JP2017520906A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ガラス基板に複数のバイアを作製するための方法において、前記方法が、
   複数の孔を有する前記ガラス基板の第１の面をキャリアの第１の面に接合層によって接合する工程、前記接合層は前記ガラス基板の前記第１の面と前記キャリアの前記第１の面の間の厚さｔを有し、前記複数の孔の内の少なくともいくつかに延び込んで、前記ガラス基板の前記第１の面からの高さｈを有する接着剤プラグを形成する、
   前記ガラス基板の前記複数の孔を通して前記接合層を深さｄまでエッチングする工程、前記深さｄは前記厚さｔと前記高さｈの和以下である、及び
   前記複数の孔を、前記複数のバイアを形成するため、材料で埋め込む工程、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記接合層をエッチングする工程がウエットエッチングプロセスを利用する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記接合層をエッチングする工程がドライエッチングプロセスを利用する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記材料が前記接合層に長さｌで延び込む導電材料であり、前記ｌは前記深さｄと前記高さｈの間の差に等しい、及び
   前記方法が前記複数のバイアを有する前記ガラス基板を前記接合層及び前記キャリアから剥離させる工程をさらに含み、前記複数のバイアを形成している前記導電材料の一部が前記ガラス基板の前記第１の面から突き出す、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. ガラス基板に複数のバイアを作製するための方法において、前記方法が、
   複数の孔を有する前記ガラス基板の第１の面をキャリアの第１の面に接合層によって接合する工程、前記接合層は前記ガラス基板の前記第１の面と前記キャリアの前記第１の面の間の厚さｔを有する、
   前記ガラス基板の前記複数の孔を通して前記接合層を、ウエットエッチングプロセスを用いて、深さｄまでエッチングする工程、
   前記複数の孔を、前記ガラス基板に前記複数のバイアを形成するため、導電材料で埋め込む工程、前記導電材料は前記接合層に長さｌまで延び込み、前記長さｌは前記厚さｔより小さい、及び
   前記複数のバイアを有する前記ガラス基板を前記接合層及び前記キャリアから剥離させる工程、前記導電材料は前記ガラス基板の前記第１の面から突き出す、
   を含むことを特徴とする方法。
6. 前記ガラス基板が１００μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 前記ウエットエッチングプロセスがＨＦ及びアセトンから選ばれる溶剤に前記接合層をさらす工程を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の方法。
8. 前記ガラス基板が前記エッチングプロセスに対するハードマスクであるように前記ガラス基板を通して前記接合層が前記溶剤にさらされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. ガラス基板に複数のバイアを作製するための方法において、前記方法が、
   複数の孔を有する前記ガラス基板の第１の面をキャリアの第１の面に接合層を用いて接合する工程、前記接合層は前記ガラス基板の前記第１の面と前記キャリアの前記第１の面の間の厚さｔを有する、
   前記ガラス基板の前記複数の孔を通して前記接合層を、ドライエッチングプロセスを用いて、深さｄまでエッチングする工程、前記深さｄは前記ガラス基板の前記第１の面から前記接合層に前記エッチングが延び込んだ長さｌと前記複数の孔の内の少なくともいくつかに前記接合層が延びこむことで形成された接着剤プラグの高さｈの和に等しく、前記長さｌは前記厚さｔに等しく、前記キャリアの前記第１の面が前記ドライエッチングプロセスに対するストップ層である、
   前記複数の孔を、前記ガラス基板に前記複数のバイアを形成するため、導電材料で埋め込む工程、前記導電材料は前記キャリアの前記第１の面まで前記接合層を貫通する、及び
   前記複数のバイアを有する前記ガラス基板を前記接合層及び前記キャリアから剥離させる工程、前記導電材料は前記ガラス基板の前記第１の面から長さｌで延びるピラーを形成する、
   を含むことを特徴とする方法。
10. 前記ドライエッチングプロセスがＯ_２またはアルゴンを含有するガスの内の少なくとも１つから発生されるプラズマに前記接合層をさらす工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。