JP2015524207A - ブートストラップ電荷蓄積デバイスを充電するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のこれらの態様および他の態様は、以下に記載される実施形態から明らかとなり、それらを参照することによって明瞭になろう。
同じ機能を達成するための構成要素の任意の構成が、所望の機能が達成されるように効果的に「関連付けられる」。従って、本明細書における、特定の機能を達成するために結合される任意の2つの構成要素は互いに「関連付けられる」とみなすことができ、それによって、中間の構成要素またはアーキテクチャにかかわりなく、所望の機能が達成される。同様に、そのように関連付けられる任意の2つの構成要素も、所望の機能を達成するために互いに「動作可能に接続されている」または「動作可能に結合されている」とみなすことができる。
特許請求の範囲において、括弧間に置かれる任意の参照符号は特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。「備えるという文言は、特許請求項内にリストされているもの以外の要素またはステップの存在を除外するものではない。さらに、本明細書において使用される場合、「1つ」という用語は、1つまたは2つ以上として定義される。また、特許請求の範囲にいて「少なくとも1つの」および「1つ以上の」のような前置きの語句が使用されている場合、これは、「1つの」による別の特許請求項要素の導入が、そのように導入されている特許請求項要素を含む任意の特定の特許請求項を、たとえ同じ特許請求項が前置きの語句「1つ以上の」または「少なくとも1つの」および「1つの」を含む場合であっても、1つのみのそのような要素を含む発明に限定することを暗示するように解釈されるべきではない。同じことが、定冠詞の使用にも当てはまる。別途記載されない限り、「第1の」および「第2の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。従って、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。特定の手段が相互に異なる特許請求項において記載されているというだけの事実は、これらの手段の組み合わせを有利に使用することができないということを示すものではない。
Claims (13)
- 慣性負荷ドライバ回路内の少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子のための充電回路であって、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子は、前記慣性負荷ドライバ回路の少なくとも1つのスイッチング素子の出力ノードに動作可能に結合されている第1のノードを備え、前記充電回路は、
前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子の第2のノードに電流を提供するように制御可能な少なくとも1つの電流源と、
少なくとも1つの検出構成要素であって、
前記少なくとも1つの検出構成要素の第1の入力において、前記慣性負荷ドライバ回路の前記少なくとも1つのスイッチング素子の前記出力ノードにおける電圧レベルの指示を受信し、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記スイッチング素子の前記出力ノードにおける前記電圧レベルが負閾値電圧レベルを下回るか否かを検出し、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記スイッチング素子の前記出力ノードにおける前記電圧レベルが前記負閾値電圧レベルを下回る場合、前記少なくとも1つの電流源を制御して、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子の前記第2のノードに電流を提供するように構成されている、前記少なくとも1つの検出構成要素とを備える、充電回路。 - 前記負閾値電圧レベルは、前記慣性負荷ドライバ回路の負クランプ電圧に等しい負電圧レベル振幅を備える、請求項1に記載の充電回路。
- 前記少なくとも1つの検出構成要素は、
前記少なくとも1つの検出構成要素の第2の入力において、前記負閾値電圧レベルの指示を受信し、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記スイッチング素子の前記出力ノードにおける電圧レベルの受信された指示を、前記負閾値電圧レベルの受信された指示と比較し、
前記比較の結果の指示を前記少なくとも1つの電流源に出力するように構成されている、請求項1または2に記載の充電回路。 - 前記少なくとも1つの検出構成要素は、比較器構成要素を備える、請求項3に記載の充電回路。
- 前記少なくとも1つの電流源は、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子の前記第2のノードと誘導負荷ドライバ回路のグランドプレーンとの間に動作可能に結合されており、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子の前記第2のノードを前記グランドプレーンに選択的に結合するように構成されている少なくとも1つのスイッチング素子を備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の充電回路。
- 前記少なくとも1つの電流源の少なくとも1つのスイッチング素子は、少なくとも1つのnチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを備える、請求項5に記載の充電回路。
- 前記慣性負荷ドライバ回路の少なくとも1つのスイッチング素子は、少なくとも1つのnチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の充電回路。
- 前記慣性負荷ドライバ回路は、直流電流DCモータを駆動するように構成されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の充電回路。
- 前記慣性負荷ドライバ回路は、慣性負荷と正電源電圧との間に動作可能に結合されるように構成されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の充電回路。
- 前記慣性負荷ドライバ回路は、前記慣性負荷ドライバ回路の前記少なくとも1つのスイッチング素子に制御信号を出力するように構成されている回路を備える少なくとも1つのスイッチング素子制御構成要素を備え、前記スイッチング素子制御構成要素回路の負電源電圧入力は、前記慣性負荷ドライバ回路の前記少なくとも1つのスイッチング素子の出力に動作可能に結合されており、前記スイッチング素子制御構成要素回路の正電源電圧入力は、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子を介して負電源に動作可能に結合されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の充電回路。
- 単一の集積回路パッケージ内の少なくとも1つのダイを備える集積回路デバイス内に実装される、請求項1〜10のいずれか一項に記載の充電回路。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の充電回路を備える慣性負荷ドライバ回路。
- 慣性負荷ドライバ回路内の少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子を充電する方法であって、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子は、前記慣性負荷ドライバ回路の少なくとも1つのスイッチング素子の出力に動作可能に結合されている第1のノードを備え、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記少なくとも1つのスイッチング素子の出力ノードにおける電圧レベルの指示を受信すること、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記スイッチング素子の前記出力ノードにおける前記電圧レベルが負閾値電圧レベルを下回るか否かを検出すること、
前記慣性負荷ドライバ回路の前記スイッチング素子の前記出力ノードにおける前記電圧レベルが前記負閾値電圧レベルを下回る場合、前記少なくとも1つのブートストラップ電荷蓄積素子の第2のノードに電流を提供するように、少なくとも1つの電流源を制御することを備える、方法。
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