/906,889 US10147810B2 (en) | 2015-08-21 | 2018-02-27 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015163357A JP6633867B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017041573A true JP2017041573A (ja) | 2017-02-23 |
JP6633867B2 JP6633867B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=58158040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015163357A Active JP6633867B2 (ja) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9941396B2 (ja) |
JP (1) | JP6633867B2 (ja) |
CN (1) | CN106469751B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018049866A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6448434B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018022776A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2018237199A1 (en) | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Renesas Electronics America Inc. | SOLID TOP TERMINAL FOR DISCRETE FEED DEVICES |
KR102042832B1 (ko) * | 2018-06-21 | 2019-11-08 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US11069770B2 (en) * | 2018-10-01 | 2021-07-20 | Ipower Semiconductor | Carrier injection control fast recovery diode structures |
WO2020112340A1 (en) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | Corning Incorporated | Methods for forming patterned insulating layers on conductive layers and devices manufactured using such methods |
JP7085975B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2022-06-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2021197525A (ja) * | 2020-06-18 | 2021-12-27 | ミツミ電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7488153B2 (ja) * | 2020-09-03 | 2024-05-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099713A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 縦型半導体装置 |
JP2013140885A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | Ie型トレンチゲートigbt |
JP2015023141A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015023118A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007020657B4 (de) * | 2007-04-30 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung desselben |
US8384151B2 (en) * | 2011-01-17 | 2013-02-26 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device and a reverse conducting IGBT |
JP5969771B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2016-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ie型トレンチゲートigbt |
JP2012256628A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Renesas Electronics Corp | Igbtおよびダイオード |
WO2013088544A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および電力変換装置 |
US9159819B2 (en) * | 2014-02-20 | 2015-10-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and RC-IGBT with zones directly adjoining a rear side electrode |
-
2015
- 2015-08-21 JP JP2015163357A patent/JP6633867B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-13 US US15/180,988 patent/US9941396B2/en active Active
- 2016-07-22 CN CN201610585246.9A patent/CN106469751B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-27 US US15/906,889 patent/US10147810B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099713A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 縦型半導体装置 |
JP2013140885A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | Ie型トレンチゲートigbt |
JP2015023141A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015023118A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018049866A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US10892351B2 (en) | 2016-09-20 | 2021-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106469751B (zh) | 2021-05-18 |
CN106469751A (zh) | 2017-03-01 |
US20170054010A1 (en) | 2017-02-23 |
US9941396B2 (en) | 2018-04-10 |
US20180190806A1 (en) | 2018-07-05 |
JP6633867B2 (ja) | 2020-01-22 |
US10147810B2 (en) | 2018-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6633867B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6420175B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9349827B2 (en) | IGBT and diode | |
JP5969771B2 (ja) | Ie型トレンチゲートigbt | |
JP5979993B2 (ja) | 狭アクティブセルie型トレンチゲートigbtの製造方法 | |
US8889493B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2012054378A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011171552A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20180062379A (ko) | 반도체 장치, rc-igbt 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP6566835B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6560059B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014049694A (ja) | Igbt | |
WO2022004084A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6439033B2 (ja) | Igbtの製造方法 | |
JP2015213193A (ja) | Igbt | |
JP6412617B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6484733B2 (ja) | Ie型igbt | |
JP2016201563A (ja) | 狭アクティブセルie型トレンチゲートigbt |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160203 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6633867 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |