JPH07249829A - 分布帰還型半導体レーザ - Google Patents
分布帰還型半導体レーザInfo
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- JPH07249829A JPH07249829A JP3944294A JP3944294A JPH07249829A JP H07249829 A JPH07249829 A JP H07249829A JP 3944294 A JP3944294 A JP 3944294A JP 3944294 A JP3944294 A JP 3944294A JP H07249829 A JPH07249829 A JP H07249829A
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- semiconductor laser
- distributed feedback
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、広い温度範囲、例えば−４
０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型半
導体レーザを提供することにある。 【構成】 歪量子井戸活性層５を有する分布帰還型半導
体レーザにおいて、活性層を構成する各量子井戸層の量
子井戸層膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させ
ることにより、各量子井戸層からの量子準位発光波長を
変化させ、さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構
造を適切に設定し、離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／
ｄＴが極めて小さな分布帰還型半導体レーザを得る。 【効果】 離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴを極
めて小さくできるので、分布帰還型半導体レーザの安定
な広範囲温度動作に対して効果がある。
０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型半
導体レーザを提供することにある。 【構成】 歪量子井戸活性層５を有する分布帰還型半導
体レーザにおいて、活性層を構成する各量子井戸層の量
子井戸層膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させ
ることにより、各量子井戸層からの量子準位発光波長を
変化させ、さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構
造を適切に設定し、離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／
ｄＴが極めて小さな分布帰還型半導体レーザを得る。 【効果】 離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴを極
めて小さくできるので、分布帰還型半導体レーザの安定
な広範囲温度動作に対して効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分布帰還型半導体レー
ザに係り、特に広い温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５
℃で安定に動作する光通信用分布帰還型半導体レーザに
関する。
ザに係り、特に広い温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５
℃で安定に動作する光通信用分布帰還型半導体レーザに
関する。
【０００２】
【従来の技術】来たるべく加入者系光通信システムの構
築に向けて、光伝送装置の低消費電力化、小型化、低価
格化は極めて重要である。この実現のためには広い環境
温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５℃において、温度制
御を不要とする半導体レーザの開発が不可欠である。特
に単一縦モードで発振する分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ
の広温度範囲動作が待望されている。これに対して、活
性層に圧縮歪ＭＱＷ（多重量子井戸）構造を導入した
１．３μｍ帯ＤＦＢレーザの高温低電流動作が、第５４
回応用物理学会学術講演会講演予稿集２７ｐ−Ｈ−１２
（１９９３年９月）に示されている。
築に向けて、光伝送装置の低消費電力化、小型化、低価
格化は極めて重要である。この実現のためには広い環境
温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５℃において、温度制
御を不要とする半導体レーザの開発が不可欠である。特
に単一縦モードで発振する分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ
の広温度範囲動作が待望されている。これに対して、活
性層に圧縮歪ＭＱＷ（多重量子井戸）構造を導入した
１．３μｍ帯ＤＦＢレーザの高温低電流動作が、第５４
回応用物理学会学術講演会講演予稿集２７ｐ−Ｈ−１２
（１９９３年９月）に示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、＋５℃〜＋８０℃の範囲の動作に限られて
おり、これは下記の問題に起因している。
来技術では、＋５℃〜＋８０℃の範囲の動作に限られて
おり、これは下記の問題に起因している。
【０００４】一般にＤＦＢレーザの発振波長λＬＤは、
媒質の屈折率ｎ、回折格子の周期Λを用いて次式で表さ
れる。
媒質の屈折率ｎ、回折格子の周期Λを用いて次式で表さ
れる。
【０００５】
【数１】 λＬＤ＝２ｎΛ ……（１） 一方、量子井戸活性層の光学利得のピーク波長λｇは量
子井戸膜厚、量子井戸組成等の量子井戸構造により、決
まる。従って、ＤＦＢレーザの発振波長λＬＤと光学利
得のピーク波長λｇの間には、いわゆる次式で表される
離調波長ΔＧが存在する。
子井戸膜厚、量子井戸組成等の量子井戸構造により、決
まる。従って、ＤＦＢレーザの発振波長λＬＤと光学利
得のピーク波長λｇの間には、いわゆる次式で表される
離調波長ΔＧが存在する。
【０００６】
【数２】 ΔＧ＝λＬＤ−λｇ ……（２） そこで、一般に、ΔＧが動作温度においてほぼ０になる
ように設定している。しかしながら、１．３μｍ帯、
１．５５μｍ帯等の長波長帯半導体レーザにおいては、
レーザ発振波長λＬＤの温度依存性ｄλＬＤ／ｄＴは約
０．１ｎｍ／℃、光学利得ピーク波長λｇの温度依存性
ｄλｇ／ｄＴは約０．４ｎｍ／℃と異なることから、離
