JP2016218202A - 高分子化合物及び単量体並びにレジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〔1〕
下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
〔2〕
下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位と下記式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を有する高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R11は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。R12は、単結合、フェニレン基、−O−R21−又は−C(=O)−Z22−R21−を表し、Z22は、酸素原子又はNHを表し、R21は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Lは、単結合、又は−Z33−C(=O)−O−を表し、Z33は、炭素数1〜20のヘテロ原子で置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表す。Z11は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R22−、又は−C(=O)−Z44−R22−を表し、Z44は、酸素原子又はNHを表し、R22は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R13〜R20は、それぞれ独立に、水素原子の一部又は全部がヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。M-は、非求核性対向イオンを表す。)
〔3〕
下記式(1b)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。Xbは、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
〔4〕
下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位に加え、下記式(1c)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R4とR5とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。X1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表し、該2価炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。Z1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の3〜5価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。k1は、0又は1を表す。k2は、2〜4の整数を表す。)
〔5〕
下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位に加え、更に下記式(A)〜(D)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ZAは、炭素数1〜20のフルオロアルコール含有置換基を表す。ZBは、炭素数1〜20のフェノール性ヒドロキシ基含有置換基を表す。ZCは、炭素数1〜20のカルボキシル基含有置換基を表す。ZDは、ラクトン骨格、スルトン骨格、カーボネート骨格、環状エーテル骨格、酸無水物骨格、アルコール性ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基又はカルバモイル基を含有する置換基を表す。X2は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、ナフチレン基、−O−R01−、又は−C(=O)−Z2−R01−を表し、Z2は、酸素原子又はNHを表し、R01は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、フェニレン基、又はナフチレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。)
〔6〕
更に、下記式(1c)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする〔5〕に記載の高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R4とR5とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。X1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表し、該2価炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。Z1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の3〜5価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。k1は、0又は1を表す。k2は、2〜4の整数を表す。)
〔7〕
更に、下記式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を有することを特徴とする〔4〕、〔5〕又は〔6〕に記載の高分子化合物。
(式中、R11は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。R12は、単結合、フェニレン基、−O−R21−又は−C(=O)−Z22−R21−を表し、Z22は、酸素原子又はNHを表し、R21は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Lは、単結合、又は−Z33−C(=O)−O−を表し、Z33は、炭素数1〜20のヘテロ原子で置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表す。Z11は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R22−、又は−C(=O)−Z44−R22−を表し、Z44は、酸素原子又はNHを表し、R22は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R13〜R20は、それぞれ独立に、水素原子の一部又は全部がヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。M-は、非求核性対向イオンを表す。)
〔8〕
〔3〕〜〔6〕のいずれかに記載の高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
〔9〕
〔7〕に記載の高分子化合物を含むベース樹脂及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
〔10〕
〔8〕又は〔9〕に記載のレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いてパターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
〔11〕
アルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とする〔10〕に記載のパターン形成方法。
〔12〕
下記式(2b)で表されることを特徴とする単量体。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Xbは単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、上記式中、炭素数の総和について、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
一般式(i)において、
Rxは、水素原子、アルキル基又はシアノ基を表す。
Ra1、Ra2は、それぞれ独立に水素原子又は有機基を表す。
Ra3、Ra4は、それぞれ独立に有機基を表す。
Ra3とRa4は互いに結合して環構造を形成してもよい。
Xは、単結合又はアルキレン基を表す。
Yは、炭素原子C1と共に単環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
nは1又2を表す。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R1〜R3、Xa、Zaは、上記と同じ。なお、炭素数の総和について、5≦Xa+Za+R2+R3≦12を満たすものとする。R6は、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。X3は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基を表す。Mは、Li、Na、K、MgX、ZnXを表し、Xは、ハロゲン原子を表す。)
(式中、R1、R2、Xb、Zbは、上記と同じ。なお、炭素数の総和について、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。X3は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基を表す。Mは、Li、Na、K、MgX、ZnXを表し、Xは、ハロゲン原子を表す。)
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R4とR5とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。X1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表し、該2価炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。Z1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の3〜5価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。k1は、0又は1を表す。k2は、2〜4の整数を表す。)
式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ZAは、炭素数1〜20のフルオロアルコール含有置換基を表す。ZBは、炭素数1〜20のフェノール性ヒドロキシ基含有置換基を表す。ZCは、炭素数1〜20のカルボキシル基含有置換基を表す。ZDは、ラクトン骨格、スルトン骨格、カーボネート骨格、環状エーテル骨格、酸無水物骨格、アルコール性ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基又はカルバモイル基を含有する置換基を表す。X2は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、ナフチレン基、−O−R01−、又は−C(=O)−Z2−R01−を表し、Z2は、酸素原子又はNHを表し、R01は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、フェニレン基、又はナフチレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
式中、R11は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。R12は、単結合、フェニレン基、−O−R21−又は−C(=O)−Z22−R21−を表し、Z22は、酸素原子又はNHを表し、R21は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Lは、単結合、又は−Z33−C(=O)−O−を表し、Z33は、炭素数1〜20のヘテロ原子で置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表す。Z11は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R22−、又は−C(=O)−Z44−R22−を表し、Z44は、酸素原子又はNHを表し、R22は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。M-は、非求核性対向イオンを表す。
(式中、破線は結合手を示す。)
(I)式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%を超え100モル%以下、好ましくは5〜80モル%、より好ましくは10〜60モル%。
(II)式(1c)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%を超え100モル%未満、好ましくは0〜90モル%、より好ましくは0〜80モル%であり、配合する場合は1モル%以上、特に4モル%以上。
(III)式(A)〜(D)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%以上100モル%未満、好ましくは5〜95モル%、より好ましくは10〜90モル%であり、配合する場合は4モル%以上、特に5モル%以上。
(IV)式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0〜30モル%、好ましくは0〜20モル%、より好ましくは0〜10モル%であり、配合する場合は1モル%以上。
(V)繰り返し単位(g)及び(h)から選ばれる1種又は2種以上を、0〜80モル%、好ましくは0〜70モル%、より好ましくは0〜50モル%。
本発明の高分子化合物は、レジスト材料のベース樹脂として好適である。本発明の高分子化合物をベース樹脂とし、これに有機溶剤、酸発生剤、溶解制御剤、塩基性化合物、界面活性剤、アセチレンアルコール類等を目的に応じ適宜組み合わせて配合してレジスト材料とすればよい。
