JP2016001722A - 半導体装置及び該半導体装置を含む電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、ソース電極は、酸化物半導体膜と接する領域を有し、ドレイン電極は、酸化物半導体膜と接する領域を有し、ゲート絶縁膜は、酸化物半導体膜と、ゲート電極との間に設けられ、絶縁膜は、ゲート電極上と、ゲート絶縁膜上と、に設けられ、絶縁膜は、第1の部分と、第2の部分と、を有し、第1の部分は、段差状になっている部分を有し、第2の部分は、段差状になっていない部分を有し、第1の部分は、第1の膜厚である部分を有し、第2の部分は、第2の膜厚である部分を有し、第2の膜厚は、第1の膜厚の1.0倍以上2.0倍以下である。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置、及びその作製方法について図面を参照して説明する。半導体装置の一例としてトランジスタを用いて説明する。
実施の形態1に示すトランジスタ150は、酸化物半導体膜が3層であったが、これに限られず、酸化物半導体膜が単層、2層、4層以上であってもよい。図5に酸化物半導体膜が単層の場合、図6に酸化物半導体膜が2層の場合について図示する。
また、上記構成において、図7(A)乃至図7(C)に示すようにオフセット領域を低抵抗化したセルフアライン構造とすることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
図10(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図10(A)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100を有している。トランジスタ2100には先の実施の形態で説明したトランジスタを用いることができ、図10(A)ではトランジスタ2100として、トランジスタ150を適用した例を示している。なお、一点鎖線より左側がトランジスタのチャネル長方向の断面、右側がチャネル幅方向の断面である。
上記構成において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極の接続構成を異ならせることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図10(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。
また、図10(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図11に示す。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図12を参照して説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した表示装置の構成例について説明する。
図15(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図15(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図15(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図15(B)に示す。ここでは、一例としてVA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図15(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図16を用いて説明を行う。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図17に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るRFデバイスの使用例について図18を用いながら説明する。RFデバイスの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図18(A)参照)、乗り物類(自転車等、図18(C)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図18(D)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図18(B)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図18(E)、図18(F)参照)等に設けて使用することができる。
101a 酸化物半導体膜
101b 酸化物半導体膜
101c 酸化物半導体膜
102 下地絶縁膜
103a ソース電極
103b ドレイン電極
104 ゲート絶縁膜
105 ゲート電極
107 絶縁膜
108 絶縁膜
109a 絶縁膜
109b 絶縁膜
110a 配線
110b 配線
141 低抵抗領域
142 低抵抗領域
150 トランジスタ
150a トランジスタ
150b トランジスタ
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 データ線
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁膜
2202 配線
2203 プラグ
2204 絶縁膜
2205 配線
2206 配線
2207 絶縁膜
2208 ブロック膜
2211 半導体基板
2212 絶縁膜
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁膜
2215 ソース領域及びドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFデバイス
5100 ペレット
5120 基板
5161 領域
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (5)
- 酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と、前記ゲート電極との間に設けられ、
前記絶縁膜は、前記ゲート電極上と、前記ゲート絶縁膜上と、に設けられ、
前記絶縁膜は、第1の部分と、第2の部分と、を有し、
前記第1の部分は、段差状になっている部分を有し、
前記第2の部分は、段差状になっていない部分を有し、
前記第1の部分は、第1の膜厚である部分を有し、
前記第2の部分は、第2の膜厚である部分を有し、
前記第2の膜厚は、前記第1の膜厚の1.0倍以上2.0倍以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記絶縁膜は、酸素と、アルミニウムと、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記絶縁膜は、原子層成膜法により形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の膜厚である部分は、前記ゲート電極と互いに重なる第1の領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と互いに重なる第2の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
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