調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは約−０．３ｎｍ
／℃と有限の値を取る。従って、広い環境温度範囲、例
えば−４０℃〜＋８５℃の１２５℃を考えると、ΔＧは
動作温度範囲において４０ｎｍ近く変化することにな
る。
ように設定している。しかしながら、１．３μｍ帯、
１．５５μｍ帯等の長波長帯半導体レーザにおいては、
レーザ発振波長λＬＤの温度依存性ｄλＬＤ／ｄＴは約
０．１ｎｍ／℃、光学利得ピーク波長λｇの温度依存性
ｄλｇ／ｄＴは約０．４ｎｍ／℃と異なることから、離
調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは約−０．３ｎｍ
／℃と有限の値を取る。従って、広い環境温度範囲、例
えば−４０℃〜＋８５℃の１２５℃を考えると、ΔＧは
動作温度範囲において４０ｎｍ近く変化することにな
る。
【０００７】以上の点を、１．３μｍ帯ＤＦＢレーザを
例に取り、図式的にまとめたのが、図２であり、これを
用いて従来技術の問題点を説明する。まず、図２（ａ）
では、室温（２５℃）において、ΔＧが０になるように
設定した場合であるが、８５℃でのΔＧが−１８ｎｍと
なり、レーザ発振波長と光学利得ピーク波長がずれるの
で、８５℃でのしきい電流が大幅に増大してしまう。こ
れにより、８５℃動作時の効率も低く、初期特性のみで
なく、動作電流の増大により、素子の信頼性の劣化を招
く。そこで、８５℃動作時にΔＧが０になるように設定
した場合が、図２（ｂ）である。この場合、８５℃での
しきい電流の劣化は無いが、一方−４０℃でのΔＧが＋
３８ｎｍとなり、光学利得のバンド幅から離れてしま
い、ＤＦＢ動作が困難となり、いわゆるＦＰ（Ｆａｂｒ
ｙ−Ｐｅｒｏｔ）モードからなるマルチ縦モード発振と
なってしまう。
例に取り、図式的にまとめたのが、図２であり、これを
用いて従来技術の問題点を説明する。まず、図２（ａ）
では、室温（２５℃）において、ΔＧが０になるように
設定した場合であるが、８５℃でのΔＧが−１８ｎｍと
なり、レーザ発振波長と光学利得ピーク波長がずれるの
で、８５℃でのしきい電流が大幅に増大してしまう。こ
れにより、８５℃動作時の効率も低く、初期特性のみで
なく、動作電流の増大により、素子の信頼性の劣化を招
く。そこで、８５℃動作時にΔＧが０になるように設定
した場合が、図２（ｂ）である。この場合、８５℃での
しきい電流の劣化は無いが、一方−４０℃でのΔＧが＋
３８ｎｍとなり、光学利得のバンド幅から離れてしま
い、ＤＦＢ動作が困難となり、いわゆるＦＰ（Ｆａｂｒ
ｙ−Ｐｅｒｏｔ）モードからなるマルチ縦モード発振と
なってしまう。
【０００８】以上のように、従来のＤＦＢレーザでは、
歪量子井戸構造により低しきい化を図ったとしてして
も、−４０℃〜＋８５℃の広い環境温度範囲での動作を
実現することができなかった。
歪量子井戸構造により低しきい化を図ったとしてして
も、−４０℃〜＋８５℃の広い環境温度範囲での動作を
実現することができなかった。
【０００９】本発明の目的は、広い温度範囲、例えば−
４０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型
半導体レーザを提供することにある。
４０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型
半導体レーザを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では多重量子井戸活性層の少なくとも１層の
量子井戸層の量子準位発光波長が他の量子井戸層の量子
準位発光波長と異なること、少なくとも１層の量子井戸
層の量子井戸膜厚が他の量子井戸層の量子井戸膜厚と異
なること、少なくとも１層の量子井戸層を形成する混晶
組成が他の量子井戸層を形成する混晶組成と異なるこ
と、歪量子井戸層から形成されている多重量子井戸構造
の少なくとも１層の歪量子井戸層の歪量が他の歪量子井
戸層の歪量と異なることのいずれかにより、達成され
る。特に、量子井戸層、歪量子井戸層の量子準位発光波
長の最大値と最小値の差が１５〜４５ｎｍであること、
量子井戸層、歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚のと最小
量子井戸膜厚の差が１．０〜３．５ｎｍであること、量
子井戸層、歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚が６ｎｍ、
最小量子井戸膜厚が４ｎｍであること、量子準位発光波
長が、正孔の注入側が電子の注入側よりも長波長である
こと、井戸数が４〜８であること、半導体基板がｐ型Ｉ
ｎＰ基板で、かつ上記活性層がメサストライプ状に形成
され、該メサストライプ状の活性領域の側面がｐ／ｎ／
ｐ型の電流ブロック層で埋め込まれていること、室温で
の離調波長ΔＧの値が−１０〜＋１０ｎｍ、かつκＬ
（κ：共振器の軸方向での屈折率の摂動による光の結合
定数をκ、Ｌ：共振器長）の値が０．８〜１．５である
こと、量子井戸層、歪量子井戸層がＩｎＧａＡｓＰ層、
あるいはＩｎＧａＡｌＡｓ層であることにより、達成さ
れる。
に、本発明では多重量子井戸活性層の少なくとも１層の
量子井戸層の量子準位発光波長が他の量子井戸層の量子
準位発光波長と異なること、少なくとも１層の量子井戸
層の量子井戸膜厚が他の量子井戸層の量子井戸膜厚と異
なること、少なくとも１層の量子井戸層を形成する混晶
組成が他の量子井戸層を形成する混晶組成と異なるこ
と、歪量子井戸層から形成されている多重量子井戸構造
の少なくとも１層の歪量子井戸層の歪量が他の歪量子井
戸層の歪量と異なることのいずれかにより、達成され
る。特に、量子井戸層、歪量子井戸層の量子準位発光波
長の最大値と最小値の差が１５〜４５ｎｍであること、
量子井戸層、歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚のと最小
量子井戸膜厚の差が１．０〜３．５ｎｍであること、量
子井戸層、歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚が６ｎｍ、
最小量子井戸膜厚が４ｎｍであること、量子準位発光波
長が、正孔の注入側が電子の注入側よりも長波長である
こと、井戸数が４〜８であること、半導体基板がｐ型Ｉ
ｎＰ基板で、かつ上記活性層がメサストライプ状に形成
され、該メサストライプ状の活性領域の側面がｐ／ｎ／
ｐ型の電流ブロック層で埋め込まれていること、室温で
の離調波長ΔＧの値が−１０〜＋１０ｎｍ、かつκＬ
（κ：共振器の軸方向での屈折率の摂動による光の結合
定数をκ、Ｌ：共振器長）の値が０．８〜１．５である
こと、量子井戸層、歪量子井戸層がＩｎＧａＡｓＰ層、
あるいはＩｎＧａＡｌＡｓ層であることにより、達成さ
れる。
【００１１】
【作用】以下、本発明の作用について図３を用いて説明
する。同図（ａ）は各量子井戸層間で量子準位発光波長
を変化させるために、各量子井戸層の量子井戸膜厚を変
化させた例である。量子井戸→→の順に量子井戸
膜厚が厚くなっており、それに伴い、量子準位発光波長
は同図（ｂ）に示すように量子井戸→→の順に長
波長となっている。２５℃においては、同図（ｂ）に示
すように量子井戸からの発光強度が最も強い。一方、
８５℃においては、量子井戸、、からの発光はそ
れぞれ長波長シフトするが、高温では、フェルミ・ディ
ラック分布がぼけるので、高エネルギー側、すなわち短
波長側の量子井戸からの発光が増大し、量子井戸から
の発光が最も強くなる。その結果、図３（ｂ）に示すよ
うに２５℃から８５℃に温度を上げたときの発光ピーク
波長、すなわち光学利得ピーク波長λｇの温度依存性は
極めて小さくなる。この時の光学利得ピーク波長λｇの
温度依存性ｄλｇ／ｄＴは約０．１〜０．２ｎｍ／℃と
（従来：０．４ｎｍ／℃）小さくなり、その結果、離調
波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは約０．０〜−０．
１ｎｍ／℃と、従来に比べて１／３以下に抑制すること
ができた。これにより、図３（ｃ）に示したように、例
えば、室温（２５℃）において、ΔＧが０になるように
設定した場合でも、８５℃、−４０℃でのΔＧはそれぞ
れ−６ｎｍ、＋６ｎｍと極めて小さくなり、離調波長Δ
Ｇの温度依存性によるＤＦＢレーザの特性の悪化を小さ
く抑えることができ、その結果広い温度範囲、例えば−
４０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型
半導体レーザを実現することができた。各量子井戸層の
混晶組成歪量の変化、歪量の変化により、各量子井戸層
間の量子準位発光波長を変化させても、全く同様に離調
波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴを小さく抑制でき
る。
する。同図（ａ）は各量子井戸層間で量子準位発光波長
を変化させるために、各量子井戸層の量子井戸膜厚を変
化させた例である。量子井戸→→の順に量子井戸
膜厚が厚くなっており、それに伴い、量子準位発光波長
は同図（ｂ）に示すように量子井戸→→の順に長
波長となっている。２５℃においては、同図（ｂ）に示
すように量子井戸からの発光強度が最も強い。一方、
８５℃においては、量子井戸、、からの発光はそ
れぞれ長波長シフトするが、高温では、フェルミ・ディ
ラック分布がぼけるので、高エネルギー側、すなわち短
波長側の量子井戸からの発光が増大し、量子井戸から
の発光が最も強くなる。その結果、図３（ｂ）に示すよ
うに２５℃から８５℃に温度を上げたときの発光ピーク
波長、すなわち光学利得ピーク波長λｇの温度依存性は
極めて小さくなる。この時の光学利得ピーク波長λｇの
温度依存性ｄλｇ／ｄＴは約０．１〜０．２ｎｍ／℃と
（従来：０．４ｎｍ／℃）小さくなり、その結果、離調
波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは約０．０〜−０．
１ｎｍ／℃と、従来に比べて１／３以下に抑制すること
ができた。これにより、図３（ｃ）に示したように、例
えば、室温（２５℃）において、ΔＧが０になるように
設定した場合でも、８５℃、−４０℃でのΔＧはそれぞ
れ−６ｎｍ、＋６ｎｍと極めて小さくなり、離調波長Δ
Ｇの温度依存性によるＤＦＢレーザの特性の悪化を小さ
く抑えることができ、その結果広い温度範囲、例えば−
４０℃〜＋８５℃で安定に動作する光通信用分布帰還型
半導体レーザを実現することができた。各量子井戸層の
混晶組成歪量の変化、歪量の変化により、各量子井戸層
間の量子準位発光波長を変化させても、全く同様に離調
波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴを小さく抑制でき
る。
【００１２】さらに、本発明において、特に量子井戸
層、歪量子井戸層の量子準位発光波長の最大値と最小値
の差を１５〜４５ｎｍに設定すること、量子井戸層、歪
量子井戸層の最大量子井戸膜厚のと最小量子井戸膜厚の
差を１．０〜３．５ｎｍに設定すること、量子井戸層、
歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚を６ｎｍ、最小量子井
戸膜厚を４ｎｍに設定することにより、離調波長ΔＧの
温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは０〜−０．２ｎｍ／℃の範囲
に抑え込むことができる。又、正孔が注入される側の量
子井戸層の量子準位発光波長を、電子が注入される側よ
りも長波長にすると、高温において正孔の高エネルギー
側の量子井戸への注入効果が促進されるので、離調波長
ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴ抑制作用が大きくなる。
さらに、井戸数を４〜８に設定すると、高温での発振が
容易になるため、ｄΔＧ／ｄＴ抑制効果は大きい。又、
半導体基板がｐ型ＩｎＰ基板を用いてｐ／ｎ／ｐ型の電
流ブロック層で埋め込むと電流狭窄効果は大きく、高温
での発振が容易になるため、ｄΔＧ／ｄＴ抑制効果は大
きくなる。さらに、室温での離調波長ΔＧを−１０〜＋
１０ｎｍに設定し、κＬの値を０．８〜１．５とし高温
での発振が容易に保つと、＋８５℃でのΔＧは−１５ｎ
ｍ以上になるので、特性悪化は生じることはない。
層、歪量子井戸層の量子準位発光波長の最大値と最小値
の差を１５〜４５ｎｍに設定すること、量子井戸層、歪
量子井戸層の最大量子井戸膜厚のと最小量子井戸膜厚の
差を１．０〜３．５ｎｍに設定すること、量子井戸層、
歪量子井戸層の最大量子井戸膜厚を６ｎｍ、最小量子井
戸膜厚を４ｎｍに設定することにより、離調波長ΔＧの
温度依存性ｄΔＧ／ｄＴは０〜−０．２ｎｍ／℃の範囲
に抑え込むことができる。又、正孔が注入される側の量
子井戸層の量子準位発光波長を、電子が注入される側よ
りも長波長にすると、高温において正孔の高エネルギー
側の量子井戸への注入効果が促進されるので、離調波長
ΔＧの温度依存性ｄΔＧ／ｄＴ抑制作用が大きくなる。
さらに、井戸数を４〜８に設定すると、高温での発振が
容易になるため、ｄΔＧ／ｄＴ抑制効果は大きい。又、
半導体基板がｐ型ＩｎＰ基板を用いてｐ／ｎ／ｐ型の電
流ブロック層で埋め込むと電流狭窄効果は大きく、高温
での発振が容易になるため、ｄΔＧ／ｄＴ抑制効果は大
きくなる。さらに、室温での離調波長ΔＧを−１０〜＋
１０ｎｍに設定し、κＬの値を０．８〜１．５とし高温
での発振が容易に保つと、＋８５℃でのΔＧは−１５ｎ
ｍ以上になるので、特性悪化は生じることはない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１、図４を用い
て説明する。
て説明する。
【００１４】（実施例１）図１は本発明をｐ型基板上
１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザに適用したもので
ある。同図（ａ），（ｂ）に示すように、有機金属気相
成長法により、ｐ−ＩｎＰ基板１上にｐ-ＩnＰクラッド
層２(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)
を成長した後、回折格子３を形成した。その後、有機金
属気相成長法により、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
４、ＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層５、ｎ-ＩnＰ
クラッド層６（キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ
〜０．４μｍ)を成長する。この時、ＩnＧaＡsＰ系歪多
重量子井戸活性層５の歪量子井戸層１５ａ〜１５ｅの歪
量は約１．０％とし、図１（ｃ）の伝導帯のバンドダイ
アグラムに示したように、歪量子井戸層の層数は５であ
り、歪量子井戸膜厚はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４
に近い側から、それぞれ、６．０ｎｍ、５．５ｎｍ、
５．０ｎｍ、４．５ｎｍ、４．０ｎｍであり、ＩｎＧａ
ＡｓＰ障壁層１６の膜厚は７ｎｍである。この時、最大
膜厚量子井戸層１５ａと最小膜厚量子井戸層１５ｅから
の量子準位発光波長の差は３０ｎｍである。回折格子３
のκＬは０．８〜１．５となるように、深さは１５〜３
０ｎｍに設定した。又、離調波長ΔＧが室温において−
１０〜＋１０ｎｍとなるように、回折格子３の周期は約
２０２ｎｍに設定した。
１．３μｍ帯分布帰還型半導体レーザに適用したもので
ある。同図（ａ），（ｂ）に示すように、有機金属気相
成長法により、ｐ−ＩｎＰ基板１上にｐ-ＩnＰクラッド
層２(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)
を成長した後、回折格子３を形成した。その後、有機金
属気相成長法により、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
４、ＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層５、ｎ-ＩnＰ
クラッド層６（キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ
〜０．４μｍ)を成長する。この時、ＩnＧaＡsＰ系歪多
重量子井戸活性層５の歪量子井戸層１５ａ〜１５ｅの歪
量は約１．０％とし、図１（ｃ）の伝導帯のバンドダイ
アグラムに示したように、歪量子井戸層の層数は５であ
り、歪量子井戸膜厚はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４
に近い側から、それぞれ、６．０ｎｍ、５．５ｎｍ、
５．０ｎｍ、４．５ｎｍ、４．０ｎｍであり、ＩｎＧａ
ＡｓＰ障壁層１６の膜厚は７ｎｍである。この時、最大
膜厚量子井戸層１５ａと最小膜厚量子井戸層１５ｅから
の量子準位発光波長の差は３０ｎｍである。回折格子３
のκＬは０．８〜１．５となるように、深さは１５〜３
０ｎｍに設定した。又、離調波長ΔＧが室温において−
１０〜＋１０ｎｍとなるように、回折格子３の周期は約
２０２ｎｍに設定した。
【００１５】その後ＣＶＤ法によりＳiＯ2膜を被着しホ
トリソ工程を経た後、ＳiＯ2膜をマスクとしてウェット
エッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑
らかな側面を有するメサストライプを形成する。また活
性層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．
７μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、有機金
属気相成長法により、メサストライプの側面をｐ-ＩnＰ
埋込層７(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ０.５
〜１μｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層８(キャリア濃度〜２×１０
18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層９(キ
ャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-
ＩnＰ層１０(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜
０.５μｍ)で埋め込んだ。以上のようにして埋め込んだ
構造においては、リ−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の
無い理想的なブロック層構造となった。次に、ＳiＯ2膜
を除去した後、有機金属気相成長法によりｎ-ＩnＰ平坦
化層１１(キャリア濃度〜１．５×１０18ｃｍ-3、厚さ
〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）キャップ層１２(キャリ
ア濃度＞５×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０．３μｍ)で平坦
に埋め込んだ。以上の有機金属気相成長法において、ｎ
型不純物はＳｉ（但し、キャップ層１２のみＳｅ）、ｐ
型不純物はＺｎを用いた。その後ＳiＯ2膜１３で電流狭
窄を行った後ｎ電極１４を形成、更に基板側を研磨して
ト−タル膜厚１００μｍ程度にした後ｐ電極１７を蒸着
により形成し、素子化を行った。その後、共振器長１５
０〜４００μｍに劈開し、前端面に反射率１％の低反射
率膜２０、後端面に反射率８０％の高反射率膜２１を施
した。
トリソ工程を経た後、ＳiＯ2膜をマスクとしてウェット
エッチングにより図中に示されるような変曲点の無い滑
らかな側面を有するメサストライプを形成する。また活
性層幅は１．３〜１．８μｍ、メサ深さは２.５〜３．
７μｍである。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、有機金
属気相成長法により、メサストライプの側面をｐ-ＩnＰ
埋込層７(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ０.５
〜１μｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層８(キャリア濃度〜２×１０
18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層９(キ
ャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-
ＩnＰ層１０(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜
０.５μｍ)で埋め込んだ。以上のようにして埋め込んだ
構造においては、リ−ク電流の要因であるｎ-ｎ接続の
無い理想的なブロック層構造となった。次に、ＳiＯ2膜
を除去した後、有機金属気相成長法によりｎ-ＩnＰ平坦
化層１１(キャリア濃度〜１．５×１０18ｃｍ-3、厚さ
〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）キャップ層１２(キャリ
ア濃度＞５×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０．３μｍ)で平坦
に埋め込んだ。以上の有機金属気相成長法において、ｎ
型不純物はＳｉ（但し、キャップ層１２のみＳｅ）、ｐ
型不純物はＺｎを用いた。その後ＳiＯ2膜１３で電流狭
窄を行った後ｎ電極１４を形成、更に基板側を研磨して
ト−タル膜厚１００μｍ程度にした後ｐ電極１７を蒸着
により形成し、素子化を行った。その後、共振器長１５
０〜４００μｍに劈開し、前端面に反射率１％の低反射
率膜２０、後端面に反射率８０％の高反射率膜２１を施
した。
【００１６】本実施例によるＤＦＢレ−ザでは、発振波
長１.３０μｍにおいて、室温でのしきい電流は５〜１
０mＡ、スロ−プ効率は０.４５〜０．６０mＷ／mＡが得
られ、室温においてのΔＧは典型的に−１０ｎｍから＋
１０ｎｍの範囲であった。又、８５℃でのしきい電流は
１５〜２５mＡ、スロ−プ効率０.３５〜０．４５mＷ／m
Ａの素子が高歩留りで得られ、６００Ｍｂｉｔ／ｓの変
調が十分に可能であった。さらに、−４０℃においても
安定にＤＦＢ発振し、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲に
おいて、副モード抑圧比は３５〜４５ｄＢを維持した。
又、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲におけるΔＧの変化
量は約１０ｎｍと極めて小さかった。 （実施例２）図４は本発明をｐ型基板上１．５５μｍ帯
分布帰還型半導体レーザに適用したものである。同図
（ａ），（ｂ）に示すように、有機金属気相成長法によ
り、ｐ−ＩｎＰ基板１上にｐ-ＩnＰクラッド層２(キャ
リア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)を成長し
た後、アンドープＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層
１８、ｎ-ＩnＧａＡｓＰ光ガイド層１９(キャリア濃度
〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０．２μｍ)を成長する。
この後、回折格子３を形成し、有機金属気相成長法によ
りｎ-ＩnＰクラッド層６(キャリア濃度〜１×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ〜０．４μｍ)を成長する。この時、アンド
ープＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層１８の歪量子
井戸層２２ａ〜２２ｄの量子井戸膜厚は５ｎｍとした。
又、図４（ｃ）の伝導帯のバンドダイアグラムに示した
ように、歪量子井戸層の層数は４であり、歪量子井戸層
の歪量はｐ-ＩnＰクラッド層２に近い側から、それぞ
れ、＋１．５％、＋１．４３％、＋１．３６％、＋１．
２９％であり、この歪量の変化と共に伝導帯でのエネル
ギーが変化する。ＩｎＧａＡｓＰ障壁層２３の膜厚は１
０ｎｍである。この時、最大膜厚量子井戸層２２ａと最
小膜厚量子井戸層２２ｄからの量子準位発光波長の差は
２５ｎｍである。回折格子３のκＬは０．８〜１．５と
なるように、深さは１５〜３０ｎｍに設定した。又、離
調波長ΔＧが室温において−１０〜＋１０ｎｍとなるよ
うに、回折格子３の周期は約２０１ｎｍに設定した。
長１.３０μｍにおいて、室温でのしきい電流は５〜１
０mＡ、スロ−プ効率は０.４５〜０．６０mＷ／mＡが得
られ、室温においてのΔＧは典型的に−１０ｎｍから＋
１０ｎｍの範囲であった。又、８５℃でのしきい電流は
１５〜２５mＡ、スロ−プ効率０.３５〜０．４５mＷ／m
Ａの素子が高歩留りで得られ、６００Ｍｂｉｔ／ｓの変
調が十分に可能であった。さらに、−４０℃においても
安定にＤＦＢ発振し、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲に
おいて、副モード抑圧比は３５〜４５ｄＢを維持した。
又、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲におけるΔＧの変化
量は約１０ｎｍと極めて小さかった。 （実施例２）図４は本発明をｐ型基板上１．５５μｍ帯
分布帰還型半導体レーザに適用したものである。同図
（ａ），（ｂ）に示すように、有機金属気相成長法によ
り、ｐ−ＩｎＰ基板１上にｐ-ＩnＰクラッド層２(キャ
リア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)を成長し
た後、アンドープＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層
１８、ｎ-ＩnＧａＡｓＰ光ガイド層１９(キャリア濃度
〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０．２μｍ)を成長する。
この後、回折格子３を形成し、有機金属気相成長法によ
りｎ-ＩnＰクラッド層６(キャリア濃度〜１×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ〜０．４μｍ)を成長する。この時、アンド
ープＩnＧaＡsＰ系歪多重量子井戸活性層１８の歪量子
井戸層２２ａ〜２２ｄの量子井戸膜厚は５ｎｍとした。
又、図４（ｃ）の伝導帯のバンドダイアグラムに示した
ように、歪量子井戸層の層数は４であり、歪量子井戸層
の歪量はｐ-ＩnＰクラッド層２に近い側から、それぞ
れ、＋１．５％、＋１．４３％、＋１．３６％、＋１．
２９％であり、この歪量の変化と共に伝導帯でのエネル
ギーが変化する。ＩｎＧａＡｓＰ障壁層２３の膜厚は１
０ｎｍである。この時、最大膜厚量子井戸層２２ａと最
小膜厚量子井戸層２２ｄからの量子準位発光波長の差は
２５ｎｍである。回折格子３のκＬは０．８〜１．５と
なるように、深さは１５〜３０ｎｍに設定した。又、離
調波長ΔＧが室温において−１０〜＋１０ｎｍとなるよ
うに、回折格子３の周期は約２０１ｎｍに設定した。
【００１７】その後、実施例１と同様のメサストライプ
を形成した後、有機金属気相成長法により、メサストラ
イプの側面をｐ-ＩnＰ埋込層７(キャリア濃度〜１×１
０18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層８
(キャリア濃度〜２．５×１０1 8ｃｍ-3、厚さ０.５〜１
μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層９(キャリア濃度〜２×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-ＩnＰ層１０(キャリア濃度
〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０.３μｍ)で埋め込んだ。
次に、ＳiＯ2膜を除去した後、有機金属気相成長法によ
りｎ-ＩnＰ平坦化層１１(キャリア濃度〜２．０×１０
18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）キャッ
プ層１２(キャリア濃度＞７×１０18ｃｍ-3、厚さ〜
０．３μｍ)で平坦に埋め込んだ。その後ＳiＯ2膜１３
で電流狭窄を行った後ｎ電極１４を形成、更に基板側を
研磨してト−タル膜厚１００μｍ程度にした後ｐ電極１
７を蒸着により形成し素子化を行った。その後、共振器
長１５０〜３５０μｍに劈開し、前端面に反射率１％の
低反射率膜２０、後端面に反射率９０％の高反射率膜２
１を施した。
を形成した後、有機金属気相成長法により、メサストラ
イプの側面をｐ-ＩnＰ埋込層７(キャリア濃度〜１×１
０18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層８
(キャリア濃度〜２．５×１０1 8ｃｍ-3、厚さ０.５〜１
μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層９(キャリア濃度〜２×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-ＩnＰ層１０(キャリア濃度
〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０.３μｍ)で埋め込んだ。
次に、ＳiＯ2膜を除去した後、有機金属気相成長法によ
りｎ-ＩnＰ平坦化層１１(キャリア濃度〜２．０×１０
18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）キャッ
プ層１２(キャリア濃度＞７×１０18ｃｍ-3、厚さ〜
０．３μｍ)で平坦に埋め込んだ。その後ＳiＯ2膜１３
で電流狭窄を行った後ｎ電極１４を形成、更に基板側を
研磨してト−タル膜厚１００μｍ程度にした後ｐ電極１
７を蒸着により形成し素子化を行った。その後、共振器
長１５０〜３５０μｍに劈開し、前端面に反射率１％の
低反射率膜２０、後端面に反射率９０％の高反射率膜２
１を施した。
【００１８】本実施例によるＤＦＢレ−ザでは、発振波
長１.５５μｍにおいて、室温でのしきい電流は５〜９m
Ａ、スロ−プ効率は０.３８〜０．５５mＷ／mＡが得ら
れ、室温においてのΔＧは典型的に−１０ｎｍから＋１
０ｎｍの範囲であった。又、８５℃でのしきい電流は１
３〜２５mＡ、スロ−プ効率０.３３〜０．４０mＷ／mＡ
の素子が高歩留りで得られ、６００Ｍｂｉｔ／ｓの変調
が十分に可能であった。さらに、−４０℃においても安
定にＤＦＢ発振し、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲にお
いて、副モード抑圧比は３８〜４５ｄＢを維持した。
又、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲におけるΔＧの変化
量は１０ｎｍ以下と極めて小さかった。
長１.５５μｍにおいて、室温でのしきい電流は５〜９m
Ａ、スロ−プ効率は０.３８〜０．５５mＷ／mＡが得ら
れ、室温においてのΔＧは典型的に−１０ｎｍから＋１
０ｎｍの範囲であった。又、８５℃でのしきい電流は１
３〜２５mＡ、スロ−プ効率０.３３〜０．４０mＷ／mＡ
の素子が高歩留りで得られ、６００Ｍｂｉｔ／ｓの変調
が十分に可能であった。さらに、−４０℃においても安
定にＤＦＢ発振し、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲にお
いて、副モード抑圧比は３８〜４５ｄＢを維持した。
又、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲におけるΔＧの変化
量は１０ｎｍ以下と極めて小さかった。
【００１９】以上の実施例では半導体レ−ザへの適用に
ついて説明したが、本発明は、他の波長帯の半導体レー
ザについても適用可能であることは自明である。又、ｎ
型半導体基板状に形成したＤＦＢレーザ、活性層をＩｎ
ＧａＡｌＡｓ系の量子井戸構造で形成したＤＦＢレー
ザ、リッジ型等の他のストライプ構造を有したＤＦＢレ
ーザについても、適用可能であることはいうまでもな
い。さらに、歪量子井戸層の歪量が＋０．５％〜＋１．
８％、あるいは−２．０％〜−０．７％の範囲内のＤＦ
Ｂレーザ、井戸数が４〜８のＤＦＢレーザでも、ほぼ同
様の効果が得られた。さらに、本実施例では、単体の半
導体レーザ素子への適用に行いて説明したが、光インタ
コネクト、波長多重通信などに使用する半導体レーザア
レイについても、適用可能であることはいうまでもな
い。
ついて説明したが、本発明は、他の波長帯の半導体レー
ザについても適用可能であることは自明である。又、ｎ
型半導体基板状に形成したＤＦＢレーザ、活性層をＩｎ
ＧａＡｌＡｓ系の量子井戸構造で形成したＤＦＢレー
ザ、リッジ型等の他のストライプ構造を有したＤＦＢレ
ーザについても、適用可能であることはいうまでもな
い。さらに、歪量子井戸層の歪量が＋０．５％〜＋１．
８％、あるいは−２．０％〜−０．７％の範囲内のＤＦ
Ｂレーザ、井戸数が４〜８のＤＦＢレーザでも、ほぼ同
様の効果が得られた。さらに、本実施例では、単体の半
導体レーザ素子への適用に行いて説明したが、光インタ
コネクト、波長多重通信などに使用する半導体レーザア
レイについても、適用可能であることはいうまでもな
い。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、各量子井戸層の量子井戸層
膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させることに
より、各量子井戸層からの量子準位発光波長を変化させ
ることができるので、離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ
／ｄＴが極めて小さなＤＦＢレーザを提供できる。従っ
