JP2016122710A - 基板搬送装置および基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の基板を高い搬送信頼性をもって一括搬送すること。
【解決手段】実施形態の一態様に係る基板搬送装置は、基台と、保持部と、少なくとも3個の検出部と、制御部とを備える。保持部は、基台に対して進退自在に設けられ、複数の基板を多段に保持可能である。検出部は、保持部に保持された基板の外縁をそれぞれ異なる位置で検出する。制御部は、検出部の検出結果に基づき基板の位置を推定し、推定した基板の位置と予め決められた基準位置とのずれ量を算出し、算出したずれ量が閾値以内であると判定した場合に、保持部に保持された複数の基板の搬送を実行させる。
【選択図】図3

Description

開示の実施形態は、基板搬送装置および基板搬送方法に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板を搬送する基板搬送装置として、鉛直軸まわりに回転可能な基台と、この基台に対して進退自在に設けられたフォークとを備えたものが知られている。
この種の基板搬送装置には、フォークで保持した基板の位置ずれの有無を判定するためのセンサが設けられたものがある。たとえば、特許文献1には、フォークの先端部に1つの光電センサを備え、かかる光電センサの検出結果に基づいて基板の位置ずれの有無を判定する基板搬送装置が開示されている。
特開平8−274143号公報
しかしながら、複数の基板を多段に保持可能な基板搬送装置に対して上述した従来技術を適用した場合、複数の基板がそれぞれ異なる方向にずれる可能性があるため、位置ずれの有無を精度良く判定することが困難となるおそれがある。基板の位置ずれの有無の判定精度の低下は、搬送信頼性の低下を引き起こすおそれがある。
実施形態の一態様は、複数の基板を高い搬送信頼性をもって一括搬送することができる基板搬送装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板搬送装置は、基台と、保持部と、少なくとも3個の検出部と、制御部とを備える。保持部は、基台に対して進退自在に設けられ、複数の基板を多段に保持可能である。検出部は、保持部に保持された基板の外縁をそれぞれ異なる位置で検出する。制御部は、検出部の検出結果に基づき基板の位置を推定し、推定した基板の位置と予め決められた基準位置とのずれ量を算出し、算出したずれ量が閾値以内であると判定した場合に、保持部に保持された複数の基板の搬送を実行させる。
実施形態の一態様によれば、複数の基板を高い搬送信頼性をもって一括搬送することができる。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図2は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図3は、本実施形態に係る基板搬送装置の斜視図である。 図4は、本実施形態に係る基板搬送装置の平面図である。 図5は、投光部および受光部の模式的な側面図である。 図6は、第1判定処理の説明図である。 図7は、第2判定処理の説明図である。 図8は、第3判定処理の説明図である。 図9は、第3判定処理の説明図である。 図10は、第3判定処理の説明図である。 図11は、基板搬送処理の処理手順を示すフローチャートである。 図12は、位置ずれ判定処理の処理手順を示すフローチャートである。 図13は、一時載置部の配置を示す図である。 図14は、位置補正処理の説明図である。 図15は、位置補正処理の説明図である。 図16は、位置補正処理の説明図である。 図17は、位置補正処理の説明図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板搬送装置および基板搬送方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
<処理ユニット16の構成>
次に、処理ユニット16の構成について図2を参照して説明する。図2は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
チャンバ20は、基板保持機構30と処理流体供給部40と回収カップ50とを収容する。チャンバ20の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)21が設けられる。FFU21は、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウェハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウェハWを回転させる。
処理流体供給部40は、ウェハWに対して処理流体を供給する。処理流体供給部40は、処理流体供給源70に接続される。
回収カップ50は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウェハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ50の底部には、排液口51が形成されており、回収カップ50によって捕集された処理液は、かかる排液口51から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ50の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口52が形成される。