本発明のレジスト材料、例えば、本発明の高分子化合物、有機溶剤、酸発生剤、塩基性化合物等を含む化学増幅レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、公知のリソグラフィー技術を適用することができ、塗布、加熱処理(プリベーク)、露光、加熱処理(ポストエクスポージャーベーク、PEB)、現像の各工程を経て達成される。必要に応じて、更にいくつかの工程を追加してもよい。
窒素雰囲気下、1.0mol/L塩化メチルマグネシウム−THF溶液(2,400mL)に、ヒドロキシエステル1(95g、シス異性体/トランス異性体=75/25)のTHF(200mL)溶液を25〜45℃で滴下した。50℃にて10時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、塩化アンモニウム(240g)と2.4質量%塩酸水溶液(2,000g)との混合水溶液を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去の後、減圧蒸留を行い、ジオール1を79g得た(収率83%、シス異性体/トランス異性体=73/27)。なお蒸留後、留分は室温で次第に白色結晶へ固化した。
沸点:90℃/20Pa。
IR(D−ATR):ν=3292、2969、2933、2859、1464、1435、1377、1367、1336、1305、1265、1229、1203、1150、1067、1037、998、967、951、934、910、875、843、809、768、697、665、615、601、588cm-1。
窒素雰囲気下、ジオール1(70g)、トリエチルアミン(69g)、THF(300mL)の溶液に、メタクリル酸無水物(84g)を室温下滴下した。40℃で5時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(300mL)を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去の後、減圧蒸留を行い、モノマー1を100g得た(収率90%、シス異性体/トランス異性体=75/25)。
沸点:83℃/5Pa。
IR(D−ATR):ν=3514、2944、2866、1715、1637、1448、1403、1379、1361、1317、1296、1179、1099、1037、1025、1011、935、907、841、815、768、653、594cm-1。
窒素雰囲気下、1.0mol/L塩化メチルマグネシウム−THF溶液(2,400mL)に、ヒドロキシエステル2(87g、異性体混合物)のTHF(200mL)溶液を25〜45℃で滴下した。50℃にて10時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、塩化アンモニウム(240g)と2.4質量%塩酸水溶液(2,000g)との混合水溶液を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去を行い、ジオール2の粗生物(91g)を得た。この粗生物は特に精製を行わず、そのまま次工程へ進んだ。
窒素雰囲気下、ジオール2粗生物(91g)、トリエチルアミン(68g)、THF(300mL)の溶液に、メタクリル酸無水物(83g)を室温下滴下した。40℃で5時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(300mL)を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去の後、減圧蒸留を行い、モノマー2を92g得た(2工程の収率72%、異性体比率56/44)。
沸点:68℃/4Pa。
IR(D−ATR):ν=3475、2969、2875、1715、1635、1452、1402、1377、1323、1298、1159、1010、940、846、815、651、596、564cm-1。
溶剤留去の後、減圧蒸留を行い、モノマー3を24g得た(収率78%、異性体比率56/44)。なお、留分は5℃の冷蔵保存下、白色結晶へ固化した。
沸点:67℃/10Pa。
IR(D−ATR):ν=3496、2958、2932、1715、1636、1450、1403、1375、1332、1316、1296、1259、1243、1179、1136、1124、1029、1012、970、935、917、815、725、652、603、590、568、553cm-1。
窒素雰囲気下、1.0mol/L塩化メチルマグネシウム−THF溶液(1,800mL)に、ヒドロキシケトン1(100g)のTHF(500mL)溶液を25〜45℃で滴下した。50℃にて10時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、塩化アンモニウム(180g)と2.4質量%塩酸水溶液(1,500g)との混合水溶液を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去を行い、酢酸エチル−ヘキサンにて晶析後、濾過、乾燥を行い、ジオール4を80g得た(収率78%、異性体比率62/38)。
IR(D−ATR):ν=3324、2995、2935、2896、2855、1449、1376、1353、1314、1302、1267、1247、1227、1186、1126、1082、1049、1031、973、958、931、918、890、840、803、727、669、639cm-1。
窒素雰囲気下、ジオール4(80g)、トリエチルアミン(91g)、アセトニトリル(700mL)の溶液に、メタクリロイルクロリド(63g)を室温下滴下した。40℃で3時間撹拌後、反応溶液を氷冷し、水(700mL)を滴下して反応を停止した。通常の水系後処理(aqueous work−up)、溶剤留去の後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、モノマー4を80g得た(収率73%、異性体比率54/46)。
IR(D−ATR):ν=3496、2954、2912、2866、1741、1711、1636、1450、1401、1374、1332、1294、1241、1180、1141、1120、1105、1081、1043、1032、1008、935、890、858、832、814、730、698、658、561、552cm-1。
レジスト材料に用いる高分子化合物として、各モノマーを組み合わせてシクロペンタノン溶剤下で共重合反応を行い、ヘキサンに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す高分子化合物(ポリマー1〜15、比較ポリマー1〜10)を得た。得られた高分子化合物の組成は、1H−NMR及び13C−NMRにて確認した。
[実施例20〜34、比較例11〜20]
上記実施例及び比較例で得られた高分子化合物を使用し、下記表1に示す組成でレジスト材料を調合し、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過することによりレジスト材料R−01〜R−25をそれぞれ調製した。
