JP2016188774A - 磁界検知装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Z方向の磁界成分が磁界誘導層30で誘導されて、磁気検知素子20に対してその感度軸方向と同じX方向へ与えられて検知出力が得られる。複数の磁気検知素子20でブリッジ回路が組まれて、X方向の磁界成分に対しては出力が出ないように構成されている。ただし、X方向の磁界成分が磁気検知素子20に作用すると、磁気検知素子20の抵抗変化にバイアスが発生し、Z方向の磁界の検知動作のリニアリティが低下する。そこで、ガード層40が形成されて、外乱磁界が磁気検知素子20に与える影響を低減できるようにしている。
【選択図】図1A
Description
X方向に感度軸を有する前記磁気検知素子によって抵抗変化部が構成されて、複数の前記抵抗変化部が接続されてブリッジ回路が構成され、それぞれの抵抗変化部に前記磁界誘導層が対向しており、
磁性材料で形成されたガード層が設けられ、前記ガード層は、X方向に間隔を空けて配置された複数の前記抵抗変化部の前記間隔内を通過してY方向に延びる縦ガード部と、前記縦ガード部のY方向の両端部と連続してX方向に延びる一対の横ガード部とを有することを特徴とするものである。
第1の抵抗変化部ならびに第3の抵抗変化部と、第2の抵抗変化部ならびに第4の抵抗変化部との間の前記間隔内に前記縦ガード部が配置され、Y方向に間隔を空けて形成された一対の前記横ガード部の間に、第1の抵抗変化部ならびに第3の抵抗変化部と、第2の抵抗変化部ならびに第4の抵抗変化部とがそれぞれ配置されているものとして構成できる。
1 第1の抵抗変化部
2 第2の抵抗変化部
3 第3の抵抗変化部
4 第4の抵抗変化部
11 基板
20 磁気検知素子
22 固定磁性層
23 非磁性層
24 フリー磁性層
30 磁界誘導層
30a 誘導部
30d 遮蔽部
40 ガード層
41 縦ガード部
42 横ガード部
Claims (9)
- 3軸が直交するX−Y−Z座標のX−Y平面に沿って配置された磁気検知素子と、Z方向に高さを有してZ方向の磁界成分をX方向へ誘導して前記磁気検知素子に与える磁界誘導層と、を有する磁界検知装置において、
X方向に感度軸を有する前記磁気検知素子によって抵抗変化部が構成されて、複数の前記抵抗変化部が接続されてブリッジ回路が構成され、それぞれの抵抗変化部に前記磁界誘導層が対向しており、
磁性材料で形成されたガード層が設けられ、前記ガード層は、X方向に間隔を空けて配置された複数の前記抵抗変化部の前記間隔内を通過してY方向に延びる縦ガード部と、前記縦ガード部のY方向の両端部と連続してX方向に延びる一対の横ガード部とを有することを特徴とする磁界検知装置。 - 同じ方向の外部磁界に対して相反する抵抗変化を示す第1の抵抗変化部と第3の抵抗変化部とがX方向の一方の側に配置され、同じ方向の外部磁界に対して相反する抵抗変化を示す第2の抵抗変化部と第4の抵抗変化部とがX方向の他方の側に配置されており、
第1の抵抗変化部ならびに第3の抵抗変化部と、第2の抵抗変化部ならびに第4の抵抗変化部との間の前記間隔内に前記縦ガード部が配置され、Y方向に間隔を空けて形成された一対の前記横ガード部の間に、第1の抵抗変化部ならびに第3の抵抗変化部と、第2の抵抗変化部ならびに第4の抵抗変化部とがそれぞれ配置されている請求項1記載の磁界検知装置。 - 前記ガード層は、前記磁界誘導層と同じ磁性材料で形成されている請求項1または2記載の磁界検知装置。
- 前記ガード層のZ方向の高さ寸法は、前記磁界誘導層の高さ寸法と同じかまたはそれよりも低い請求項1ないし3のいずれかに記載の磁界検知装置。
- 前記抵抗変化部は、前記縦ガード部に対してX方向の両側に対称に配置されている請求項1ないし4のいずれかに記載の磁界検知装置。
- 前記抵抗変化部とX方向に並ぶ領域に、X方向またはY方向の磁界成分を検知する他方向磁界検知装置が配置される請求項1ないし5のいずれかに記載の磁界検知装置。
- 前記抵抗変化部と前記他方向磁界検知装置との隣接部に、Y方向に延びるガード部が存在していない請求項6記載の磁界検知装置。
- 前記横ガード部の前記他方向磁界検知装置に向けられるX側の端部は、前記磁界誘導層よりも、前記他方向磁界検知装置に近づく方向へ突出していない請求項6または7記載の磁界検知装置。
- 前記抵抗変化部と、前記他方向磁界検知装置に設けられる他の抵抗変化部が、同じチップ内に設けられている請求項6ないし8のいずれかに記載の磁界検知装置。
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