<基板搬送装置13の構成>
次に、本実施形態に係る基板搬送装置13の構成について図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る基板搬送装置13の構成を示す図である。
図3に示すように、本実施形態に係る基板搬送装置13は、基台101と、保持部102と、複数(ここでは、4つ)の検出部103a〜103dと、支持部材104とを備える。
基台101は、Y軸方向に沿った移動およびZ軸を中心とする旋回が可能である。保持部102、検出部103a〜103dおよび支持部材104は、基台101に設けられる。
保持部102は、複数のウェハWを多段に保持可能である。具体的には、保持部102は、複数(ここでは、5つ)のフォーク111〜115と、フォーク111〜115を基台101に対して進退させる移動機構120とを備える。
フォーク111〜115は、Z軸方向に多段に配置される。フォーク111〜115は、上方から下方にこの順序で配置される。各フォーク111〜115は、ウェハWの径よりも横幅が小さい二股形状を有する。
移動機構120は、フォーク111〜114を一体的に進退させる第1移動機構121と、フォーク115を進退させる第2移動機構122とを備える。このように、移動機構120は、複数のフォーク111〜115のうちフォーク115を他のフォーク111〜114と独立して進退させることが可能である。
検出部103a〜103dは、保持部102に保持されたウェハWの外縁をそれぞれ異なる位置で検出する。各検出部103a〜103dは、投光部131と受光部132とをそれぞれ備える。
投光部131および受光部132は、保持部102が後退した状態(ホームポジション)において、保持部102によって保持されたウェハWを上下から挟む位置に配置される。投光部131は、保持部102の下方に配置され、基台101に取り付けられる。また、受光部132は、保持部102の上方に配置され、後述する支持部材104を介して基台101に取り付けられる。
なお、投光部131および受光部132の配置は、上記の例に限定されない。たとえば、投光部131が保持部102の上方に配置され、受光部132が保持部102の下方に配置されてもよい。また、検出部102が反射型の光学センサである場合には、投光部131および受光部132の両方が保持部102の上方または下方に配置されてもよい。
支持部材104は、受光部132を上方から支持する。なお、支持部材104の形状は本例に限定されない。
<検出部103a〜103dの構成>
次に、検出部103a〜103dの構成について図4および図5を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る基板搬送装置13の平面図である。図5は、投光部131および受光部132の模式的な側面図である。
受光部132は、複数の受光素子が直線状に配列されたセンサ群である。受光部132としては、たとえばリニアイメージセンサを用いることができる。なお、本実施形態では、受光部132がリニアイメージセンサであるものとして説明する。
図4に示すように、各受光部132は、受光素子の配列方向に沿って延びる仮想的な直線が予め決められた基準位置oを通るように配置される。検出部103aの受光部132は、基準位置oを挟んで検出部103cの受光部132と向かい合う位置に配置され、検出部103bの受光部132は、基準位置oを挟んで検出部103dの受光部132と向かい合う位置に配置される。
なお、基準位置oとは、ウェハWを正常に受け渡すことが可能な位置であって、ウェハWが保持部102に正常に載置された場合におけるウェハWの中心位置(すなわち、ウェハWの仮想的な中心位置)のことである。
図5に示すように、投光部131は、光源133とレンズ134とを備える。光源133は、拡散光を照射する。レンズ134は、光源133の上方に配置され、光源133から照射された拡散光を屈折させることにより、対となる受光部132へ向けて平行光を照射する。
投光部131から受光部132へ向けて照射された平行光は、保持部102に保持されたウェハWによって部分的に遮られる。これにより、受光部132には、投光部131からの平行光を受光する受光素子と受光しない受光素子とで受光量に差が生じる。検出部103a〜103dは、かかる受光量の差に基づいてウェハWの外縁を検出する。検出部103a〜103dは、検出結果を制御部18へ出力する。
保持部102に保持された複数のウェハWは、それぞれ異なる方向にずれる可能性がある。このため、検出部103a〜103dは、同一のウェハWの外縁を検出することもあれば、それぞれ異なるウェハWの外縁を検出することもある。しかしながら、検出部103a〜103dが同一のウェハWの外縁を検出したのか、異なるウェハWの外縁を検出したのかを判別することは困難である。そこで、本実施形態に係る基板搬送装置13では、以下に説明する位置ずれ判定処理を行うことで、位置ずれの有無を精度良く判定することを可能とした。
<位置ずれ判定処理の内容>
本実施形態に係る位置ずれ判定処理は、「第1判定処理」、「第2判定処理」および「第3判定処理」の3段階で行われる。まず、「第1判定処理」の内容について図6を参照して説明する。図6は、第1判定処理の説明図である。