DAA:ジアセトンアルコール
GBL:γ−ブチロラクトン
[実施例35〜38、比較例21]
上記表1に示す組成で調製した本発明のレジスト材料及び比較例のレジスト材料を、QCM基板に厚さ100nmとなるようにスピンコートし、ホットプレートで100℃、60秒間ベークした。その後、ArFオープンフレーム露光装置で露光量1mJ/cm2から13mJ/cm2までステップ1mJ/cm2で露光し、露光後ホットプレートを用いて表2に示した温度で60秒間PEBした。その後、QCM基板上のレジスト膜を現像解析装置RDA−Qz3(リソテックジャパン(株)製)を用いて、2.38質量%のTMAH水溶液における、現像時間に対するレジスト膜の膜厚変動を観察した。各露光量における現像時間と膜厚変動を示すグラフから、最大膨潤量を示す露光量と、最大膨潤量比(最大膨潤量を初期膜厚で規格化した値)を表2に示す。最大膨潤量比が小さいほどレジスト膜の膨潤が抑制される。
[実施例39〜41、比較例22〜24]
ヘキサメチルジシラザン(HMDS)気相中で表面処理(90℃、60秒間)したシリコンウエハー上に、上記表1に示した本発明のレジスト材料及び比較例用のレジスト材料をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベーク(PAB)し、レジスト膜の厚みを100nmにした。その後、ArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製NSR−307E、NA=0.85)にてウエハー全面をオープンフレーム露光した。その際の露光量は、脱保護反応に十分な量の酸が光酸発生剤から生じるよう50mJ/cm2とした。その後、表3に示した温度で60秒間PEBを施すことにより、レジスト膜を形成するベース樹脂で脱水反応あるいは架橋反応を促進させた。本発明のベース樹脂において、脱水反応を起こした部分は現像時における不溶部分に相当する。露光・PEB処理によるレジスト膜厚減少量の処理前膜厚に対する比率を求めPEBシュリンク量(%)とした。更に、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間現像を行い、その後にレジスト膜厚を測定し、PEB処理後膜厚と現像後膜厚の差分よりミニマム溶解速度(nm/sec)を求めた。PEBシュリンク量又はミニマム溶解速度が小さい方がドライエッチング加工時に必要とされる十分な膜厚を確保でき、あるいは初期膜厚を薄膜化できることで解像性において有利となることから好ましい。結果を表3に示す。
[実施例42〜53、比較例25〜33]
上記表1に示す組成で調製した本発明のレジスト材料及び比較例のレジスト材料を、シリコンウエハーにARC29A(日産化学工業(株)製)を78nmの膜厚で成膜した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製NSR−S307E、NA=0.85、σ0.93/0.74、Annular照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)で、ウエハー上寸法が、スペース幅90nm及びピッチ180nm、スペース幅80nm及び160nmピッチ、並びにスペース幅70nm及びピッチ140nmのラインアンドスペースパターン(LSパターン)と、スペース幅90nm及びピッチ1,650nmのトレンチパターンとの露光を、露光量とフォーカスを変化(露光量ピッチ:1mJ/cm2、フォーカスピッチ:0.025μm)させながら行い、露光後、表4に示した温度で60秒間PEBし、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、純水でリンス、スピンドライを行い、ネガ型パターンを得た。現像後のLSパターン及びトレンチパターンをTD−SEM((株)日立ハイテクノロジーズ製S−9380)で観察した。
感度として、上記スペース幅90nm及びピッチ180nmのLSパターンが得られる最適な露光量Eop(mJ/cm2)を求めた。結果を表4に示す。この値が小さいほど感度が高い。
露光裕度評価として、上記LSパターンにおける90nmのスペース幅の±10%(81〜99nm)の範囲内で形成される露光量から、次式により露光裕度(単位:%)を求めた。結果を表4に示す。
露光裕度(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
E1:スペース幅81nm、ピッチ180nmのLSパターンを与える最適露光量
E2:スペース幅99nm、ピッチ180nmのLSパターンを与える最適露光量
Eop:スペース幅90nm、ピッチ180nmのLSパターンを与える最適露光量
上記感度評価における最適露光量で照射して得たLSパターンを、スペース幅の長手方向に10箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をLWRとして求めた。結果を表4に示す。この値が小さいほど、ラフネスが小さく均一なスペース幅のパターンが得られる。
焦点深度評価として、上記トレンチパターンにおける90nmスペース幅の±10%(81〜99nm)の範囲で形成されるフォーカス範囲を求めた。結果を表4に示す。この値が大きいほど、焦点深度が広い。
上記70〜90nm(ピッチ140〜180nm)のLSパターンが解像するパターン寸法を解像力とした。結果を表4に示す。この値が小さいほど解像力に優れる。
[実施例54〜57、比較例34]
表1に示す組成で調製した本発明のレジスト材料及び比較例のレジスト材料を、信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−180(カーボンの含有量が80質量%)を180nm、その上にケイ素含有スピンオンハードマスクSHB−A940(ケイ素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを60nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製NSR−S610C、NA1.30、σ0.90/0.72、クロスポール開口35度、Azimuthally偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク、クロスポール照明)で、ウエハー上寸法が55nm、ピッチ110nmのコンタクトホールパターン(CHパターン)の露光を、露光量とフォーカスを変化(露光量ピッチ:1mJ/cm2、フォーカスピッチ:0.025μm)させながら行い、露光後、表5に示した温度で60秒間PEBし、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、純水でリンス、スピンドライを行い、ネガ型パターンを得た。現像後のCHパターンをTD−SEM((株)日立ハイテクノロジーズ製CG4000)で観察した。
感度として、上記ホール寸法55nm、ピッチ110nmのCHパターンが得られる最適な露光量Eop(mJ/cm2)を求めた。結果を表5に示す。この値が小さいほど感度が高い。
露光裕度評価として、上記CHパターンにおける55nmのホール寸法の±10%(49.5〜60.5nm)の範囲内で形成される露光量から、次式により露光裕度(単位:%)を求めた。結果を表5に示す。
