JP2016066776A - 半導体膜、半導体装置、並びに表示装置、モジュール及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である酸化物半導体膜の一例について説明する。
本発明の一態様の酸化物半導体膜であるIn−M−Zn酸化物膜の原子数の比をIn:M:Zn=x:y:zと表す。x、y及びzの好ましい範囲について、図1及び図2を用いて説明する。
次に、酸化物半導体膜の構造について説明する。
次に、ナノビーム電子回折について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である酸化物半導体膜の一例について説明する。
以下では、nc−OSの成膜モデルについて説明する。
以下では、nc−OSの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説明する。
次に、In−M−Zn酸化物膜の密度を評価した。ターゲットとしてIn:Ga:Zn=1:1:1の多結晶のIn−Ga−Zn酸化物を用い、DCスパッタリング法でnc−OSを成膜した。圧力は0.4Paとし、成膜温度は室温、電源電力は100W、成膜ガスとしてアルゴン及び酸素を用い、それぞれの流量はアルゴンを98sccm、酸素を2sccmとした。得られたIn−Ga−Zn酸化物の密度は、6.1g/cm3であった。ここで、非特許文献2より、単結晶のInGaZnO4の密度は6.357g/cm3である。また、JCPDSカード、No.00−038−1097に記載されている通り、単結晶のIn2Ga2ZnO7の密度は6.494g/cm3であることが知られている。よって、得られたnc−OS膜は、高い密度を有する優れた膜であることがわかる。
ここで本発明の一態様である酸化物半導体膜として、例えばIn−M−Zn酸化物膜を用いることが好ましい。In−M−Zn酸化物が有するIn,M及びZnの原子数比をIn:M:Zn=x:y:zとする。
本実施の形態では、本発明の一態様である酸化物半導体膜を用いたトランジスタの一例について説明する。
酸化物半導体膜を用いたトランジスタの一例について、図12を用いて説明する。
本発明の一態様である酸化物半導体膜を用いたトランジスタの、図12とは異なる構造の一例について、図13を用いて説明を行う。図13(A)は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ100の上面図であり、図13(B)は、図13(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図13(C)は、図13(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
トランジスタ100の変形例を図30乃至図33に示す。例えばトランジスタ100は、図30に示す構造でもよい。図30は、導電層104a及び導電層104bの形状が図12と異なる。なお、図30(B)は、図30(A)に示す一点鎖線A−Bを通り、図30(A)と垂直な面の断面を示す。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図34乃至図36を用いて以下説明を行う。
図35及び図36に示す表示装置700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790(容量素子790aまたは容量素子790b)を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図35に示す表示装置700は、容量素子790aを有する。容量素子790aは、一対の電極間に誘電体を有する構造である。より詳しくは、容量素子790aの一方の電極としては、トランジスタ750の半導体層として機能する酸化物半導体膜と同一の工程を経て形成された導電性の高い酸化物半導体膜を用い、容量素子790aの他方の電極としては、トランジスタ750と電気的に接続される導電層772を用いる。また、一対の電極間に挟持される誘電体としては、絶縁膜768を用いる。
酸素欠損が形成された酸化物半導体に水素を添加すると、酸素欠損サイトに水素が入り伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体は、導電性が高くなり、導電体化する。導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体ということができる。一般に、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。一方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、該ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透光性を有する。
図36に示す表示装置700は、容量素子790bを有する。容量素子790bは、一対の電極間に誘電体を有する構造である。より詳しくは、容量素子790bの一方の電極としては、トランジスタ750のゲート電極として機能する導電膜と同一工程で形成された導電膜を用い、容量素子790bの他方の電極としては、トランジスタ750のソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を用いる。また、一対の電極間に挟持される誘電体としては、トランジスタ750のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜を用いる。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図26を用いて説明を行う。
以下では、本発明の一態様の酸化物半導体を用いた半導体装置の例を説明する。
図37(A)は本発明の一態様の半導体装置の回路図の一例である。図37(A)に示す半導体装置は、トランジスタ100と、トランジスタ130と、容量素子150と、配線WBLと、配線RBLと、配線WLと、配線CLと、配線BGと、配線SLと、を有する。
トランジスタ130は、半導体基板131に設けられ、半導体基板131の一部からなる半導体層132、ゲート絶縁膜134、ゲート電極135、及びソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗層133a及び低抵抗層133bを有する。
絶縁膜114の上部には、トランジスタ100が設けられている。図38に示す一例では、トランジスタ100として図12に示したトランジスタを用いる。
次に、図38の半導体装置の作製方法の一例について、図39乃至図42を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