なお、位置ずれ判定処理は、制御部18の制御に従って実行される。制御部18は、たとえばCPU(Central Processing Unit)であり、記憶部19に記憶された図示しないプログラムを制御部18が読み出して実行することにより、「第1判定処理」、「第2判定処理」および「第3判定処理」が実行される。なお、制御部18は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。
また、以下では、検出部103aを「第1検出部103a」、検出部103bを「第2検出部103b」、検出部103cを「第3検出部103c」、検出部103dを「第4検出部103d」と記載する場合がある。
<第1判定処理の内容>
第1判定処理において、制御部18は、全ての検出部103a〜103dについて、保持部102に保持されたウェハWの外縁が検出範囲内に含まれているか否かを判定する。
たとえば、図6に示すように、ウェハWが第2検出部103bの方向に大きくずれている場合、第2検出部103bの投光部131から照射された平行光は、かかるウェハWによって全て遮られることとなる。この場合、第2検出部103bは、ウェハWの外縁を検出しない。また、たとえば全てのウェハWが第4検出部103dの方向に大きくずれた場合には、第2検出部103bの投光部131から照射された平行光が一切遮られることなく受光部132へ到達することとなる。この場合も、第2検出部103bは、ウェハWの外縁を検出しない。
制御部18は、第1検出部103a〜第4検出部103dのうち何れかの検出部103a〜103dの検出範囲内にウェハWの外縁が含まれない場合、保持部102に保持されたいずれかのウェハWに位置ずれが生じていると判定する。一方、制御部18は、第1判定処理において全ての検出部103a〜103dがウェハWの外縁を検出したと判定した場合には、以下に説明する第2判定処理を行う。
<第2判定処理の内容>
つづいて、第2判定処理の内容について図7を参照して説明する。図7は、第2判定処理の説明図である。
第2判定処理において、制御部18は、全ての検出部103a〜103dについて、検出されたウェハWの外縁がその検出部103a〜130dの検出範囲における所定範囲(以下、「第1閾値範囲」と記載する)内に含まれるか否かを判定する。
図7に示すように、第1閾値範囲Tは、受光部132が備える受光素子の配列方向に沿って、予め決められた位置ずれの許容範囲の上限までウェハWがずれたと仮定した場合における、ウェハWの外縁の検出位置によって規定される。
ある位置においてウェハWの外縁が検出された場合、そのウェハWの基準位置oからのずれ量は、そのウェハWが、受光部132が備える受光素子の配列方向に沿ってずれたと仮定した場合が最小となる。したがって、検出部103a〜103dによって検出されたウェハWの外縁が第1閾値範囲T内に含まれるか否かを判定することで、そのウェハWの位置ずれが、検出部103a〜103dの検出範囲における許容範囲を超えていないかどうかを確認することができる。
制御部18は、全ての検出部103a〜103dについて、検出されたウェハWの外縁が第1閾値範囲T内に含まれると判定した場合、第3判定処理を行う。
<第3判定処理の内容>
つづいて、第3判定処理の内容について図8〜図10を参照して説明する。図8〜図10は、第3判定処理の説明図である。
第3判定処理において、制御部18は、検出部103a〜103dの検出結果に基づきウェハWの位置(中心位置)を推定し、推定したウェハWの位置と基準位置oからのずれ量を算出し、算出したずれ量が閾値(以下、「第2閾値」と記載する)以内であるか否かを判定する。
たとえば、図8に示すように、第1検出部103aによってウェハW1の外縁が検出され、第1検出部103aに隣接する第2検出部103bによってウェハW2の外縁が検出されたとする。ここで、このときの第1検出部103aによる検出位置をa’点、第2検出部103bによる検出位置をb’点とする。
かかる場合、制御部18は、図9に示すように、第1検出部103aおよび第2検出部103bが同一のウェハWo’の外縁を検出したと仮定して、a’点およびb’点からウェハWo’の中心位置o’を算出する。
具体的には、図10に示すように、位置ずれを起こしていない、すなわち、中心位置が基準位置oと一致するウェハWoの第1検出部103aにおける検出位置をa点、第2検出部103bにおける検出位置をb点とすると、a点とa’点との距離Δaおよびb点とb’点との距離Δbは、それぞれ、
Δa={(a’点の画素数)−(a点の画素数)}×検出部103aの分解能
Δb={(b’点の画素数)−(b点の画素数)}×検出部103bの分解能
となる。なお、たとえばa点の画素数とは、リニアイメージセンサである受光部132における、第1検出部103aのウェハWの中心側における始点からa点までにおける画素の数を意味する。
また、基準位置oの座標をo(X,Y)、ウェハWの半径をR、第1検出部103aおよび第2検出部103bの延在方向とY軸とのなす角をそれぞれθaおよびθbとすると、a点、b点、a’点およびb’点の座標は、それぞれ、
a点(Xa,Ya)=(X+Rsinθa,Y−Rcosθa)
b点(Xb,Yb)=(X+Rsinθb,Y+Rcosθb)
a’点(Xa’,Ya’)={X+(R+Δa)sinθa,Y−(R+Δa)cosθa}
b’点(Xb’,Yb’)={X+(R+Δb)sinθb,Y+(R+Δb)cosθb}
となる。
ウェハWo’の半径Rは既知であるため、ウェハWo’の中心位置o’の座標(X’,Y’)は、a’点およびb’点の座標と半径Rより算出することができる。すなわち、a’点およびb’点を通る円の中心は、a’点およびb’点を結ぶ線分の垂直二等分線上に存在し、a’点(b’点)からウェハWo’の中心位置o’までの距離は、Rである。このため、a’点(b’点)を中心とする半径Rの円と垂直二等分線との交点の座標が、ウェハWo’の中心位置o’の座標(X’,Y’)となる。なお、a’点(b’点)を中心とする半径Rの円と垂直二等分線との交点は2つ存在するが、このうち基準位置oに近い交点が、ウェハWo’の中心位置o’の座標(X’,Y’)となる。
そして、制御部18は、ウェハWo’の中心位置o’の座標(X’,Y’)と基準位置oの座標(X,Y)との間の距離を、ウェハWo’の中心位置o’の基準位置oからのずれ量として算出する。
制御部18は、上述したずれ量の算出処理を、検出部103a〜103dの他の組み合わせについても行う。すなわち、制御部18は、第2検出部103bおよび第3検出部103cの組み合わせ、第3検出部103cおよび第4検出部103dの組み合わせ、第4検出部103dおよび第1検出部103aの組み合わせについても、上記と同様の手順でずれ量を算出する。
そして、制御部18は、算出した各ずれ量のうち最大値である最大ずれ量が、予め決められた第2閾値以内であるか否かを判定し、最大ずれ量が第2閾値を超える場合には、保持部102に保持された複数のウェハWのいずれかに位置ずれが生じていると判定する。
隣接する2個の検出部103a〜103dが同一のウェハWo’の外縁を検出したと仮定して算出されるずれ量は、隣接する2個の検出部103a〜103dがそれぞれ異なるウェハWの外縁を検出した場合の各ウェハWのずれ量よりも大きくなる。本実施形態に係る基板搬送装置13では、この点に着目し、検出部103a〜103dの組み合わせ毎に、隣接する2個の検出部103a〜103dが同一のウェハWo’の外縁を検出したと仮定した場合におけるウェハWo’の基準位置oからのずれ量を算出し、算出したずれ量のうち最大値を、保持部102によって保持された複数のウェハWの基準位置oからの最大ずれ量として推定することとした。これにより、最大ずれ量が第2閾値を超えていれば、複数のウェハWのうちいずれかが第2閾値を超えていることがわかる。逆に言えば、最大ずれ量が第2閾値以内であれば、複数のウェハWの全てが第2閾値以内であることがわかる。
このように、本実施形態に係る基板搬送装置13では、上述した第3判定処理を行うことにより、複数のウェハWを多段に保持する場合であっても、ウェハWの位置ずれの有無を精度良く判定することができる。したがって、本実施形態に係る基板搬送装置13によれば、複数のウェハWを高い搬送信頼性をもって一括搬送することができる。
また、本実施形態に係る基板搬送装置13では、第3判定処理に先立って第1判定処理および第2判定処理を行うこととした。第1判定処理および第2判定処理は、第3判定処理と比較して処理負荷が小さいため、はじめから第3判定処理を行う場合と比較して、ウェハWの位置ずれを短時間で検出することができる。
<基板搬送装置13の具体的動作>
次に、基板搬送装置13の具体的動作について図11を参照して説明する。図11は、基板搬送処理13の処理手順を示すフローチャートである。なお、図11には、キャリア載置部11からウェハWを取り出した後、キャリア載置部11から取り出したウェハWを受渡部14へ搬入するまでの処理手順を示している。
図11に示すように、制御部18は、まず、基板搬送装置13を制御して、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを搬出する搬出処理を行わせる(ステップS101)。具体的には、制御部18は、基板搬送装置13をキャリアCと対向する位置まで移動させた後、保持部102を前進させてキャリアCから複数(たとえば、5枚)のウェハWを同時に保持させる。その後、制御部18は、保持部102をホームポジションまで後退させる。
つづいて、制御部18は、上述した位置ずれ判定処理を行った後(ステップS102)、基板搬送装置13を制御して、受渡部14に対向する位置まで移動する移動処理を行わせる(ステップS103)。
つづいて、制御部18は、位置ずれ判定処理を再度行った後(ステップS104)、基板搬送装置13を制御して、保持部102で保持した複数のウェハWを受渡部14へ搬入する搬入処理を行わせる(ステップS105)。
次に、ステップS102およびステップS104に示す位置ずれ判定処理の処理手順について図12を参照して説明する。
図12に示すように、制御部18は、第1検出部103a〜第4検出部103dの検出結果を取得する(ステップS201)。つづいて、制御部18は、第1判定処理として、全ての検出部103a〜103dの検出範囲内にウェハWの外縁が含まれるか否かを判定する(ステップS202)。
ステップS202において、全ての検出部103a〜103dの検出範囲内にウェハWの外縁が含まれると判定すると(ステップS202,Yes)、制御部18は、第2判定処理として、検出部103a〜103dによってそれぞれ検出されたウェハWの外縁が全て第1閾値範囲T内に含まれるか否かを判定する(ステップS203)。
ステップS203において、検出部103a〜103dによってそれぞれ検出されたウェハWの外縁が全て第1閾値範囲T内に含まれると判定すると(ステップS203,Yes)、制御部18は、第3判定処理を行う。
具体的には、制御部18は、第1検出部103aおよび第2検出部103bの検出結果に基づき、ウェハWo’の基準位置oからのずれ量を算出する(ステップS204)。また、制御部18は、第2検出部103bおよび第3検出部103cの検出結果に基づき、ウェハWo’の基準位置oからのずれ量を算出する(ステップS205)。また、制御部18は、第3検出部103cおよび第4検出部103dの検出結果に基づき、ウェハWo’の基準位置oからのずれ量を算出する(ステップS206)。また、制御部18は、第4検出部103dおよび第1検出部103aの検出結果に基づき、ウェハWo’の基準位置oからのずれ量を算出する(ステップS207)。そして、制御部18は、ステップS204〜S207において算出したずれ量のうち最大値である最大ずれ量が第2閾値以内であるか否かを判定する(ステップS208)。
ステップS208において、最大ずれ量が第2閾値以内であると判定した場合(ステップS208,Yes)、制御部18は、位置ずれ判定処理を終えて、図11に示すステップS103またはステップS105の処理へ移行する。
一方、ステップS202において、いずれかの検出部103a〜103dの検出範囲内にウェハWの外縁が含まれない場合(ステップS202,No)、ステップS203において、いずれかの検出部103a〜103dによって検出されたウェハWの外縁が第1閾値範囲T内に含まれない場合(ステップS203,No)、ステップS208において、最大ずれ量が第2閾値を超える場合(ステップS208,No)、制御部18は、位置補正処理を行ったうえで(ステップS209)、図11に示すステップS103またはステップS105の処理へ移行する。
<位置補正処理の内容>
ここで、ステップS209に示す位置補正処理の内容について図13〜図17を参照して説明する。図13は、一時載置部の配置を示す図である。また、図14〜図17は、位置補正処理の説明図である。
図13に示すように、本実施形態に係る基板処理システム1は、搬入出ステーション2の搬送部12に、一時載置部123を備える。一時載置部123は、保持部102に保持された複数のウェハWを多段に載置可能な載置部である。
図14に示すように、基板搬送装置13は、一時載置部123と対向する位置まで移動した後、保持部102が備える複数のフォーク111〜115のうちフォーク111〜114を前進させて、フォーク111〜114に保持されたウェハWを一時載置部123に載置する。これにより、基板搬送装置13は、フォーク115に1枚のウェハWを保持した状態となる。なお、基板搬送装置13は、全てのウェハWを一時載置部123に載置した後、フォーク115を用いて1枚のウェハWを取り出すようにしてもよい。
なお、図14では、フォーク115に保持されたウェハWの中心位置をP1、位置ずれしていないウェハWの一時載置部123における中心位置をP2で示している。
つづいて、図15に示すように、基板搬送装置13は、フォーク111〜114をホームポジションまで後退させた後、検出部103a〜103dを用いてフォーク115に保持された1枚のウェハWの外縁を検出する。
制御部18は、検出部103a〜103dの検出結果に基づいてフォーク115に保持されたウェハWの中心位置P1を算出する。たとえば、制御部18は、3個の検出部103a〜103dの検出結果を用いてウェハWの中心位置を算出する処理を、検出部103a〜103dの組み合わせ毎に行う。すなわち、制御部18は、第1検出部103a、第2検出部103bおよび第3検出部103cの検出結果を用いてウェハWの中心位置を算出し、第2検出部103b、第3検出部103cおよび第4検出部103dの検出結果を用いてウェハWの中心位置を算出し、第3検出部103c、第4検出部103dおよび第1検出部103aの検出結果を用いてウェハWの中心位置を算出し、第4検出部103d、第1検出部103aおよび第2検出部103bの検出結果を用いてウェハWの中心位置を算出する。そして、制御部18は、算出した複数の中心位置の平均値をウェハWの中心位置P1として算出する。また、制御部18は、ウェハWの中心位置P1の基準位置oからのずれ量を算出する。
つづいて、図16に示すように、制御部18は、算出したずれ量に応じて保持部102の位置を変更させることによって、ウェハWの中心位置P1を移動前の基準位置o(すなわち、図15に示す基準位置o)に一致させる。そして、図17に示すように、制御部18は、フォーク115を前進させてフォーク115に保持されたウェハWを一時載置部123に載置する。これにより、かかるウェハWの位置ずれを解消することができる。
また、制御部18は、残りのウェハWについて、フォーク115を用いて一時載置部123から1枚取り出し、取り出したウェハWの基準位置oからのずれ量を検出部103a〜103dの検出結果に基づいて算出し、算出したずれ量に応じて保持部102の位置を変更したうえで、かかるウェハWを一時載置部123に収容する処理を繰り返す。これにより、全てのウェハWの位置ずれが解消される。その後、制御部18は、一時載置部123に収容された全てのウェハWを保持部102に保持させて一時載置部123から取り出した後、図11に示すステップS103またはステップS105の処理を行う。
このように、本実施形態に係る基板搬送装置13では、位置補正処理を行うことにより、位置ずれを補正することが可能である。