て、広い温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５℃での光通
信用分布帰還型半導体レーザの安定動作に対して効果が
ある。さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構造を
適切に設定することにより、その離調波長ΔＧの温度依
存性ｄΔＧ／ｄＴの低減の度合いは大きく、尚一層のＤ
ＦＢレーザの広範囲温度動作に対して効果がある。
膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させることに
より、各量子井戸層からの量子準位発光波長を変化させ
ることができるので、離調波長ΔＧの温度依存性ｄΔＧ
／ｄＴが極めて小さなＤＦＢレーザを提供できる。従っ
て、広い温度範囲、例えば−４０℃〜＋８５℃での光通
信用分布帰還型半導体レーザの安定動作に対して効果が
ある。さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構造を
適切に設定することにより、その離調波長ΔＧの温度依
存性ｄΔＧ／ｄＴの低減の度合いは大きく、尚一層のＤ
ＦＢレーザの広範囲温度動作に対して効果がある。
【図１】(a)は本発明の実施例を表す構造図、(b)は(a)
のＡ−Ａ’線光軸方向断面図、(c)は量子井戸活性層の
伝導帯のバンドダイアグラム。
のＡ−Ａ’線光軸方向断面図、(c)は量子井戸活性層の
伝導帯のバンドダイアグラム。
【図２】従来技術によるＤＦＢレーザの離調波長の温度
依存性を示す図。
依存性を示す図。
【図３】本発明の手段と作用を示す図。
【図４】(a)は本発明の実施例を表す構造図、(b)は(a)
のＡ−Ａ’線光軸方向断面図、(c)は量子井戸活性層の
伝導帯のバンドダイアグラム。
のＡ−Ａ’線光軸方向断面図、(c)は量子井戸活性層の
伝導帯のバンドダイアグラム。
１…ｐ-ＩnＰ基板、２…ｐ-ＩnＰクラッド層、３…回折
格子、４、１９…光ガイド層、５、１８…歪量子井戸活
性層、６…ｎ-ＩnＰクラッド層、７…ｐ-ＩnＰ埋込層、
８…ｎ-ＩnＰ埋込層、９…ｐ-ＩnＰ層、１１…ｎ-ＩnＰ
平坦化層、１２…ｎ-ＩnＧaＡsＰキャップ層、１３…Ｓ
iＯ2膜、１４…ｎ電極、１７…ｐ電極、１６、２３…障
壁層、１５ａ〜１５ｅ、２２ａ〜２２ｄ…歪量子井戸
層。
格子、４、１９…光ガイド層、５、１８…歪量子井戸活
性層、６…ｎ-ＩnＰクラッド層、７…ｐ-ＩnＰ埋込層、
８…ｎ-ＩnＰ埋込層、９…ｐ-ＩnＰ層、１１…ｎ-ＩnＰ
平坦化層、１２…ｎ-ＩnＧaＡsＰキャップ層、１３…Ｓ
iＯ2膜、１４…ｎ電極、１７…ｐ電極、１６、２３…障
壁層、１５ａ〜１５ｅ、２２ａ〜２２ｄ…歪量子井戸
層。
フロントページの続き (72)発明者 中村 厚 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (13)
- 【請求項１】半導体基板上に、少なくとも光を発生する
活性層、光を閉じ込めるクラッド層と共振器の軸方向に
屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レーザにおい
て、上記活性層が少なくとも２層の量子井戸層を有し、
少なくとも１層の量子井戸層の量子準位発光波長が他の
量子井戸層の量子準位発光波長と異なることを特徴とす
る分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項２】半導体基板上に、少なくとも光を発生する
活性層、光を閉じ込めるクラッド層と共振器の軸方向に
屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レーザにおい
て、上記活性層が少なくとも２層の量子井戸層を有し、
少なくとも１層の量子井戸層の量子井戸膜厚が他の量子
井戸層の量子井戸膜厚と異なることを特徴とする分布帰
還型半導体レーザ。 - 【請求項３】半導体基板上に、少なくとも光を発生する
活性層、光を閉じ込めるクラッド層と共振器の軸方向に
屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レーザにおい
て、上記活性層が少なくとも２層の量子井戸層を有し、
少なくとも１層の量子井戸層を形成する混晶組成が他の
量子井戸層を形成する混晶組成と異なることを特徴とす
る分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰還
型半導体レーザにおいて、上記量子井戸層の格子定数が
上記半導体基板の格子定数と異なる歪量子井戸層を有
し、歪量子井戸層の歪量が＋０．５％〜＋１．８％、あ
るいは−２．０％〜−０．７％であることを特徴とする
分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項５】半導体基板上に、少なくとも光を発生する
活性層、光を閉じ込めるクラッド層と共振器の軸方向に
屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レーザにおい
て、上記活性層が少なくとも２層の歪量子井戸層を有
し、少なくとも１層の歪量子井戸層の歪量が他の歪量子
井戸層の歪量と異なることを特徴とする分布帰還型半導
体レーザ。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の分布帰還
型半導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子井戸
層の量子準位発光波長の最大値と最小値の差が１５〜４
５ｎｍであることを特徴とする分布帰還型半導体レー
ザ。 - 【請求項７】請求項１、２又は４に記載の分布帰還型半
導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子井戸層の
最大量子井戸膜厚のと最小量子井戸膜厚の差が１．０〜
３．５ｎｍであることを特徴とする分布帰還型半導体レ
ーザ。 - 【請求項８】請求項１、２又は４に記載の分布帰還型半
導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子井戸層の
最大量子井戸膜厚が６ｎｍ、最小量子井戸膜厚が４ｎｍ
であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の分布帰還
型半導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子井戸
層の量子準位発光波長が、正孔の注入側が電子の注入側
よりも長波長であることを特徴とする分布帰還型半導体
レーザ。 - 【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の分布帰