実施の形態1を適用する半導体装置において示した構成において、トランジスタや配線、電極の接続構成を異ならせることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図37(C)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。なお図中、第2の半導体材料が適用されたトランジスタには「OS」の記号を付して示している。ここで、本実施の形態で示すCMOS回路は、NAND回路、NOR回路、エンコーダ、デコーダ、MUX(multiplamplifier)、DEMUX(demultiplexer)などの論理回路の基本素子として利用されうる。
また図37(D)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュールについて、図27を用いて説明を行う。
本実施の形態では、上記実施の形態で例示したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図28を用いて説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図57に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るRFタグの使用例について図56を用いながら説明する。RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図56(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図56(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図56(B)参照)、乗り物類(自転車等、図56(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図56(E)、図56(F)参照)等に設けて使用することができる。
シリコンウェハに熱酸化を施して酸化シリコン膜を100nm形成した。その後、酸化物半導体膜として、スパッタリング法によりIn−Ga−Zn酸化物を100nm形成した。スパッタリング法の条件として、ターゲットはIn:Ga:Zn=1:1:1(原子数比)の多結晶のIn−Ga−Zn酸化物を用い、電源は0.5kW(DC)とし、基板とターゲット間の距離は60mmとした。また成膜ガスとしてアルゴン及び酸素を用い、それぞれの流量はアルゴンを30sccm、酸素を15sccmとした。圧力は、0.4Paとした。基板温度は、試料E1−1では170℃とし、試料F1−1では300℃とした。
次にXRD装置を用いて評価を行った結果を説明する。XRD装置は、多機能薄膜材料評価X線回折装置D8 DISCOVER Hybrid(Bruker AXS社製)を用いて、各試料の評価を行った。図43はOut−Of−Plane法による解析結果である。図43(A)に試料E1−1、(B)に試料F1−1の結果を示す。いずれの試料でも2θ=31°近傍にピークがみられた。170℃で成膜した条件はピークがブロードで、300℃で成膜した条件ではピークがより鋭くなる傾向がみられた。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属されることから、成膜温度をより高くすることによりc軸配向性を有する酸化物半導体膜の結晶が増加すると示唆される。
次に、膜密度を測定した。膜密度の評価には、XRR(X線反射率法:X−ray Reflectometry)を用いた。得られた膜密度は、試料E1−1が6.18[g/cm3]、試料F1−1が6.36[g/cm3]であった。いずれの条件においても緻密で良好な膜が得られた。
次に、試料E1−1及び試料F1−1について、ナノビーム電子回折による解析を行った。電子回折の取得には、日立ハイテクノロジーズ製「HF−2000」を用いた。加速電圧は200kVとした。
12 領域
13 領域
14 領域
15 領域
16 領域
21 垂線
22 垂線
23 垂線
50 基板
51 絶縁膜
100 トランジスタ
101 半導体層
101a 絶縁体層
101b 半導体層
101c 絶縁体層
102 ゲート絶縁膜
103 ゲート電極
104a 導電層
104b 導電層
105 導電層
111 バリア膜
112 絶縁膜
113 絶縁膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
123 プラグ
124 配線
130 トランジスタ
131 半導体基板
132 半導体層
133a 低抵抗層
133b 低抵抗層
134 ゲート絶縁膜
135 ゲート電極
136 絶縁膜
137 絶縁膜
138 絶縁膜
139 プラグ
140 プラグ
143 導電層
150 容量素子
151 導電層
152a 導電層
152b 導電層
160 トランジスタ
164 プラグ
165 プラグ
166 配線
171a 低抵抗層
171b 低抵抗層
176a 領域
176b 領域
181 素子分離層
190 トランジスタ
191 トランジスタ
201 半導体層
201a 半導体層
201b 半導体層
202 ゲート絶縁膜
202a ゲート絶縁膜
202b ゲート絶縁膜
203a ゲート電極
203b 電極
204a 導電層
204b 導電層
214 絶縁膜
215 絶縁膜
216 絶縁膜
218 絶縁膜
251 導電層
281 ハードマスク
321 プラグ
322 プラグ
324 領域
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
552 トランジスタ
554 トランジスタ
560 容量素子
562 容量素子
570 液晶素子
572 発光素子
610 電子銃室
612 光学系
614 試料室
616 光学系
618 カメラ
620 観察室
622 フィルム室
624 電子
632 蛍光板
700 表示装置
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
730 絶縁膜
732 封止膜
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
764 絶縁膜
766 絶縁膜
768 絶縁膜
770 平坦化絶縁膜
772 導電層
774 導電層
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
780 異方性導電層
782 発光素子
784 導電層
786 EL層
788 導電層
790 容量素子
790a 容量素子
790b 容量素子
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
4000 RFタグ
5100 ペレット
5100a ペレット
5100b ペレット
5101 イオン
5120 基板
5130 ターゲット
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (19)
- インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
前記元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または、スズの少なくとも一つ選ばれた元素であり、
前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の原子数の比は、前記インジウム:前記元素M
:前記亜鉛=x:y:zを満たし、
前記x、前記y及び前記zは前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の3つの元素を頂点とした平衡状態図において、
第1の座標(x:y:z=8:14:7)と、
第2の座標(x:y:z=2:4:3)と、
第3の座標(x:y:z=2:5:7)と、
第4の座標(x:y:z=51:149:300)と、
第5の座標(x:y:z=46:288:833)と、
第6の座標(x:y:z=0:2:11)と、
第7の座標(x:y:z=0:0:1)と、
第8の座標(x:y:z=1:0:0)と、
前記第1の座標とを順番に線分で結んだ範囲内の原子数の比を有し、
前記範囲は、前記第1の座標乃至前記第6の座標を含み、前記第7の座標及び前記第8の座標を含まず、
プローブ径の半値幅が1nmである電子線を用いて、
前記酸化物半導体膜の被形成面に対して、前記酸化物半導体膜の位置と前記電子線の位置とを相対的に移動させながら電子線を照射することにより、複数の電子回折パターンを観測した場合において、
前記複数の電子回折パターンは、互いに異なる箇所で観測された50個以上の電子回折パターンを有し、
前記50個以上の電子回折パターンのうち、第1の電子回折パターンを有する割合と、第2の電子回折パターンを有する割合の和が、100%であり、
前記第1の電子回折パターンは、対称性を有さない観測点、または円を描くように配置された複数の観測点を有し、
前記第2の電子回折パターンは、六角形の頂点に位置する観測点を有することを特徴とする酸化物半導体膜。 - プローブ径の半値幅が1nmである電子線を用いて、
前記酸化物半導体膜の被形成面に対して、前記酸化物半導体膜の位置と前記電子線の位置とを相対的に移動させながら電子線を照射することにより、複数の電子回折パターンを観測した場合において、
前記複数の電子回折パターンは、互いに異なる箇所で観測された50個以上の電子回折パターンを有し、
前記50個以上の電子回折パターンのうち、第1の電子回折パターンを有する割合と、第2の電子回折パターンを有する割合の和が、100%であり、
前記第1の電子回折パターンを有する割合は50%以上であり、
前記第1の電子回折パターンは、対称性を有さない観測点、または円を描くように配置された複数の観測点を有し、
前記第2の電子回折パターンは、六角形の頂点に位置する観測点を有することを特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項2において、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有し、
前記元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズの少なくとも一つから選ばれた元素であり、
前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の原子数の比は、インジウム:元素M:亜鉛=x:y:zを満たし、
前記x、前記y及び前記zは前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の3つの元素を頂点とした平衡状態図において、
第1の座標(x:y:z=8:14:7)と、
第2の座標(x:y:z=2:4:3)と、
第3の座標(x:y:z=2:5:7)と、
第4の座標(x:y:z=51:149:300)と、
第5の座標(x:y:z=46:288:833)と、
第6の座標(x:y:z=0:2:11)と、
第7の座標(x:y:z=0:0:1)と、
第8の座標(x:y:z=1:0:0)と、
前記第1の座標とを、順番に線分で結んだ範囲内の原子数の比を有し、
前記範囲は、前記第1の座標乃至前記第6の座標を含み、前記第7の座標及び前記第8の座標は含まないことを特徴とする酸化物半導体膜。 - インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜は、ランダムに配置する複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部の長手方向の径の平均は、1nm以上3nm以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。 - インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズの少なくとも一つから選ばれた元素であり、
前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の原子数の比は、インジウム:元素M:亜鉛=x:y:zを満たし、
前記x、前記y及び前記zは前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の3つの元素を頂点とした平衡状態図において、
第1の座標(x:y:z=8:14:7)と、
第2の座標(x:y:z=2:4:3)と、
第3の座標(x:y:z=2:5:7)と、
第4の座標(x:y:z=51:149:300)と、
第5の座標(x:y:z=46:288:833)と、
第6の座標(x:y:z=0:2:11)と、
第7の座標(x:y:z=0:0:1)と、
第8の座標(x:y:z=1:0:0)と、
前記第1の座標とを、順番に線分で結んだ範囲内の原子数の比を有し、
前記範囲は、前記第1の座標乃至前記第6の座標を含み、前記第7の座標及び前記第8の座標は含まず、
前記酸化物半導体膜の密度は、同じ原子数比を有する単結晶の密度の90%以上であることを特徴とする酸化物半導体膜。 - インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
前記元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズの少なくとも一つから選ばれた元素であり、
前記酸化物半導体膜は、ランダムに配置する複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部は、配向性を有さず、
前記複数の結晶部の長手方向の径の1nm以上3nm以下の結晶を有し、
前記酸化物半導体膜の密度は、同じ原子数比を有する単結晶の密度の90%以上であることを特徴とする酸化物半導体膜。 - インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜は、複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部は、配向性を有さず、
前記複数の結晶部の長手方向の径の平均は、1nm以上3nm以下であり、
前記酸化物半導体膜の密度は、5.7g/cm3以上6.49g/cm3以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項1乃至請求項3において、
前記酸化物半導体膜の密度は、同じ原子数比を有する単結晶の密度の90%以上であることを特徴とする酸化物半導体膜。 - インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜は、ランダムに配置する複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部は、配向性を有さず、
前記複数の結晶部の長手方向の径の平均A[nm]は、1nm以上3nm以下であり、
電子ビームエネルギーが1×107[e−/nm2]以上4×108[e−/nm2]未満に照射された後の、前記結晶部の長手方向の径の平均B[nm]は、A×0.7より大きく、A×1.3より小さいことを特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成され、
前記スパッタリング法に用いられるターゲットはインジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有し、
前記ターゲットが有する前記インジウム、前記元素M、及び前記亜鉛の原子数比は、インジウム:元素M:亜鉛=a:b:cを満たし、
前記a、前記b、及び前記cは、前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の3つの元素を頂点とした平衡状態図において、
第1の座標(a:b:c=8:14:7)と、
第2の座標(a:b:c=2:4:3)と、
第3の座標(a:b:c=1:2:5.1)と、
第4の座標(a:b:c=1:0:1.7)と、
第5の座標(a:b:c=8:0:1)と、
第6の座標(a:b:c=6:2:1)と、
前記第1の座標とを、順番に線分で結んだ範囲内の原子数の比を有し、
前記範囲は、前記第1の座標乃至前記第6の座標を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の酸化物半導体膜を有する半導体装置。
- 請求項11において、
第1の導電層と、
前記第1の導電層の上面及び側面に接する第1の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上面に接する一対の電極と、
を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第1の絶縁膜の上面に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、
第1の導電層と、
前記第1の導電層の上面及び側面に接する第1の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上面に接する第2の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上面及び前記第2の絶縁膜の上面及び側面に接する一対の電極と
を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第1の絶縁膜の上面に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、
前記酸化物半導体膜の上面と接する第2の酸化物膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項14において、
前記酸化物半導体膜が有する酸化物の電子親和力は、前記第2の酸化物膜が有する酸化物の電子親和力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項15において、
前記第2の酸化物膜は、インジウムと、元素Mと、亜鉛と、を有し、
前記元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズの少なくとも一つから選ばれた元素であり、
前記第2の酸化物膜が有する前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の原子数の比は、インジウム:元素M:亜鉛=x2:y2:z2で表され、
前記(x2:y2:z2)は、前記インジウム、前記元素M及び前記亜鉛の3つの元素を頂点とした平衡状態図において、
第1の座標(8:14:7)と、
第2の座標(2:4:3)と、
第3の座標(2:5:7)と、
第4の座標(51:149:300)と、
第5の座標(1:4:10)と、
第6の座標(1:1:4)と、
第7の座標(2:2:1)と、
前記第1の座標とを、順番に線分で結んだ範囲内の原子数の比を有し、
前記範囲は、前記第1の座標乃至前記第7の座標を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11乃至請求項16のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示素子と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項11乃至請求項16のいずれか一に記載の半導体装置、または、請求項17に記載の表示装置と、
FPCと、
を有することを特徴とするモジュール。 - 請求項11乃至請求項16のいずれか一に記載の半導体装置、請求項17に記載の表示装置、または、請求項18に記載のモジュールと、
マイクロフォン、スピーカー、または、操作キーと、
を有することを特徴とする電子機器。
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