JP2017016104A5 - - Google Patents
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Description
本発明のさらなる態様に従って、パターン処理法が提供される。本方法は、（ａ）表面上にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、（ｂ）本明細書に記載のパターン処理組成物をパターン形成された特徴部に塗布することと、（ｃ）残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成された特徴部に結合した第１のポリマーの一部を残すこととを含む。
式中、Ｒ３が、水素及びＣ１〜Ｃ３アルキルまたはハロアルキル、例えば、フルオロアルキル、クロロアルキル、ヨードアルキル、またはブロモアルキルから選択され、Ａｒが、任意に置換された芳香族基、例えば、任意に置換されたＣ５〜Ｃ２５、Ｃ５〜Ｃ１５、またはＣ５〜Ｃ１０アリール、例えば、任意に置換されたベンジル、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、キリシル、ピリル、ベンゾ［ａ］ピリル、ピリジル、クメニル、メシチル、トリル、キシリル、及びそれらの誘導体から選択され、Ｚ１が、単結合またはスペーサー単位であり、該スペーサー単位が、任意に置換された脂肪族基及び芳香族基ならびにそれらの組み合わせから選択され、かつ任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、及び−ＯＣ（Ｏ）−から選択される１つ以上の結合部分を含む。
図１Ａは、様々な層及び特徴部を含み得る基板１００の断面を示す。基板は、半導体、例えば、シリコンまたは化合物半導体（例えば、ＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ）、ガラス、石英、セラミック、銅等の材料のものである。典型的には、基板は、単結晶シリコンまたは化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハであり、その表面上に形成された１つ以上の層及びパターン形成された特徴部を有し得る。パターン形成される１つ以上の層１０２が基板１００上に提供される。任意に、例えば、基板材料内での溝の形成が所望される場合に、下位のベース基板材料自体がパターン形成され得る。ベース基板材料自体をパターン形成する場合、パターンは、基板の層内に形成されると見なされるべきである。
Claims (2)
- 前記第２のモノマーが、以下の一般式（ＩＩ）のものであり、
- パターン処理法であって、
（ａ）表面にパターン形成された特徴部を備える半導体基板を提供することと、
（ｂ）請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパターン処理組成物を前記パターン形成された特徴部に塗布することと、
（ｃ）残留パターン処理組成物を前記基板からすすいで、前記パターン形成された特徴部に結合した前記ブロックコポリマーを残すことと、
（ｄ）エッチングマスクとして前記パターン形成された特徴部及び前記結合したブロックコポリマーを用いて前記パターン形成された特徴部の下にある層をエッチングすることと、を含む、前記パターン処理法。
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