還型半導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子井
戸層の井戸数が４〜８であることを特徴とする分布帰還
型半導体レーザ。 - 【請求項１１】請求項１〜１０のいずれかに記載の分布
帰還型半導体レーザにおいて、上記半導体基板がｐ型Ｉ
ｎＰ基板で、かつ上記活性層がメサストライプ状に形成
され、該メサストライプ状の活性領域の側面がｐ／ｎ／
ｐ型の電流ブロック層で埋め込まれていることを特徴と
する分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかに記載の分布
帰還型半導体レーザにおいて、レーザ発振波長をλＬ
Ｄ、しきい電流の０．９倍の注入電流での光学利得ピー
ク波長をλｇ、共振器の軸方向での屈折率の摂動による
光の結合定数をκ，共振器長をＬと定義したときに、室
温での（λＬＤ−λｇ）の値が−１０〜＋１０ｎｍ、か
つκＬの値が０．８〜１．５であることを特徴とする分
布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項１３】請求項１〜１２のいずれかに記載の分布
帰還型半導体レーザにおいて、上記量子井戸層、歪量子
井戸層がＩｎＧａＡｓＰ層、あるいはＩｎＧａＡｌＡｓ
層であり、かつレーザ発振波長が１．２５〜１．６０μ
ｍであることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944294A JPH07249829A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 分布帰還型半導体レーザ |
| KR1019950000942A KR100357787B1 (ko) | 1994-01-31 | 1995-01-20 | 도파로형광소자의제조방법 |
| US08/380,571 US5572616A (en) | 1994-01-31 | 1995-01-30 | Waveguide device |
| US08/713,867 US5666455A (en) | 1994-01-31 | 1996-09-13 | Waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3944294A JPH07249829A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 分布帰還型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249829A true JPH07249829A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12553137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3944294A Pending JPH07249829A (ja) | 1994-01-31 | 1994-03-10 | 分布帰還型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249829A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129970A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | レーザダイオード素子 |
| JPH10303495A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| FR2765734A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-08 | France Telecom | Composant auto-oscillant pour la generation de signaux optiques modules dans le domaine millimetrique |
| JP2006203100A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザおよび光送信器モジュール |
| JP2007012691A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
| US7317745B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-01-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-wavelength laser diode |
| JP2008530814A (ja) * | 2005-02-18 | 2008-08-07 | エルエス ケーブル リミテッド | 広帯域利得を有する量子井戸レーザーダイオード |
| JP2008244235A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 量子ドット半導体デバイス |
| JP2010165869A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子 |
| US8306072B2 (en) | 2010-07-20 | 2012-11-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2016046276A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 波長掃引型半導体レーザ素子及びガス濃度測定装置 |
| JP2017034034A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分布帰還型横マルチモード半導体レーザ素子 |
| DE102017200061A1 (de) | 2016-01-08 | 2017-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Halbleiterlaserelement mit verteilter Rückkopplung |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP3944294A patent/JPH07249829A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129970A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | レーザダイオード素子 |
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