JP2017034034A - 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 - Google Patents
分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017034034A JP2017034034A JP2015150964A JP2015150964A JP2017034034A JP 2017034034 A JP2017034034 A JP 2017034034A JP 2015150964 A JP2015150964 A JP 2015150964A JP 2015150964 A JP2015150964 A JP 2015150964A JP 2017034034 A JP2017034034 A JP 2017034034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dfb
- wavelength
- diffraction grating
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Claims (2)
- 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子において、
活性層と、
前記活性層を挟むクラッド層と、
前記活性層において発生したレーザ光に重なる回折格子層と、
を備え、
前記活性層において発生する光の利得スペクトルのピーク値に相当するエネルギーバンドギャップをEp、
前記回折格子層の選択する選択スペクトルのピーク値に相当するエネルギーバンドギャップをEDFB、
とした場合、
Ep−6.4meV≦EDFB≦Ep、
を満たすことを特徴とする分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子。 - 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子において、
活性層と、
前記活性層を挟むクラッド層と、
前記活性層において発生したレーザ光に重なる回折格子層と、
を備え、
前記活性層において発生する光の利得スペクトルのピーク値の波長をλp、
前記回折格子層の選択する選択スペクトルのピーク値の波長をλDFB、
とした場合、
λp≦λDFB≦λp+5nm、
を満たすことを特徴とする分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015150964A JP6581419B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015150964A JP6581419B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017034034A true JP2017034034A (ja) | 2017-02-09 |
JP6581419B2 JP6581419B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=57988767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015150964A Active JP6581419B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6581419B2 (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63222487A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH07111363A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH07249829A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
JPH09129970A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | レーザダイオード素子 |
JP2000068587A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2000357841A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-12-26 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、希土類添加光ファイバ増幅器、およびファイバレーザ |
JP2001148541A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ装置 |
WO2001069735A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semi-conducteur a retroaction repartie et a couplage de gain et son procede de production |
JP2002064244A (ja) * | 2000-06-06 | 2002-02-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
JP2004140240A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
JP2004528705A (ja) * | 2000-10-06 | 2004-09-16 | サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション @ ユーエヌエム | 量子ドットレーザ |
-
2015
- 2015-07-30 JP JP2015150964A patent/JP6581419B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63222487A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH07111363A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH07249829A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
JPH09129970A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | レーザダイオード素子 |
JP2000068587A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2000357841A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-12-26 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、希土類添加光ファイバ増幅器、およびファイバレーザ |
JP2001148541A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ装置 |
WO2001069735A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semi-conducteur a retroaction repartie et a couplage de gain et son procede de production |
JP2002064244A (ja) * | 2000-06-06 | 2002-02-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
JP2004528705A (ja) * | 2000-10-06 | 2004-09-16 | サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション @ ユーエヌエム | 量子ドットレーザ |
JP2004140240A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6581419B2 (ja) | 2019-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5717726B2 (ja) | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード | |
KR101168460B1 (ko) | InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스 | |
US6580740B2 (en) | Semiconductor laser device having selective absorption qualities | |
JP2007273690A (ja) | 光半導体素子、及びこれを備えた波長可変光源 | |
US20110206080A1 (en) | Laser diode and method of manufacturing the same | |
WO2018168430A1 (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム | |
US11152762B2 (en) | Semiconductor laser device, chip on submount, and semiconductor laser module | |
US7586970B2 (en) | High efficiency partial distributed feedback (p-DFB) laser | |
JP2009182145A (ja) | 半導体光素子 | |
JPWO2018003335A1 (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム | |
US7457341B2 (en) | Low loss grating for high efficiency wavelength stabilized high power lasers | |
US7949020B2 (en) | Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device | |
EP3425755B1 (en) | Surface light emitting laser | |
US10283937B2 (en) | Optoelectronic device with enhanced lateral leakage of high order transverse optical modes into alloy-intermixed regions and method of making same | |
US7016384B2 (en) | Second-harmonic generation device using semiconductor laser element having quantum-well active layer in which resonator length and mirror loss are arranged to increase width of gain peak | |
JP6581419B2 (ja) | 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 | |
US7852897B2 (en) | Semiconductor laser optical integrated semiconductor device | |
US20220173573A1 (en) | Semiconductor optical element | |
JP7147560B2 (ja) | スーパールミネッセンスダイオード及び表示装置 | |
US8731018B2 (en) | Semiconductor laser | |
Zorn et al. | High-power single emitters and laser bars with improved performance developed at JENOPTIK | |
US6738405B1 (en) | Semiconductor laser | |
US20230027143A1 (en) | Optical semiconductor device | |
JP4163343B2 (ja) | 発光素子および発光素子モジュール | |
JP2003174226A (ja) | 半導体レーザ素子、それを用いたレーザモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6581419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |