JP2016009180A - マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム - Google Patents
マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016009180A JP2016009180A JP2014131938A JP2014131938A JP2016009180A JP 2016009180 A JP2016009180 A JP 2016009180A JP 2014131938 A JP2014131938 A JP 2014131938A JP 2014131938 A JP2014131938 A JP 2014131938A JP 2016009180 A JP2016009180 A JP 2016009180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- defect
- image
- aerial image
- criticality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 166
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 66
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 59
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 35
- 238000013075 data extraction Methods 0.000 claims description 25
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012552 review Methods 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 231100000225 lethality Toxicity 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/23—Clustering techniques
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
- Evolutionary Biology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
Abstract
Description
2 ステージ
3 オートローダ制御回路
3A オートローダ
4 ステージ制御回路
4A,4B,4C モータ
5 レーザ測長手段
5A 位置回路
6 光源
7 ビームスプリッタ
8,9 光学系
11,11A TDIセンサ
12 センサアンプ
13 展開回路
14 参照回路
15 比較回路
16 パターンデータ抽出回路
17 インターフェース
20 制御計算機
21 記憶装置
22 表示装置
100 マスク評価システム
200 マスク検査装置
201 CADデータ
202 設計中間データ
203 フォーマットデータ
210 光学画像取得部
300 空間像計測装置
310 比較基準情報生成部
320 光学系
321 フィルタ
322 アパーチャ
323 CCDカメラ
330 致命度判断部
Claims (16)
- マスクに光を照射して光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記マスクの設計データから参照画像を生成する参照画像生成部と、
前記光学画像と前記参照画像を比較する比較部と、
前記比較部が欠陥と判断した箇所の座標を取得し、前記設計データから前記座標を包含する所定寸法範囲のパターンデータを抽出するパターンデータ抽出部と、
前記欠陥座標及び前記抽出したパターンデータを含む前記欠陥に付随する情報を、空間像計測装置に供給するインターフェース部とを有することを特徴とするマスク検査装置。 - 前記パターンデータ抽出部は、前記所定寸法範囲を前記設計データのクラスタ又はセルの単位とし抽出するとともに、前記設計データと対で使用される検査感度指定用のパターンデータの前記所定寸法範囲と同一な箇所を抽出することを特徴とする請求項1に記載のマスク検査装置。
- 前記欠陥に付随する情報は、前記欠陥箇所の光学画像、前記欠陥箇所の参照画像及び前記空間像計測装置の露光条件を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマスク検査装置。
- 前記空間像計測装置に用いる参照画像から前記欠陥座標を反映して生成した比較基準情報と、前記空間像計測装置で転写露光された前記欠陥箇所に対応した空間像を用いて、線幅及びホール径の誤差の計算値に基づいて前記欠陥箇所の致命度を判断する致命度判断部から前記致命度が供給され、前記供給された致命度と前記比較部で欠陥の判定に用いるしきい値との相関を生成し、前記相関に基づいて前記しきい値を再設定することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のマスク検査装置。
- 前記相関は、前記致命度が大であると判断されている場合、前記しきい値を小さくするという関係であり、前記致命度が小であると判断されている場合、前記しきい値を大きくするという関係であることを特徴とする請求項4に記載のマスク検査装置。
- マスクに光を照射して前記マスクの欠陥を検査するマスク検査装置と、露光装置で前記マスクから転写露光される空間像を光学的に模擬する空間像計測装置を組み合わせて、マスクを評価するマスク評価方法であって、
前記マスクに光を照射して取得した光学画像と、前記マスクの設計データから生成した参照画像を比較するステップと、
前記設計データから前記比較により欠陥と判断した箇所の座標を包含する所定寸法範囲のパターンデータを抽出するステップと、
前記欠陥座標及び前記抽出したパターンデータを含む前記欠陥に付随する情報を、前記マスク検査装置から前記空間像計測装置へ供給するステップとを含むことを特徴とするマスク評価方法。 - 前記パターンデータを抽出するステップでは、前記所定寸法範囲を前記設計データのクラスタ又はセルの単位とし、前記設計データと対で使用される検査感度指定用のパターンデータの前記所定寸法範囲と同一な箇所を抽出するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載のマスク評価方法。
- 前記欠陥に付随する情報は、前記欠陥箇所の光学画像、前記マスクの検査条件及び前記空間像計測装置の露光条件を含むことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のマスク評価方法。
- 前記空間像計測装置に用いる参照画像から前記欠陥座標を反映して生成した比較基準情報と、前記空間像計測装置で転写露光された前記欠陥箇所に対応した空間像を用いて、線幅及びホール径の誤差の計算値に基づいて判断した前記欠陥の致命度を、前記空間像計測装置から前記マスク検査装置に供給するステップと、
前記供給された致命度と前記欠陥の判断に用いるしきい値との相関を生成し、前記相関に基づいて前記しきい値を再設定するするステップとを含むことを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載のマスク評価方法。 - 前記相関は、前記致命度が大であると判断されている場合、前記しきい値を小さくするという関係であり、前記致命度が小であると判断されている場合、前記しきい値を大きくするという関係であることを特徴とする請求項9に記載のマスク評価方法。
- マスクに光を照射して前記マスクの欠陥を検査するマスク検査装置と、露光装置で前記マスクから転写露光される空間像を光学的に模擬する空間像計測装置を組み合わせて、マスクを評価するマスク評価システムであって、
前記マスク検査装置は、
マスクに光を照射して光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記マスクの設計データから参照画像を生成する参照画像生成部と、
前記光学画像と前記参照画像を比較する比較部と、
前記比較部が欠陥と判断した箇所の座標を取得し、前記設計データから前記座標を包含する所定寸法範囲を抽出するパターンデータ抽出部と、
前記欠陥座標及び前記抽出されたパターンデータを含む前記欠陥に付随する情報を、前記空間像計測装置へ供給するインターフェース部とを有し、
前記空間像計測装置は、
前記空間像計測装置に用いる参照画像から前記欠陥座標を反映して比較基準情報を生成する比較基準情報生成部と、
フィルタを通過した照明光で前記マスクを照明し、アパーチャを介して焦点面に設けられたCCDカメラで転写露光された前記欠陥箇所に対応した空間像を取得する光学系と、
前記比較基準情報と、前記欠陥箇所に対応した空間像を用いて、線幅及びホール径の誤差の計算値に基づいて致命度の判断をする致命度判断部とを有することを特徴とするマスク評価システム。 - 前記パターンデータ抽出部は、前記所定寸法範囲を前記設計データのクラスタ又はセルの単位とし抽出するとともに、前記設計データと対で使用される検査感度指定用のパターンデータの前記所定寸法範囲と同一な箇所を抽出することを特徴とする請求項11に記載のマスク評価システム。
- 前記欠陥に付随する情報は、前記欠陥箇所の光学画像、前記欠陥箇所の参照画像及び前記空間像計測装置の露光条件を含むことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載のマスク評価システム。
- 前記致命度と前記比較部で欠陥の判定に用いるしきい値との相関を生成し、前記相関に基づいて前記しきい値を再設定することを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載のマスク評価システム。
- 前記相関は、前記致命度が大であると判断されている場合、前記しきい値を小さくするという関係であり、前記致命度が小であると判断されている場合、前記しきい値を大きくするという関係であることを特徴とする請求項14に記載のマスク評価システム。