なお、上記の例では、位置ずれが検出された場合に一律に位置補正処理を行うこととしたが、位置ずれの程度に応じて位置補正処理を行うか否かを判定してもよい。たとえば、ステップS202において位置ずれが検出された場合、ウェハWが大きく位置ずれしている可能性があるため、位置補正処理後のウェハWを一時載置部123へ搬入する際に、フォーク115が一時載置部123の側壁等にぶつかるおそれがある。そこで、ステップS202において位置ずれが検出された場合、制御部18は、基板搬送処理を中止してアラームを発生させるなどの異常対応処理を行ってもよい。
また、制御部18は、ステップS203において位置ずれが検出された場合に、検出部103a〜103dによって検出されたウェハWの外縁の第1閾値範囲Tの中心位置からのずれ量を算出し、算出したずれ量が所定の閾値以内である場合には位置補正処理を行い、所定の閾値を超える場合には異常対応処理を行うこととしてもよい。また、制御部18は、ステップS208において位置ずれが検出された場合に、最大ずれ量を第2閾値よりも大きい所定の閾値と比較し、最大ずれ量がかかる閾値以内である場合には位置補正処理を行い、かかる閾値を超える場合には異常対応処理を行うこととしてもよい。
また、上記の例では、全てのウェハWの位置ずれを補正した後、全てのウェハWを一括して一時載置部123から取り出すこととしたが、制御部18は、たとえば、ウェハWの位置ずれを補正し、補正後のウェハWについてステップS103またはステップS105の処理を行う動作を1枚ずつ行ってもよい。
上述してきたように、本実施形態に係る基板搬送装置13は、基台101と、保持部102と、少なくとも3個の検出部103a〜103dと、制御部18とを備える。保持部102は、基台101に対して進退自在に設けられ、複数のウェハWを多段に保持可能である。検出部103a〜103dは、保持部102に保持されたウェハWの外縁をそれぞれ異なる位置で検出する。制御部18は、検出部103a〜103dの検出結果に基づきウェハWの位置を推定し、推定したウェハWの位置と予め決められた基準位置oとのずれ量を算出し、算出したずれ量が第2閾値以内であると判定した場合に、保持部102に保持された複数のウェハWの搬送を実行させる。
したがって、本実施形態に係る基板搬送装置13によれば、複数のウェハWを高い搬送信頼性をもって一括搬送することができる。
なお、上述した実施形態では、基板搬送装置13が4個の検出部103a〜103dを備える場合の例について説明したが、基板搬送装置13は、少なくとも3個の検出部を備えていればよい。
また、上述した実施形態では、位置ずれ判定処理として、「第1判定処理」、「第2判定処理」および「第3判定処理」を行う場合の例を示したが、基板搬送装置13は、必ずしも「第1判定処理」および「第2判定処理」を行うことを要しない。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
W ウェハ
1 基板処理システム
13 基板搬送装置
16 処理ユニット
18 制御部
101 基台
102 保持部
103a〜103d 第1検出部〜第4検出部
111〜115 フォーク
120 移動機構
121 第1移動機構
122 第2移動機構
131 投光部
132 受光部

Claims (10)

  1. 基台と、
    前記基台に対して進退自在に設けられ、複数の基板を多段に保持可能な保持部と、
    前記保持部に保持された前記基板の外縁をそれぞれ異なる位置で検出する少なくとも3個の検出部と、
    前記検出部の検出結果に基づき前記基板の位置を推定し、推定した前記基板の位置と予め決められた基準位置とのずれ量を算出し、算出したずれ量が閾値以内であると判定した場合に、前記保持部に保持された複数の前記基板の搬送を実行させる制御部と
    を備えることを特徴とする基板搬送装置。
  2. 前記制御部は、
    隣接する2個の前記検出部が同一の前記基板の外縁を検出したと仮定した場合における当該基板の前記基準位置からのずれ量を算出し、他の隣接する2個の前記検出部についても前記ずれ量を算出し、算出した複数のずれ量の最大値が閾値以内であるか否かを判定すること
    を特徴とする請求項1に記載の基板搬送装置。
  3. 前記保持部に保持された複数の前記基板を収容可能な一時載置部
    を備え、
    前記制御部は、
    前記ずれ量が前記閾値を超える場合に、前記保持部に保持された複数の前記基板のうち1枚を前記保持部に保持させ、残りの基板を前記一時載置部に収容させた後、前記保持部に保持された前記1枚の基板の外縁を前記検出部を用いて再度検出させ、前記検出部の検出結果に基づいて前記1枚の基板の前記基準位置からのずれ量を算出し、算出したずれ量に応じて前記保持部の位置を変更して、前記1枚の基板の位置を前記基準位置に一致させること
    を特徴とする請求項1または2に記載の基板搬送装置。
  4. 前記制御部は、
    前記保持部の位置を変更したうえで前記1枚の基板を前記一時載置部へ収容させた後、前記一時載置部から他の1枚の前記基板を取り出し、前記検出部の検出結果に基づいて当該基板の前記基準位置からのずれ量を算出し、算出したずれ量に応じて前記保持部の位置を変更したうえで当該基板を前記一時載置部へ収容させる処理を、前記残りの基板について繰り返し、その後、前記一時載置部に収容された全ての前記基板を前記保持部に保持させること
    を特徴とする請求項3に記載の基板搬送装置。
  5. 前記制御部は、
    全ての前記検出部について、当該検出部によって検出された前記基板の外縁が、当該検出部の検出範囲内に含まれると判定した場合に、前記ずれ量が閾値以内であるか否かの判定を行うこと
    を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
  6. 前記制御部は、
    全ての前記検出部について、当該検出部によって検出された前記基板の外縁が、当該検出部の検出範囲内に含まれると判定し、さらに、当該検出部によって検出された前記基板の外縁が、当該検出部の検出範囲のうちの所定範囲内に含まれると判定した場合に、前記ずれ量が閾値以内であるか否かの判定を行うこと
    を特徴とする請求項5に記載の基板搬送装置。
  7. 前記検出部が有する受光部は、
    リニアイメージセンサであること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
  8. 前記リニアイメージセンサは、
    受光素子の配列方向に沿って延びる仮想的な直線が前記基準位置を通るように配置されること
    を特徴とする請求項7に記載の基板搬送装置。
  9. 前記リニアイメージセンサは、
    前記基台に設けられること
    を特徴とする請求項7または8に記載の基板搬送装置。
  10. 基台と、前記基台に対して進退自在に設けられ、複数の基板を多段に保持可能な保持部と、前記保持部に保持された前記基板の外縁をそれぞれ異なる位置で検出する少なくとも3個の検出部とを備える基板搬送装置における基板搬送方法であって、
    前記検出部を用いて、前記保持部に保持された前記基板の外縁をそれぞれ異なる位置で検出する検出工程と、
    前記検出部の検出結果に基づき前記基板の位置を推定し、推定した前記基板の位置と予め決められた基準位置とのずれ量を算出し、算出したずれ量が閾値以内であると判定した場合に、前記保持部に保持された複数の前記基板の搬送を実行させる制御工程と
    を含むことを特徴とする基板搬送方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136397A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014028072A1 (en) 2012-08-17 2014-02-20 Flextronics Ap, Llc Interactive channel navigation and switching
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
JP6862903B2 (ja) * 2017-02-23 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
DE112017007612B4 (de) 2017-06-06 2024-04-11 Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems, Ltd. Reifenfördervorrichtung, damit ausgestattetes Reifeninspektionssystem sowie Reifenförderverfahren
TWI660163B (zh) * 2017-06-08 2019-05-21 日商三菱重工機械系統股份有限公司 輪胎搬運裝置、具備其的輪胎試驗系統及輪胎搬運方法
KR102059567B1 (ko) * 2017-08-21 2019-12-27 피에스케이홀딩스 (주) 기판 반송 장치
JP7023094B2 (ja) * 2017-12-05 2022-02-21 日本電産サンキョー株式会社 ロボット
US11923220B2 (en) * 2018-01-26 2024-03-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
KR102099115B1 (ko) * 2018-06-08 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 틀어짐 보정 방법
WO2020100381A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
CN111063636B (zh) * 2019-11-28 2023-03-24 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆水平偏差检测方法、检测装置和炉管设备
JP2022041221A (ja) * 2020-08-31 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムの制御方法及び基板搬送システム
KR102624577B1 (ko) * 2020-10-28 2024-01-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274143A (ja) * 1995-02-02 1996-10-18 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び搬送方法
JPH10340940A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Anelva Corp 基板搬送システム及び半導体製造装置
JP2000357724A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板搬送部材およびそれの有無検知方法
JP2003068829A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Anelva Corp 基板搬送システム及び基板処理装置
JP2004214462A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Tokyo Electron Ltd 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
JP2005101069A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 搬送装置及び基板処理装置
JP2012038922A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013161915A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP2013165119A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198976B1 (en) * 1998-03-04 2001-03-06 Applied Materials, Inc. On the fly center-finding during substrate handling in a processing system
KR101015778B1 (ko) * 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
BRPI0305983B1 (pt) * 2003-12-30 2015-09-22 Brasil Compressores Sa sistema de controle e disparo de um triac e método de controle de disparo de um triac
WO2006038584A1 (ja) * 2004-10-06 2006-04-13 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP5058836B2 (ja) * 2007-05-08 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理方法、被処理体の認識方法および記憶媒体
JP2009049200A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5871845B2 (ja) * 2013-03-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274143A (ja) * 1995-02-02 1996-10-18 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び搬送方法
JPH10340940A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Anelva Corp 基板搬送システム及び半導体製造装置
JP2000357724A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板搬送部材およびそれの有無検知方法
JP2003068829A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Anelva Corp 基板搬送システム及び基板処理装置
JP2004214462A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Tokyo Electron Ltd 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
JP2005101069A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 搬送装置及び基板処理装置
JP2012038922A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013161915A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP2013165119A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136397A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7211142B2 (ja) 2019-02-15 2023-01-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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