露光裕度(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
E1:ホール寸法49.5nm、ピッチ110nmのCHパターンを与える最適露光量
E2:ホール寸法60.5nm、ピッチ110nmのCHパターンを与える最適露光量
Eop:ホール寸法55nm、ピッチ110nmのCHパターンを与える最適露光量
上記感度評価における最適露光量で照射して得たCHパターンを、同一露光量ショット内10箇所(1箇所につき9個のCHパターン)の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)を寸法均一性(CDU)として求めた。結果を表5に示す。この値が小さいほど、CHパターンの寸法均一性が優れる。
[実施例58〜61、比較例35,36]
表1に示す組成で調製した本発明のレジスト材料及び比較例のレジスト材料を、HMDS気相中で表面処理(90℃、60秒間)したシリコンウエハー上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを60nmにした。これを電子ビーム描画装置(日本電子(株)製JBX−9000、加速電圧50kV)で、ウエハー上寸法がスペース幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンの描画を、照射量を変化(照射量ピッチ:2μC/cm2)させながら行い、描画後、表6に示した温度で60秒間PEBし、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、純水でリンス、スピンドライを行い、ネガ型パターンを得た。現像後のLSパターンをTD−SEM((株)日立ハイテクノロジーズ製S−9380)で観察した。
感度として、上記スペース幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンが得られる最適な露光量Eop(μC/cm2)を求めた。結果を表6に示す。この値が小さいほど感度が高い。
露光裕度評価として、上記LSパターンにおける100nmのスペース幅の±10%(90〜110nm)の範囲内で形成される露光量から、次式により露光裕度(単位:%)を求めた。結果を表6に示す。
露光裕度(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
E1:スペース幅90nm、ピッチ200nmのLSパターンを与える最適露光量
E2:スペース幅110nm、ピッチ200nmのLSパターンを与える最適露光量
Eop:スペース幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンを与える最適露光量
上記感度評価における最適露光量で照射して得たLSパターンを、スペース幅の長手方向に10箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をLWRとして求めた。結果を表6に示す。この値が小さいほど、ラフネスが小さく均一なスペース幅のパターンが得られる。
(I)式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%を超え100モル%以下、好ましくは5〜80モル%、より好ましくは10〜60モル%。
(II)式(1c)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%以上100モル%未満、好ましくは0〜90モル%、より好ましくは0〜80モル%であり、配合する場合は1モル%以上、特に4モル%以上。
(III)式(A)〜(D)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0モル%以上100モル%未満、好ましくは5〜95モル%、より好ましくは10〜90モル%であり、配合する場合は4モル%以上、特に5モル%以上。
(IV)式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を、0〜30モル%、好ましくは0〜20モル%、より好ましくは0〜10モル%であり、配合する場合は1モル%以上。
(V)繰り返し単位(g)及び(h)から選ばれる1種又は2種以上を、0〜80モル%、好ましくは0〜70モル%、より好ましくは0〜50モル%。
[実施例42〜53、比較例25〜33]
上記表1に示す組成で調製した本発明のレジスト材料及び比較例のレジスト材料を、シリコンウエハーにARC29A(日産化学工業(株)製)を78nmの膜厚で成膜した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製NSR−S307E、NA=0.85、σ0.93/0.74、Annular照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)で、ウエハー上寸法が、スペース幅90nm及びピッチ180nm、スペース幅80nm及びピッチ160nm、並びにスペース幅70nm及びピッチ140nmのラインアンドスペースパターン(LSパターン)と、スペース幅90nm及びピッチ1,650nmのトレンチパターンとの露光を、露光量とフォーカスを変化(露光量ピッチ:1mJ/cm2、フォーカスピッチ:0.025μm)させながら行い、露光後、表4に示した温度で60秒間PEBし、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、純水でリンス、スピンドライを行い、ネガ型パターンを得た。現像後のLSパターン及びトレンチパターンをTD−SEM((株)日立ハイテクノロジーズ製S−9380)で観察した。
Claims (12)
- 下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。) - 下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位と下記式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を有する高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R11は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。R12は、単結合、フェニレン基、−O−R21−又は−C(=O)−Z22−R21−を表し、Z22は、酸素原子又はNHを表し、R21は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Lは、単結合、又は−Z33−C(=O)−O−を表し、Z33は、炭素数1〜20のヘテロ原子で置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表す。Z11は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R22−、又は−C(=O)−Z44−R22−を表し、Z44は、酸素原子又はNHを表し、R22は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R13〜R20は、それぞれ独立に、水素原子の一部又は全部がヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。M-は、非求核性対向イオンを表す。) - 下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位に加え、下記式(1c)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R4とR5とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。X1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表し、該2価炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。Z1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の3〜5価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。k1は、0又は1を表す。k2は、2〜4の整数を表す。) - 下記式(1a)及び/又は(1b)で表される繰り返し単位に加え、更に下記式(A)〜(D)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R2とR3とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。Xa、Xbは、それぞれ独立に、単結合を示すか、メチレン基又はエチリデン基を示す。Zaは、炭素数1〜9の直鎖状、分岐状又は環状の2価の脂肪族炭化水素基を示す。Zbは、これが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環基を形成するのに必要な原子団を示す。なお、式中、炭素数の総和について、Zaが非環状の場合、6≦Xa+Za+R2+R3≦12であり、Zaが環状の場合、5≦Xa+Za+R2+R3≦12、5≦Xb+原子団Zb+R2≦12を満たすものとする。)
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ZAは、炭素数1〜20のフルオロアルコール含有置換基を表す。ZBは、炭素数1〜20のフェノール性ヒドロキシ基含有置換基を表す。ZCは、炭素数1〜20のカルボキシル基含有置換基を表す。ZDは、ラクトン骨格、スルトン骨格、カーボネート骨格、環状エーテル骨格、酸無水物骨格、アルコール性ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基又はカルバモイル基を含有する置換基を表す。X2は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、ナフチレン基、−O−R01−、又は−C(=O)−Z2−R01−を表し、Z2は、酸素原子又はNHを表し、R01は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、フェニレン基、又はナフチレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。) - 更に、下記式(1c)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項5に記載の高分子化合物。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R4とR5とは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環基を形成してもよい。X1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表し、該2価炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。Z1は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の3〜5価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する−CH2−が、−O−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。k1は、0又は1を表す。k2は、2〜4の整数を表す。) - 更に、下記式(f1)〜(f3)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を有することを特徴とする請求項4、5又は6に記載の高分子化合物。
(式中、R11は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。R12は、単結合、フェニレン基、−O−R21−又は−C(=O)−Z22−R21−を表し、Z22は、酸素原子又はNHを表し、R21は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Lは、単結合、又は−Z33−C(=O)−O−を表し、Z33は、炭素数1〜20のヘテロ原子で置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を表す。Z11は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R22−、又は−C(=O)−Z44−R22−を表し、Z44は、酸素原子又はNHを表し、R22は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニレン基、又はフェニレン基を表し、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R13〜R20は、それぞれ独立に、水素原子の一部又は全部がヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。M-は、非求核性対向イオンを表す。) - 請求項3乃至6のいずれか1項に記載の高分子化合物を含むベース樹脂、酸発生剤及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
- 請求項7に記載の高分子化合物を含むベース樹脂及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
- 請求項8又は9に記載のレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いてパターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
- アルカリ現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
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