- 前記致命度判断部は、独立した構成であり、前記空間像計測装置から前記比較基準情報と、前記欠陥箇所に対応した空間像が供給され、致命度の判断をすることを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか1項に記載のマスク評価システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014131938A JP6307367B2 (ja) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム |
TW104116685A TWI587082B (zh) | 2014-06-26 | 2015-05-25 | Mask inspection device, mask evaluation method and mask evaluation system |
KR1020150089422A KR101768493B1 (ko) | 2014-06-26 | 2015-06-24 | 마스크 검사 장치, 마스크 평가 방법 및 마스크 평가 시스템 |
US14/748,967 US10026011B2 (en) | 2014-06-26 | 2015-06-24 | Mask inspection apparatus, mask evaluation method and mask evaluation system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014131938A JP6307367B2 (ja) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016009180A true JP2016009180A (ja) | 2016-01-18 |
JP6307367B2 JP6307367B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=54931099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014131938A Active JP6307367B2 (ja) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10026011B2 (ja) |
JP (1) | JP6307367B2 (ja) |
KR (1) | KR101768493B1 (ja) |
TW (1) | TWI587082B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018060141A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 参照画像確認方法、マスク検査方法およびマスク検査装置 |
JP2019086481A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
TWI662358B (zh) * | 2017-10-30 | 2019-06-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 缺陷檢測方法與缺陷檢測系統 |
CN109242033B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-08-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶片缺陷模式分类方法及装置、存储介质、电子设备 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015025758A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | 基板検査方法、基板製造方法および基板検査装置 |
JP7290907B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2023-06-14 | シスメックス株式会社 | 光学機器および像の形成方法 |
JP6891795B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-06-18 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 |
US10451563B2 (en) * | 2017-02-21 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Inspection of photomasks by comparing two photomasks |
DE102017203879B4 (de) * | 2017-03-09 | 2023-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Analysieren einer defekten Stelle einer photolithographischen Maske |
US10572991B2 (en) * | 2017-11-07 | 2020-02-25 | Kla-Tencor Corporation | System and method for aligning semiconductor device reference images and test images |
JP7094366B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-07-01 | 株式会社Fuji | 検査設定装置および検査設定方法 |
DE102019209394B4 (de) * | 2019-06-27 | 2024-06-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Überlagern von zumindest zwei Bildern einer fotolithographischen Maske |
DE102019117558B4 (de) * | 2019-06-28 | 2022-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Computerprogramm zum Bestimmen einer Qualität einer Maske einer Fotolithographie-Vorrichtung |
US11953448B2 (en) * | 2019-09-27 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for defect inspection |
JP7404399B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2023-12-25 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査システムおよび欠陥検査方法 |
CN111107324A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-05 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 晶圆传输***的监控装置及其监控方法 |
TWI812946B (zh) * | 2021-05-04 | 2023-08-21 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 影像辨識模型系統及維護方法 |
CN113674250B (zh) * | 2021-08-25 | 2023-10-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片 |
CN114361374B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-02-09 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板修复方法及掩膜板组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040179726A1 (en) * | 1996-08-14 | 2004-09-16 | James Burdorf | Process for detecting defects in photomasks |
JP2011039013A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2012089580A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Renesas Electronics Corp | Euvl用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2012173072A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2012248768A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 反射型マスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6873720B2 (en) * | 2001-03-20 | 2005-03-29 | Synopsys, Inc. | System and method of providing mask defect printability analysis |
US7646906B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data |
TWI396225B (zh) * | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
US7676077B2 (en) * | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
TWI457723B (zh) * | 2006-09-08 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | A mask, an exposure device, and an element manufacturing method |
US7738093B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
JP2009093138A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Canon Inc | 原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム |
JP2009198737A (ja) | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥転写特性評価方法およびフォトマスク |
US8139844B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
JP4942800B2 (ja) | 2009-08-18 | 2012-05-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
JP4918598B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2012-04-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
JP5695924B2 (ja) | 2010-02-01 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥推定装置および欠陥推定方法並びに検査装置および検査方法 |
KR101793584B1 (ko) | 2010-04-30 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 검사 장치 및 검사 방법 |
JP5591675B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2014-09-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
WO2014186476A2 (en) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | Kla-Tencor Corporation | Integrated multi-pass inspection |
JP5859039B2 (ja) | 2014-02-10 | 2016-02-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
-
2014
- 2014-06-26 JP JP2014131938A patent/JP6307367B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-25 TW TW104116685A patent/TWI587082B/zh active
- 2015-06-24 KR KR1020150089422A patent/KR101768493B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-24 US US14/748,967 patent/US10026011B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040179726A1 (en) * | 1996-08-14 | 2004-09-16 | James Burdorf | Process for detecting defects in photomasks |
JP2011039013A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2012089580A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Renesas Electronics Corp | Euvl用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2012173072A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2012248768A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 反射型マスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018060141A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 参照画像確認方法、マスク検査方法およびマスク検査装置 |
TWI662358B (zh) * | 2017-10-30 | 2019-06-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 缺陷檢測方法與缺陷檢測系統 |
US10964014B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect detecting method and defect detecting system |
JP2019086481A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP7036574B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-03-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
CN109242033B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-08-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶片缺陷模式分类方法及装置、存储介质、电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150379707A1 (en) | 2015-12-31 |
TW201612624A (en) | 2016-04-01 |
US10026011B2 (en) | 2018-07-17 |
KR20160001665A (ko) | 2016-01-06 |
KR101768493B1 (ko) | 2017-08-17 |
JP6307367B2 (ja) | 2018-04-04 |
TWI587082B (zh) | 2017-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6307367B2 (ja) | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム | |
US9177372B2 (en) | Defect estimation device and method and inspection system and method | |
JP6251647B2 (ja) | マスク検査装置及びマスク検査方法 | |
JP4933601B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP4942800B2 (ja) | 検査装置 | |
TW201721284A (zh) | 檢查方法及檢查裝置 | |
JP5514754B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP4970569B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
JP2016145887A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6633918B2 (ja) | パターン検査装置 | |
JP2012251785A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
KR101698891B1 (ko) | 마스크 검사 장치 및 마스크 검사 방법 | |
JP5780936B2 (ja) | 検査装置 | |
JP2011085536A (ja) | レビュー装置および検査装置システム | |
JP6263358B2 (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2011196952A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2009222627A (ja) | パターン検査方法、パターン検査装置及びプログラム | |
JP2015105897A (ja) | マスクパターンの検査方法 | |
JP5010701B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2016035542A (ja) | 位置測定方法、位置ずれマップの作成方法および検査システム | |
JP2018028636A (ja) | マスク検査方法 | |
JP2016035539A (ja) | 位置測定方法、位置ずれマップの作成方法および検査システム | |
JP2019139104A (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
TW201839519A (zh) | 檢查方法 | |
JP6851178B2 (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160712 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6307367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |